JP5239294B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜図18は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
最初に、図1(a)に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
図21(a)、(b)に、第1比較例に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図22は、第2比較例に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
次に、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
次に、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
上記した第1〜第4実施形態ではプレーナ型のFeRAMについて説明した。これに対し、本実施形態では、スタック型のFeRAMについて説明する。
次に、図42(b)に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
次に、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
Claims (5)
- 半導体基板の上方に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の上に、下部電極、強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜、及び上部電極をこの順に積層してなるキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う酸化シリコンよりなる第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜を平坦化する工程と、
前記平坦化された第2絶縁膜の上面を窒化する工程と、
酸化シリコンよりなり、前記第2絶縁膜よりも薄い第3絶縁膜を、前記窒化された第2絶縁膜の上に直接形成する工程と、
前記第3絶縁膜の上面を窒化する工程と、
前記第3絶縁膜の上面を窒化した後、該第3絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜をパターニングして配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜の上面を窒化する工程と、前記第3絶縁膜の上面を窒化する工程のいずれか一方は、窒素含有プラズマ雰囲気中で行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜の上面を窒化した後に、前記キャパシタから間隔をおいた部分の前記第2絶縁膜と前記第3絶縁膜に第1ホールを形成する工程と、
前記第1ホール内に導電性プラグを形成する工程と、
前記第3絶縁膜と前記導電性プラグの上に酸化防止絶縁膜を形成する工程と、
前記下部電極又は前記上部電極の上の前記第2絶縁膜と前記酸化防止絶縁膜に第2ホールを形成する工程と、
前記第2ホールを形成した後に、酸素含有雰囲気において前記キャパシタ誘電体膜に対してアニールを行う工程と、
前記アニールを行った後に、前記酸化防止絶縁膜を除去する工程と、
前記下部電極又は前記上部電極に接続された導電性部材を前記第2ホールに埋め込む工程とを更に有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化防止絶縁膜として酸窒化シリコン膜又は窒化シリコン膜を形成し、
前記酸化防止絶縁膜を除去する工程において、前記第3絶縁膜の上面において窒化されていた部分が除去されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2ホールを形成する工程と前記キャパシタ誘電体膜に対してアニールを行う工程の間に、前記酸化防止絶縁膜と前記第2ホールの上に絶縁性バリア膜を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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