KR100743514B1 - 웨이퍼 처리장치 - Google Patents

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KR100743514B1
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코지 하세가와
아키라 모리타
켄이치로 아라이
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

핫 플레이트에 있어서 접착용 왁스에 의해 지그와 웨이퍼를 붙이고, 제1 반송기구, 자세반송 기구, 푸셔, 제2 반송기구에 의해 웨이퍼가 밀착된 지그를 핫 플레이트로부터 처리용 반송기구로 반송하고, 그 처리용 반송기구가, 웨이퍼가 밀착된 지그를 처리조내에 저류된 처리액에 침지시킨다. 따라서, 종래와 같이, 연마 정반이 웨이퍼에 직접 닿아서 손상을 주는 일도 없고, 웨이퍼를 얇게 하는 등의 가공 처리를 할 수 있다.
핫 플레이트, 접착용 왁스, 지그

Description

웨이퍼 처리장치{WAFER TREATING APPARATUS}
도1 은 본 발명의 실시예에 관한 웨이퍼 처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도,
도2A 는 본 발명의 실시예에 관한 지그의 개략 구성을 나타내는 평면도,
도2B 는 본 발명의 실시예에 관한 지그의 개략 구성을 나타내는 단면도,
도3 은 본 발명의 실시예에 관한 처리용 반송 기구의 개략 구성을 나타내는 정면도,
도4 는 본 발명의 실시예에 관한 웨이퍼 처리장치의 처리 동작을 나타내는 플로우 챠트,
도5A 는 지그에 웨이퍼를 붙일 때의 처리 공정을 모식적으로 나타낸 설명도,
도5B 는 지그에 웨이퍼를 붙일 때의 처리 공정을 모식적으로 나타낸 설명도,
도5C 는 지그에 웨이퍼를 붙일 때의 처리 공정을 모식적으로 나타낸 설명도,
도6 은 접착용 왁스(접착제)을 융해시킨 상태에서 지그에 웨이퍼를 붙일 때의 모양을 모식적으로 나타낸 설명도,
도7 은 지그와 얇게 된 웨이퍼를 서로 분리시킬 때의 모양을 모식적으로 나타낸 설명도,
도8 은 접착제를 회수하는 모양을 모식적으로 나타낸 설명도다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼의 표면을 가공 처리하는 웨이퍼 처리장치에 관한 것이다.
종래, 웨이퍼의 표면을 가공 처리하는 장치로서, 예컨대, 「일본국특개2004-142045호 공보」에 도시된 바와 같이, 연마 정반을 웨이퍼의 표면에 직접 밀어 부치고, 웨이퍼의 표면을 연마하는 BG(백 그라인드)장치, CMP연마 장치가 있다. 이 CMP연마 장치를 사용하여, 회로가 형성된 표면과는 반대측에 닿는 웨이퍼의 이면이 연마 정반에 의해 연마된다. 이렇게 하여 웨이퍼의 두께가 얇게 된 후에, 웨이퍼는 다이싱등의 후공정에 보내진다.
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래 예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 종래의 장치로는, 연마 정반을 웨이퍼에 직접 접촉시켜서 연마하고 있으므로, 연마 정반이 밀어 부치는 힘이 강해졌을 경우, 웨이퍼가 파손되어 버리는 문제가 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 웨이퍼에 손상을 주는 일없이 웨이퍼의 한쪽면을 얇게 할 수가 있는 웨이퍼 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 채용한다.
즉, 본 발명에 관한 웨이퍼 처리장치는, 웨이퍼에 처리를 하는 웨이퍼 처리장치에 있어서, 상기 장치는, 이하의 요소를 포함한다 :
고정화용 조성물에 의해 지그(jig)와 웨이퍼를 붙이는 첩부부(貼付部: 붙임부);
웨이퍼의 표면을 가공하는 액체를 저류하는 처리조;
상기 처리조내에 저류된 액체에 침지시킨 상태에서, 웨이퍼가 밀착된 지그(jig)를 유지하는 유지 기구(機構);
상기 첩부부와 상기 유지 기구와의 사이에서, 웨이퍼가 밀착된 지그를 반송하는 반송 기구.
본 발명에 관한 웨이퍼 처리장치에 의하면, 첩부부에 있어서 고정화용 조성물에 의해 지그와 웨이퍼를 붙이고, 반송 기구에 의해 웨이퍼가 밀착된 지그를 첩부부에서 유지 기구로 반송하고, 유지 기홈이, 웨이퍼가 밀착된 지그를 처리조내에 저류된 액체에 침지시킨다. 따라서, 종래와 같이 , 연마 정반이 웨이퍼에 직접 닿아서 손상을 주는 일도 없이 웨이퍼를 얇게 하는 등의 가공 처리를 할 수 있다.
상술한 발명의 일례는, 상기 첩부부가, 지그를 유지하는 동시에, 지그를 가열하는 가열 기구와, 상기 가열 기구에 유지된 지그의 표면에 고정화용 조성물을 도포하는 도포 기구를 갖추는 것이다.
이 일례의 경우에 의하면, 가열기구가 지그를 가열한 상태에서 도포 기홈이 지그의 표면에 고정화용 조성물을 도포함으로써 도포된 고정화용 조성물이 용해한 다. 이 용해된 고정화용 조성물에 의해 지그와 웨이퍼를 붙인다.
이 첩부부가 가열 기구와 도포 장치를 갖춘 일례에 있어서, 복수의 지그를 수납하는 지그 수납부와, 복수의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부와, 상기 지그 수납부와 상기 가열 기구와의 사이에서 지그를 반송하는 지그 반송기구와, 상기 웨이퍼 수납부와 상기 가열 기구와의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송기구를 더 구비하는 것이 바람직하다.
장치가 지그 수납부와 웨이퍼 수납부와 지그 반송기구와 웨이퍼 반송기구를 갖추었을 경우에 의하면, 지그 반송기구가 지그 수납부에서 가열 기구로 각 지그를 반송하고, 웨이퍼 반송기구가 웨이퍼 수납부에서 가열 기구로 각 웨이퍼를 반송함으로써 가열 기구에 있어서 지그와 웨이퍼를 붙인다.
장치가 지그 수납부와 웨이퍼 수납부와 지그 반송기구와 웨이퍼 반송기구를 갖추었을 경우의 일례는, 상기 지그 반송기구가 상기 지그 수납부에서 상기 가열 기구로 지그를 반송한 후, 상기 가열기구가 지그를 가열한 상태에서 상기 도포 기구는 지그의 표면에 고정화용 조성물을 도포하고, 상기 웨이퍼 반송기구는 상기 웨이퍼 수납부에서 상기 가열 기구에 재치된 지그위로 웨이퍼를 반송하는 것이다.
지그 반송기구가 지그 수납부에서 가열 기구로 지그를 반송한 후, 가열기구가 지그를 가열한 상태에서 도포 기구는 지그의 표면에 고정화용 조성물을 도포하고, 웨이퍼 반송기구는 웨이퍼 수납부에서 가열 기구에 재치된 지그위로 웨이퍼를 반송함으로써, 지그의 표면에 도포된 고정화용 조성물이 용해된 상태에서 웨이퍼를 재치하고, 용해된 고정화용 조성물에 의해 지그와 웨이퍼를 붙인다.
장치가 지그 수납부와 웨이퍼 수납부와 지그 반송기구와 웨이퍼 반송기구를 갖추었을 경우의 다른 일례는, 상기 반송기구가, 상기 처리조에서 표면의 가공이 종료된 웨이퍼가 밀착된 지그를 상기 유지 기구로부터 상기 첩부부로 반송한 후, 상기 가열기구가 지그를 가열해서 고정화용 조성물을 용해시켜, 상기 웨이퍼 반송기구는 상기 가열 기구에 재치된 지그위에서 상기 웨이퍼 수납부에 웨이퍼를 반송하고, 지그위에서 고정화용 조성물을 배출시킨 후, 상기 지그 반송기구는 상기 가열 기구로부터 상기 지그 수납부로 지그를 반송하는 것이다.
반송기구가, 처리조에서 표면의 가공이 종료한 웨이퍼가 밀착된 지그를 유지 기구로부터 첩부부에 반송한 후, 가열기구가 지그를 가열해서 고정화용 조성물을 용해시키고, 웨이퍼 반송기구는 가열 기구에 재치된 지그상에서 웨이퍼 수납부로 웨이퍼를 반송해서 수납함으로써, 웨이퍼와 지그를 분리시킨다.분리후에 지그위에 용해된 고정화용 조성물이 남아 있으므로, 이것을 배출시킨 후에 지그 반송기구는 가열 기구로부터 지그 수납부로 지그를 반송해서 수납한다.
이 첩부부가 가열 기구와 도포 장치를 갖춘 일례에 있어서, 상기 반송기구가, 웨이퍼가 밀착된 지그를 상기 가열 기구로부터 배출하는 제1 반송기구와, 상기 제1 반송기구에 의해 배출된 지그의 자세를 수평 방향으로부터 수직 방향으로 변환시키는 자세 변환기구와, 상기 자세 변환기구에 의해 수직 방향으로 변환된 지그를 상기 유지 기구로 반송하는 제2 반송기구를 더 구비하는 것이 바람직하다.
반송기구가 제1 반송기구와 자세 변환기구와 제2 반송기구를 갖추었을 경우에 의하면, 반송기구가 첩부부로부터 유지 기구로 웨이퍼가 밀착된 지그를 반송하 는데, 제1 반송기구가 그 지그를 가열 기구로부터 배출한다. 그리고, 배출된 지그의 자세를 자세 변환기구가 수평 방향으로부터 수직 방향으로 변환시킨다. 또한, 수직 방향으로 변환된 지그를 제2 반송기구가 유지 기구로 반송함으로써 웨이퍼가 밀착된 지그의 일련의 반송을 실행한다.
반송기구가 제1 반송기구와 자세 변환기구와 제2 반송기구를 갖추었을 경우, 상기 제2 반송기구는, 상기 유지 기구로부터 상기 자세 변환기구로 지그를 반송하고, 상기 자세 변환기구는, 상기 제2 반송기구에 의해 반송된 지그의 자세를 수직 방향으로부터 수평 방향으로 변환시키고, 상기 제1 반송기구는, 상기 자세 변환기구에 의해 수평 방향으로 변환된 지그를 상기 가열 기구로 반송하는 것이 바람직하다.
반송기구가 유지 기구로부터 첩부부로 웨이퍼가 밀착된 지그를 반송하는데도, 제2 반송기구가 자세 변환기구로 그 지그를 반송한다. 그리고, 반송된 지그의 자세를 수직 방향으로부터 수평 방향으로 변환시킨다. 또한, 수평 방향으로 변환된 지그를 제1 반송기구가 가열 기구로 반송함로써 웨이퍼가 밀착된 지그의 일련의 반송을 실행한다.
장치가 지그 수납부와 웨이퍼 수납부와 지그 반송기구와 웨이퍼 반송기구를 갖추었을 경우의 또 다른 일례는, 상기 웨이퍼 반송기구 및 상기 지그 반송기구는, 웨이퍼와 지그를 개별적으로 반송하는 웨이퍼·지그 반송기구를 겸용하고, 그 웨이퍼·지그 반송기구는, 승강 이동 가능한 기대(基台)와, 그 기대에 각각 지지되고, 기대에 대하여 진퇴 이동 가능함과 동시에, 선회 이동 가능한 웨이퍼용 유지 암 및 지그용 유지 암을 갖추는 것이다.
웨이퍼·지그 반송기구가, 승강 이동 가능한 기대와, 그 기대에게 각각 지지되고, 기대에 대하여 진퇴 이동 가능함과 동시에, 선회 이동 가능한 웨이퍼용 유지 암 및 지그용 유지 암을 갖춤으로써, 웨이퍼·지그 반송기구중의 웨이퍼용 유지 암이 웨이퍼를 유지하여, 웨이퍼용 유지 암과 함께 웨이퍼를 기대에 대하여 진퇴 이동·선회 이동해서 웨이퍼의 반송을 하고, 지그용 유지 암이 지그를 유지하고, 지그용 유지 암과 함께 지그를 기대에 대하여 진퇴 이동·선회 이동해서 지그의 반송을 한다.
반송기구가 제1 반송기구와 자세 변환기구와 제2 반송기구를 갖추었을 경우의 일례는, 상기 자세 변환기구는, 지그를 복수매 정리해서 일괄해서 자세를 변환하는 것이다.
반송기구가 제1 반송기구와 자세 변환기구와 제2 반송기구를 갖추었을 경우의 다른 일례는, 상기 제2 반송기구는, 지그를 일괄해서 반송하는 것이다.
자세 변환기구가 지그를 복수매 정리해서 일괄해서 자세를 변환하는 일례에 있어서, 상기 제1 반송기구는 지그를 상기 자세 변환기구로 건네 주고, 지그가 소정의 매수에 달하면, 자세 변환기구는 수평 방향으로부터 수직 방향으로 일괄해서 변환하는 것이 바람직하다.
자세 변환기구가 지그를 복수매 정리해서 일괄해서 자세를 변환하는 일례에 있어서, 상기 자세 변환기구는 지그를 수직 방향으로부터 수평 방향에 일괄해서 변환하고, 상기 제1 반송기구는 지그를 자세 변환기구로부터 1매씩 집어내는 것이 바 람직하다.
상술한 본 발명에 관한 웨이퍼 처리장치의 다른 일례는, 세정액을 저류하는 세정조를 구비하는 것이다.이 세정조를 구비한 일례에 있어서, 상기 처리층에 의한 처리까지, 및 그 처리 종료후의 적어도 어느것인가에 의해 상기 세정조에서 지그의 세정 처리를 하는 것이 바람직하다.
즉, 처리층에 의한 처리까지 세정할 필요가 있다면, 세정조에서 지그의 세정 처리를 하고, 처리층에 의한 처리후에 세정할 필요가 있다면, 세정조에서 지그의 세정 처리를 한다.
본 발명을 설명하기 위해서 현재의 바람직하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책으로 한정되는 것은 아닌 것을 이해하여야 한다.
이하, 본 발명의 바람직인 실시예를 도면에 의거해서 상세히 설명한다.
도1 은, 실시예에 관한 웨이퍼 처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이며, 도2A & 도2B 는, 지그의 개략 구성을 나타내는 도면이며, 도3 은, 처리용 반송 기구의 개략 구성을 나타내는 정면도이다. 이 웨이퍼 처리장치는, 처리액에 웨이퍼(W)를 침지하여, 웨이퍼(W)의 일면측을 화학적으로 얇게 하는 것이다.
본 실시예에 관한 웨이퍼 처리장치는, 도1에 도시된 바와 같이, 인덱스(10)와 처리 유닛(20)을 갖추고 있다. 인덱스(10)와 처리 유닛(20)과의 사이에는 핫 플레이트(14)와 제1 반송기구(31)와 자세 변환기구(32)와 푸셔(33)가 배설되어 있다.
인덱스(10)에는, 카세트 재치대(11)과 지그 수납선반(12)과 웨이퍼·지그 반 송기구(13)과가 배설되어 있다. 카세트 재치대(11)에는, 복수 (예컨대 25매)의 미처리의 웨이퍼(W) 또는 처리필의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가 재치 되어 있다. 지그 수납선반(12)은, 복수의 지그(P)를 수납하고 있다. 또한, 카세트(C)는 각 웨이퍼(W)를 수평 자세에 다단으로 수용하는 동시에, 지그 수납선반(12)은 각 지그(P)를 수평 자세로 다단으로 수용하고 있다.
지그(P)는, 도2A 의 평면도 및 도2B 의 단면도에 도시된 바와 같이, 원반 모양의 부재이며, 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 넓이를 가진 요부와, 그 요부의 주위를 둘러싼 벽부를 갖고 있다. 후술하는 것과 같이, 지그(P)에 웨이퍼(W)를 붙일 때에는, 요부에 웨이퍼(W)가 수용된 상태에서 행하여진다. 벽부의 높이를 포함한 지그(P)의 두께를 t1로 하고, 요부 깊이를 t2로 한다. 또한, 웨이퍼(W)의 지름(직경)을 φ1로 하고, 지그(P)의 지름을 φ2로 하고 요부의 지름을 φ3로 한다.본 실시예에서는, 지그(P)는 아모르포스 카본 또는 ＳｉＣ로 형성되고 있어, 지그(P)의 두께 t1=3mm, 요부 깊이 t2=1mm, 웨이퍼(W)의 지름 φ1=200mm, 지그(P)의 지름 φ2=220mm, 요부의 지름 φ3=210mm이다. 아모르포스 카본 또는 ＳｉＣ는, 얇게 하는 처리에 사용되는 처리액(본 실시예에서는 알카리성의 에칭 액, 예컨대, 수산화 칼륨(ＫＯＨ))에 대하여 내약성을 갖는 동시에 내열성을 가지며, 웨이퍼(W)의 열팽창 계수와 동등한 계수를 갖는다.
도1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼·지그 반송기구(13)는, 웨이퍼(W)와 지그(P)를 개별적으로 반송하는 것으로, 기대(13a)와 웨이퍼용 유지 암(13b)과 지그용 유지 암(13c)를 갖추고 있다. 기대(13a)는 승강 이동 가능하다. 웨이퍼용 유지 암(13b)은, 웨이퍼(W)의 처리면 (도5A ∼도5C , 도6 중의 ＷＳ 참조)을 수평 자세로 흡착 지지함으로써 웨이퍼(W)를 유지해서 반송하고, 지그용 반송기구(13c)는 지그(P)의 하면을 아래쪽으로부터 수평 자세에 흡착 지지함으로써 지그(P)를 유지해서 반송한다. 또한, 웨이퍼용 유지 암(13b) 및 지그용 유지 암(13c)은, 기대(13a)에 각각 지지되어, 도1 의 화살표 ｒａ, ｒｂ 의 방향으로, 각각이 기대(13a)에 대하여 진퇴 이동 가능함과 동시에, 도1 의 화살표 ｒｃ, ｒｄ의 방향으로, 각각이 선회 이동 가능하다. 웨이퍼·지그 반송기구(13)는, 기대(13a), 웨이퍼용 유지 암(13b), 지그용 유지 암(13c)에 의해 웨이퍼(W) 및 지그(P)의 반송을 카세트 재치대(11) 및 지그 수납선반(12)·핫 플레이트(14)사이로 한다.
보다 구체적으로 설명하면, 웨이퍼·지그 반송기구(13)는, 지그 수납선반(12)에 수납된 지그(P)를 지그용 유지 암(13c)에 의해 꺼내서, 핫 플레이트(14)에 재치 하는 동시에, 카세트 재치대(11)에 재치된 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 웨이퍼용 유지 암(13b)에 의해 꺼내고, 지그(P)가 재치된 핫 플레이트(14)에 재치한다. 웨이퍼(W)를 핫 플레이트(14)에 재치할 때에는, 웨이퍼용 유지 암(13b)을 상하 반전시켜서 웨이퍼(W)의 처리면(ＷＳ)을 상면을 향해, 이미 재치된 지그(P)에 웨이퍼(W)의 하면을 붙인다 (도5A ∼도5C , 도6 중의 ＷＲ를 참조). 즉, 웨이퍼(W)의 처리면(ＷＳ)은, 부착면(재치시에는 하면)(ＷＲ)와는 반대(역)측의 웨이퍼의 면에 상당한다.
한편, 웨이퍼·지그 반송기구(13)는, 처리필의 웨이퍼(W)를 웨이퍼용 유지 암(13b)에 의해 핫 플레이트(14)로부터 받아서, 카세트 재치대(11)에 재치된 카세트(C)에 처리필의 웨이퍼(W)를 수납하는 동시에, 지그(P)를 지그용 유지 암(13c)에 의해 핫 플레이트(14)로부터 받아서, 지그 수납선반(12)에 수납한다. 웨이퍼(W)를 핫 플레이트(14)로부터 받을 때에는, 웨이퍼(W)가 부착된 면(ＷＲ)을 하면을 향해, 가공되어서 얇게 된 면(ＷＳ)를 상면을 향해서, 윗쪽으로부터 웨이퍼용 유지 암(13b)이 흡착 지지한다. 그리고, 웨이퍼용 유지 암(13b)을 상하 반전시켜서 얇게 된 면(ＷＳ)을 하면을 향해서 아래쪽으로부터 흡착 지지한다.
핫 플레이트(14)에는, 복수(도1 에서는 3개)의 승강핀(14a)이 배설되어 있다.이것들의 승강핀(14a)은 승강 이동 가능하여, 지그(P)를 재치 할 때에는 승강핀(14a)이 핫 플레이트(14)의 상면으로부터 돌출되어서, 지그(P)의 하면을 직접적으로 지지한다. 돌출된 승강핀(14a)에 의해 지그(P)의 하면과 핫 플레이트(14)의 상면과의 사이에 미소 공간이 형성된다. 웨이퍼·지그 반송기구(13)의 지그용 유지 암(13c)이 웨이퍼(W)의 처리면(ＷＳ)을 아래쪽으로부터 수평 자세에 흡착 지지하고, 핫 플레이트(14)에 재치하는 때에는, 승강핀(14a)에 의해 지그(P)를 직접적으로 지지하고, 상술한 미소 공간에 지그용 유지 암(13c)이 들어간다. 지그용 유지 암(13c)은 지그(P)의 흡착을 해제한 후에 후퇴함으로써 지그(P)의 재치를 한다. 가열할 때에는, 승강핀(14a)을 하강시켜서, 핫 플레이트(14)의 상면이 지그(P)의 하면을 흡착 지지한다.
한편, 지그(P)를 핫 플레이트(14)로부터 받을 때에는, 승강핀(14a)을 상승시켜서, 지그(P)의 하면을 직접적으로 지지하여 미소 공간을 형성한다. 지그용 유지 암(13c)이 전진해서 미소 공간에 들어간다. 그리고, 지그용 유지 암(13c)은 지그(P)의 하면을 흡착 지지하고, 승강핀(14a)이 하강함으로써 지그(P)의 받아들임을 한다.
핫 플레이트(14)는, 지그(P)와 웨이퍼(W)와의 부착전에 지그(P)를 가열하는 동시에, 지그(P)와 얇게 된 웨이퍼(W)와의 분리전에 지그(P)를 가열한다. 따라서, 본 실시예의 핫 플레이트(P)는 지그(P)의 가열 이외에, 첩부(붙임) 및 분리를 겸용한다. 따라서, 핫 플레이트(14)는, 본 발명에 있어서의 첩부부에 상당한다.
또한, 핫 플레이트(14)위에는, 도5A에 도시된 바와 같이, 고형의 접착용 왁스(고정화용 조성물)(ＷＸ)를 지그(P)의 요부의 표면에 도포하는 도포 기구(15)가 마련되어져 있다. 이 도포 기구(15)는, 보통은 핫 플레이트(14)로부터 퇴피(退避)하고 있으며, 도포 처리를 할 때에 핫 플레이트(14)위로 이동하는 것이다.
또한, 제1 반송기구(31)는, 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 반송하는 것으로, 기대(31a)와 유지 암(3lb)을 갖추고 있다. 기대(31a)는 승강 이동 가능하다. 유지 암(3lb)은, 지그(P)의 하면을 아래쪽으로부터 수평 자세에 흡착 지지하면서 반송한다. 또한, 유지 암(3lb)은, 기대(31a)에 지지되어, 도1 의 화살표 ｒｅ의 방향으로, 기대(31a)에 대하여 진퇴 이동 가능함과 동시에, 도1 의 화살표 ｒｆ의 방향으로 선회 가능하다. 제1 반송기구(31)는, 기대(31a), 유지 암(3lb)에 의해 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)의 반송을 핫 플레이트(14)와 자세 변환기구(32) 사이에서 행 한다.
보다 구체적으로 설명하면, 제1 반송기구(31)는, 핫 플레이트(14)로 웨이퍼(W)가 붙여진 지그(P)를 유지 암(3lb)에 의해 꺼내서, 자세 변환기구(32)에 건네 준다. 이 핫 플레이트(14)로부터 제1 반송기구(31)로 지그(P)를 건네 줄 때에는, 핫 플레이트(14)의 승강핀(14a)을 상승시켜서, 지그(P)의 하면을 직접적으로 지지해서 미소 공간을 형성하고, 유지 암(3lb)이 전진해서 미소 공간에 들어간다.그리고, 유지 암(3lb)은 지그(P)의 하면을 흡착 지지하고, 승강핀(14a)이 하강함으로써 지그(P)는 승강핀(14a)으로부터 유지 암(3lb)에 주고 받아진다.
한편, 제1 반송기구(31)는, 처리필의 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 유지 암(3lb)에 의해 자세 변환기구(32)로부터 받아서, 핫 플레이트(14)에 재치한다. 이 지그(P)에 밀착된 웨이퍼(W)는 얇게 된 상태이므로, 핫 플레이트(14)에 재치 한후에는 핫 플레이트(14)는 지그(P)와 웨이퍼(W)와의 분리전에 지그(P)를 가열한다. 이 제1 반송기구(31)로부터 핫 플레이트(14)로 지그(P)를 건네 줄 때에는, 핫 플레이트(14)의 승강핀(14a)을 상승시켜서, 유지 암(3lb)이 흡착 지지된 지그(P)의 하면을 직접적으로 지지해서 미소 공간을 형성하고, 미소 공간에 유지 암(3lb)이 들어간다. 그리고, 유지 암(3lb)은 지그(P)의 흡착을 해제한 후에 후퇴함으로써 지그(P)는 유지 암(3lb)으로부터 승강핀(14a)에 주고 받아진다.
또한, 자세 변환기구(32)는, 지그(P)를 복수매 (예컨대, 25매) 정리해서 일괄해서 자세를 변환하는 것으로, 회전대(32a)와 제1 정렬부(32b)와 제1 유지부(32c)와 제2 유지부(32d)와 제2 정렬부(32e)를 갖추고 있다. 이 자세 변환기구(32) 는, 지그(P)를 수평 자세로부터 기립 자세로 변환하는 동시에, 기립 자세로부터 수평 자세로 변환한다.
지그(P)가 수평 자세로 있을 때에는, 회전대(32a)의 상면에 제1 반송기구(31)측으로부터 제1 정렬부(32b), 제1 유지부(32c), 제2 유지부(32d), 제2 정렬부(32e)의 순차로 각각이 배설되어 있다. 회전대(32a)는 회전축 ＡＸ의 축심 주위로 회전 가능하며, 지그(P)가 수평 자세에 있을 때에 회전대(32a)를 회전시켜서 기립 자세로 변환하면, 상부로부터 제1 정렬부(32b), 제1 유지부(32c), 제2 유지부(32d), 제2 정렬부(32e)의 순서로 제 각기 위치한다. 제1 정렬부(32b) 및 제2 정렬부(32e)는 지그(P)의 양단을 갖추는 것으로, 연직 방향으로 연장된 막대가 회전대(32a)의 홈을 따라 평행 이동 가능하다. 지그(P)가 기립 자세에 있을 때에는 지그(P)의 상끝을 제1 정렬부(32b)가 갖추는 동시에, 하끝을 제2 정렬부(32e)가 갖춘다. 지그(P)가 수평 자세에 있을 때에는 제1 반송기구(31)측의 끝을 제1 정렬부(32b)가 갖추는 동시에, 푸셔(33)측의 끝을 제2 정렬부(32e)가 갖춘다. 제1 유지부(32c) 및 제2 유지부(32d)에는, 지그(P)를 접촉 지지하는 홈이 다단으로 각각 형성되어 있다. 본 실시예에서는, 지그(P)의 한 무리(로트)의 수 (예컨대, 25매)의 분, 홈이 형성되어 있다. 또한, 도1 은, 지그(P)가 수평 자세에 있을 때의 도면이므로, 제1, 제2 유지부(32c, 32d)에 형성된 지그(P)를 접촉 지지하는 홈이 생략되어 있다.
푸셔(33)는, 자세 변환기구(32)와 처리 유닛(20)의 제2 반송기구(21)와의 사이에서 지그(P)를 로트마다 일괄해서 반송하는 것으로, 상부에 지그(P)를 기립 자 세에서 접촉 지지하는 홈이 다단으로 각각 형성되어 있다. 푸셔(33)는, 승강 이동 가능함과 동시에, 도1 의 화살표 ｒｇ의 방향으로 평행 이동 가능하다.
자세 변환기구(32) 및 푸셔(33)에 대해서 보다 구체적으로 설명하면, 자세 변환기구(32)는, 제1 반송기구(31)로 반송된 각 지그(P)를 수평 자세에서 제1, 제2 유지부 (32c, 32d)에 의해 받고, 웨이퍼(W)의 양단을 제1, 제2 정렬부 (32b, 32f)가 각각 갖춘다. 소정의 매수로 지그(P)가 달하면, 회전대(32a)의 회전축 ＡＸ의 축심 주위의 회전에 의해 지그(P)를 로트마다 일괄해서 수평 자세로부터 기립 자세로 변환한다. 이때, 푸셔(33)의 홈에 기립 자세의 지그(P)가 지지되는 것 같이, 푸셔(33)를 받는 위치로 평행 이동시키는 동시에 승강 이동시킨다. 기립 자세로 변환된 지그(P)를 푸셔(33)가 제2 반송기구(21)측으로 반송 이동하고, 제2 반송기구(21)에 건네 준다.
한편, 푸셔(33)는 홈에 기립 자세의 처리필의 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 지지하면서 제2 반송기구(21)로부터 받고, 자세 변환기구(32)측으로 반송 이동하고, 자세 변환기구(32)에 기립 상태에서 건네 준다. 이때, 푸셔(33)를 자세 변환기구(32)보다도 아래쪽으로 미리 위치시킨 후에 상승시키면서, 기립 자세의 지그(P)를 제1, 제2 유지부 (32c, 32d)에 의해 받고, 지그(P)의 양단을 제1, 제2 정렬부(32b, 32f)가 각각 갖춘다. 회전대(32a)의 회전축 ＡＸ의 축심 주위의 회전에 의해 지그(P)를 로트마다 일괄해서 기립 자세로부터 수평 자세로 변환한다. 제1 반송기구(31)는 지그(P)를 1매씩 꺼내서, 수평 자세에서 핫 플레이트(14)에 재치한다.
또한, 처리 유닛(20)에는, 제2 반송기구(21)와 2개의 처리용 반송기구(22, 23)와 세정조(24)와 처리조(25)가 배설되어 있다. 처리용 반송기구(22)는, 지그(P)를 유지해서 세정조(24)내를 승강 이동하고, 지그(P)를 세정조(24)내의 세정액에 침지시켜서 세정 처리를 한다. 처리용 반송기구(23)는, 지그(P)를 유지해서 처리조(25)내를 승강 이동하고, 지그(P)를 처리조(25)내의 처리액에 침지시켜서 웨이퍼(W)에 대하여 얇게 하는 처리를 한다.
제2 반송기구(21)는, 푸셔(33)·세정조(24)·처리조(25)사이로 지그(P)를 로트마다 일괄해서 반송하는 것으로, 지그(P)를 기립 자세로 측쪽에서 협지하는 2개의 협지부(21a)를 갖추고 있다. 협지부(21a)에는, 측면에 지그(P)를 측쪽에서 접촉 지지하는 홈이 다단으로 각각 형성되어 있다. 제2 반송기구(21)는, 도1 중의 화살표 ｒｈ의 방향으로 평행 이동 가능하다.
처리용 반송 기구(22, 23)는, 세정조(24) 혹은 처리조(25)에 대하여 승강 이동가능하다. 도3 에서는, 처리조(25)내의 처리액에 침지시켜서 얇게 하는 처리를 하는 처리용 반송 기구(23)를 예로 채용해서 설명하지만, 세정조(24)내의 세정액에 침지시켜서 세정 처리를 하는 처리용 반송 기구(22)에 대해서도 처리용 반송 기구(23)와 같은 구성이므로, 그 설명을 생략한다. 처리용 반송기구(23)는, 연직 방향으로 장변을 갖는 배판(23a)과, 이 배판(23a)의 하단부에서 수평방향으로 연장되어 나온 3개의 유지부재(23b)를 갖추고 있다. 유지부재(23b)에는, 상부에 지그(P)의 단면을 접촉 지지하는 홈이 다단으로 형성되어 있다.
처리용 반송기구(23)는, 미처리의 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 제2 반송기구(21)와의 주고 받는 위치로부터 처리조(25)까지 하강 반송하는 동시에, 얇게 하 는 처리 후에는 처리필의 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 처리조(25)로부터 상술한 주고 받는 위치까지 상승 반송한다. 또한, 처리용 반송기구(23)는, 처리조(25)내에서 지그(P)를 유지한 상태에서 처리조(25)에 침지시켜서 얇게 하는 처리를 한다. 처리용 반송 기구(22)에 대해서도, 지그(P)를 주고 받는 위치로부터 세정조(24)까지 하강 반송하는 동시에, 세정 처리 후에는 지그(P)를 세정조(24)로부터 주고 받는 위치에까지 상승 반송한다. 처리조 반송기구(22)는, 세정조(24)내에서 지그(P)를 유지한 상태에서 세정조(24)에 침지시켜서 세정 처리를 한다.
보다 구체적으로 설명하면, 제2 반송기구(21)는, 푸셔(33)로 반송된 지그(P)를 기립 자세에서 협지부(21a)로 받고, 처리용 반송 기구(23)에 건네 준다. 이때, 처리용 반송 기구(23)를 제2 반송기구(21)보다도 아래쪽으로 미리 위치시킨 후에 상승시키면서, 기립 자세의 지그(P)를 유지부재(23b)에 의해서 받는다. 처리용 반송기구(23)는, 지그(P)를 하강 반송해서 웨이퍼(W)에 대하여 얇게 하는 처리를 하고, 처리 종료후에 상승 반송한다. 그리고, 처리용 반송기구(23)를 상승시키면서, 기립 자세의 지그(P)를 제2 반송기구(21)에 건네준다. 제2 반송기구(21)는, 지그(P)를 협지부(21a)에 의해서 받고, 푸셔(33)에까지 반송해서 푸셔(33)에 건네 준다. 또한, 얇게 하는 처리전에 세정 처리가 필요할 경우에는, 제2 반송기구(21)는 처리용 반송 기구(22)에 건네 주어서 처리용 반송 기구(23)와 같은 요령으로 세정 처리를 한다. 또한, 얇게 하는 처리후에 세정 처리가 필요할 경우에는, 제2 반송기구(21)가 처리용 반송 기구(23)로부터 받은 후에, 처리용 반송 기구(22)에 건네 주어서 처리용 반송 기구(23)와 같은 요령으로 세정 처리를 한다.
또한, 핫 플레이트(14) 위는, 본 발명에 있어서의 첩부부 및 가열 기구에 상당한다. 또한, 푸셔(33) 및 제2 반송기구(21)는, 본 발명에 있어서의 제2 반송기구에 상당한다. 또한, 처리용 반송기구(23)는, 본 발명에 있어서의 유지 기구에 상당한다.
본 실시예에 관한 웨이퍼 처리장치는, 상술한 이것들 인덱스(10)이나 처리 유닛(20)내의 각 구성을 통괄 제어하는 콘트롤러(40)를 구비하고 있다. 콘트롤러(40)는, 중앙연산 처리장치(ＣＰＵ)등으로 구성되고 있으며, 카세트 재치대(11)나 지그 수납선반(12)의 사용 상황, 핫 플레이트(14)의 온도 상황, 각 반송 기구(13,21∼23,31)나 푸셔(33)의 반송 상황, 자세 변환기구(32)의 자세 상황, 세정조(24)나 처리조(25)의 처리 상황등에 의거하여, 콘트롤러(40)는 핫 플레이트(14)나 각 반송 기구(13,21∼23,31)나 푸셔(33)나 자세 변환기구(32)를 제어한다. 특히, 콘트롤러(40)는, 처리용 반송기구(23)를 조작함으로써 첨부된(붙여진) 면(ＷＲ)와는 반대(역)측의 웨이퍼(W)의 면(처리면(ＷＳ))을 처리액에 의해 에칭하여, 웨이퍼(W)를 얇게 한다. 또, 회로가 형성된 표면이, 붙여진 면(ＷＲ)으로 되고, 이면이 처리면(ＷＳ)으로 된다.
다음에, 본 실시예에 관한 웨이퍼 처리 방법에 대해서, 도4 의 플로우 챠트 및 도5A ∼도5C, 도6 , 도7 , 도8 의 설명도를 참조해서 설명한다. 도4 은, 실시예에 관한 웨이퍼 처리장치의 처리 동작을 나타내는 플로우 챠트이며, 도5A ∼도5C 은, 지그에 웨이퍼를 붙일 때의 처리 공정을 모식적(模式的)으로 나타낸 설명도이 며, 도6 은, 접착용 왁스(접착제)을 융해시킨 상태에서 지그에 웨이퍼를 붙일 때의 모양을 모식적으로 나타낸 설명도이며, 도7 은, 지그와 얇게 된 웨이퍼를 서로 분리시킬 때의 모양을 모식적으로 나타낸 설명도이며, 도8 은, 접착제를 회수하는 모양을 모식적으로 나타낸 설명도이다.
스텝(S1) 지그의 핫플레이트에의 재치
웨이퍼·지그 반송기구(13)은, 지그 수납선반(12)에 수납된 지그(P)를 꺼내서 핫 플레이트(14)에 재치한다. 콘트롤러(40)는, 지그 수납선반(12)의 사용 상황, 핫 플레이트(14)의 온도 상황, 웨이퍼·지그 반송기구(13)의 반송 상황등에 의거하여, 웨이퍼·지그 반송기구(13)나 핫 플레이트(14)의 승강핀(14a)등을 조작한다. 이하의 각 스텝에서의 조작에 관해서는, 특히 양해가 없는 한, 콘트롤러(40)가 행하는 것으로서 설명한다.
스텝(S2)접착용 왁스의 지그에의 도포
도5A에 도시된 바와 같이, 도포 기구(15)는, 고형의 접착용 왁스(접착제)(ＷＸ)를, 지그(P)의 붙인 면인 요부의 표면에 도포한다. 이 접착용 왁스(ＷＸ)는, 상온에서는 고형이며, 후술하는 가열에 있어서의 처리 온도 (예컨대 110도)이상에서 액상으로 융해하는 것이다. 본 실시예에서는, 접착용 왁스(ＷＸ)에는, 웨이퍼(W)의 에칭 속도와 동등한 속도를 갖는 재질이 사용된다. 접착용 왁스(ＷＸ)는, 본 발명에 있어서의 고정화용 조성물에 상당한다.
스텝(S3) 지그의 가열 왁스의 융해
콘트롤러(40)는, 핫 플레이트(14)의 히터(도시 생략)등을 조작해서 핫 플레 이트(14)위로 재치된 지그(P)의 가열을 한다. 온도 센서(도시 생략)가 핫 플레이트(14)의 온도를 계측하고, 소정의 처리 온도 (예컨대 110도) 에 달하면 콘트롤러(40)는 히터등을 조작해서 처리 온도를 일정하게 유지한다. 도5B에 도시된 바와 같이, 이 처리 온도에 있어서의 지그(P)의 가열에 의해서 지그(P)에 도포된 접착용 왁스(ＷＸ)가 액상으로 융해한다. 융해한 후에 지그(P)의 가열을 정지한다.
스텝(S4) 미처리 웨이퍼의 핫 플레이트에의 재치
이 가열중에, 웨이퍼·지그 반송기구(13)은, 카세트 재치대(11)에 재치된 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 꺼낸다. 접착용 왁스(ＷＸ)가 융해되면, 그 상태에서 웨이퍼(W)를 지그(P)가 재치된 핫 플레이트(14)에 재치한다. 이때, 도5C에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 처리면(ＷＳ)를 상면을 향해, 붙여야 할 면(ＷＲ)을 하면을 향하게 한다.
스텝(S5) 웨이퍼·지그의 붙임
이것에 의해 지그(P)에 웨이퍼(W)의 처리면(ＷＳ)과는 반대(역)측의 면(ＷＲ)를 붙인다. 핫 플레이트(14)가 상온에 되돌아가면, 그것에 따라, 웨이퍼(W)와 지그(P)와의 사이에 있는 접착용 왁스(ＷＸ)도 고착화하고, 웨이퍼(W)와 지그(P)가 밀착한다. 또한, 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킨 상태에서 지그(P)에 웨이퍼(W)를 붙일 때에, 도6에 도시된 바와 같이, 융해된 왁스(ＷＸ)에 웨이퍼(W)가 떠오르므로, 붙여진 면(ＷＲ)과는 반대(역)측의 면인 처리면(ＷＳ)에, 웨이퍼(Ｗ)이외의 개소(웨이퍼(W)의 단면과 지그(P)의 격벽과의 사이 )에서는 왁스(ＷＸ)의 액면이 떠오른 다.
스텝(S6) 지그의 처리조로의 반송
스텝(S5)로 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를, 제1 반송기구(31)는, 핫 플레이트(14)로부터 자세 변환기구(32)에 주고 받는 반송을 한다. 자세 변환기구(32)은, 스텝(S5)에서 붙여진 지그(P)가 소정의 매수에 달하면, 회전대(32a)의 회전에 의해 수평 자세로부터 기립 자세로 로트마다 일괄해서 변환한다. 그리고, 푸셔(33)에 건네주고, 푸셔(33)는 제2 반송기구(21)에 건네주는 반송을 한다. 제2 반송기구(21)는 처리조(25)로 반송하고, 처리용 반송 기구(23)에 건네 준다. 또한, 스텝(S7)에서의 웨이퍼(W)를 얇게 하는 처리까지 세정할 필요가 있다면, 처리조(25)에의 반송보다도 전에 세정조(24)에 반송한다. 세정할 때는, 제2 반송기구(21)는 지그(P)를 처리용 반송 기구(22)에 건네 주고, 처리용 반송기구(22)는, 세정조(24)내에서 지그(P)를 유지한 상태에서 세정조(24)에 침지시킨다.
스텝(S7) 얇게 하는 처리
처리조(25)에는, 알카리성의 에칭 액, 예컨대 수산화 칼륨(ＫＯＨ)이 저류되어 있다. 처리용 반송기구(23)는, 처리조(25)내에서 지그(P)를 유지한 상태에서 처리조(25)에 침지 시켜서 웨이퍼(W)에 대하여 얇게 하는 처리를 한다. 또한, 에칭용의 처리액은, 수산화 칼륨에 한정되지 않고, 예컨대 수산화 나트륨(ＮａＯＨ)등으로 대표되는 엷게 하는 처리에서 통상적으로 사용되는 액이면 좋다. 붙여진 면(ＷＲ)은 지그(P)에 의해 덮어져서 보호되어 있으므로, 에칭되지 않는다. 한편, 처리면 (ＷＳ)은 표면에 드러내져 있으므로, 에칭되어서 얇게 된다.
스텝(S8) 지그의 핫플레이트에의 반송
얇게 하는 처리를 종료하면, 처리용 반송기구(23)는, 지그(P)를 처리조(25)로부터 끌어올려, 제2 반송기구(21)에 건네 준다. 또한, 스텝(S7)에서의 얇게 하는 처리후에 세정할 필요가 있으면, 제2 반송기구(21)를 통해서 세정조(24)로 반송한다. 한편, 지그(P)를 제2 반송기구(21)에 건네주면, 제2 반송기구(21)는 푸셔(33)에 건네주는 반송을 한다. 푸셔(33)는 자세 변환기구(32)에 건네주는 반송을 하고, 자세 변환기구(32)는, 회전대(32a)의 회전에 의해 기립 자세로부터 수평 자세로 로트마다 일괄해서 변환한다. 그리고, 제1 반송기구(31)는 지그(P)를 자세 변환기구(32)로부터 1매씩 꺼내서, 수평 자세에로 핫 플레이트(14)에 재치 한다.
스텝(S9) 지그의 가열 왁스의 용해
지그(P)를 핫 플레이트(14)에 재치한 후에, 핫 플레이트(14)는 직접적으로 재치된 지그(P)를 가열한다. 이 지그(P)의 가열에 의해서 도포된 접착용 왁스(ＷＸ)가 액상으로 융해한다. 융해된 후에 지그(P)의 가열을 정지한다.
스텝(S10) 웨이퍼·지그의 분리
접착용 왁스(ＷＸ)가 융해하면, 웨이퍼·지그 반송기구(13)의 유지 암(13b)은, 상면으로 향한 웨이퍼(W)의 처리면(ＷＳ)을 윗쪽으로부터 수평 자세로 흡착 지지해서 웨이퍼만을 반송한다. 이와 같이, 웨이퍼·지그 반송기구(13)의 웨이퍼(W)만의 반송에 의해, 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킨 상태에서, 도7에 도시된 바와 같 이, 지그(P)와 웨이퍼(W)를 서로 분리시킨다. 또한, 지그(P)의 요부에 남은 접착용 왁스(ＷＸ)를 후속의 웨이퍼(W)에 대하여도 이용하기 위해서, 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킨 상태에서, 도8에 도시된 바와 같이, 지그(P)를 경사시켜서 접착용 왁스(ＷＸ)의 회수를 한다. 지그(P)의 경사에 대해서는, 예컨대 웨이퍼·지그 반송기구(13)의 지그용 유지 암(13c)이 상하 반전하는 것을 이용해 행하여도 좋고, 핫 플레이트(14)자체가 경사하도록 구성해서 행하여도 좋다.
스텝(S11) 웨이퍼의 수납 지그의 수납
웨이퍼·지그 반송기구(13)는, 얇게 된 웨이퍼(W)를 핫 플레이트(14)로부터 받고, 카세트(C)에 수납한다. 한편, 분리된 지그(P) 에 관해서도 핫 플레이트(14)로부터 받고, 지그 수납선반(12)에 수납한다.
본 실시예의 웨이퍼 처리장치에 의하면, 핫 플레이트(14)에 있어서 접착용 왁스(ＷＸ)에 의해 지그(P)과 웨이퍼(W)를 붙이고, 제1 반송기구(31), 자세반송 기구(32), 푸셔(33), 제2 반송기구(32)에 의해 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 핫 플레이트(14)로부터 처리용 반송 기구(23)에 반송하고, 그 처리용 반송 기구(23)는, 웨이퍼(W)가 밀착된 지그(P)를 처리조(25)내에 저류된 처리액에 침지 시킨다. 따라서, 종래와 같이, 연마 정반이 웨이퍼(W)에 직접 닿아서 손상을 주는 일도 없이 웨이퍼(W)를 얇게 하는 등의 가공 처리를 할 수가 있다.
또한, 얇게 된 웨이퍼(W)에 지그(P)가 붙여져서 밀착되어 있으므로, 지그(P)를 제1 반송기구(31), 푸셔(33), 제2 반송기구(21)가 반송할 때에, 안정되어 반송 할 수가 있고, 얇게 하는 처리와는 다른 처리를 할 때에, 안정해서 처리를 할 수 있다.
본 실시예에서는, 스텝(S5)에서의 붙이기 전에, 지그(P)의 붙여지는 요부의 표면에 고형의 접착용 왁스(ＷＸ)를 도포하고, 핫 플레이트(14)로 지그(P)를 가열해서 도포된 접착용 왁스(ＷＸ)를 액상으로 융해시킨다. 그리고, 융해시킨 상태에서 지그(P)에 웨이퍼(W)를 붙이고 있다. 이 접착용 왁스(ＷＸ)에 의해 지그(P)에 웨이퍼(W)를 안정적으로 붙일 수 있는 동시에, 지그(P)와 웨이퍼(W)가 도중에서 박리하는 것을 방지 할 수가 있다.
이러한 접착용 왁스(ＷＸ)에 의해 지그(P)에 웨이퍼(W)를 붙일 경우에 있어서, 핫 플레이트(14)에서 지그(P)를 가열하고, 지그(P)와 얇게 된 웨이퍼(W)와의 사이에 있는 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킨다. 그리고, 융해시킨 상태에서 지그(P)과 웨이퍼(W)를 서로 분리시킨다.
본 실시예에서는, 스텝(S10)에서 분리했을 때의 접착용 왁스(ＷＸ)를 후속의 웨이퍼(W)에 대하여도 이용하고 있다. 이와 같이 접착용 왁스(ＷＸ)를 재이용함으로써 접착용 왁스(ＷＸ)의 사용을 저감시킬 수 있다.
접착용 왁스(ＷＸ)에 의해 지그(P)에 웨이퍼(W)를 붙일 경우에 있어서, 융해시킨 상태에서 지그(P)에 웨이퍼(W)를 붙일 때에, 상술한 것 같이, 도6에 도시된 바와 같이, 융해된 접착용 왁스(ＷＸ)에 웨이퍼(W)가 떠오르므로, 붙여진 면(ＷＲ)과는 반대(역)측의 면인 처리면(ＷＳ)에, 웨이퍼(Ｗ) 이외의 개소에서는 왁스(ＷＸ)의 액면이 떠오른다. 이 접착용 왁스(ＷＸ)의 고착후에 얇게 하는 처리를 하면, 떠 오른 접착용 왁스(ＷＸ)의 부분과 웨이퍼(W)와의 사이에 고저 차이가 생긴다. 이 고저 차이에 의해, 지그(P)와 웨이퍼(W)가 도중에 박리되거나, 분리시킬 때에 웨이퍼(W)에 응력이 걸려 파손될 염려가 있다. 이것은, 얇게 하는 처리에서 에칭되는 웨이퍼(W)의 에칭 속도와 접착용 왁스(ＷＸ)의 에칭 속도와의 차이에 기인한다. 그래서, 상술한 웨이퍼(W)의 에칭 속도와 동등한 속도를 갖는 재질을, 접착용 왁스(접착제)(ＷＸ)로서 이용함으로써 상술한 고저 차이를 저감시킬 수 있다.
또한, 접착용 왁스(ＷＸ) 와 동일하게, 스텝(S10)으로 분리한 지그를 후속의 웨이퍼(W)에 대하여도 이용해서 좋다. 이렇게 지그(P)를 재이용함으로써 지그(P)의 사용을 저감시킬 수 있다.
본 실시예에서의 지그(P)를 형성하는 아모르포스 카본이나 ＳｉＣ는, 내약성의 이외에, 또한, 내열성을 갖는다. 예컨대, 스텝(S3)에서 지그(P)를 가열해서 도포된 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킬 경우나, 스텝(S9)에서 지그(P)를 가열해서 지그(P)와 웨이퍼(W)와의 사이에 있는 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킬 경우에는, 가열에 의한 지그(P)의 파손이나 변형이나 융해등을, 지그(P)가 내열성을 갖는 것으로서 방지 할 수가 있다.
상술한 아모르포스나 ＳｉＣ는, 웨이퍼(W)의 열선팽창계수와 동등한 계수를 갖는다. 예컨대, 스텝(S3)에서 지그(P)를 가열해서 도포된 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킬 경우나, 스텝(S9)에서 지그(P)를 가열해서 지그(P)와 얇게 된 웨이퍼(W)와의 사이에 있는 접착용 왁스(ＷＸ)를 융해시킬 경우에는, 팽창율의 차이에 의해서 지그(P)와 웨이퍼(W)가 도중에서 박리하거나, 분리시킬 때에 웨이퍼(W)에 응력이 걸려 파손하는 것을, 지그(P)가 웨이퍼(W)의 열선팽창계수와 동등한 계수를 갖는 것으로서 방지 할 수가 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 하기와 같이 변형 실시 할 수가 있다.
(1)상술한 실시예에서는, 핫 플레이트(14)가 붙이기와 분리를 겸용했지만, 붙이기와 분리를 서로 나누어서, 제 각기 별개의 구성이 각 붙이기 및 분리를 해도 좋다. 이 경우에 있어서, 분리를 하는 구성을 웨이퍼 처리장치의 외부에 설치해도 좋다.
(2)상술한 실시예에서는, 핫 플레이트(14)가 붙이기 및 분리를 행하였지만, 붙이기 및 분리를 하는 기능에 대해서는, 핫 플레이트(14)로 대표되는 가열 기구에 한정되지 않는다. 예컨대, 핫 플레이트(14)는 접착제를 융해시키는 것만 하고, 붙이기 혹은 분리를 핫 플레이트(14)와는 다른 구성이 해도 좋다.
(3)상술한 실시예에서는, 지그는, 웨이퍼가 수용할 수 있는 넓이를 가진 요부와, 그 요부의 주위를 둘러싼 벽부로 구성되어 있었지만, 지그의 형상은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 지그를 평판상으로 구성해도 좋다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명은 아니고, 부가된 클레임을 참조해야 한다.

Claims (14)

  1. 웨이퍼에 처리를 하는 웨이퍼 처리장치에 있어서,
    고정화용 조성물에 의해 지그(jig)와 웨이퍼의 처리면은 역측(逆側)면을 붙이는 첩부부;
    웨이퍼의 처리면에 접촉하여 웨이퍼를 얇게 하는 액체를 저류(貯留)하는 처리조;
    웨이퍼가 밀착된 지그를 상기 처리조내에 저류된 액체에 침지시킨 상태에서, 웨이퍼가 밀착된 지그를 유지하는 유지 기구;
    상기 첩부부와 상기 유지 기구와의 사이에서, 웨이퍼가 밀착된 지그를 반송하는 반송 기구를 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 첩부부는
    지그를 유지하는 동시에 지그를 가열하는 가열 기구;
    상기 가열 기구에 유지된 지그의 표면에 고정화용 조성물을 도포하는 도포 기구를 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 장치는
    복수의 지그를 수납하는 지그 수납부;
    복수의 웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납부;
    상기 지그 수납부와 상기 가열 기구와의 사이에서 지그를 반송하는 지그 반송기구;
    상기 웨이퍼 수납부와 상기 가열 기구와의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송기구를 추가로 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 지그 반송기구가 상기 지그 수납부로부터 상기 가열 기구로 지그를 반송한 후, 상기 가열기구가 지그를 가열한 상태에서 상기 도포 기구는 지그의 표면에 고정화용 조성물을 도포하고, 상기 웨이퍼 반송기구는 상기 웨이퍼 수납부로부터 상기 가열 기구에 재치된 지그 위로 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 처리장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 반송기구가, 상기 처리조에서 표면의 가공이 종료된 웨이퍼가 밀착된 지그를 상기 유지 기구로부터 상기 첩부부로 반송한 후, 상기 가열기구가 지그를 가열해서 고정화용 조성물을 용해시키고, 상기 웨이퍼 반송기구는 상기 가열 기구에 재치된 지그위로부터 상기 웨이퍼 수납부로 웨이퍼를 반송하고, 지그 위로부터 고정화용 조성물을 배출시킨 후, 상기 지그 반송기구는 상기 가열 기구로부터 상기 지그 수납부로 지그를 반송하는 웨이퍼 처리장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 반송 기구는
    웨이퍼가 밀착된 지그를 상기 가열 기구로부터 배출하는 제1 반송기구;
    상기 제1 반송기구에 의해 배출된 지그의 자세를 수평 방향으로부터 수직 방향으로 변환시키는 자세 변환기구;
    상기 자세 변환기구에 의해 수직 방향으로 변환된 지그를 상기 유지 기구로 반송하는 제2 반송기구를 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 반송기구는, 상기 유지 기구로부터 상기 자세 변환기구로 지그를 반송하고,
    상기 자세 변환기구는, 상기 제2 반송기구에 의해 반송된 지그의 자세를 수직 방향으로부터 수평 방향으로 변환시켜,
    상기 제1 반송기구는, 상기 자세 변환기구에 의해 수평 방향으로 변환된 지그를 상기 가열 기구로 반송하는 웨이퍼 처리장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 웨이퍼 반송기구 및 상기 지그 반송기구는, 웨이퍼와 지그를 개별적으로 반송하는 웨이퍼·지그 반송기구를 겸용하고,
    상기 웨이퍼·지그 반송기구는
    승강 이동 가능한 기대(基台);
    상기 기대에게 각각 지지되어, 기대에 대하여 진퇴 이동이 가능함과 동시에 선회 이동 가능한 웨이퍼용 유지 암 및 지그용 유지 암을 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 자세 변환기구는, 지그를 복수매 정리해서 일괄해서 자세를 변환하는 웨이퍼 처리장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제2 반송기구는, 지그를 일괄해서 반송하는 웨이퍼 처리장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 반송기구는 지그를 상기 자세 변환기구에 건네 주고, 지그가 소정의 매수에 달하면, 자세 변환기구는 수평 방향으로부터 수직 방향으로 일괄해서 변환하는 웨이퍼 처리장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 자세 변환기구는 지그를 수직 방향으로부터 수평 방향으로 일괄해서 변환하고, 상기 제1 반송기구는 지그를 자세 변환기구로부터 1매씩 꺼내는 웨이퍼 처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 장치는
    세정액을 저류하는 세정조를 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 처리층에 의한 처리까지, 및 그 처리 종료후의 적어도 어느것인가에 의해서 상기 세정조에서 지그의 세정 처리를 하는 웨이퍼 처리장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101487205B1 (ko) * 2007-07-13 2015-01-30 삼성전자 주식회사 미디어 서버 내의 컨텐츠를 제공하는 장치, 시스템 및 그방법
CN101510516B (zh) * 2009-03-20 2010-04-14 南京德研电子有限公司 用于晶片粘接的方法及其装置
JP6018732B2 (ja) * 2011-03-25 2016-11-02 不二越機械工業株式会社 ワーク貼着方法およびワーク貼着装置
CN102674710A (zh) * 2011-06-21 2012-09-19 京东方科技集团股份有限公司 玻璃基板加工的保护装置及方法
CN102629567B (zh) * 2011-10-19 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种基板固定装置及制作方法以及固定基板的方法
CN106356322A (zh) * 2016-10-20 2017-01-25 北方电子研究院安徽有限公司 一种晶圆腐蚀装置以及腐蚀方法
JP2020138225A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP7257199B2 (ja) * 2019-03-18 2023-04-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN110181382B (zh) * 2019-05-15 2020-12-01 徐州鑫晶半导体科技有限公司 制备半导体晶片的系统和方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1145297A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Sharp Corp 料理支援装置
JP2002203821A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5922117Y2 (ja) * 1978-04-24 1984-07-02 日本電信電話株式会社 化学エツチング用試料保持装置
JPS5795632A (en) * 1980-12-04 1982-06-14 Nec Kyushu Ltd Jig for etching back surface of semiconductor wafer
JPS63117445A (ja) * 1986-11-05 1988-05-21 Citizen Watch Co Ltd 半導体ウエハ−の加工方法
US5227001A (en) * 1990-10-19 1993-07-13 Integrated Process Equipment Corporation Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method
JPH0582491A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Mitsubishi Electric Corp ウエハはがし装置
US5605487A (en) * 1994-05-13 1997-02-25 Memc Electric Materials, Inc. Semiconductor wafer polishing appartus and method
JPH0950947A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ウエハ処理方法
JP2000068355A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001176761A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Chemitoronics Co Ltd 薄層基板半導体装置及びその製造方法
JP4738626B2 (ja) 2001-04-20 2011-08-03 株式会社デンソー 半導体基板のエッチング方法
JP3724431B2 (ja) 2002-02-05 2005-12-07 株式会社デンソー 半導体基板のエッチング方法
US7535100B2 (en) * 2002-07-12 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates
JP2004142045A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Seiko Epson Corp Ｃｍｐ装置、ｃｍｐ研磨方法、半導体装置及びその製造方法
JP2004288920A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Denso Corp 半導体基板のエッチング方法
JP2005051055A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 貼合せ方法および貼合せ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1145297A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Sharp Corp 料理支援装置
JP2002203821A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본공개특허 특개2002-203821호
한국공개특허 1999-45297호

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006237492A (ja) 2006-09-07
TW200636840A (en) 2006-10-16
KR20060095507A (ko) 2006-08-31
US20060191635A1 (en) 2006-08-31
CN100401494C (zh) 2008-07-09
CN1828859A (zh) 2006-09-06
TWI306274B (en) 2009-02-11
US7758717B2 (en) 2010-07-20

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