1306274 ώ * 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於加工處理半導體晶圓表面之晶圓處理裝 置。 【先前技術】 以往，作爲加工處理晶圓表面之裝置，例如’如「曰 本國特開2004- 1 42045號公報」所示，具有將硏磨定盤直 接壓抵在晶圓表面，來硏磨晶圓表面之BG(背面硏磨）裝置 及CMP硏磨裝置。使用此CMP硏磨裝置，藉由硏磨定盤 來硏磨與形成有電路之表面爲相反側的晶圓背面。如此^ 地在將晶圓厚度減薄後，將晶圓送至切割等的後步驟° 然而，在具有此般構成之習知例的情況，具有如1^ @ 問題。 亦即，在習知裝置中，因爲使硏磨定盤直接接觸於$ 圓上進行硏磨，所以在硏磨定盤之壓抵力增強的情況’ # 有晶圓會破損的問題。 【發明內容】 本發明正是鑒於此般事項所完成發明者，其目的在# 提供不會對晶圓.造成損傷，即可減薄晶圓之單面的晶_ _ 理裝置。 本發明爲達成此般目的，採用如下之構成。 亦即，本發明之晶圓處理裝置，係對晶圓進行處理# ' 上述裝置包含以下要素： 藉由固定化用組成物來貼合治具及晶圓之貼合部： 1306274 儲存加工晶圓表面之液體的處理槽； 在浸漬於上述處理槽內所儲存之液體內的狀態下’保 . 持密接著晶圓之治具的保持機構；及 、在上述貼合部及上述保持機構之間’搬運已密接著晶 圓之治具的搬運機構。 根據本發明之晶圓處理裝置’在貼合部’藉由固定化 用組成物來貼合治具及晶圓，藉由搬運機構將已密接著晶 圓之治具從貼合部搬運至保持機構，保持機構將已密接著 • 晶圓之治具浸漬於處理槽內所儲存之液體內。因此’無如 習知般硏磨定盤直接抵觸於晶圓而造成損失’而可進行減 薄晶圓等之加工處理。 上述發明之一例爲，上述貼合部包含•保持治具並加 熱治具之加熱機構；及在保持於上述加熱機構之治具表面 塗布固定化用組成物之塗布機構。 根據此一例之情況，在由加熱機構加熱治具之狀態 下，利用塗布機構將固定化用組成物塗布於治具$ ® & ® 熔解已塗布之固定化用組成物。並藉由此已溶解之固定4匕 用組成物來貼合治具及晶圓。 在此貼合部具備加熱機構及塗布機構的一·例1 φ 更包含：收容複數個治具之治具收容部；收胃it m個•晶> ® 之晶圓收容部；在上述治具收容部及上述加熱機構之_ ^ 運治具的治具搬運機構；及在上述晶圓收容部及上述力口$ 機構之間搬運晶圓的晶圓搬運機構。 根據裝置具備有治具收容部、晶圓收容部 ''冶胃w $ 1306274 • · 機構及晶圓搬運機構的情況’治具搬運機構是從治具收容 部朝加熱機構搬運各治具，而晶圓搬運機構是從晶圓收容 部朝加熱機構搬運各晶圓，藉以在加熱機構進行治具及晶 圓之貼合。 裝置具備有治具收容部、晶圓收容部、治具搬運機構 及晶圓搬運機構之情況的一例’其中上述治具搬運機構在 將治具從上述治具收容部朝上述加熱機構搬運後，在上述 加熱機構加熱該治具之狀態下，上述塗布機構在治具表面 塗布固定化用組成物，而上述晶圓搬運機構從上述晶圓收 容部朝載置於上述加熱機構之治具上搬運晶圓。 治具搬運機構在將治具從治具收容部朝加熱機構搬運 後，在加熱機構加熱治具之狀態下，塗布機構在治具表面 塗布固定化用組成物，而晶圓搬運機構從晶圓收容部朝載 置於加熱機構之治具上搬運晶圓，藉以在將塗布於治具表 面之固定化用組成物熔解之狀態下載置晶圓，藉由已熔解 之固定化用組成物來貼合治具及晶圓。 裝置具備有治具收容部、晶圓收容部、治具搬運機構 及晶圓搬運機構之情況的另一例，其中上述搬運機構在將 已密接著在上述處理槽內完成表面加工之晶圓的治具從上 述保持機構朝上述貼合部搬運後，上述加熱機構加熱治 具，以使固定化用組成物熔解，上述晶圓搬運機構將晶圓 從載置於上述加熱機構之治具上朝上述晶圓收容部搬運， 從治具上使固定化用組成物排出後，上述治具搬運機構將 治具從上述加熱機構朝上述治具收容部搬運。 1306274 4 搬運機構在將已密接著在上述處理槽內完成表面加工 之晶圓的治具從保持機構朝貼合部搬運後，加熱機構加熱 治具，以使固定化用組成物熔解，而晶圓搬運機構從載置 於加熱機構之治具上朝晶圓收容部搬運晶圓而加以收容， 藉以使晶圓及治具分離。在分離後，因治具上殘留有已熔 解之固定化用組成物’所以在將此固定化用組成物排出 後，治具搬運機構將治具從加熱機構朝治具收容部搬運而 加以收容。 在此貼合部具備加熱機構及塗布機構的一例中，上述 搬運機構最好更包括：將已密接著晶圓的治具從上述加熱 機構排出的第1搬運機構；將藉由上述第1搬運機構所排 出之治具的姿勢從水平方向轉換爲垂直方向的姿勢轉換機 構；及將藉由上述姿勢轉換機構轉換爲垂直方向之治具朝 上述保持機構搬運的第2搬運機構。 根據搬運機構具備有第1搬運機構、姿勢轉換機構及 第2搬運機構的情況’對於搬運機構將已密接著晶圓的治 具從貼合部朝保持機構搬運，而第1搬運機構是從加熱機 構將此治具排出。另外，姿勢轉換機構將所排出之治具的 姿勢從水平方向轉換爲垂直方向。又，第2搬運機構將轉 換爲垂直方向之治具朝保持機構搬運，藉以執行已密接著 晶圓的治具之一連串的搬運。 在搬運機構具備有第1搬運機構、姿勢轉換機_及^芽· 2搬運機構的情況’其中上述第2搬運機構最好係將治具 從上述保持機構朝上述姿勢轉換機構搬運，上述姿?奥 1306274 機構係將藉由上述第2搬運機構所搬運之治具的姿勢從垂 直方向轉換爲水平方向，上述第1搬運機構係將藉由上述 姿勢轉換機構轉換爲水平方向之治具朝上述加熱機構搬 運。 對於搬運機構將已密接著晶圓的治具從保持機構朝貼 合部搬運，而第2搬運機構將此治具朝姿勢轉換機構搬 運。並且，所搬運之治具的姿勢從垂直方向轉換爲水平方 向。又，第1搬運機構將轉換爲水平方向之治具朝加熱機 構搬運，藉以執行已密接著晶圓的治具之~連串的搬運。 裝置具備有治具收容部、晶圓收容部、治具搬運機構 及晶圓搬運機構之情況的另一例，其中上述晶圓搬運機構 及上述治具搬運機構，係兼用作個別搬運晶圓及治具之晶 圓•治具搬運機構’此晶圓.治具搬運機構包括：可升降 移動之基台；及分別由此基台所支撐，可相對於基台作進 退移動’同時可旋轉移動的晶圓用保持臂及治具用保持臂。 晶圓•治具搬運機構具備有：可升降移動之基台；及 分別由此基台所支撐’可相對於基台作進退移動，同時可 旋轉移動的晶圓用保持臂及治具用保持臂，藉以由晶圓， 治具搬運機構中之晶圓用保持臂來保持晶圓，並與晶圓用 保持臂一起使晶圓相對於基台作進退移動、旋轉移動，以 進行晶圓的搬運’而治具用保持臂用以保持治具，並與治 具用保持臂一起使治具相對於基台作進退移動、旋轉移 動，以進行治具的搬運。 搬運機構具備有第1搬運機構、姿勢轉換機構及第； -10- 1306274 I ' 搬運機構之情況的一例，其中上述姿勢轉換機構係將多片 治具集中而整個地轉換姿勢。 搬運機構具備有第1搬運機構、姿勢轉換機構及第2 搬運機構之情況的另一例，其中上述第2搬運機構係整個 地搬運治具。 在姿勢轉換機構將多片治具集中而整個地轉換姿勢的 一例中，上述第1搬運機構最好將治具交給上述姿勢轉換 機構’在治具達到指定片數後，姿勢轉換機構從水平方向 ► 整個地轉換爲垂直方向。 在姿勢轉換機構將多片治具集中而整個地轉換姿勢的 一例中，上述姿勢轉換機構最好將治具從垂直方向整個地 轉換爲水平方向，上述第1搬運機構從姿勢轉換機構一片 一片地取出治具。 上述本發明之晶圓處理裝置之另一例中，包括儲存洗 淨液的洗淨槽。在具備此洗淨槽之一例中，最好在至上述 處理層之處理爲止及此處理完成後的至少任一者，在上述 > 洗淨槽內進行治具的洗淨處理。 亦即，若至上述處理層之處理爲止有進行洗淨之必要 者，則在洗淨槽內進行治具的洗淨處理，若在處理層之處 理後有進行洗淨之必要者，則在洗淨槽內進行治具的洗淨 處理。 爲了用以發明之說明，有圖示目前認爲是較佳之數個 實施形態，但欲請理解的是，本發明並不受圖示之構成及 方法所限定。
1306274 【實施方式】 以下’參照圖式詳細說明本發明之較佳實施 (實施例） 第1圖爲顯示根據實施例之晶圓處理裝置的 的俯視圖，第2 A圖及第2 B圖爲顯示治具的槪 圖’第3圖爲顯示處理用搬運裝置的槪略構成的 此晶圓處理裝置係將晶圓W浸漬於處理液中，並 式減薄晶圓W之單面側者。 本實施例之晶圓處理裝置，如第1圖所示， 標益10及處理單元20。在指標器1〇及處理單） 配置有熱板14、第1搬運機構31、姿勢轉換機才 進器33。 在指標器10上配置有卡匣載置台11、治具 及晶圓•治具搬運機構1 3。在卡匣載置台1 1上 容複數片（例如，25片）之未處理晶圓W或已完成 圓W的卡匣C。治具收容櫃1 2係收容多個治具 匣C係以水平姿勢且呈多段地收容各晶圓w，同 收容櫃1 2係以水平姿勢且呈多段地收容各治具 如第2A圖之俯視圖及第2B圖之剖視圖所3 係圓盤狀構件’包括具有可容納晶圓W之寬度纪 包圍此凹部周圍之壁部。如後述，在將晶圓W貝^ P時’是在凹部內收容有晶圓W的狀態下進行。 部之高度的治具P的厚度設爲t,，將凹部深度言5 外’將晶圓W之口徑（直徑）設爲0 |，將治具P之 例。 槪略構成 略構成的 前視圖。 以化學方 具備有指 Ϊ； 2 0之間 冓3 2及推 收容櫃1 2 .載置有收 :處理之晶 P。又，卡 丨時，治具 P。 3，治具P J凹部、及 i合於治具 將包含壁 :爲t2 。另 :直徑設爲 1306274 I * 0 2 ’將凹部之直徑設爲0 3。本實施例中，治具P係由非晶 質碳或S i C所形成，治具P之厚度t, = 3 m m，凹部深度 t2 = lmm，晶圓 W之直徑治具 P之直徑 φ 2 = 22 0mm *凹部之直徑03 = 210 mm。非晶質碳或SiC，對 用於減薄處理之處理液（本實施例中爲鹼性蝕刻液，例如， 氫氧化鉀（KOH))具有耐藥性，同時具有耐熱性，且具有與 晶圓W之熱線膨脹係數相同的係數。 如第1圖所示，晶圓•治具搬運機構1 3係分別搬運晶 圓W及治具p者，其具備有基台13a、晶圓用保持臂13b 及治具用保持臂13c。基台13a可升降移動。晶圓用保.持臂 1 3 b係呈水平姿勢地支撐並吸附晶圓w之處理面（參照第 5八〜5(：圖、第6圖中的^^)，保持並搬運晶圓別，而治具 用保持臂1 3 c係從下方呈水平姿勢地支撐並吸附治具P的 下面’保持並搬運治具P。另外，晶圓用保持臂13b及治 具用保持臂1 3 c，係分別被支撐於基台1 3 a上，沿第1圖之 箭頭ra、rb的方向，分別可對基台I3a作進退移動，同時 沿第1圖之箭頭rc、rd的方向，分別可作旋轉移動。晶圓· 治具搬運機構1 3係藉由基台1 3 a、晶圓用保持臂1 3 b及治 具用保持臂13c，在卡匣載置台11及治具收容櫃12·熱板 1 4之間進行晶圓W及治具P的搬運。 若更具體地說明時，晶圓•治具搬運機構1 3係藉由治 具用保持臂13c將收容於治具收容櫃12內之治具P取出， 並載置於熱板14上，同時藉由晶圓用保持臂13b從載置於 卡匣載置台11上之卡匣C取出未處理之晶圓W，載置於載 1306274 置有治具P之熱板14上。在將晶圓W載置於熱板14 使晶圓用保持臂1 3 b上下翻轉，以使晶圓W之處理面 朝向上面，並將晶圓W下面貼合於已載置之治具P」 照第5 A〜5 C圖、第6圖中的WR)。亦即，晶圓W之 面Ws，相當於與所貼合之面（載置時爲下面）wR爲相 之晶圓面。 另一方面，晶圓•治具搬運機構13係藉由晶圓用 臂13b從熱板14上接取已處理完之晶圓W，將處理完 b 圓W收容於載置於卡匣載置台π上之卡匣C內，同 由治具用保持臂13c從熱板14上接取治具P，並收容 具收容櫃1 2內。在從熱板1 4上接取晶圓W時，使晶 之被貼合面WR朝向下面，並將被加工而減薄之面Ws 上面，並從上方讓晶圓用保持臂13b支撐並吸附。並 使晶圓用保持臂1 3 b上下翻轉，以使被減薄之面Ws朝 面，而從下方支撐並吸附。 在熱板14上配置有複數個（第1圖中爲3個）的升 t 1 4a。此等升降銷1 4a可升降移動，在載置治具P時， 銷14a從熱板14上面突出，並直接支撐治具P的下面 由突出之升降銷14a，在治具P下面及熱板14上面之 成微小空間。晶圓•治具搬運機構1 3之治具用保 1 3 c，係從下方呈水平姿勢地支撐並吸附晶圓W之處 W s ’在載置於熱板1 4上時，藉由升降銷1 4 a直接支撐 P ’並讓治具用保持臂1 3 C伸入上述微小空間內。治具 持臂1 3 c係利用解除治具P的吸附後作後退，來進行 上， Ws :(參 處理 反側 保持 之晶 時藉 於治 圓W 朝向 且， 向下 降銷 升降 。藉 間形 持臂 理面 治具 用保 治具 -14- 1306274 P的載置。在加熱時，使升降銷14a下降，讓熱板14上面 支撐並吸附治具P的下面。 另一方面，在從熱板1 4上接取治具P時，使升降銷 1 4a上升，直接支撐治具P的下面以形成微小空間。治具 用保持臂13c前行而進入微小空間內。治具用保持臂13c 係支撐並吸附治具P的下面，並利用升降銷1 4a下降，進 行治具P的交接。 熱板1 4係在治具P及晶圓W之貼合前將治具P加熱， ►同時在治具P及被減薄之晶圓W之分離前將治具P加熱。 因此，本實施例之熱板14，除加熱治具P外，還兼用貼合 及分離。因此’熱板1 4相當於本發明之貼合部。 另外’在熱板14上，如第5圖所示，設置有將固形之 黏接用石蠘（固定化用組成物）WX塗布於治具P的凹部表面 的塗布機構15。此塗布機構15通常是從熱板14退避，在 進行塗布處理時朝熱板1 4移動者。 另外’第1搬運機構31，係搬運已密接著晶圓w的治 > 具P者’具備有基台31a及保持臂31b。基台31a可升降 移動。保持臂31b係從下方一面呈水平姿勢地支撐並吸附 治具P的下面一面進行搬運。另外，保持臂3115係被支撐 於基台31a上’並沿第1圖之箭頭re的方向，可對基台31a 作進退移動’同時沿第1圖之箭頭r f的方向，可作旋轉移 動。第1搬運機構31係藉由基台31&及保持臂31b，在熱 板1 4及姿勢轉換機構3 2之間進行已密接著晶圓w之治具 P的搬運。 5 1306274 若更具體地說明時，第1搬運機構31係藉 31b將由熱板14貼合有晶圓W之治具P取出，並 轉換機構3 2上。當從此熱板1 4將治具P交給第 構31時，使熱板14之升降銷14a上升，直接支 的下面而形成微小空間，而保持臂3 1 b前行進 間。然後，保持臂3 1 b係支撐並吸附治具P之下 升降銷1 4a之下降，使得治具P從升降銷14a被 臂 3 1 b。 ® 另一方面，第1搬運機構31，藉由保持臂3 轉換機構3 2接取已密接著處理完之晶圓w的治 置於熱板1 4上。因已密接於此治具p之晶圓W 之狀態，所以在載置於熱板14上後，熱板14在 晶圓W之分離前將治具p加熱。而在從第1搬 將治具P交給熱板14時，使熱板14之升降銷1 直接支撐保持臂3 1 b所支撐吸附之治具p的下面 小空間’而保持臂3 1 b則進入微小空間內。並見 • 3 1 b係利用在解除治具P的吸附後作後退，而治 保持臂31b交給升降銷14a。 另外’姿勢轉換機構32係將多片（例如、25 中而整個地轉換姿勢者，其具備旋轉台32a、第 32b、第1保持部32c、第2保持部32d及第2校 此姿勢轉換機構3 2係將治具p從水平姿勢轉按 勢’並從起立姿勢轉換爲水平姿勢。 在治具P處於水平姿勢時，在旋轉台3 2a」 由保持臂 交給姿勢 1搬運機 :撐治具P 入微小空 面，利用 交給保持 1 b從姿勢 具P，並載 爲被減薄 治具P及 運機構31 4a上升， 丨以形成微 .，保持臂 具P則從 片）治具集 1校正部 正部3 2 e。 I爲起立姿 二面從第1 -16- 1306274 Γ 搬運機構3 1側開始依序分別配置第1校正部3 2b、第1保 持部32c、第2保持部32d及第2校正部32e。旋轉台32a 可繞旋轉軸A X之軸心周圍旋轉，在治具p處於水平姿勢 時’當使旋轉台3 2 a旋轉而轉換爲起立姿勢時，從上部依 序分別位有第1校正部32b、第1保持部32c、第2保持部 32d及第2校正部32以第1校正部32b及第2校正部32e， 係將治具P之兩端對齊者，且可讓垂直方向延長之桿沿旋 轉台32a之槽作平行移動。在治具p處於起立姿勢時，由 第1校正部32b將治具P的上端對齊，同時由第2校正部 3 2 e將下端對齊。在治具p處於水平姿勢時，由第1校正 部32b將第1搬運機構31側之一端對齊，同時由第2校正 部32e將推進器33側之一端對齊。在第丨保持部32c及第 2保持部32d上’呈多段狀分別形成抵接於治具P的槽。 本實施例中’形成治具P之一群（批）的數目（例如，25片） 之數量的槽。又’第1圖爲治具P處於水平姿勢時的圖示， 其省略支撐並抵接形成於第1、第2保持部32c、32d之治 具P的槽。 推進器33係在姿勢轉換機構32及處理單元20之第2 搬運機構2 1之間，依每批量整個地搬運治具p者，在上部 呈多段狀分別形成以起立姿勢抵接支撐治具P的槽。推進 器33可升降移動，同時於第〗圖之箭頭rg方向可作平行 移動。 當針對姿勢轉換機構3 2及推進器3 3更具體地說明 時’姿勢轉換機構3 2係以水平姿勢並藉由第丨、第2保持 -17-
1306274 部3 2c、3 2d接取由第1搬運機構31所搬運之各治 並由第卜第2校正部32b、3 2e分別將晶圓W之兩葡 當治具P達到指定片數時，藉由旋轉台32a之旋賴 的軸心周圍的旋轉，依每批量整個地將治具P從水 轉換爲起立姿勢。此時，以起立姿勢之治具P被支 進器33之槽上的方式，使推進器33平行移動至交磨 同時使升降移動。推進器33將轉換爲起立姿勢之治 第2搬運機構21側搬運移動，並交給第2搬運機精 另一方面，推進器33 —面將已密接著起立姿勢 理完的晶圓W之治具P支撐於槽上，一面從第2搬 2 1接取，並朝姿勢轉換機構3 2側搬運移動，而以 態交給姿勢轉換機構3 2。此時，一面預先使推進器 於比姿勢轉換機構32更下方之位置後使其上升，一 第I、第2保持部32c、32d將起立姿勢之治具P接 由第1、第2校正部32b、3 2e分別將治具P之兩端 藉由旋轉台3 2 a之旋轉軸AX的軸心周圍的旋轉， 量整個地將治具P從起立姿勢轉換爲水平姿勢。第 機構3 1係一片一片地取出治具P，並以水平姿勢載 板14上。 另外，在處理單元20上配置第2搬運機構21-理用搬運機構22、23、洗淨槽24及處理槽25。處 運機構22係保持治具P而於洗淨槽24內升降移動 具P浸漬於洗淨槽24內之洗淨液內進行洗淨處理。 搬運機構23係保持治具P而於處理槽25內升降移 具P， 5對齊。 .軸AX 平姿勢 撐於推 5位置， 具P朝 ;2卜 之已處 運機構 起立狀 33位 面藉由 取，並 對齊。 依每批 1搬運 置於熱 2個處 理用搬 ，將治 處理用 動，將 -18- 1306274 r 治具p浸漬於處理槽2 5內之處理液內而對晶圓W進行減 薄化處理。 第2搬運機構21係在推進器3 3 ·洗淨槽24 ·處理槽 2 5之間依每批量整個地搬運治具p者，具備有以起立姿勢 從側面夾持治具P之2個夾持部2 1 a。在夾持部2 1 a上呈 多段狀分別形成將治具P從側面抵接支撐於側面的槽。第 2搬運機構2 1係可沿第1圖中之箭頭rh的方向作平行移 動。 處理用搬運機構2 2、2 3係可相對於洗淨槽2 4或處理 槽2 5作升降移動。在第3圖中，以浸漬於處理槽2 5內之 處理液進行減薄處理之處理用搬運機構2 3爲例作了說 明，但針對浸漬於洗淨槽24內之洗淨液進行洗淨處理之處 理用搬運機構22，亦爲與處理用搬運機構23相同的構成， 故而省略其說明。處理用搬運機構23具備有在垂直方向上 具有長邊之背板23a、及在此背板23a的下端部沿水平方向 延長之3根保持構件23b。在保持構件23b上呈多段狀形 成有將治具P之端面抵接支撐於上部之槽。 處理用搬運機構23係將已密接著未處理之晶圓W的 治具P從與第2搬運機構2 1的交接位置下降搬運至處理槽 25，同時在減薄處理後將已密接著完成處理之晶圓W的治 具P從處理槽25上升搬運至上述交接位置。又，處理用搬 運機構2 3係在處理槽2 5內保持治具P之狀態下浸漬於處 理槽2 5內以進行減薄處理。有關處理用搬運機構2 2，亦 是從交接位置將治具P下降搬運至洗淨槽2 4，同時在洗淨 -19- 1306274 處理後將治具P從洗淨槽24上升搬運至交接位置。處理用 搬運機構22係在洗淨槽24內保持治具P之狀態下浸漬於 洗淨槽24內以進行洗淨處理。 更具體地說明時，第2搬運機構21係以起立姿勢而由 夾持部21a接取由推進器33所搬運之治具P，並交給處理 用搬運機構2 3。此時，一面使處理用搬運機構2 3位於比 第2搬運機構21更下方之位置後使其上升，一面藉由保持 構件23b接接取立姿勢之治具P。處理用搬運機構23係下 降搬運治具P以對晶圓W進行減薄處理，在處理完成後則 上升搬運。於是，一面使處理用搬運機構23上升，一面將 起立姿勢之治具P交給第2搬運機構21。第2搬運機構21 係藉由夾持部 2la接取治具P，並搬運至推進器33處而交 給推進器33。又’在使其減薄之處理前需要進行洗淨處理 的情況，第2搬運機構2 1係交給處理用搬運機構22並以 與處理用搬運機構23相同的要領進行洗淨處理。另外，在 使其減薄之處理後需要進行洗淨處理的情況，第2搬運機 構2 1係在從處理用搬運機構2 3接取後，交給處理用搬運 機構2 2而以與處理用搬運機構2 3相同的要領進行洗淨處 理。 又’熱板1 4上相當於本發明之貼合部及加熱機構。推 進器33及第2搬運機構21，相當於本發明之第2搬運機 構。又’處理用搬運機構23相當於本發明之保持機構。 本實施例之晶圓處理裝置’具備有統合控制上述之此 等指標器1 0、處理單元2 0內之各構成的控制器4 〇。控制 -20 - 1306274 r ， 器40係由中央運算處理裝置（CPU)等所構成，並根據卡匣 載置台1 1或治具收容櫃1 2的使用狀況、熱板1 4之溫度狀 況、各搬運機構13、21〜23、31或推進器33的搬運狀況、 姿勢轉換機構32之姿勢狀況、洗淨槽24或處理槽25的處 理狀況等，而由控制器40來控制熱板14、各搬運機構13、 21〜23、31、推進器33、姿勢轉換機構32。尤其是，控制 器40係利用操作處理用搬運機構23，藉由處理液蝕刻與 貼合面W R爲相反側之晶圓W之面（處理面W s)，以減薄晶 圓W。又，形成有電路之表面成爲被貼合之面WR，背面成 爲處理面Ws。 其次，參照第4圖之流程及第5A〜5C圖 '第6圖、 第7圖及第8圖之說明圖，對本實施例之晶圓處理方法進 行說明。第4圖爲顯示根據實施例之晶圓處理裝置的處理 動作的流程圖，第5A〜5C圖爲將晶圓貼合於治具上時之 處理步驟的模式性示意說明圖，第6圖爲在使黏接用石蠟 (黏接劑）熔解之狀態下將晶圓貼合於治具上時之姿勢的模 式性示意說明圖，第7圖爲使治具及被減薄之晶圓相互分 離時之姿勢的模式性示意說明圖，第8圖爲回收黏接劑之 狀況的模式性示意說明圖。 (步驟S1)將治具載置於熱板上 晶圓·治具搬運機構1 3係接取收容於治具收容櫃1 2 內之治具P，並載置於熱板14上。控制器4 0根據治具收 容櫃1 2之使用狀況、熱板1 4之溫度狀況、晶圓•治具搬 運機構1 3之搬運狀況等，來操作晶圓·治具搬運機構1 3、 P06274 熟板1 4之升降銷1 4 a等。針對以下之各步驟的操作，只要 無預先告知，均以控制器4 0來進行者作說明。 (步驟S2)將黏接用石蠟塗布於治具上 如第5 A圖所示’塗布機構1 5係將固形之黏接用石蠟 (黏接劑）WX塗布於屬治具P之貼合面的凹部表面。此黏接 用石蠟WX在常溫下爲固形，而在後述之加熱中的處理溫 度（例如，1 1 〇°C )以上熔解爲液狀。本實施例中，黏接用石 蠟WX係使用具有與晶圓W之蝕刻速度相同之速度的材 質。黏接用石蠟W X相當於本發明之固定化用組成物。 (步驟S3)治具之加熱•石蠟的熔解 控制器40係操作熱板14之加熱器（省略圖示）等，進 行載置於熱板1 4上治具P的加熱。溫度感測器（省略圖示） 係計測熱板1 4之溫度’在達到指定之處理溫度（例如， 1 1 0°C )後，控制器40操作加熱器等而將處理溫度保持爲一 定。如第5B圖所示，藉由此處理溫度之治具p之加熱，塗 布於治具P上之黏接用石蠘WX熔解爲液狀。然後，停止 熔解後之治具P的加熱。 (步驟S 4)將未處理晶圓載置於熱板上 在此加熱中，晶圓•治具搬運機構1 3係從載置於卡厘 載置台11上之卡匣C內取出未處理之晶圓w。在黏接用石 蠟WX熔解後，在此狀態下將晶圓w載置於載置有治具p 之熱板14。此時’如第5C圖所示，將晶圓W之處理面 Ws朝向上面，並將應貼合之面wR朝向下面。 (步驟S5)晶圓·治具之貼合 -22 - 1306274 藉此，將與晶圓W之處理面Ws爲相反側之面wR貼合 於治具P上。當熱板1 4返回常溫時，伴隨此，處於晶圓W 及治具P之間的黏接用石蠟wx亦凝固，而將晶圓W及治 具p密接。又，在使黏接用石蠟WX熔解之狀態下將晶圓 W貼合於治具P時，如第6圖所示，晶圓W於被熔解之石 織WX浮起，所以在屬與被貼合之面爲相反側的面之處 is面\vs，在晶圓W以外之處（晶圓W之端面及治具p的隔 壁之間），石蠟WX之液面浮起。 驟S 6)治具朝處理槽之搬運 在步驟S 5，第1搬運機構3 1進行將已密接有晶圓W 之治具P從熱板14交給姿勢轉換機構32的搬運。姿勢轉 換機構3 2，在由步驟S 5所貼合之治具P達到指定片數後， 藉由旋轉台3 2 a之旋轉而從水平姿勢依每批量整個地轉換 爲起立姿勢。然後，交給推進器3 3，而推進器3 3進行交 給第2搬運機構21的搬運。第2搬運機構21係搬運給處 理槽25，並交給處理用搬運機構23。又，若於步驟S7減 薄晶圓W處理爲止需要洗淨的話，則在搬運處理槽2 5之 前先搬運至洗淨槽2 4。在洗淨時，第2搬運機構2 1將治 具p交給處理用搬運機構22，處理用搬運機構22係在洗 淨槽24內保持治具P的狀態下，浸漬於洗淨槽24內。 (步驟S 7 )減薄處理 在處理槽2 5內儲存有鹼性蝕刻液、例如氫氧化鉀 (KOH)。處理用搬運機構23係在處理槽25內保持治具P 的狀態下，浸漬於處理槽2 5內而對晶圓W進行減薄處理。 -23- 1306274 又，蝕刻用處理液不限於氫氧化鉀，若爲通常在例如氫氧 化鈉（NaOH)等所代表之減薄處理所使用的液體即可。被貼 合之面WR係藉由治具P所覆被並保護，所以未被蝕刻。 另一方面，處理面W s之表面成爲露出狀，所以其被蝕刻而 減薄。 (步驟S8)治具朝熱板之搬運 在完成減薄之處理後，處理用搬運機構23係將治具p 從處理槽25抬起，並交給第2搬運機構21。又，若在步 驟S 7之減薄處理後需要洗淨的話，則透過第2搬運機構 2 1而朝洗淨槽2 4搬運。另一方面，若將治具P交給第2 搬運機構21後，第2搬運機構21進行交給推進器33之搬 運。推進器33進行交給姿勢轉換機構32的搬運，姿勢轉 換機構32係藉由旋轉台32a之旋轉而從起立姿勢依每批量 整個地轉換爲水平姿勢。然後，第1搬運機構3 1係將治具 P從姿勢轉換機構32 —片一片地取出，而以水平姿勢載置 於熱板1 4。 (步驟S 9)治具之加熱·石蠟的熔解 在將治具P載置於熱板14後，熱板14直接加熱所載 置之治具P。藉由此治具P之加熱而將所塗布之黏接用石 蠟WX熔解爲液狀。在熔解後使治具p之加熱停止。 (步驟S10)晶圓•治具之分離 在黏接用石蠟WX熔解後，晶圓•治具搬運機構1 3之 保持臂1 3 b，從上方呈水平姿勢支撐吸附朝向上面之晶圓W 的處理面W s，而僅搬運晶圓W。如此，藉由晶圓.治具搬 -24- 1306274 運機構1 3之僅對晶圓W的搬運，在使黏接用石蠟WX熔 解之狀態下，如第7圖所示，以使治具P及晶圓W相互分 離。另外’因爲對後續之晶圓W亦使用殘留於治具P之凹 部的黏接用石蠟WX，所以在使黏接用石蠟WX熔解之狀態 下’如第8圖所示，使治具P傾斜以進行黏接用石蠟WX 的回收。有關治具P之傾斜，例如，亦可利用將晶圓.治 具搬運機構1 3之治具用保持臂1 3 c上下翻轉來進行，亦可 構成爲使熱板1 4本身傾斜來進行。 (步驟S1 1)晶圓之收容.治具之收容 晶圓·治具搬運機構1 3從熱板1 4接取被減薄之晶圓 W’並收容於卡匣c內。另一方面，有關所分離之治具p， 亦是從熱板1 4接取，並收容於治具收容櫃1 2內。 依據本實施例之晶圓處理裝置，在’熱板1 4上藉由黏接 用石蠟WX來貼合治具p及晶圓W，藉由第1搬運機構3卜 姿勢轉換機構32、推進器33、第2搬運機構21，將已密 接著晶圓W的治具p從熱板丨4搬運給處理用搬運機構 23 ’此處理用搬運機構23，將已密接著晶圓评的治具P浸 漬於儲存於處理槽2 5之處理液內。因此，並無如習知般硏 磨定盤直接抵觸於晶圓W而造成損傷的情況，因而可進行 減薄晶圓等的加工處理。 另外’因爲將治具P貼合密接於被減薄之晶圓W上， 所以在第1搬運機構31、推進器33、第2搬運機構21搬 運治具P時’可穩定地進行搬運’在進行與減薄處理不同 的處理時，可穩定地進行處理。 -25 - 1306274 本實施例中，在步驟S5之貼合前，在屬治具Pi 面的凹部表面塗布固形之黏接用石蠟wx，由熱板14 、冶具P，使已塗布之黏接用石繼WX熔解成液狀。並 解之狀態下，將晶圓W貼合於治具P上。因此’可藉 黏接用石蠟WX穩定地將晶圓W貼合於治具P上’同 防止治具p及晶圓w在途中被剝離的情況。 在藉由此種黏接用石鱲WX將晶圓W貼合於治具 的情況，由熱板1 4加熱治具P，以使處於治具P及被 • 之晶圓W之間的黏接用石蠟WX熔解。並且，在熔解 態下使治具P及晶圓w相互分離。 本實施例中，對後續之晶圓W亦使用在步驟S 1 0 離時之黏接用石蠟WX。如此，藉由再利用黏接用石蠟 即可減低黏接用石蠟WX的使用。 在藉由黏接用石蠟WX將晶圓W貼合於治具P 況，在熔解之狀態下將晶圓W貼合於治具P時，如上 如第6圖所示，晶圓W於被熔解之黏接用石蠟WX浮 w 所以在屬與被貼合之面WR爲相反側的面之處理面W: 晶圓W以外之處，石蠟WX之液面浮起。當在此黏接 蠟WX之黏接後進行減薄處理時，在浮起之黏接用石强 的部分及晶圓W之間產生有高低差。藉由此高低差， 治具P及晶圓W在途中被剝離，或在分離時應力被施 晶圓W上而破損之虞。這起因於減薄之處理時被蝕亥；J 圓 W的蝕刻速度及黏接用石鱲WX的蝕刻速度之差 此’利用將具有與上述晶圓W之蝕刻速度相同的速 貼合 加熱 在熔 由此 時可 P上 減薄 之狀 所分 WX - 的情 .述， 起， ;，在 用石 i WX 恐有 加在 之晶 。在 的材 -26 -
1306274 質，用作爲黏接用石蠟（黏接劑）WX，即可減低上： 又，與黏接用石蠟WX相同’對後續之晶圓 用在步驟S 1 0所分離之治具。如此，藉由再利戶 可減低治具P之使用。 本實施例之形成治具p的非晶質碳、S i C ’除 性外，還具有耐熱性。例如，在步驟s 3加熱治具 已塗布之黏接用石蠟WX熔解的情況’或在步驟 具p以使處於治具P及晶圓W之間的黏接用石蟻 的情況，利用治具P具有耐熱性’可防治加熱弓丨 P的破損、變形、熔解等。 上述非晶質、s i C，具有與晶圓W之熱線膨 同的係數。例如，在步驟s 3加熱治具P以使所E 接用石鱲WX熔解的情況，或在步驟S 9加熱治具 於治具P及減薄晶圓W之間的黏接用石蠟WX 況，利用治具P具有與晶圓W之熱線膨脹係彭 數，可防止因膨脹係數之差所引起治具P及晶圓 途剝離，或分離時應力被施加於晶圓W而發生纪 本發明並不限於上述實施形態，其可如下實 (1) 上述實施例中，雖然熱板1 4兼用作貼名 但亦可將貼合及分離相互分開，分別以其他之構 貼合及分離。在此情況下，亦可將進行分離之構 晶圓處理裝置外部。 (2) 上述實施例中，雖然熱板1 4進行貼合；J 針對進行貼合及分離之功能，並不限定於熱板1 4 ⑤高低差。 W亦可使 治具Ρ ’ 具有耐藥 ρ以使所 S 9加熱治 丨WX熔解 起之治具 脹係數相 塗布之黏 Ρ以使處 熔解的情 :相同的係 W會於中 J破損。 施變化。 ^及分離， :成進行各 :成設置於 t分離，但 所代表之 -27 - 1306274 加熱機構。例如，可由熱板1 4僅進行黏接劑之熔解，而由 與熱板14不同之構成進行貼合或分離。 - (3)上述實施例中，治具係由具可收容晶圓之寬度的 ^ 凹部及包圍此凹部周圍之壁部所構成，但治具之形狀並不 限於此。例如，亦可將治具形成爲平面狀。 本發明只要未超出此思想或本質，即可以其他之具體 形態來實施，因此，本發明之範圍並非由上述說明所表示， 而應參照所附之申請專利範圍。 # 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示根據實施例之晶圓處理裝置的槪略構成 的俯視圖。 第2A圖爲顯示根據實施例之治具的槪略構成的俯視 _ 〇 第2B圖爲顯示根據實施例之治具的槪略構成的剖視 第3圖爲顯示根據實施例之處理用搬運裝置的槪略構 φ 成的前視圖。 第4圖爲顯示根據實施例之晶圓處理裝置的處理動作 的流程圖。 第5 A圖爲將晶圓貼合於治具上時之處理步驟的模式 性示意說明圖。 第5 B圖爲將晶圓貼合於治具上時之處理步驟的模式 ，丨·生示意說明圖。 第5 C圖爲將晶圓貼合於治具上時之處理步驟的模式 -28 - 1306274 性示意說明圖。 第6圖爲在使黏接用石蠟（黏接劑）熔解之狀態下將晶 圓貼合於治具上時之姿勢的模式性示意說明圖。 第7圖爲使治具及被減薄之晶圓相互分離時之姿勢的 模式性示意說明圖。 第8圖爲回收黏接劑之狀況的模式性示意說明圖 元件符號說明】 C 卡匣 P 治具 W 晶圓 Ws 處理面 10 指標器 11 卡匣載置台 12 治具收容櫃 13 晶圓•治具搬運機·構 13a 基台 13b 晶圓用保持臂 13c 治具用保持臂 14 熱板 14a 升降銷 15 塗布機構 20 處理單元 2 1 第2搬運機構 2 1a 夾持部 -29 - 1306274 22 ' 23 處 理 用 搬 運 機構 23 a 背 板 23 b 保 持 構 件 24 洗 淨 槽 25 處 理 槽 3 1 第 1 搬 運 機 構 3 1a 基 台 3 1b 保 持 臂 32 姿 勢 轉 換 機 構 32a 旋 轉 台 32b 第 1 校 正 部 3 2c 第 1 保 持 部 3 2d 第 2 保 持 部 32e 第 2 校 正 部 3 3 推 進 器 40 控 制 器 -30 -