KR100774898B1 - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100774898B1 KR100774898B1 KR1020060011084A KR20060011084A KR100774898B1 KR 100774898 B1 KR100774898 B1 KR 100774898B1 KR 1020060011084 A KR1020060011084 A KR 1020060011084A KR 20060011084 A KR20060011084 A KR 20060011084A KR 100774898 B1 KR100774898 B1 KR 100774898B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- conductive film
- capacitor
- insulating film
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
Abstract
Description
Claims (10)
- 삭제
- 삭제
- 반도체 기판의 표층에 불순물 확산 영역을 형성하는 공정과,상기 반도체 기판 위에 절연막을 형성하는 공정과,상기 불순물 확산 영역 위의 절연막에 홀을 형성하는 공정과,상기 절연막의 상면과 상기 홀내에, 플러그용 도전막을 형성하는 공정과,상기 플러그용 도전막을 연마하여 상기 홀내에만 남기고, 상기 홀내의 상기 플러그용 도전막을 상기 불순물 확산 영역과 전기적으로 접속된 도전성 플러그로 하는 공정과,상기 절연막과 상기 도전성 플러그 각각의 상면에 바탕 도전막을 형성하는 공정과,상기 바탕 도전막의 상면을 연마하여 평탄화하는 공정과,상기 바탕 도전막 위에 결정성 도전막을 형성하는 공정과,상기 결정성 도전막 위에, 하부 전극, 강유전체 재료로 이루어진 커패시터 유전체막, 및 상부 전극을 순차로 적층하여 이루어지는 커패시터를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 바탕 도전막의 상면을 평탄화한 후에, 상기 바탕 도전막의 상면을 질소 함유 플라즈마에 노출하는 공정, 또는 상기 결정성 도전막의 상면을 질소 함유 플라즈마에 노출하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 질소 함유 플라즈마는 N2O플라즈마인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 결정성 도전막을 형성하는 공정은 상기 바탕 도전막 위에 티탄막을 형성하는 공정과, 질소 함유 분위기내에서 상기 티탄막을 가열하여 질화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 결정성 도전막을 형성한 후에, 상기 결정성 도전막 위에 산소 배리어 메탈막을 형성하는 공정을 가지며, 상기 커패시터를 형성하는 공정에서, 상기 산소 배리어 메탈막 위에 상기 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 커패시터를 형성한 후에, 상기 커패시터 유전체막에 대하여 산소 함유 분위기중에서 어닐링을 행하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 어닐링을 행하는 공정 후에, 상기 커패시터로 덮여 있지 않는 부분의 상기 산소 배리어 메탈막, 상기 결정성 도전막, 및 상기 바탕 도전막을 에치백하여, 이 막들을 상기 커패시터 아래에 섬 형상으로 남기는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 커패시터를 형성한 후에, 상기 커패시터 위와 상기 산소 배리어 메탈막 위에 커패시터 보호 절연막을 형성하는 공정을 가지며,상기 산소 배리어 메탈막을 에치백하는 공정에서, 상기 커패시터 보호 절연막도 에치백하여 상기 커패시터의 측면에만 상기 커패시터 보호 절연막을 남기는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00307176 | 2005-10-21 | ||
JP2005307176A JP2007115972A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070088850A Division KR100878868B1 (ko) | 2005-10-21 | 2007-09-03 | 반도체 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070043563A KR20070043563A (ko) | 2007-04-25 |
KR100774898B1 true KR100774898B1 (ko) | 2007-11-09 |
Family
ID=37984541
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060011084A KR100774898B1 (ko) | 2005-10-21 | 2006-02-06 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR1020070088850A KR100878868B1 (ko) | 2005-10-21 | 2007-09-03 | 반도체 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070088850A KR100878868B1 (ko) | 2005-10-21 | 2007-09-03 | 반도체 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20070090438A1 (ko) |
JP (1) | JP2007115972A (ko) |
KR (2) | KR100774898B1 (ko) |
CN (1) | CN100552959C (ko) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5010121B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2012-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007115972A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP4721003B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP4702550B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4600322B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
KR101025189B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2011-03-31 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP4164700B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリおよびその製造方法 |
KR100755373B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2007-09-04 | 삼성전자주식회사 | 도전성 산화막을 갖는 콘택 구조체, 이를 채택하는강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법들 |
JP5242044B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-07-24 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体メモリ装置とその製造方法 |
US7772014B2 (en) * | 2007-08-28 | 2010-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having reduced single bit fails and a method of manufacture thereof |
WO2011161936A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化素子の製造方法 |
US8815706B2 (en) * | 2012-01-20 | 2014-08-26 | Infineon Technologies Ag | Methods of forming semiconductor devices |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990030200A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-26 | 쓰지 하루오 | 커패시터와 mos 트랜지스터를 갖는 반도체 기억소자 |
KR20030038352A (ko) * | 2001-11-10 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조방법 |
KR20040023227A (ko) * | 2002-09-11 | 2004-03-18 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722578A (ja) | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Hitachi Ltd | 積層集積半導体装置及びその製造方法 |
JP3679814B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2005-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 記憶装置 |
JP3380372B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2003-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
JPH10340871A (ja) | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
US6462931B1 (en) * | 1997-10-23 | 2002-10-08 | Texas Instruments Incorporated | High-dielectric constant capacitor and memory |
JP3684059B2 (ja) * | 1998-01-07 | 2005-08-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH11330411A (ja) | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
EP1001459B1 (en) * | 1998-09-09 | 2011-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit comprising a capacitor and method |
US6485988B2 (en) * | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen-free contact etch for ferroelectric capacitor formation |
US6455370B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning noble metals for semiconductor devices by electropolishing |
KR20020058573A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 박종섭 | 반도체소자 및 그 제조 방법 |
KR100418581B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2004-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 소자의 제조방법 |
JP2003224205A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004146772A (ja) | 2002-03-18 | 2004-05-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100473113B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 |
US6847073B2 (en) * | 2002-11-07 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device using ferroelectric film in cell capacitor, and method for fabricating the same |
JP4703937B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2011-06-15 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7045071B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-05-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating ferroelectric random access memory device |
JP2004356464A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子の製造方法、強誘電体素子及びFeRAM |
US20050087788A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP2007115972A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
2005
- 2005-10-21 JP JP2005307176A patent/JP2007115972A/ja active Pending
-
2006
- 2006-01-25 US US11/338,799 patent/US20070090438A1/en not_active Abandoned
- 2006-02-06 KR KR1020060011084A patent/KR100774898B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-15 CN CNB2006100092085A patent/CN100552959C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-03 KR KR1020070088850A patent/KR100878868B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-09-03 US US12/553,388 patent/US8124476B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-19 US US13/353,844 patent/US8361861B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990030200A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-26 | 쓰지 하루오 | 커패시터와 mos 트랜지스터를 갖는 반도체 기억소자 |
KR20030038352A (ko) * | 2001-11-10 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조방법 |
KR20040023227A (ko) * | 2002-09-11 | 2004-03-18 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 커패시터 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070090438A1 (en) | 2007-04-26 |
KR100878868B1 (ko) | 2009-01-15 |
JP2007115972A (ja) | 2007-05-10 |
US8361861B2 (en) | 2013-01-29 |
US20100022031A1 (en) | 2010-01-28 |
KR20070094717A (ko) | 2007-09-21 |
US8124476B2 (en) | 2012-02-28 |
US20120115252A1 (en) | 2012-05-10 |
KR20070043563A (ko) | 2007-04-25 |
CN100552959C (zh) | 2009-10-21 |
CN1953184A (zh) | 2007-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100774898B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP5205741B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5109341B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5251864B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4952148B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20100224921A1 (en) | Semiconductor device including ferroelectric capacitor | |
US8349679B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP4946214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4252537B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5168273B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP4809354B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5018772B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5239294B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5304810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20050084807A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121023 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131022 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141021 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151016 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161019 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171018 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181018 Year of fee payment: 12 |