JP4425876B2 - リソグラフィ装置および位置決め装置 - Google Patents

リソグラフィ装置および位置決め装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4425876B2
JP4425876B2 JP2006115230A JP2006115230A JP4425876B2 JP 4425876 B2 JP4425876 B2 JP 4425876B2 JP 2006115230 A JP2006115230 A JP 2006115230A JP 2006115230 A JP2006115230 A JP 2006115230A JP 4425876 B2 JP4425876 B2 JP 4425876B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermediate structure
axis
substrate table
measurement system
lithographic apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006115230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006303505A (ja
Inventor
ヘンドリクス マリア ベームス マルセル
サカイ ジョー
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/109,860 external-priority patent/US7349069B2/en
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Publication of JP2006303505A publication Critical patent/JP2006303505A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4425876B2 publication Critical patent/JP4425876B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本願は、2005年4月20日に出願した米国特許出願第11/109860号の一部継続出願である。その内容を参照によって本明細書に組み込む。
本発明は、リソグラフィ装置および位置決め装置(ポジショナ)に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に、通常は基板のターゲット部分上に適用するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に用いることができる。そのような場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターン形成デバイスを用いて、ICの個々の層上に形成するための回路パターンを生成することが可能である。このパターンは、基板(例えばシリコン・ウェハ)上の(例えば1つまたは複数のダイの一部を含む)ターゲット部分に転送される。パターンの転送は通常、基板上に設けた放射線感光材料(レジスト)層への結像によるものである。一般に、単一の基板は、連続的にパターンが形成される隣接ターゲット部分のネットワークを含む。従来型のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを放射線ビームによって所与の方向(「走査」方向)に走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターンをパターン形成デバイスから基板に転送することも可能である。
最先端技術によるリソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルを含むことができる。いわゆるステッパ、またはいわゆるスキャナを用いるいずれの場合にも、例えば基板の異なる部分を照射するため、基板の異なる部分の測定を実施するため、基板を交換するためなど、基板テーブルが比較的大きい距離にわたって移動可能であることが必要である。いかなる方法であっても基板に与えられるパターンには高い精度が要求されるため、基板の高い位置決め精度が必要である。正確な位置決めを実施するために、リソグラフィ装置は測定システムを含み、それによって例えばリソグラフィ装置の投影システムに対する基準としての機能も果たす計測フレームなどの基準構造体に対する基板テーブルの位置を測定する。その本来の高い精度により、基板テーブルの位置を測定する測定システムに干渉計を使用することが可能である。この目的に対しては複数のタイプの干渉計が知られており、一例が「Agilent’s Laser and Optics User’s Manual」(p/n05517−90045)に記載されている。測定システムによって、例えば2次元平面における基板テーブルの位置を検出することができるが、一般には、例えば基板テーブルの回転、2次元平面に対する高さなどを含む他の複数の自由度も測定される。前述のように基板テーブルに要求される広い移動範囲のために、測定システムに含まれる干渉計の測定ビームの長さは、基板テーブルの位置に応じてかなり変動する可能性がある。基板テーブルの現在位置が特定の干渉計に比較的近い場合には、その特定の干渉計のビーム長は比較的短くなるが、基板テーブルがその特定の干渉計から比較的遠い位置にある他の場合には、その特定の干渉計の測定ビームの長さが比較的長くなる可能性がある。実際に実施する際には、干渉計のビーム長が、例えば0.5メートル程度の距離まで拡張されることがある。干渉計のビーム長が長く、且つ変化する場合、干渉計の測定精度が悪化する。周知のように、干渉計の読出しは干渉計ビームの波長に依存する。この波長は複数の物理量、中でも温度、干渉ビームが伝わる気体の気圧などによって決まる。基板テーブルの移動、リソグラフィ装置の他の任意の可動部分の移動、熱の発生、空気流など、あらゆる種類の外乱要因によって、干渉計ビームの波長に影響を及ぼすこうした物理パラメータに変動が生じ、干渉計ビームの波長に影響を及ぼし、あるいは局所的に影響を及ぼす可能性がある。そのため、測定システムの精度はこれらの要因によって制限され、それが基板テーブルを位置決めする精度の限界をもたらし、さらには基板にパターンを適用する際の精度に限界をまねく可能性がある。
リソグラフィ装置の、あるいは他の任意の位置決め装置の基板テーブルまたは他の任意の可動部分の位置を測定する正確な測定システムが提供されることが望ましい。
本発明の一実施例によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基準構造体と、基準構造体に対する基板テーブルの位置を測定する測定システムとを有するリソグラフィ装置あって、測定システムが、中間構造体に対する基板テーブルの位置を測定する第1の測定システム、および基準構造体に対する中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有するリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の実施例では、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基準構造体と、基準構造体に対する基板テーブルの位置を測定する測定システムとを有する位置決め装置であって、測定システムが、中間構造体に対する基板テーブルの位置を測定する第1の測定システム、および基準構造体に対する中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する位置決め装置が提供される。
次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中において同じ参照記号は同じ部分を指すものであることに留意されたい。
図1Aは、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射線ビームB(例えば、UV放射線や他の任意の適切な放射線)を調節(コンディショニング)するように構成された照明システム(照明器)ILと、パターン形成デバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成されたマスク支持構造体MTであって、所定のパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続されたマスク支持構造体(例えばマスク・テーブル)MTとを含む。この装置はまた、基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するように構成された基板テーブルWTであって、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WT、すなわち「基板支持体」を含む。装置はさらに、パターン形成デバイスMAによって放射線ビームBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSを含む。
照明システムは、放射線の方向付け、成形または制御のための、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学要素、あるいはそれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学要素を含むことができる。
マスク支持構造体は、パターン形成デバイスを支持するもの、すなわちパターン形成デバイスの重量を支えるものである。それは、パターン形成デバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、ならびに例えばパターン形成デバイスが真空環境に保持されているかどうかなど他の条件によって決まる方法でパターン形成デバイスを保持する。マスク支持構造体は、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてパターン形成デバイスを保持することもできる。マスク支持構造体を、例えばフレームまたはテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。マスク支持構造体は、パターン形成デバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」または「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成デバイス」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
本明細書で使用する「パターン形成デバイス」という用語は、放射線ビームの断面にパターンを与えて、基板のターゲット部分にパターンを生成するために用いることができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト・フィーチャ、またはいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射線ビームに与えられるパターンが、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致していない可能性があることに留意すべきである。一般に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応している。
パターン形成デバイスは、透過式であってもよく、反射式であってもよい。パターン形成デバイスの例には、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイおよびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク(alternating PSM)および減衰位相シフト・マスク(attenuated PSM)などのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの例は、小さいミラーのマトリクス状の配列を使用したものであり、入射する放射線ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーのマトリクスによって反射される放射線ビームにパターンを与える。
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射線に対して、または浸漬液の使用や真空の使用など他の要素に対して適切な、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
本明細書で図示する装置は、(例えば透過性マスクを使用する)透過式のものである。あるいは、装置は(例えば先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用する、あるいは反射性マスクを使用する)反射式のものでもよい。
リソグラフィ装置は、2(デュアル・ステージ)または3以上の基板テーブルまたは「基板支持体」(および/または2以上のマスク・テーブルまたは「マスク支持体」)を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルまたは支持体を並行して用いてもよく、あるいは1つまたは複数のテーブルまたは支持体上で予備ステップを実施し、それと同時に1つまたは複数の他のテーブルまたは支持体を露光に用いてもよい。
リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすように、基板の少なくとも一部分を、例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うタイプのものであってもよい。浸漬液を、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術を用いて、投影システムの開口数を高めることができる。本明細書で用いる「浸漬」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないこと意味するのではなく、露光中、投影システムと基板の間に液体を存在させることを意味するにすぎない。
図1Aを参照すると、照明器ILが放射線源SOから放射線ビームを受け取る。例えば放射線源がエキシマ・レーザーである場合、放射線源とリソグラフィ装置を別個の構成要素にすることができる。そうした場合には、放射線源がリソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射線ビームは、例えば適切な指向性ミラーおよび/またはビーム・エキスパンダを含むビーム・デリバリ・システムBDを用いて、放射線源SOから照明器ILへ送られる。他の場合、例えば放射線源が水銀ランプである場合には、放射線源をリソグラフィ装置の一部とすることができる。放射線源SOおよび照明器ILを、必要であればビーム・デリバリ・システムBDと共に、放射線システムと呼ぶことがある。
照明器ILは、放射線ビームの角強度分布を調整するように構成された調整装置(アジャスタ)ADを含むことができる。一般に、照明器のひとみ平面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側の半径方向範囲(それぞれ一般にσアウタ(σ−outer)、σインナ(σ−inner)と呼ばれる)を調整することができる。さらに照明器ILは、積算器INやコンデンサCOなど他の様々な構成要素を含むことができる。照明器を用いて放射線ビームを調節して、その断面内に所望の均一性および強度分布を有するようにすることができる。
放射線ビームBは、マスク支持構造体(例えばマスク・テーブルMT)上に保持されたパターン形成デバイス(例えばマスクMA)に入射し、パターン形成デバイスによって放射線ビームBにパターンが形成される。マスクMAを通過した放射線ビームBは投影システムPSを通過し、この投影システムPSがビームを基板Wのターゲット部分Cに集束させる。第2の位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば干渉測定デバイス、リニア・エンコーダまたは容量センサ)を用いて、基板テーブルWTを、例えば異なるターゲット部分Cを放射線ビームBの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決め装置PMおよび(図1Aには明示されていない)他の位置センサを用いて、マスクMAを、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後で、または走査中に、放射線ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルMTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を形成する長ストローク・モジュール(粗い位置決め)および短ストローク・モジュール(細かい位置決め)を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTすなわち「基板支持体」の移動は、第2の位置決め装置PWの一部を形成する長ストローク・モジュールおよび短ストローク・モジュールを用いて実現することができる。(スキャナではなく)ステッパの場合には、マスク・テーブルMTを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよく、あるいは固定してもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスク・アライメント・マークM1、M2、および基板アライメント・マークP1、P2を用いて位置を調整することができる。図示した基板アライメント・マークは専用のターゲット部分を占有しているが、それらをターゲット部分相互間の空間に配置してもよい(これらはスクライブレーン・アライメント・マークとして知られている)。同様に、マスクMA上に2つ以上のダイを設ける場合には、マスク・アライメント・マークをダイ相互間に配置してもよい。
図1Bは、図1Aのリソグラフィ装置のための基板ステージSt(基板チャックとも呼ばれる)を示している。ステージStは、第2の位置決め装置PWの非静止部分、ミラー・ブロックMB、およびミラー・ブロックMBに取り付けられた基板テーブルWTを有している。この実施例では、ミラー・ブロックMBは、干渉計と協働してミラー・ブロックMBの位置を測定するように構成された干渉計ミラーを備えている。
第2の位置決め装置は、ミラー・ブロックMBおよび基板テーブルWTを位置決めするように構成されている。第2の位置決め装置PWは、(短ストローク・モータShMを備えた)短ストローク・モジュール、および(長ストローク・モータLoMを備えた)長ストローク・モジュールを有している。
長ストローク・モータLoMは、静止フレームまたはバランス質量(図示せず)に取り付け可能な静止部分LMS、および静止部分に対して移動可能な非静止部分LMMを有している。短ストローク・モータShMは、(長ストローク・モータの非静止部分LMMに取り付け可能な)第1の非静止部分SMS、および(ミラー・ブロックMBに取り付け可能な)第2の非静止部分SMMを有している。
マスク・テーブルMTおよび第1の位置決め装置PM(図1A参照)は、図1Bに示したものと同様の構造を有することができることに留意すべきである。
いわゆるデュアル・ステージ装置は、2以上の前述のステージを備えることができる。各ステージは、オブジェクト・テーブル(基板テーブルWTなど)を備えることができる。こうした構成では、オブジェクト・テーブルの1つに配置された基板の高さマップの測定などの予備ステップを、他のオブジェクト・テーブルに配置された基板の露光と並行して実施することが可能である。あらかじめ測定された基板を露光するために、ステージは測定位置から露光位置まで位置を変えることができる(逆も同様である)。別法として、オブジェクト・テーブルを1つのステージから別のステージへ移動させることも可能である。
図1Aに示した装置は、以下のモードの少なくとも1つで使用することができる。
(1)ステップ・モード
このモードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する間、マスク・テーブルMTまたは「マスク支持体」、および基板テーブルWTまたは「基板支持体」が本質的に静止した状態に保たれる(すなわち、ただ1回の静止露光)。次いで、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTまたは「基板支持体」を、Xおよび/またはY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モード
このモードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、マスク・テーブルMTまたは「マスク支持体」、および基板テーブルWTまたは「基板支持体」が同期して走査される(すなわち、ただ1回の動的露光)。マスク・テーブルMTまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルWTまたは「基板支持体」の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)率、およびイメージの反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
(3)その他のモード
他のモードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成デバイスを保持しながらマスク・テーブルMTまたは「マスク支持体」を本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTまたは「基板支持体」を移動または走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルWTまたは「基板支持体」が移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成デバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
前述の使用モードの組合せおよび/または変形形態、あるいはまったく異なる使用モードを採用することもできる。
図2は、基板テーブルWT、投影システムPS、およびこの実施例では例えば計測フレームを含む基準フレームまたは基準構造体REFの側面図を、きわめて概略的に示したものである。投影システムPSは基準フレームREFに取り付けられている。ステージStは、例えば表面の少なくとも一部に反射性コーティングを備えたガラスで作製された本体を含む、ミラー・ブロックなどを有することができる。場合によって、基板テーブルもそのようなミラーを備えている。そのような実施例では基板テーブルがミラーとして機能し、したがって追加部品が不要になり、追加部品によって生じる可能性がある余計な許容誤差が防止されるため、これによって干渉計を用いた距離の測定が容易になる。図2はきわめて概略的な側面図であるため、以下でさらに詳しく説明するように、基準構造体が3次元構造を有することができることを示していない。図2はさらに、この実施例では基板テーブルWTと基準構造体REFの間に延びる中間構造体ISであって、基板テーブルWTと中間構造体ISの間の小さい隙間、ならびに中間構造体ISと基準フレームREFの間の小さい隙間を形成する中間構造体IS(本明細書では中間フレームまたはフレームとも呼ぶ)を示している。また、中間構造体ISに対する基板テーブルWTの位置を測定する第1の測定システム(図2には詳しく示していないが、図3および図4を参照してさらに詳しく説明する)が示してある。さらに図2は、基準構造体REFに対する中間構造体ISの位置を測定する第2の測定システムSMSを示している。もちろん、第1の測定システムが基板テーブルに対する中間構造体の位置を測定すること、および/または第2の測定システムが中間構造体に対する基準構造体の位置を測定することも可能である。第1および第2の測定システムによって、中間構造体に対する基板テーブルWTの位置、および基準構造体に対する中間構造体の位置が分かるため、それから基準構造体REFに対する基板テーブルWTの位置を得ることができる。さらにこの実施例では、基板テーブルWTと中間構造体の間の距離は短く、そのため図2では基板テーブルと中間構造体の間の線によって概略的に示した、第1の測定システムの短い測定ビームがもたらされる。同様に、中間構造体と基準構造体の間の距離も短く、そのため図2では中間構造体と基準構造体の間の線によって概略的に示した、中間構造体と基準構造体の間の短い測定ビームがもたらされる。したがって本明細書に記載の実施例では、測定ビームがそれぞれの部品の間を伝わるのに必要な光学経路が実質的に短いため、最先端技術による測定システムにおいて生じる可能性がある、波長によって引き起こされる測定誤差をかなり防止することができる。測定ビームが比較的短いことによる他の利点は、それぞれのビームまたは複数のビームが移動する光学経路が比較的短いため、位置決め誤差が生じ難くなること、およびビーム・シフトがきわめて小さくなり得ることにある。
次に、ここまで図2を参照して示した原理を、図3および図4を参照してさらに詳しく説明する。
図3は、基板テーブルWTおよび中間構造体ISを示している。分かりやすくするために基準構造体は図示していないが、基準構造体を中間構造体の上面の上方に配置することが可能であり、中間構造体に面した基準構造体の面が、図3で定義された軸Xおよび軸Yによって画定される平面に実質的に平行であることが、当業者には理解されよう。図3はさらに、ここではY軸として示した第1の軸に沿って基板テーブルを移動させる駆動機構に含めることが可能なX梁(Xビーム)を示している。そのために、X梁はY軸に沿って延びる構造体(図示せず)と連結することが可能であり、またリニア・モータなど任意のタイプのアクチュエータによって、そうした構造体に対して移動することができる。アクチュエータおよびX梁XBは、基板テーブルを第1の軸(すなわちY軸)に沿って移動させる第1の駆動機構を形成することができる。中間構造体は、X梁に、一般的な表現では第1の駆動機構に接続されているか、または接続可能であり、したがって中間構造体は第1の軸に沿った基板テーブルの移動に追従する。したがって中間構造体は、この実施例では例えばX梁XBに接続された第1の駆動機構に接続されているか、または接続可能であるため、基板テーブルを第1の駆動機構によってY軸に沿って移動させた場合、中間構造体はこの移動に追従することになる。利点は、基板テーブルを第1の軸に沿って移動させたとき、基板テーブルと中間構造体の間の距離がまったく、もしくはほとんど変わらないことである。また基準構造体の面が中間構造体の上方に延びているため、中間構造体と基準構造体の間の距離もあまり変わらない。したがって、中間構造体がこうした移動に追従すること、または実質的に追従することが可能であり、したがって基板テーブルと中間構造体の間の距離、ならびに中間構造体と基準構造体の間の距離にほとんど、もしくはまったく影響を及ぼさないため、基板テーブルをY軸に沿って移動させても、依然として前述の本発明の利点が当てはまる。基板テーブルは、クランプまたは他の解放可能な機構によって駆動機構に接続すること可能であり、クランピング機構または他の解放可能な機構を解放することによって、基板テーブルを駆動機構から離すことができるようになる。したがって、いわゆるデュアル・ステージ・リソグラフィ装置の場合など、例えば他の駆動構造によって、基板テーブルを前記駆動機構と無関係に扱うことができる。
リソグラフィ装置はさらに、基板テーブルをここでは第2の軸としても示すX軸に沿って移動させる、第2の駆動機構を有することができる。したがって基板テーブルWTをX軸に沿って移動させると、第2の駆動機構(図示せず)が基板テーブルWTを、この実施例ではX梁XBに対して移動させる。基板テーブルWTに面した中間構造体の面がX軸に実質的に平行に延びているため、基板テーブルWTを第2の駆動機構によってX軸に沿って移動させても、基板テーブルWTと中間構造体ISの間の距離は実質的に一定のままである。要約すると、Y軸に沿った基板テーブルの移動には中間構造体ISが追従するため、基板テーブルと中間構造体の間の距離、ならびに中間構造体と基準構造体の距離にはまったく、もしくはわずかしか影響を及ぼさない。一方、基板テーブルWTがX軸に沿って変位すると、この実施例では中間構造体がこうした移動にまったく、もしくは実質的に追従しないため、X軸に沿った基板テーブルWTの中間構造体ISに対する変位が生じるが、基板テーブルWTと中間構造体の間の距離には影響を及ぼさない。また、基板テーブルがX軸に沿って移動する場合、この実施例では中間構造体が基準構造体に対して移動しないため、中間構造体と基準構造体の間の距離は変化しない。したがって、図3に示した実施例によって、基板テーブルWTと中間構造体の間、ならびに中間構造体と基準構造体の間を実質的に同じ距離に保ちながら、基板テーブルWTをX方向にもY方向にも移動させることが可能になる。図3に示した実施例では、第1の測定システムFMSが、中間構造体と基板テーブルの間に、第1の軸すなわちY軸に実質的に平行な方向の複数の第1の(光学式の)測定ビームを発生させる。同様に、第2の測定システムSMSは、中間構造体と基準構造体の間に、この実施例ではX軸およびY軸によって画定される平面に実質的に垂直な方向など、Y軸に垂直な方向の複数の第2の(光学式の)測定ビームを発生させることが可能である。第1および第2の測定システムについてのさらに詳しい説明を以下に述べる。X軸および/またはY軸に沿った基板テーブルの移動にもかかわらず、基板テーブルと中間構造体の間、ならびに中間構造体と基準構造体の間の距離は実質的に変化しないため、第1および第2の測定システムの測定ビームの長さはまったく、もしくは実質的に変化せず、したがって第1および第2の測定システムの測定ビームの長さは、基板テーブルWTの位置または位置の移動と実質的に関係なく短いままである。したがって測定ビームは基板テーブルの広い移動範囲にわたって比較的短い長さを保つため、第1および第2の測定システムによる位置測定の精度を低下させる効果はほとんどない。現在の最先端技術では、基板テーブルが大きく移動する場合、このような短い長さを維持することが不可能であるかもしれない。
さらに現在の最先端技術では、基板テーブルの複数の側面にミラーが必要であるが、本発明では、基板テーブルの1つの側面にただ1つのミラーが必要になる可能性があるだけである。したがって本発明は基板テーブルのコストを低減し、その設計の自由を与える。
図3を参照して記述した実施例では、第2の駆動機構は、基板テーブルを第1の駆動機構に対して移動させるように構成されるが、他の実施例も可能であり、例えば第2の駆動機構が、第1の駆動機構と同じ基準に対して基板テーブルを移動させるようにしてもよいことに留意されたい。同様に、第1の駆動機構に関して記述したように、第2の駆動機構も、リニア・モータなど任意のタイプの適切なアクチュエータを有することができる。さらに、別の実施例では、第2の測定システムSMSが、第2の軸に実質的に平行な第2の測定ビームを有することも可能であり、本明細書に記載の実施例と同じもしくは類似の利点をもたらすことに留意されたい。第1および第2の測定システムFMS、SMSのセンサを表す記号に描いた矢印が、測定ビームの方向を示しているのではないことにも留意されたい。そうではなく、これらのセンサの示す方向は、それぞれのセンサがそれに沿って位置情報を提供する方向、すなわち、それぞれの位置検出デバイスによって位置情報がそれに沿って提供される方向である。次に、図4を参照して、第1および第2の測定システムについてさらに詳しく説明する。
図4に示すように、第1の測定システムは、複数の干渉計および複数のエンコーダを有している。干渉計ならびにエンコーダは、第1の軸、したがってY軸に実質的に平行に延びる測定ビームを有している。そうした干渉計とエンコーダの組合せにより、基板テーブルをX軸に実質的に平行に移動させ、基板テーブルWTの移動を中間構造体ISに相対的なものにすると、ビーム長に影響を及ぼすことなく基板テーブルWT(分かりやすくするために、図4では離してある)および中間構造体の位置測定を実施することが可能になる。本明細書に記載の実施例では、第1の測定システムは、第1の干渉計IF1、第2の干渉計IF2A、IF2Bおよび第3の干渉計IF3を有し、さらに第1の測定システムは、第1のエンコーダEnc1、第2のエンコーダEnc2および第3のエンコーダEnc3を有している。例示のため、既に述べたように図4でそれぞれの干渉計およびエンコーダから始まる矢印は、それぞれの干渉計またはエンコーダの感度の方向を示している。またそれぞれの干渉計およびエンコーダの物理的外観は、図4に示したきわめて概略的な表現とは異なっていてもよい。例えば、干渉計およびエンコーダ用の測定ビームを、それぞれファイバによる伝達によって伝えることが可能であり、したがって、例えばそれぞれの測定ビームをそれぞれの干渉計およびエンコーダの適切な位置に導くために、光ファイバを中間構造体に含めることができる。
図4に示した実施例では、第1の干渉計IF1、および第2の干渉計IF2A、IF2Bは、互いにX軸に平行な方向に隔てられ、第3の干渉計IF3は、第1および第2の干渉計からX軸およびY軸に垂直な方向に隔てられている。中間構造体に対する基板テーブルの位置に応じて、位置測定に第2の干渉計IF2Aと組み合わせた第1の干渉計IF1を適用することも、第1の干渉計IF1と第2の干渉計IF2Bの組合せを適用することもできる。測定のために第2の干渉計から適切なものを選択すると、第2の干渉計によってX軸に沿った広い移動範囲に対処することが可能になる。図3および図4を参照して記述する実施例では、基板テーブルの中心位置、この実施例では基板テーブル上面の中央点を得ることが望ましい。基板テーブルの寸法が比較的大きく、したがってこの中心と第1の測定システムの各エンコーダおよび各干渉計との間の「アーム」が比較的長いため、第1の測定システムによる測定に対する許容誤差、特にX軸まわりの基板テーブルの回転の測定における許容誤差によって、基板テーブルの中央点の位置に比較的大きい誤差が生じる。したがって、X軸まわりの回転は第1および第3の干渉計の出力値から得られるため、干渉計IF1とIF3の間の距離が大きくなるように選択される。同じ理由により、Z軸まわりの基板テーブルの回転は第1および第2の干渉計の読出しから得られるため、これらの干渉計の間の距離も同程度に大きくされる。第1の測定システムのほうに向かう基板テーブルの中央点のアームが長いため、こうした回転について高い精度が必要であり、その精度は、先に言及した干渉計相互間の距離を比較的大きくすることによって与えられる。第1および第2のエンコーダEnc1、Enc2は、X軸およびY軸に実質的に垂直な方向における位置を測定するためのスケール(scale)を有することができる。このスケールは、例えば基板テーブルWTに接続すること、あるいは基板テーブルの中間構造体に面する側面に含めることができる。同様に、第3のエンコーダEnc3は、第2の軸、すなわちX軸に実質的に平行な方向における位置を測定するためのスケールを有することができる。スケールを基板テーブルに接続すること、あるいは、例えば中間構造体に面するその反射側面を用いてスケールを基板テーブルWTに組み込むことが有利であり、したがって基板テーブルは干渉計IF1、IF2A、IF2BおよびIF3によってミラーとして使用される1つまたは複数の反射側面を既に備えているかもしれないので、簡単な方法でスケールを提供することが可能になる。以下に、中間構造体(ここではフレーム(frame)として示す)に対する基板テーブル(ここではミラー・ブロック(mirrorbl)として示す)の位置を計算する式の概要を記載する。
・ Rx_mirrorbl=(IF3−IF1)/(dist_if3_if1)
・ Ry_mirrorbl=(Enc2−Enc1)/(dist_Enc2_Enc1)
・ Rz_mirrorbl=(IF2x−IF1)/(dist_if2x_if1)(ミラー・ブロックのx位置に応じて、IF2xをIF2aまたはIF2bとすることができる)

・ X_mirrorbl=Enc3+Rz_mirrorbl×(Ywaferstage−Y0)(Y0=チャック中心とチャック側面の間の距離)
・ Y_mirrorbl=IF1+Rx_mirrorbl×Dist_if1_focus,Zcomponent
・ Z_mirrorbl=(Enc1+Enc2)/2+Rx_mirrorbl×(Ywaferstage−Y0)
上式で、Rx、Ry、Rzは、X軸、Y軸およびZ軸に対する回転を表し、dist_A_BはAとBの間の距離を表すが、この表現ではAおよびBを任意の干渉計またはエンコーダで置き換えることができる。さらに、Zcomponentという用語は、図3および図4に示したZ軸に平行な方向における成分または距離を指し、チャックという用語は基板テーブルを指す。
さらに、第1および第2のエンコーダは、互いにY軸に平行な方向に隔てられ、第3のエンコーダは、第1および第2のエンコーダからZ軸に平行な方向に隔てられていることに留意されたい。Ryは、第1および第2のエンコーダによる測定から決定される。測定のほとんどが投影システムのY軸に近いため、エンコーダ相互間の距離を干渉計相互間の距離より小さくすることができる。したがって、こうした短いアームを有するY軸まわりの回転(Ry)が及ぼす影響はより小さくなる。したがって、アームの補正に必要なRyの精度は比較的小さい。例えばエンコーダや干渉計についての文脈における「隔てられる」という用語は、その測定ビーム相互間の物理的距離を指すものと理解することができるが、この表現は、問題としている干渉計またはエンコーダの残りのほうの物理的な位置決めについて述べているのではないことに留意されたい。また、「...の方向に隔てられる」という表現は、任意の他の方向に隔てられることを除外するものではなく、したがって、例えば「干渉計IF1とIF3がZ軸に沿った方向に隔てられる」という表現は、他の任意の軸に沿って隔てられることを除外しておらず、したがってこの実施例において、これらの干渉計のビームが互いに対して必ずしも完全に垂直に配置されるわけではない。
図4はさらに、第4の干渉計IF4、第5の干渉計IF5、および第6の干渉計IF6を有する第2の測定システムSMSを示している。さらに第2の測定システムSMSは、第4のエンコーダEnc4、第5のエンコーダEnc5、および第6のエンコーダEnc6を有している。有利な実施例では、第4および第5の干渉計IF4、IF5は、互いに第2の軸に平行な方向に隔てられる。第6の干渉計を、第4および第5の干渉計から第1の軸に平行な方向に隔てることができる。第5および第6のエンコーダEnc5、Enc6は、Y軸に実質的に平行な方向における位置を測定するためのスケールを有することが可能であり、第4のエンコーダEnc4は、第2の軸に実質的に垂直な方向における位置を測定するためのスケールを有することができる。第5および第6のエンコーダEnc5、Enc6を、互いに第2の軸に平行な方向に隔てることができる。第2の測定システムに含まれるこのエンコーダと干渉計の組合せを用いて、基準構造体に対する中間構造体の位置を以下のように計算することができる。
・ Rx_frame=(IF6−IF5)/(dist_if6_if5)
・ Ry_frame=(IF5−IF4)/(dist_if5_if4)
・ Rz_frame=(Enc6−Enc5)/(dist_Enc6_Enc5)

・ X_frame=Enc4+Rz_frame×Dist_Enc4_mirrorbl側面,Ycomponent
・ Y_frame=(Enc6+Enc5)/2+Rx_frame×(dist_Enc6/Enc5_IF1,Zcomponent)
・ Z_frame=(IF5+IF4)/2+Rx_frame×dist_IF4/IF5_mirrorbl側面,Xcomponent
上式で、Rx_frame、Ry_frameなどはX軸、Y軸などのまわりのフレームの回転、すなわち中間構造体の回転を表し、X_frame、Y_frameなどは、X軸、Y軸などに沿ったフレームすなわち中間構造体の位置を表している。
中間構造体の振動を防止するため、および/または減衰させるために、中間構造体を、例えばその末端で、板ばねまたは他の任意の弾力または可撓性のある部材によって第1の駆動機構(または他の任意の適切な部分)に接続することが可能である。
第1の測定システムFMSによる測定と第2の測定システムSMSによる測定との間の正確な関係を得るために、中間構造体はインバー材料など高温安定性を有する材料を含むことが可能であり、またそれが高い剛性を有することが望ましい。そうした高い剛性を得るために、中間構造体は、矩形の中空バーまたは塊状バーを有することが好ましい。
中間構造体の他の有利な用途について、図5を参照して説明する。図5は、これまでの図を参照して記述したものと類似または同一の基板テーブルWT、中間構造体IS、第1の測定システムFMSおよび第2の測定システムSMSを示している。さらに図5は、前述のX梁XBを示している。さらに、投影システムPSをきわめて概略的に示してある。投影システムPS(より正確には、投影システムPSの下流のレンズ)と基板テーブルWTによって保持されている基板との間に、流体供給システムLSを配置して、下流の投影要素または投影レンズと基板との間の空間を満たす浸漬流体(液体または気体)を提供することができる。液浸リソグラフィは、解像能力および光学結像についていくつかの利点をもたらすが、不都合は、基板の交換時に流体供給システムLS内の浸漬流体が流出するのを防ぐために、基板の交換のために複雑な閉鎖機構が必要になることである。本発明の1つの観点によれば、中間構造体ISを適用して流体供給システムを閉鎖して、例えば基板テーブルWTによって保持された基板を交換または取り外すとき、流体が流出するのを防ぐことができる。したがって、リソグラフィ装置を、基板テーブルWTと中間構造体をY軸に沿って図5の描画面の左へ向かう方向に移動させるように構成し、投影システムおよび流体供給システムが中間構造体、特にその領域Aに面するようにすることができる。これで中間構造体の領域Aの面が流体供給システムを閉鎖することが可能になり、したがって浸漬液の流出が防止される。この状態で、領域Aを、流体供給システムを閉鎖するための閉鎖面として利用すると、この位置における中間構造体の変位から圧力を得ることができるため、流体供給システム内の浸漬流体(浸漬液または浸漬ガス)の圧力に関して圧力測定を実施することが可能になる。浸漬液の圧力が高いほど、中間構造体の変位が大きく観測される可能性があり、これを、例えば第2の測定システムSMSによって検出することができる。中間構造体の回転を、例えば中間構造体ISによって領域Aの様々な部分で観測される圧力の違いという結果にすることができるため、先に概説したように第2の測定システムが中間構造体の位置を6つの自由度によって提供すると、第2の測定システムの読出しから圧力プロファイルに関する情報を得ることができる。したがって、例示の圧力測定装置を実装して、浸漬フードとしても示す液体供給システム内の浸漬流体の圧力、および/または圧力のプロファイルを測定することができる。圧力測定装置は、前述の圧力測定に加えてまたはその代わりに、中間構造体の中または上、特にその面Aの中または上に配置された圧力センサなど、複数のセンサを有することができる。したがって、これらのセンサの読出しから、浸漬流体の圧力を容易に得ることができる。センサは、圧力プロファイルを提供するセンサを含むことができる。
図5では円で印を付けたが、領域Aはもちろん中間構造体の面の一部分を形成することが可能であり、あるいは(長方形、楕円形など)他の任意の適切な形を有することもできる。領域Aのサイズを、液体供給システムのサイズ、または基板のサイズと実質的に等しくすることができるが、より大きいサイズにすることも可能であり、そのような場合には、領域Aを、その一部のみで液体供給システムを閉鎖するのに、および/または以下に述べる測定を実施する機能を提供するのに十分な大きさにすることができるため、基板テーブルの移動、したがっておそらくはそれに接続された中間構造体の移動もまた可能にするという利点がもたらされる。したがって、それよって領域Aのサイズがそうした移動を扱うのに十分な大きさになると、例えばy方向における基板テーブルの移動がある程度可能になるため、柔軟性が与えられる。これによって、例えば基板の交換、デュアル・ステージのリソグラフィ装置における基板テーブルのスワップなどと同時に、本明細書に記載の中間構造体による浸漬流体供給の閉鎖機能および/または測定機能を提供するなど、リソグラフィ装置によって複数の機能を並行して実施するとき、基板テーブルにある程度の移動の自由を与えることが可能になる。
また中間構造体は、浸漬流体を濾過する浸漬流体濾過デバイスを有することができる。濾過デバイスは、入口、フィルタおよび出口を有することができ、入口は領域Aの面から至り、出口は領域Aの面の方へ通じている。フィルタを、例えば領域Aの下の中間構造体に配置し、入口および出口がフィルタから領域Aへ通じるようにしてもよい。さらに、流体供給システムを閉鎖する中間構造体の面、例えば領域Aが、基板の表面粗さに実質的に等しい表面粗さを有するようにすることが可能であり、したがって、浸漬流体の流通に対して実質的に同じ流通抵抗が与えられるため、流体供給システムが領域Aではなく基板によって閉鎖されるときの流体の流通に実質的に等しい浸漬流体の流通が可能になり、それによって領域Aによって閉鎖されたときの流体の流通が、基板によって閉鎖されたときの流体の流通に実質的に等しくなるため、前述の圧力測定装置によるきわめて高精度の圧力測定が可能になる。
測定システムおよび中間構造体は、リソグラフィ装置だけではなく、一般に任意の位置決め装置に適用することが可能であり、位置決め装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基準構造体と、基準構造体に対する基板テーブルの位置を測定する測定システムとを有し、測定システムは、中間構造体に対する基板テーブルの位置を測定する第1の測定システム、および基準構造体に対する中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する。前述のリソグラフィ装置の好ましい実施例を、本明細書に記載の位置決め装置を用いて実施し、同じもしくは類似の利点および効果をもたらすこともできる。
中間構造体、好ましくはその領域Aは、前述の特徴に加えて、またはその代わりに、投影システムによって投影された線量を測定する線量センサ、イメージ面の平坦性または投影システムによって投影されたエアリアル・イメージを測定するTIS(透過イメージ・センサ)センサなどのイメージ・センサ、および/または投影システムの収差を測定する収差センサなど、1つまたは複数の光学センサOをさらに有することができる。中間構造体が、例えば浸漬流体を保持するように位置付けられているとき、したがって中間構造体(特にその領域A)が、投影システムの焦点面またはその近くに位置決めされているとき、これらのセンサを用いて測定を実施することが可能である。利点は、そうすることによってリソグラフィ装置のより高いスループット、およびより優れた性能を提供することが可能になることである。最先端技術では、前述の光学センサが基板テーブルに含まれていることがあり、したがって、そうした光学センサを利用して測定を実施するときには、基板テーブルを正確に位置決めする必要がある。本明細書に記載の実施例によれば、センサを用いた測定を実施するために中間構造体のみを位置決めしてそのような測定を実施することができ、そのとき、基板テーブルを他のタスク(例えばウェハの交換)に用いることが可能であり、したがってこれらのタスクを並行して実施することが可能になる。例えば露光後のウェハ・ステージの交換またはスワップの間、あるいは中間構造体を用いて浸漬流体を保持するときは必ず、(例えば、焦点面内またはその近くの適切な位置にセンサ組立体を移動させるための)時間および移動を実質的に追加する必要なしに、線量、イメージ面の平坦性およびレンズ収差などのパラメータを測定することができる。さらに、センサを中間構造体に対して移動可能にすることもでき、これは、基板のスワップ中、または液体の保持中に、中間構造体がx、yおよび/またはz方向に移動することができない場合に有利である可能性がある。この場合、中間構造体は、中間構造体に含まれる(1つまたは複数の)可動センサ(の位置)を識別する位置決めセンサ(例えば干渉計、圧電式など)を有することができる。
図6は、基板テーブルWT、中間構造体IS、浸漬流体IFLを保持する流体供給システムLS、および投影システムPSの下流端のレンズについての実施例の概略的な側面図を示している。中間構造体は、図5に関して記述した中間構造体を適用すると基板テーブルWTと中間構造体ISの間に漏出する恐れがある浸漬流体を排出する、浸漬流体漏出用の排出路IFLDを有している。排出された浸漬液は、例えば適切な濾過デバイスによって濾過した後、再利用することができる。投影システムに面する可能性がある中間構造体の面の縁部に漏出ストッパLSTを設けて、その縁部での浸漬流体の流出を防ぐことができる。
前述の第1および第2の測定システムの代わりに、またはそれらに加えて、第1および第2の測定システムは、(それだけには限らないが)容量センサ、フォトニック・センサ、渦電流センサ、磁気エンコーダ、または好ましくは(サブ)nmの精度が得られる他の任意のセンサを有することもできる。
本明細書に記載のリソグラフィ装置および位置決め装置の測定システムは、基板テーブルの位置の測定に利用するだけではなく、基準構造体、第1の測定システムに対する任意の可動部分の位置の測定、したがって中間構造体に対する可動部分の位置の測定に利用することもできる。したがって本明細書の文脈では、「基板テーブル」という表現は、リソグラフィ装置および/または位置決め装置の任意の可動部分を含むものと理解することもできる。
さらに本発明は、中間構造体上のセンサ・ヘッド、ならびに基板テーブルおよび基準構造体それぞれの上のターゲット(例えばミラーおよびスケール)に限定されないことに留意されたい。1つまたは複数のセンサ・ヘッドを基板テーブル(または基準フレーム)に、ターゲットを中間構造体に取り付けることも可能である。
さらに、対称性の目的のために、干渉計IF4に対してIF5とIF6の間の距離に等しいY変位を有する(例えばIF7として暗示する)重複(リダンダント)干渉計を加えることができ、これは干渉計IF4と同じX位置およびZ位置を有している。この追加の干渉計によって計測のモデル化がより簡単になり、位置測定の精度をさらに向上させることができる。
本明細書では、リソグラフィ装置をICの製造に用いることについて特に言及しているかもしれないが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることが当業者には理解されよう。本明細書で言及している基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール)や計測ツールおよび/または検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ICを作製するために基板を2回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。
ここまで、本発明の実施例を光学リソグラフィの場合に使用することについて特に言及してきたが、本発明を、例えばインプリント・リソグラフィなど他の用途に用いることが可能であり、状況が許す場合には、光学リソグラフィに限定されないことは明らかであろう。インプリント・リソグラフィでは、パターン形成デバイスのトポグラフィによって基板上に生成されるパターンが決まる。パターン形成デバイスのトポグラフィを、基板に与えられたレジスト層に押し込むことが可能であり、その後、電磁放射線、熱、圧力またはそれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。レジストの硬化後、パターン形成デバイスを移動させてレジストから離すと、レジストにパターンが残る。
本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、(例えば365、248、193、157または126nmの波長を有する)紫外(UV)放射線、および(例えば5〜20nmの範囲の波長を有する)極端紫外(EUV)放射線を含むあらゆるタイプの電磁放射線、ならびにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。
「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式の光学要素を含む、様々なタイプの光学要素の任意の1つまたはそれらの組合せを指すことがある。
ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施可能であることが理解されよう。例えば、本発明は、先に開示した方法を記述した、マシン可読コマンドの1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、あるいはそのようなコンピュータ・プログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形とすることができる。
前述の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、前述の本発明に変更を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 図1Aのリソグラフィ装置のステージを示す図である。 本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の一部を、きわめて概略的に示す図である。 図2の実施例の斜視図である。 図2の実施例の他の斜視図である。 本発明の他の実施例によるリソグラフィ装置の一部の斜視図である。 本発明の他の実施例によるリソグラフィ装置の一部を、きわめて概略的に示す図である。
符号の説明
AD 調整装置(アジャスタ)
B 放射線ビーム
BD ビーム・デリバリ・システム
C ターゲット部分
IF 位置センサ
IL 照明器(イルミネータ)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
MA パターン形成デバイス、マスク
MT マスク・テーブル、マスク支持構造体、マスク支持体
P1、P2 基板アライメント・マーク
PS 投影システム
PM、PW 位置決め装置(ポジショナ)
SO 放射線源
St 基板ステージ
W 基板
WT 基板テーブル、基板支持体
LoM 長ストローク・モータ
LMS 長ストローク・モータの静止部分
LMM 長ストローク・モータの非静止部分
MB ミラー・ブロック
ShM 短ストローク・モータ
SMS 短ストローク・モータの静止部分
SMM 短ストローク・モータの非静止部分
FMS 第1の測定システム
SMS 第2の測定システム
IS 中間構造体
REF 基準構造体
XB X梁(Xビーム)
IF1、IF2A、IF2B、IF3、IF4、IF5、IF6 干渉計
Enc1、Enc2、Enc3、Enc4、Enc5、Enc6 エンコーダ
A 中間構造体の領域
O 光学センサ
IFL 浸漬流体
IFLD 浸漬流体漏出用の排出路
LS 流体供給システム
LST 漏出ストッパ

Claims (24)

  1. 基板を保持するように構成された基板テーブルを有するステージと、
    中間構造体と、
    前記中間構造体の上方に配置された基準構造体と、
    前記基準構造体に対する前記ステージの位置を測定する測定システムであって、前記中間構造体に対する前記ステージの一部の位置を測定する第1の測定システム、及び、前記基準構造体に対する前記中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する、測定システム
    前記ステージの前記一部を第1の軸線に沿って移動させる第1の駆動機構であって、前記中間構造体が、前記ステージの前記一部の前記第1の軸線に沿った移動に追従するように第1の駆動機構に接続可能である、第1の駆動機構と、
    前記ステージの前記一部を前記第1の軸線と直交する第2の軸線に沿って移動させる第2の駆動機構であって、前記ステージの前記一部を前記第1の駆動機構に対して移動させるように構成された、第2の駆動機構と
    を備え、
    前記第1の測定システムは、動作中、前記ステージの前記一部と前記中間構造体の間に、前記第1の軸線に実質的に平行な方向の複数の第1の光学式測定ビームを発生させ、
    前記第2の測定システムは、動作中、前記中間構造体と前記基準構造体の間に、前記第1および第2の軸線によって画定される平面に垂直な方向の複数の第2の光学式測定ビームを発生させ、
    前記ステージの前記一部は、前記ステージの前記一部と前記中間構造体の間の距離、及び、前記中間構造体と前記基準構造体の間の距離がそれぞれ実質的に変化しないように前記第1および第2の軸線に沿って移動させられるように構成された、リソグラフィ装置。
  2. 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    中間構造体と、
    前記中間構造体の上方に配置された基準構造体と、
    前記基準構造体に対する前記基板テーブルの位置を測定する測定システムであって、前記中間構造体に対する前記基板テーブルの位置を測定する第1の測定システム、及び、前記基準構造体に対する前記中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する、測定システム
    前記基板テーブルを第1の軸線に沿って移動させる第1の駆動機構であって、前記中間構造体が、前記基板テーブルの前記第1の軸線に沿った移動に追従するように第1の駆動機構に接続可能である、第1の駆動機構と、
    前記基板テーブルを前記第1の軸線と直交する第2の軸線に沿って移動させる第2の駆動機構であって、前記基板テーブルを前記第1の駆動機構に対して移動させるように構成された、第2の駆動機構と
    を備え、
    前記第1の測定システムは、動作中、前記基板テーブルと前記中間構造体の間に、前記第1の軸線に実質的に平行な方向の複数の第1の光学式測定ビームを発生させ、
    前記第2の測定システムは、動作中、前記中間構造体と前記基準構造体の間に、前記第1および第2の軸線によって画定される平面に垂直な方向の複数の第2の光学式測定ビームを発生させ、
    前記基板テーブルは、前記基板テーブルと前記中間構造体の間の距離、及び、前記中間構造体と前記基準構造体の間の距離がそれぞれ実質的に変化しないように前記第1および第2の軸線に沿って移動させられるように構成された、リソグラフィ装置。
  3. 基板を保持するように構成された基板テーブルを支えるミラー・ブロックを有するステージと、
    中間構造体と、
    前記中間構造体の上方に配置された基準構造体と、
    前記基準構造体に対する前記ミラー・ブロックの位置を測定する測定システムであって、前記中間構造体に対する前記ミラー・ブロックの位置を測定する第1の測定システム、及び、前記基準構造体に対する前記中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する、測定システム
    前記ミラー・ブロックを第1の軸線に沿って移動させる第1の駆動機構であって、前記中間構造体が、前記ミラー・ブロックの前記第1の軸線に沿った移動に追従するように第1の駆動機構に接続可能である、第1の駆動機構と、
    前記ミラー・ブロックを前記第1の軸線と直交する第2の軸線に沿って移動させる第2の駆動機構であって、前記ミラー・ブロックを前記第1の駆動機構に対して移動させるように構成された、第2の駆動機構と
    を備え、
    前記第1の測定システムは、動作中、前記ミラー・ブロックと前記中間構造体の間に、前記第1の軸線に実質的に平行な方向の複数の第1の光学式測定ビームを発生させ、
    前記第2の測定システムは、動作中、前記中間構造体と前記基準構造体の間に、前記第1および第2の軸線によって画定される平面に垂直な方向の複数の第2の光学式測定ビームを発生させ、
    前記ミラー・ブロックは、前記ミラー・ブロックと前記中間構造体の間の距離、及び、前記中間構造体と前記基準構造体の間の距離がそれぞれ実質的に変化しないように前記第1および第2の軸線に沿って移動させられるように構成された、リソグラフィ装置。
  4. 記第1および第2の軸線が平面を画定し、前記基準構造体の面が前記平面に実質的に平行に延びている請求項1から3のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記第1の測定システムが、第1の干渉計、少なくとも1つの第2の干渉計、および第3の干渉計、ならびに第1のエンコーダ、第2のエンコーダ、および第3のエンコーダを有する請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記第1の干渉計および少なくとも1つの第2の干渉計が、互いに前記第2の軸線に平行な方向に隔てられ、前記第3の干渉計が、前記第1および第2の干渉計から前記第1および第2の軸線に垂直な方向に隔てられている請求項に記載のリソグラフィ装置。
  7. 第1および第2のエンコーダが、前記第1および第2の軸線に実質的に垂直な方向における位置を測定するためのスケールを有し、前記第3のエンコーダが、前記第2の軸線に実質的に平行な方向における位置を測定するためのスケールを有する請求項に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記第1およびの第2のエンコーダが、前記第2の軸線に平行な方向に互いに隔てられ、前記第3のエンコーダが、前記第1および第2のエンコーダから前記第1および第2の軸線に垂直な方向に隔てられている請求項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記第2の測定システムが、第4、第5および第6の干渉計、ならびに第4、第5および第6のエンコーダを有する請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記第4および第5の干渉計が、前記第2の軸線に平行な方向に互いに隔てられ、前記第6の干渉計が、前記第4および第5の干渉計から前記第1の軸線に平行な方向に隔てられている請求項に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記第5および第6のエンコーダが、前記第1の軸線に実質的に平行な方向における位置を測定するためのスケールを有し、前記第4のエンコーダが、前記第2の軸線に実質的に平行な方向における位置を測定するためのスケールを有する請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記第5および第6のエンコーダが、前記第2の軸線に平行な方向に互いに隔てられている請求項11に記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記中間構造体の末端が、板ばねによって前記第1の駆動機構に接続されている請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記中間構造体が、少なくとも部分的にインバー材料からなる請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記中間構造体が、前記基板テーブルと前記基準構造体の間に延びている請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記基板を前記リソグラフィ装置の浸漬フードから離れるように移動させるときに前記中間構造体を該浸漬フードの下に移動させるようにリソグラフィ装置が構成されており、前記中間構造体の面が前記浸漬フードを閉鎖する請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記浸漬フード内の浸漬流体の圧力を測定する圧力測定装置を有し、該圧力測定装置が、前記浸漬フード閉鎖板の働きをするときに前記中間構造体の変位から圧力を得る請求項16に記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記浸漬フード内の浸漬流体の圧力を測定する圧力測定装置を有し、該圧力測定装置が、前記中間構造体内に配置された複数の圧力センサを備える請求項16に記載のリソグラフィ装置。
  19. 前記中間構造体が浸漬流体濾過デバイスを有する請求項16に記載のリソグラフィ装置。
  20. 前記浸漬フードを閉鎖する前記中間構造体の前記面が、前記基板の表面粗さと実質的に等しい表面粗さを有する請求項16に記載のリソグラフィ装置。
  21. 投影システムに面する前記中間構造体の面、好ましくは前記浸漬フードを閉鎖する前記中間構造体の前記面が、前記投影システムによって投影された線量を測定する線量センサ、イメージ面の平坦性または前記投影システムによって投影されたエアリアル・イメージを測定するイメージ・センサ、および/または前記投影システムの収差を測定する収差センサを含むセンサの群のうちの1つまたは複数を含む光学センサを有する請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  22. 基板を保持するように構成された基板テーブルを有するステージと、
    中間構造体と、
    前記中間構造体の上方に配置された基準構造体と、
    前記基準構造体に対する前記ステージの位置を測定する測定システムであって、前記中間構造体に対する前記ステージの一部の位置を測定する第1の測定システム、及び、前記基準構造体に対する前記中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する、測定システム
    前記ステージの前記一部を第1の軸線に沿って移動させる第1の駆動機構であって、前記中間構造体が、前記ステージの前記一部の前記第1の軸線に沿った移動に追従するように第1の駆動機構に接続可能である、第1の駆動機構と、
    前記ステージの前記一部を前記第1の軸線と直交する第2の軸線に沿って移動させる第2の駆動機構であって、前記ステージの前記一部を前記第1の駆動機構に対して移動させるように構成された、第2の駆動機構と
    を備え、
    前記第1の測定システムは、動作中、前記ステージの前記一部と前記中間構造体の間に、前記第1の軸線に実質的に平行な方向の複数の第1の光学式測定ビームを発生させ、
    前記第2の測定システムは、動作中、前記中間構造体と前記基準構造体の間に、前記第1および第2の軸線によって画定される平面に垂直な方向の複数の第2の光学式測定ビームを発生させ、
    前記ステージの前記一部は、前記ステージの前記一部と前記中間構造体の間の距離、及び、前記中間構造体と前記基準構造体の間の距離がそれぞれ実質的に変化しないように前記第1および第2の軸線に沿って移動させられるように構成された、位置決め装置。
  23. 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    中間構造体と、
    前記中間構造体の上方に配置された基準構造体と、
    前記基準構造体に対する前記基板テーブルの位置を測定する測定システムであって、前記中間構造体に対する前記基板テーブルの位置を測定する第1の測定システム、及び、前記基準構造体に対する前記中間構造体の位置を測定する第2の測定システムを有する、測定システム
    前記基板テーブルを第1の軸線に沿って移動させる第1の駆動機構であって、前記中間構造体が、前記基板テーブルの前記第1の軸線に沿った移動に追従するように第1の駆動機構に接続可能である、第1の駆動機構と、
    前記基板テーブルを前記第1の軸線と直交する第2の軸線に沿って移動させる第2の駆動機構であって、前記基板テーブルを前記第1の駆動機構に対して移動させるように構成された、第2の駆動機構と
    を備え、
    前記第1の測定システムは、動作中、前記基板テーブルと前記中間構造体の間に、前記第1の軸線に実質的に平行な方向の複数の第1の光学式測定ビームを発生させ、
    前記第2の測定システムは、動作中、前記中間構造体と前記基準構造体の間に、前記第1および第2の軸線によって画定される平面に垂直な方向の複数の第2の光学式測定ビームを発生させ、
    前記基板テーブルは、前記基板テーブルと前記中間構造体の間の距離、及び、前記中間構造体と前記基準構造体の間の距離がそれぞれ実質的に変化しないように前記第1および第2の軸線に沿って移動させられるように構成された、位置決め装置。
  24. 記第1および第2の軸線が平面を画定し、前記基準構造体の面が前記平面に実質的に平行に延びている請求項22又は23に記載の位置決め装置。
JP2006115230A 2005-04-20 2006-04-19 リソグラフィ装置および位置決め装置 Expired - Fee Related JP4425876B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/109,860 US7349069B2 (en) 2005-04-20 2005-04-20 Lithographic apparatus and positioning apparatus
US11/135,637 US7405811B2 (en) 2005-04-20 2005-05-24 Lithographic apparatus and positioning apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006303505A JP2006303505A (ja) 2006-11-02
JP4425876B2 true JP4425876B2 (ja) 2010-03-03

Family

ID=36659800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006115230A Expired - Fee Related JP4425876B2 (ja) 2005-04-20 2006-04-19 リソグラフィ装置および位置決め装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7405811B2 (ja)
EP (1) EP1715384B1 (ja)
JP (1) JP4425876B2 (ja)
KR (1) KR100857258B1 (ja)
DE (1) DE602006011667D1 (ja)
SG (1) SG126883A1 (ja)
TW (1) TWI323392B (ja)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI550688B (zh) * 2006-01-19 2016-09-21 尼康股份有限公司 液浸曝光裝置及液浸曝光方法、以及元件製造方法
KR101495471B1 (ko) * 2006-02-21 2015-02-23 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
CN102866591B (zh) 2006-02-21 2015-08-19 株式会社尼康 曝光装置及方法、以及元件制造方法
EP2003680B1 (en) 2006-02-21 2013-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
KR101634893B1 (ko) 2006-08-31 2016-06-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
CN103645608B (zh) 2006-08-31 2016-04-20 株式会社尼康 曝光装置及方法、组件制造方法以及决定方法
US20080094592A1 (en) 2006-08-31 2008-04-24 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
TWI574304B (zh) 2006-09-01 2017-03-11 尼康股份有限公司 Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method
EP2993523B1 (en) 2006-09-01 2017-08-30 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR101360507B1 (ko) * 2006-09-29 2014-02-07 가부시키가이샤 니콘 이동체 시스템, 패턴 형성 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
EP2095065A4 (en) * 2006-11-15 2010-11-24 Zygo Corp MEASURING SYSTEMS FOR DISTANCE MEASUREMENT INTERFEROMETER AND COORDINATOR FOR LITHOGRAPHY TOOL
US7894075B2 (en) 2006-12-11 2011-02-22 Zygo Corporation Multiple-degree of freedom interferometer with compensation for gas effects
US7903866B2 (en) 2007-03-29 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object
US8687166B2 (en) * 2007-05-24 2014-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an encoder position sensor system
US8760615B2 (en) 2007-05-24 2014-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having encoder type position sensor system
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8023106B2 (en) * 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) * 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
US8508735B2 (en) * 2008-09-22 2013-08-13 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2423749B1 (en) * 2010-08-24 2013-09-11 ASML Netherlands BV A lithographic apparatus and device manufacturing method
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
US20130182235A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Nikon Corporation Measurement system that includes an encoder and an interferometer
US9529280B2 (en) * 2013-12-06 2016-12-27 Kla-Tencor Corporation Stage apparatus for semiconductor inspection and lithography systems
KR102552792B1 (ko) 2015-02-23 2023-07-06 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP6719729B2 (ja) 2015-02-23 2020-07-08 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法
KR102574558B1 (ko) 2015-02-23 2023-09-04 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법
KR102676390B1 (ko) * 2015-09-30 2024-06-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법
DE102021106289A1 (de) * 2020-05-07 2021-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System und verfahren zum ausführen von extrem-ultraviolett-photolithografieprozessen
EP4372790A1 (de) 2022-11-18 2024-05-22 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Positioniereinrichtung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3617126A (en) * 1969-11-10 1971-11-02 Jodon Engineering Associates Repositioning apparatus for photographic plates
US4676649A (en) * 1985-11-27 1987-06-30 Compact Spindle Bearing Corp. Multi-axis gas bearing stage assembly
US4891526A (en) * 1986-12-29 1990-01-02 Hughes Aircraft Company X-Y-θ-Z positioning stage
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JPH11189332A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Canon Inc ステージ装置およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
US6686991B1 (en) * 2000-11-06 2004-02-03 Nikon Corporation Wafer stage assembly, servo control system, and method for operating the same
US6665054B2 (en) * 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US7052809B2 (en) * 2002-10-02 2006-05-30 Mykrolis Corporation Membrane and reticle-pellicle apparatus with purged pellicle-to-reticle gap using same
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
SG147288A1 (en) * 2003-04-29 2008-11-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method and angular encoder
DE602005026913D1 (de) 2004-02-11 2011-04-28 Koninkl Philips Electronics Nv System und verfahren zum positionieren eines produkts

Also Published As

Publication number Publication date
US20060238733A1 (en) 2006-10-26
EP1715384B1 (en) 2010-01-13
EP1715384A2 (en) 2006-10-25
US7405811B2 (en) 2008-07-29
TW200707133A (en) 2007-02-16
DE602006011667D1 (de) 2010-03-04
KR20060110807A (ko) 2006-10-25
KR100857258B1 (ko) 2008-09-05
EP1715384A3 (en) 2007-01-24
JP2006303505A (ja) 2006-11-02
TWI323392B (en) 2010-04-11
SG126883A1 (en) 2006-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4425876B2 (ja) リソグラフィ装置および位置決め装置
US7349069B2 (en) Lithographic apparatus and positioning apparatus
JP5582165B2 (ja) 測定装置、測定方法及びステージ装置
KR101478854B1 (ko) 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스의 제조 방법
KR101651447B1 (ko) 정량적 레티클 왜곡 측정 시스템
JP6957692B2 (ja) リソグラフィ装置
JP6013396B2 (ja) 基板テーブルを備えるリソグラフィ装置
KR100706934B1 (ko) Z오프셋 및 비-수직 조명으로 인한 마스크 대물시프트의 y에서의 위치보정
JP5237434B2 (ja) アクチュエータシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
KR100849982B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US10289011B2 (en) Position measurement system, interferometer and lithographic apparatus
JP6426204B2 (ja) 対象物位置決めシステム、制御システム、リソグラフィ装置、対象物位置決め方法およびデバイス製造方法
US7426011B2 (en) Method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5057235B2 (ja) 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
US20070070313A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7283249B2 (en) Lithographic apparatus and a method of calibrating such an apparatus
KR101671824B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 이격 측정 시스템
WO2019134776A1 (en) Positioning device, lithographic apparatus, method for compensating a balance mass torque and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20061206

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091125

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218

Year of fee payment: 3

S802 Written request for registration of partial abandonment of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees