KR100689051B1 - 압전 발진기와 전자 기기 및 압전 발진기의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
소형화 및 박형화에 적합한 압전 발진기와, 그 압전 발진기를 사용한 전자 기기를 제공한다.
압전 발진기(10)는, 실장 기판에 접속하는 다수의 실장 단자(24)를 구비한 실장용 리드(12)에 실장한 전자 부품과, 상기 전자 부품의 상하 방향으로 겹쳐 배치한 압전 진동자(18)를 갖고, 상기 압전 진동자(18)의 상기 전자 부품의 대향면에 형성한 외부 단자를, 상기 전자 부품의 외측 가장자리의 내측에 설치한 접속 단자(30)에 접속 수단을 통해 접속한 구성으로 했다. 그리고 상기 접속 수단은 금속 볼, 또는 리드 프레임과 와이어 본딩의 조합이면 된다.
Description
도 1은 제1 실시형태에 따른 압전 발진기의 분해 사시도,
도 2는 제1 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도,
도 3은 제1 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 4는 압전 진동자의 정면 단면도,
도 5는 제2 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도,
도 6은 압전 발진기의 실장을 설명하는 측면 단면도,
도 7은 제3 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도,
도 8은 리드 프레임의 일부를 확대한 평면도,
도 9는 제4 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도,
도 10은 제5 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 11은 제5 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도,
도 12는 제6 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 13은 제6 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도,
도 14는 제7 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 15는 제7 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도,
도 16은 제8 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 17은 제8 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도,
도 18은 제8 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면도,
도 19는 제9 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 20은 제9 실시형태에 따른 리드 프레임에 IC 칩을 실장한 평면도,
도 21은 제9 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도,
도 22는 제10 실시형태에 따른, 접속 단자의 제1 변형예의 사시도,
도 23은 제10 실시형태에 따른, 접속 단자의 제2 변형예의 사시도,
도 24는 제10 실시형태에 따른, 접속 단자의 제3 변형예의 사시도,
도 25는 제10 실시형태에 따른, 접속 단자의 제4 변형예의 사시도,
도 26은 제10 실시형태에 따른, 접속 단자의 제5 변형예의 사시도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10…압전 발진기 12…실장용 리드
14…반도체 집적 회로(IC) 칩 16…도전성 접속재
18…압전 진동자 22…다이 패드
24…실장 단자 28…조정 단자
30…접속 단자 40…수지 봉지 패키지
74…IC 칩 76…압전 진동자
78…패드 80…실장용 리드
82…조정 단자 84…접속 단자
88…압전 발진기
본 발명은 소형화 및 박형화에 적합한 압전 발진기와 전자 기기 및 압전 발진기의 제조 방법에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 압전 발진기는, 압전 발진기의 면적이 압전 진동자와 반도체 집적 회로(IC)를 수평으로 나열한 면적보다도 큰 사이즈였다. 다이 패드 상에 IC 칩이 실장되고, 이 IC 칩의 측방에 압전 진동자가 설치되어 있다. 또 다이 패드의 측방에는 적어도 2개의 리드 단자가 설치되고, 이들 리드 단자와 IC 칩에 설치된 전극에 와이어 본딩이 실시되어 도통하고 있다. 또한, 이들 리드 단자는 압전 진동자의 아주 가까이에 연장 설치되어, 압전 진동자와 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 압전 진동자 및 IC 칩의 주위를 수지 등의 몰드재로 몰드하여, 수지 봉지 패키지를 형성하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1을 참조).
(특허 문헌 1) 일본국 특개평 7-162236호 공보
최근에는, 압전 발진기가 탑재되는 전자 기기가 소형화되고 있음에 따라, 압전 발진기나 압전 발진기에 실장되는 압전 진동자도 소형화 및 박형화가 도모되고 있다. 그때문에 압전 진동자의 사이즈는, IC 칩의 사이즈와 같은 정도까지 소형화되고 있다.
그러나, 압전 진동자와 IC 칩을 병렬로 실장한 종래 기술에 따른 압전 발진기의 구성에서는, 리드 단자의 배선 길이가 길어지면 부유 용량이 증가하는 문제점을 갖고 있었다. 그리고 최근에는, 고주파 대역을 사용하는 전자 기기가 많아지고 있는데, 주파수가 높아지면 높아질수록, 부유 용량이 커지는 문제점이 있었다.
또 IC 칩에 온도 보상 기능을 마련하여 온도 보상형 압전 발진기로 한 경우, IC 칩과 압전 진동자의 거리가 떨어져 있기 때문에, IC 칩으로부터 발생하는 열과 압전 진동자의 열과의 사이에서 온도차가 발생한다. 이때문에 고정밀도의 온도 보상을 행할 수 없고, 또한 순간적인 보상을 행할 수 없다는 문제점이 있었다.
또 리드 단자와 IC 칩에 와이어 본딩이 실시되는 본딩 스페이스를 형성하지 않으면 안되어, 압전 발진기의 소형화에 장해가 되고 있었다.
본 발명은, 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이며, 평면 사이즈를 작게 함으로써 소형화를 가능하게 하는 압전 발진기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
또, 압전 발진기를 탑재한 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한 압전 발진기의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 압전 발진기는, 리드 프레임으로 형성되며, 실장 기판에 접속하는 실장 단자를 갖는 다수의 실장용 리드와, 상기 다수의 실장용 리드와 전기적으로 접속된 전자 부품과, 외부 단자를 갖고, 상기 전자 부품과 전기적으로 접속된 압전 진동자와, 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자와 상기 전자 부품에 설치한 접속 단자를 전기적 접속하는 접속 수단을 구비하고, 적어도 상기 다수의 실장용 리드의 상기 실장 단자를 노출시키면서, 상기 리드 프레임 및 상기 전자 부품의 주위를 몰드재로 봉지한 압전 발진기에 있어서, 상기 접속 수단과 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자와의 접속부가, 상기 전자 부품의 외형의 내측에 형성된 것을 특징으로 하고 있다. 종래에는, 평면 형상이고, 전자 부품의 외측 또한 발진기 외형의 내측의 영역에서, 전자 부품과 압전 진동자의 전기적 접속을 행할 필요가 있었으나, 본 발명에 의하면, 그러한 설계상의 제약은 없어, 압전 발진기를 소형화할 수 있다. 또, 압전 발진기를 형성하기 전에 압전 진동자 및 전자 부품의 동작 체크를 행하면, 동작의 양·불량을 확인할 수 있다. 그리고 양품의 압전 진동자 및 전자 부품을 합침으로써, 압전 발진기를 구성할 수 있다. 따라서 종래 기술처럼, 몰드재에 의해 압전 진동자 및 전자 부품을 봉지한 후에, 압전 진동자 이외를 원인으로 한 압전 발진기의 불량이 발생했다 해도, 양품의 압전 진동자를 폐기하는 일이 없어지기 때문에, 제조 비용을 삭감할 수 있다. 한편, 특허청구범위에 있어서의 '밀봉'이라는 용어는 본 명세서의 '봉지'라는 용어에 대응되어 해석된다.
또 상기 접속 수단은 금속 볼이고, 상기 전자 부품에 설치한 접속 단자와, 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자를 상기 금속 볼을 통해 접속한 것을 특징으로 하고 있다. 이에 의해, 리드 프레임을 통해 압전 진동자와 전자 부품을 접속한 압전 발진기에 비해 박형화할 수 있다. 또 전자 부품을, 발진 회로와 온도 보상 기능을 갖는 IC 칩으로 한 경우, 상기 온도 보상은 IC 칩 내에 설치된 온도 센서의 계측값에 기초하여 행해지고 있다. 이때문에 IC 칩의 바로 위에 압전 진동자가 접 속되어 있으므로, IC 칩과 압전 진동자의 온도차가 작아져, 고정밀도로 온도 보상을 행할 수 있다. 또 열전도율이 높은 금속 볼을 사용함으로써, 보다 고정밀도로 온도 보상을 행할 수 있다.
상기 접속 수단은 리드 프레임에 형성된 접속 단자 및 와이어 본딩이고, 상기 전자 부품의 상기 접속 단자와 상기 리드 프레임의 상기 접속 단자를 와이어 본딩으로 접속하고, 상기 리드 프레임의 상기 접속 단자와 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자를 접속한 것을 특징으로 하고 있다. 이 경우, 상기 전자 부품과 상기 압전 진동자의 사이에 열전도 부재로서 리드 프레임을 개재 설치한 구성으로 할 수 있다. 전자 부품의 종류에 따라 와이어 본딩 패드의 위치는 변경된다. 또 압전 진동자의 종류에 따라 외부 단자의 위치는 변경된다. 그런데 와이어 본딩을 실시하는 경우, 와이어 본딩을 실시하는 자유도가 있다. 이때문에 전자 부품에 설치된 와이어 본딩 패드의 위치나, 압전 진동자의 외부 단자의 위치에 관계없이, 와이어 본딩을 사용하여 압전 진동자와 전자 부품을 도통시킬 수 있다. 또 전자 부품과 압전 진동자의 사이에 열전도 부재를 설치했기 때문에, 전자 부품으로부터 압전 진동자로 열이 전달되기 쉬워진다. 따라서, 전자 부품을 온도 보상형 발진 회로로 한 경우, 고정밀도로 온도 보상을 행할 수 있다.
또 상기 전자 부품은 반도체 집적 회로이고, 리드 프레임에 의해 형성되며, 상기 반도체 집적 회로의 회로측(능동면측)에 얹어진 다이 패드를 더 구비한 것을 특징으로 하고 있다. 상기 다이 패드에 의해, 반도체 집적 회로(IC)의 회로면측에서 발생하는 열을 압전 진동자측으로 방열하여, IC와 압전 진동자의 온도차를 없앨 수 있다. 또 온도 센서를 설치한 IC는 회로면측에 온도 센서가 설치되기 때문에, 압전 진동자와 온도 센서의 온도차를 작게 할 수 있다. 또 IC와 리드 프레임에 와이어 본딩을 실시하는 경우, 와이어 본딩 패드 이외의 IC의 회로면과 압전 진동자의 사이에 공간이 존재하기 때문에, 이 공간을 다이 패드를 배치하는 스페이스로서 이용하면, 종래의 IC 하면에 배치하고 있는 다이 패드의 스페이스분만큼 압전 발진기를 소형화·박형화할 수 있다. 또한 접속 단자를 다이 패드로서 이용해도 된다.
또 상기 반도체 집적 회로와 상기 다이 패드가 절연성 접착제에 의해 접속되고, 상기 반도체 집적 회로에 형성된 와이어 본딩 패드로 상기 절연성 접착제가 흘러 나가는 것을 방지하는 유출 방지 수단을 다이 패드 및/또는 접속 단자에 형성한 것을 특징으로 하고 있다. 이 유출 방지 수단에 의해 절연성 접속재가 와이어 본딩 패드로 흘러 들어오는 것을 방지할 수 있다.
또 실장 단자에 빠짐 방지 수단을 형성한 것을 특징으로 하고 있다. 빠짐 방지 수단에 의해 실장용 리드와 몰드재의 접속 강도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 압전 발진기를 땜납에 의해 실장 기판에 실장한 경우의 실장 강도를 향상시킬 수 있다.
또 상기 압전 진동자의 주위를 몰드재로 봉지한 구성으로 할 수 있다. 이 구성에 의해, 몰드재는 압전 진동자와 접속부의 접속 강도 보강의 역할을 하기 때문에, 압전 진동자와 접속부의 접속 강도를 향상시킬 수 있다.
또 상술한 압전 발진기에 있어서, 상기 리드 프레임에 조정 단자를 설치하고, 상기 조정 단자와 상기 전자 부품을 도통시킨 것을 특징으로 하고 있다. 전자 부품을, 발진 회로와 온도 보상 기능을 갖는 반도체 집적 회로(IC) 칩으로 한 경우, 압전 발진기를 형성한 후라도 조정 단자를 통해 IC 칩에 기입 등을 행할 수 있다. 조정 단자는, 전자 부품, 압전 발진기의 특성 검사, 특성 조정 및/또는 압전 진동자와 접속 단자와의 도통 확인을 하기 위한 단자이다. 또한, 특성 검사란, 수지 성형 후의 전자 부품의 동작 체크나, 압전 발진기로서의 특성 검사 등을 말한다. 또, 특성 조정이란, 전자 부품을 발진 회로와 온도 보상 기능을 갖는 IC 칩으로 한 경우, 압전 발진기의 출력 주파수를 임의의 주파수에 맞추거나, IC 칩에 온도 보상 회로가 부가된 경우에, 압전 발진기의 온도에 따른 주파수 변화를 보정하거나, 입력 전압에 따라 주파수를 변화시키는 기능이 IC 칩에 부가된 경우에, 그 변화 감도를 조정하거나 하는 것 등을 말한다.
또 본 발명에 따른 전자 기기는, 상술한 압전 발진기를 탑재한 것을 특징으로 하고 있다. 상술한 특징을 갖는 압전 발진기를 탑재함으로써, 소형이며 신뢰성이 높은 전자 부품을 실현할 수 있다.
또 본 발명에 따른 압전 발진기의 제조 방법은, 반도체 집적 회로의 회로면측에 리드 프레임을 접속하고, 상기 반도체 집적 회로와 상기 리드 프레임을 와이어 본딩으로 접속하여 도통시키고, 상기 리드 프레임에 압전 진동자의 외부 단자를 접속하여 도통시키는 것을 특징으로 하고 있다. 종래의 압전 진동자의 제조 방법은, 리드 프레임 상에 반도체 집적 회로(IC)를 실장한 후에, 와이어 본딩을 실시하고 있다. 그러나 본 발명에서는, IC의 회로면측에 리드 프레임을 접속하여, 와이어 본딩을 실시하고 있기 때문에, 압전 발진기를 소형화 및 박형화할 수 있다.
또 실장용 리드를 구비한 하측 리드 프레임 상에 전자 부품을 접속하고, 압전 진동자에 대한 접속 수단을 구비한 상측 리드 프레임을 상기 전자 부품 상에 접속하고, 상기 하측 리드 프레임과 상기 전자 부품의 사이, 및 상기 하측 리드 프레임과 상기 전자 부품의 사이에 와이어 본딩을 실시하여 도통시키고, 상기 접속 수단을 통해 상기 전자 부품과 압전 진동자를 접속하여 도통시키는 것을 특징으로 하고 있다. 이에 의해, 전자 부품 외형의 내측에 설치한 접속 단자나 도전성 접속재 등의 접속 수단을 통해, 전자 부품의 상면에 압전 진동자를 접속할 수 있다. 따라서, 압전 발진기를 소형화 및 박형화할 수 있다. 또한 전자 부품으로서 IC나 컨덴서 등을 사용할 수 있다.
이하에, 본 발명에 따른 압전 발진기와 전자 기기 및 압전 발진기의 제조 방법의 바람직한 실시형태를 설명한다. 먼저 제1 실시형태에 관해 설명한다. 도 1에 압전 발진기의 분해한 사시도를 도시한다. 또한 도 1에서는 수지 봉지 패키지를 제거한 상태를 나타내고 있다. 또 도 2는, 도 1의 A-A선에 있어서의 측면 단면도를 도시한다. 제1 실시형태에 따른 압전 발진기(10)는, 압전 발진기(10)의 하부에 리드 프레임(11)을 설치하고, 이 리드 프레임(11) 상에 발진 회로 등을 구성하는 반도체 집적 회로(IC) 칩(14)를 실장하고, 이 IC 칩(14) 상에 접속 수단, 즉 도전성 접속재(16)를 사용하여 압전 진동자(18)를 접속하고, 이들을 몰드재로 봉지하여 형성된 것이다. 또한, 도 2의 측면 단면도에는, 설명을 위해서, IC 칩, 와이어 본딩, 도전성 접속재, 압전 진동자 등의 외형도 도시되어 있다.
도 3에 리드 프레임(11)의 평면도를 도시한다. 리드 프레임(11)는 동이나 얼로이 등의 금속으로 이루어진다. 이 리드 프레임(11)에 있어서의 테두리부(20) 내의 중앙부에 IC 칩(14)을 실장하는 다이 패드(22)가 형성되고, 테두리부(20)의 양측 단변과 접속하고 있다. 또 테두리부(20)의 네 구석 근방에 실장용 리드(12)의 일부에 형성되며, 테두리부(20)의 네 구석 근방에 L자형의 실장 단자(24)가, L자의 장변을 다이 패드(22)측을 향하게 해 형성되어 있다. 그리고 테두리부(20)의 한쪽 단변에 설치된 실장 단자(24)에 있어서의 장변의 선단은, 상기 테두리부(20)의 단변 방향을 따라 다이 패드(22)와 접속되어 있다. 또한 실장 단자(24)의 장변과 상기 테두리부(20)의 장변이 접속되어 있다.
또 테두리부(20)의 장변측에서의 실장 단자(24) 사이에, IC 칩(14)의 특성 검사나 특성 조정 등을 확인하기 위한 조정 단자(28)가 형성되어 있다. 또한 특성 검사란, IC 칩(14) 등을 몰드재로 봉지한 후에, IC 칩(14)의 동작이나 압전 발진기(10)의 특성을 검사하는 것 등을 말한다. 또 특성 조정이란, IC 칩(14)에 온도 보상 회로가 부가된 경우에, 압전 발진기(10)의 온도에 따른 주파수 변화를 보정하거나, IC 칩(14)에 입력 전압에 따라 주파수를 변화시키는 기능이 부가된 경우에, 그 변화 감도를 조정하는 것 등을 말한다. 조정 단자(28)는 다이 패드(22)의 길이방향을 따르는 동시에, 이 길이방향을 따라 형성된 부분으로부터 길이방향에 직교하는 방향으로 연장부(28a)가 연장 설치되어 테두리부(20)와 접속하고 있다.
IC 칩(14)은 발진 회로로 이루어지고, 칩(14)의 상면에 다수의 와이어 본딩이 실시되는 패드가 형성된 구성이다. 도 1에 있어서, 상기 패드의 형상은 사각이지만, 원형, 다각형이어도 된다. 또 IC 칩(14)의 상면에, 도전성 접속재(16)를 사 용하여 압전 진동자(18)를 실장하는 접속 단자(30)가 적어도 2개 설치되어 있다. 이 접속 단자(30)를 3개 이상 설치하면, IC 칩(14)과 압전 진동자(18)의 접속의 안정성이 향상한다. 또한 IC 칩(14)은 발진 회로에 더해, 입력 전압에 따라 발진 주파수를 변화시키는 기능이나, 온도에 따라 발진 주파수가 변화하는 주파수-온도 특성을 보상하는 기능을 부가해도 된다. 또 IC 칩(14)은 저항이나 컨덴서 등의 전자 부품이어도 된다.
도 4에 압전 진동자의 정면 단면도를 도시한다. 압전 진동자(18)는, 세라믹 또는 금속 등으로 형성하여 이루어지는 패키지 베이스(32) 내에 마운트 전극(34)을 형성하고, 이 마운트 전극(34) 상에 도전성 접착제(36)를 사용하여 압전 진동편(42)을 실장한 구성이다. 이 마운트 전극(34)은 상기 패키지 베이스(32)의 모서리부로 인출되어, 측면에 형성된 캐스터레이션(castellation)을 통해, 패키지 베이스(32)의 이면에 형성된 외부 단자(26)와 도통하고 있다. 이 외부 단자(26)는 IC 칩(14)의 상면에 형성된 접속 단자(30)에 대응하여 형성되어 있다. 또한 이 마운트 전극(34)은 비아홀 등을 통해 외부 단자(26)와 도통해도 된다. 또 압전 진동편(42)은, AT 컷이나 BT 컷 등의 압전 진동편, 음차(音叉)형 압전 진동편, 또는 탄성 표면파 소자편이면 된다. 그리고 패키지 베이스(32)의 상면에는 리드(38)가 접속되어, 패키지 내부를 기밀 봉지하고 있다. 또한 리드(38)의 접속 방법은, 예를 들면 저융점 유리를 통해 유리제의 리드(38)를 접속하거나, 또는 코바르(kovar) 등의 접속재를 통해 심(seam) 용접에 의해 금속제의 리드(38)를 접속하는 구성이다. 또한 패키지 베이스(32)가 금속으로 형성된 경우, 압전 진동편(42)과 외부 단자 (26)를 전기적으로 접속하는 배선과, 패키지 베이스(32)의 사이에 절연 부재를 개재시킬 필요가 있다.
그리고 압전 발진기(10)의 형성 방법은 다음과 같이 이루어진다. 다이 패드(22) 상에 IC 칩(14)이 접속재를 사용하여 실장되고, IC 칩(14)의 상면에 형성된 상기 패드와 실장 단자(24), 및 상기 패드와 조정 단자(28)에 와이어 본딩이 실시되어 도통된다. 또 IC 칩(14)의 상면에 도전성 접속재(16)를 사용하여 압전 진동자(18)가 전기적 및 기계적으로 접속된다. 이 때 IC 칩(14) 상면에 형성된 접속 단자(30)와, 압전 진동자(18)의 이면에 형성된 외부 단자(26)가 도전성 접속재(16)를 통해 접속하고 있다. 또 도전성 접속재(16)와 외부 단자(26)의 접속부는, IC 칩(14)의 외형의 내측에 위치하고 있다. 또한 도전성 접속재(16)는, 예를 들면 땜납이나 금 등의 금속으로 이루어지는 금속 볼, 은 등의 도전 필러를 함유한 에폭시계나 실리콘계 등의 도전성 접착제, 땜납, 금속 부재 또는 도전 시트를 사용하면 된다. 또 도 2에서는, IC 칩(14)과 압전 진동자(18)를 2개소에서 접속한 형태로 기재하고 있지만, 접속 개소를 3개소 이상 형성해도 된다.
그리고 리드 프레임(11), IC 칩(14) 및 압전 진동자(18) 등의 주위를 수지 등의 몰드재로 봉지하여 수지 봉지 패키지(40)를 구성한다. 이 수지 봉지 패키지(40)의 형성 후에는 실장 단자(24), 조정 단자(28) 및 다이 패드(22)와, 테두리부(20)를 절단한다. 이 절단 위치는 수지 봉지 패키지(40)의 표면 부근 또는 수지 봉지 패키지(40)로부터 돌출하여 절단되어도 된다.
또 수지 봉지 패키지(40)의 이면에는 실장 단자(24)가 노출되어 있고, 수지 봉지 패키지(40)의 상면에는 압전 진동자(18)의 리드(38)가 노출되어 있다. 리드(38)의 상면에는, 압전 진동자(18)의 발진 주파수나 제조 로트 등의 제품 사양이 기재되어 있기 때문에, 리드(38)를 노출시킴으로써 수지 봉지 패키지(40)의 표면에 제품 사양을 기재할 필요가 없어진다. 또한, 경우에 따라서는, 리드(38)를 수지 봉지 패키지(40)의 내부에 봉지한 구성으로 해도 된다. 또 실장용 리드(12), IC 칩(14) 및 와이어 본딩을 몰드재로 봉지하고, 압전 진동자(18)를 몰드재로 봉지하지 않는 구성으로 해도 된다.
이렇게 하여 형성되는 압전 발진기(10)에서는, IC 칩(14) 상에 도전성 접속재(16)를 통해 압전 진동자(18)가 접속되어 있기 때문에, 패키지 상에 압전 진동자(18)와 IC 칩(14)을 병렬로 설치한 종래 기술에 따른 압전 발진기에 비해 소형화할 수 있다. 또 IC 칩(14)과 압전 진동자(18)의 접속 수단, 즉 도전성 접속재(16)가 IC 칩(14)의 상면에 설치되어 있다. 이때문에 IC 칩의 외측 또한 압전 발진기 외형의 내측의 영역에서 접속하는 경우에 비해, 압전 발진기(10)를 소형화할 수 있다. 또한 도전성 접속재(16)만을 사용하여 압전 진동자(18)와 IC 칩(14)을 접속하기 때문에, 리드 프레임, 와이어 본딩 등을 사용하여 전기적 및 기계적으로 접속하는 경우에 비해 박형화할 수 있다.
또 IC 칩(14)에 주파수-온도 특성을 보상하는 기능을 부가하여 형성한 온도 보상형 압전 발진기로 하는 경우, 온도 센서가 내장된 IC 칩의 바로 위에 압전 진동자가 설치되어 있기 때문에, 보다 고정밀도로 온도 보상을 행할 수 있다. 또 도전성 접속재(16)에 열전도율이 높은 금속 볼을 사용함으로써, 더욱 고정밀도로 온 도 보상을 행할 수 있다.
또 본 실시형태에서는 다이 패드(22)와 일부의 실장 단자(24)가 접속한 구성이며, 이 실장 단자(24)를 접지시키면, IC 칩(14) 등으로부터 발생하는 노이즈나, 압전 발진기(10)의 외부로부터의 노이즈를 저감시킬 수 있다. 또, 접속 단자를 3개로 늘려, 압전 진동자의 리드와 이 실장 단자(24)를 도전성 접속재(16)를 통해 전기적으로 접속하면, 압전 발진기의 윗쪽으로부터 오는 외부로부터의 노이즈를 저감할 수 있다.
또한 와이어 본딩을 IC 칩(14)과 조정 단자(28), IC 칩(14)과 실장 단자(24)의 사이에 자유롭게 실시할 수 있기 때문에, IC 칩(14)의 상기 패드의 위치가 다소 변화했다고 해도 동일 형상의 리드 프레임(11)을 사용할 수 있어, 압전 발진기(10)의 설계 자유도가 향상한다.
또 IC 칩(14) 상에 압전 진동자(18)를 실장하기 전에 압전 진동자(18)의 동작 체크 및 주파수 조정을 행하면, 동작이 불량인 압전 진동자를 실장하는 일이 없어진다. 그런데 압전 발진기(10)를 형성한 후에 압전 진동자(18)의 주파수 조정이나, 압전 발진기(10)의 동작 체크를 행하면 불량이 발견되는 경우가 있다. 이 때 압전 진동자(18)가 불량이었던 경우, 정상으로 동작하는 IC 칩(14)까지 폐기하지 않으면 안되어 제조 비용이 높아져 버린다. 그러나 본 실시형태의 압전 발진기(10)에서는 정상으로 동작하는 IC 칩(14)을 폐기하는 일이 없어지므로, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
다음에, 제2 실시형태에 따른 압전 발진기에 관해 설명한다. 또한 제2 실시 형태에서는 제1 실시형태의 변형예를 설명하므로, 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 번호를 붙여 그 설명은 간략하게 또는 생략한다. 도 5에 제2 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도를 도시한다. 압전 발진기(10)에 탑재되어 있는 IC 칩(14)은 다이 패드 상에 실장되어 있지 않고, 수지 봉지 패키지(40)로 유지된 구성이다.
이 압전 발진기(10)의 형성 방법은 다음과 같다. 먼저 테두리부 내에 실장 단자(24)와 조정 단자가 형성된 리드 프레임, 즉 제1 실시형태에서 설명한 리드 프레임에 있어서, 다이 패드가 형성되어 있지 않은 프레임을 테이프 시트 상에 얹어놓는다. 이 테이프 시트 상에 얹어놓은 리드 프레임의 중앙부에 IC 칩(14)을 얹어놓는다. 그리고 IC 칩(14)의 상면에 형성된 와이어 본딩 패드와 실장 단자(24), 상기 와이어 본딩 패드와 조정 단자에 와이어 본딩을 실시하여 도통시킨다. 또 IC 칩(14)의 상면에 형성된 접속 단자에 도전성 접속재(16)를 통해 압전 진동자(18)의 외부 단자(26)가 접속되고, IC 칩(14) 상에 압전 진동자(18)가 전기적 및 기계적으로 접속된다. 그리고 리드 프레임, IC 칩(14) 및 압전 진동자(18) 등의 주위를 몰드재로 봉지하여 수지 봉지 패키지(40)를 형성한 후에 상기 테이프 시트를 벗기면, 압전 발진기(10)가 형성된다. 이러한 압전 발진기(10)는 다이 패드 상에 IC 칩(14)이 실장되어 있지 않기 때문에 박형화할 수 있다.
도 6에 압전 발진기(10)의 실장 방법의 설명도를 도시한다. 상술한 압전 발진기(10)를 실장 기판에 실장할 때는, 땜납이나 금 등으로 이루어지는 금속 볼을 통해 실장하면 된다. 이 경우, 실장 기판과 IC 칩(14) 이면의 사이에 공간을 형성 할 수 있다. 이러한 압전 발진기(10)는 실장 기판에 배선된 패턴과 lC 칩(14) 이면이 접촉하지 않기 때문에, IC 칩(14) 이면을 피해 패턴 배선을 설계할 필요가 없다. 따라서, 패턴 배선의 자유도를 충분히 확보할 수 있다. 또, 이 공간에 의해, 압전 발진기를 실장 기판에 실장했을 때 발생하는 플럭스를 세정에 의해 간단히 제거할 수 있다.
다음에, 제3 실시형태에 관해 설명한다. 제3 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태의 변형예를 설명한다. 또한 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 번호를 붙여 그 설명은 간략하게 또는 생략한다. 도 7에 제3 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도를 도시한다. 또 도 8에 제3 실시형태에 따른 리드 프레임의 실장 단자 부분을 확대한 평면도를 도시한다. 제3 실시형태에 따른 압전 발진기(10)의 실장 단자(50)는 본딩부(50a), 경사부(50b) 및 실장부(50c)로 이루어진다. 본딩부(50a)는 IC 칩(14)의 길이방향에 직교하는 방향을 따라 형성되고, IC 칩(14)의 길이방향을 따른 테두리부(20)의 변에 접속되어 있다. 이 본딩부(50a)의 외측에 경사부(50b)가 연장 설치되고, 경사부(50b)는 하측으로 하강되고 있다. 이 경사부(50b)의 외측에 평면형상의 실장부(50c)가 연장 설치되고, 실장부(50c)와 다이 패드(22)는 일정 거리를 두고 평행으로 형성되어 있다. 이렇게 실장 단자(50)를 형성하면 실장부(50c)보다도 윗쪽에 다이 패드(22)가 위치하게 되어, 수지 봉지 패키지(40)를 형성하면 몰드 내에 다이 패드(22) 및 다이 패드(22) 상에 접속된 IC 칩(14)이 유지된다. 이에 의해, 다이 패드(22)가 수지 봉지 패키지(40)의 표면에 노출되어 있지 않으므로, 외부로부터 가해지는 충격 등에 대해 내충격성이 향상한다.
다음에, 제4 실시형태에 관해 설명한다. 제4 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태의 변형예를 설명한다. 또한 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 번호를 붙여 그 설명은 간략하게 또는 생략한다. 도 9에 제4 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면 단면도를 도시한다. 압전 발진기(10)에 실장되는 IC 칩(54)의 하면에는, 리드 프레임의 실장 단자(24) 및 조정 단자와 접속하는 본딩 패드(56)가 설치되어 있다. 또 IC 칩(54)의 상면에는 압전 진동자(18)의 외부 단자(26)와 접속하는 접속 단자(57)가 설치되어 있다. 그리고 IC 칩(54)에는 하면과 상면을 관통하는 비아홀(58)이 적어도 2개 이상 형성되고, IC 칩(54)의 하면에 형성된 회로면으로부터 비아홀(58)을 통해 상면의 접속 단자(57)로 인출되어 있다.
이러한 IC 칩(54)의 본딩 패드(56)를 플립칩 본딩(62)에 의해 리드 프레임 상에 접속하고, 압전 진동자(18)의 외부 단자(26)를 도전성 접속재(16)에 의해 IC 칩(54)의 접속 단자(57)에 접속하여, 이들 주위를 몰드재로 몰드하면, 압전 발진기(10)가 형성된다. 이에 의해 실장 단자(24)와 IC 칩(54), 조정 단자와 IC 칩(54)에 와이어 본딩을 실시하여 도통시키는 대신에, 플립칩 본딩(62)을 사용해도 압전 발진기(10)를 형성할 수 있다.
다음에, 제5 실시형태에 관해 설명한다. 제5 실시형태에 따른 압전 발진기는, 리드 프레임을 통해 IC 칩과 압전 진동자를 상하로 접속하여 이루어지는 구성이다. 도 10에 제5 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도를 도시한다. 또 도 11에 제5 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도를 도시한다. 또한 도 11(a)는 압전 발진기를 형성한 후의 단면도이고, 동 도면 (b)는 압전 발진기를 압전 진동 자, 리드 프레임 및 IC 칩으로 분해한 단면도이다. 리드 프레임(70)의 테두리부(72) 내에서의 중앙부에 IC 칩(74)과 압전 진동자(76)가 접속되는 패드(78)가 형성되고, 이 패드(78)는 테두리부(72)의 한 변과 접속되어 있다. 그리고 패드(78)와 테두리부(72)의 사이에 경사부(78a)가 형성되고, 이 경사부(78a)는 상측으로 상승되고 있다.
또 테두리부(72)의 네 구석에는 실장용 리드(80)가 형성되어 있다. 이 실장용 리드(80)는 실장 단자(80a), 경사부(80b) 및 본딩부(80c)로 이루어진다. 본딩부(80c)는, IC 칩(74)의 길이방향을 따른 테두리부(72)의 변에 접속하고, IC 칩(74)의 길이방향에 직교하는 방향을 향해 형성되어 있다. 이 본딩부(80c)의 외측에 경사부(80b)가 형성되고, 경사부(80b)는 하측으로 하강되고 있다. 이 경사부(80b)의 외측에 실장 단자(80a)가 형성되고, 테두리부(72)로부터 소정 거리를 두고 실장 단자(80a)가 배치되어 있다.
또 IC 칩(74)의 길이방향을 따른 방향의 실장용 리드(80) 사이에 다수의 조정 단자(82)가 형성되어 있다. 이 조정 단자(82)는 IC 칩(74)의 길이방향을 따라 형성되는 동시에, 이 길이방향을 따라 형성된 부분으로부터 길이방향에 직교하는 방향으로 연장부(82a)가 연장 설치되어 테두리부(72)와 접속하고 있다.
또 IC 칩(74)의 길이방향에 직교하는 방향의 실장용 리드(80) 사이에 접속 단자(84)가 형성되어 있다. 이 접속 단자(84)는 IC 칩(74)의 길이방향을 따르는 동시에, 압전 진동자(76)의 이면에 형성된 외부 단자(86)의 하측까지 연장 설치되어 있다. 그리고 접속 단자(84)의 도중에는 경사부(84a)가 형성되고, 접속 단자 (84)의 선단측이 테두리부(72)보다도 상측에 배치되도록 상승되고 있다. 즉 접속 단자(84)의 선단측과 패드(78)가 동일면 내에 형성되어 있다. 또한 접속 단자(84)에 본딩부(84b)가 형성되어 있다. 이 본딩부(84b)는, 경사부(84a)보다도 테두리부(72)측의 위치에 있어서, IC 칩(74)의 길이방향에 직교하는 방향으로 연장 설치되어 있다.
다음에, 압전 발진기의 형성 방법을 설명한다. 먼저 IC 칩(74)에 와이어 본딩 패드가 형성된 면과, 리드 프레임(70)에 형성된 패드(78)의 하면 및 접속 단자(84)의 하면을 접속한다. 이 때 패드(78)는 접속재를 통해, 접속 단자(84)는 절연성 접착제나 절연 시트 등의 절연성 접속재를 통해 IC 칩(74)과 접속하고 있다. 그리고, 본딩부(80c, 84b)와 IC 칩(74), 및 조정 단자(82)와 IC 칩(74)에 와이어 본딩을 실시하여 도통시킨다. 이 본딩부(80c, 84b) 및 조정 단자(82)의 본딩부는, IC 칩(74)의 회로면과 거의 같은 평면 상에 존재하고 있다. 또한 접속 단자(84), 및 접속 단자(84)와 IC 칩(74)을 도통시키는 와이어 본딩에 의해 접속 수단을 구성하고 있다. 그 후, 은 등의 도전 필러를 함유한 에폭시계나 실리콘계 등의 도전성 접착제, 땜납, 금속 부재 또는 도전 시트 등의 도전성 접속재를 통해 접속 단자(84)와 압전 진동자(76)의 외부 단자(86)를 접속하여, 리드 프레임(70)과 압전 진동자(76)를 도통시킨다. 또 접속 단자(84)와 외부 단자(86)를 직접 접속할 수도 있다.
여기서 접속 단자(84)와 외부 단자(86)의 접속부는, IC 칩(74)의 외형의 내측에 위치하고 있다. 또한 패드(78)의 상측에 접속재를 통해 압전 진동자(76)와 접속해도 된다. 그리고 압전 발진기(88)의 실장 단자(80a)의 하면 및 압전 진동자(76)의 리드 표면이 노출하도록, 압전 진동자(76), IC 칩(74) 및 리드 프레임(70) 등의 주위를 수지 등의 몰드재로 봉지하여, 몰드부로부터 돌출한 리드 프레임(70)을 불필요한 부분만 절단하면, 수지 봉지 패키지형의 압전 발진기(88)가 형성된다.
이러한 압전 발진기(88)는, 리드 프레임(70)을 통해 압전 진동자(76)와 IC 칩(74)이 상하로 접속되어 있기 때문에, 패키지 상에 압전 진동자(76)와 IC 칩(74)을 병렬로 설치한 종래 기술에 따른 압전 발진기(88)에 비해 소형화할 수 있다. 또 와이어 본딩으로 전기적으로 접속된 리드 프레임(70)을 통해 IC 칩(74)과 압전 진동자(76)가 도통 접속하고 있기 때문에, 와이어 본딩 패드가 다소 어긋난 위치에 있는, 다른 IC 칩을 사용한 경우라도, 동일한 리드 프레임(70)을 사용하여 압전 발진기(88)를 형성할 수 있다. 또, 본딩부(80c, 84b)와 IC 칩(74)의 회로면이 거의 같은 평면형상으로 존재하기 때문에, 본딩의 시단과 종단의 고저 차가 거의 없어, IC 칩(74)의 에지 부분에 와이어가 접촉하여 발생할 위험이 있는 쇼트 등을 유효하게 방지할 수 있다.
또 IC 칩(74)에 주파수-온도 특성을 보상하는 기능을 부가하여 형성한 온도 보상형 압전 발진기(88)로 하는 경우, 온도 센서가 내장된 IC 칩(74)의 바로 위에 리드 프레임을 통해 압전 진동자(76)가 설치되어 있기 때문에, IC 칩(74)과 압전 진동자(76)에서의 온도차가 작아진다. 이에 의해 고정밀도로 온도 보상을 행할 수 있다. 또 리드 프레임(70)에 열전도율이 높은 재료를 사용함으로써, 더욱 고정밀도로 온도 보상을 행할 수 있다.
또 압전 진동자(76)와 IC 칩(74)의 사이에 연장 설치되는 패드(78)를 접지시키면, IC 칩(74) 등으로부터 외부에 발생하는 노이즈나, 압전 발진기(88)의 외부로부터 받는 노이즈를 저감시킬 수 있다.
또 압전 발진기(88)를 형성하기 전에 압전 진동자(76)의 동작 체크 및/또는 주파수 조정을 행하면, 불량인 압전 진동자(76)를 압전 발진기(88)에 실장하는 일이 없어져, 압전 발진기(88)의 제조 비용을 삭감할 수 있다.
또한 본 실시형태에서는 리드 프레임(70)의 중앙부에 패드(78)를 설치한 구성으로 하고 있으나, 이 패드(78)에 유출 방지 수단, 예를 들면 구멍부를 형성해도 된다. IC 칩(74)과 패드(78)를 접속할 때 접착제를 사용하면, IC 칩(74) 상에 형성된 와이어 본딩 패드로 접착제가 흘러 나가, 와이어 본딩을 실시할 수 없는 등의 문제가 발생한다. 그러나 구멍부를 형성하면, 이 구멍부로 여분의 접착제를 나가게 해, 와이어 본딩 패드로 흘러 나가는 접착제를 방지할 수가 있으므로 와이어 본딩을 실시할수 있다. 또 구멍부 대신에 요철 형상을 형성해도 된다. 또 구멍부나 요철 형상은 접속 단자(84)에 형성해도 된다.
또 실장용 리드(80)는, 몰드재의 내부에서 절곡한 구성으로 되어 있지만, 실장용 리드(80)를 몰드재의 외부에서 절곡하는 J 리드나 걸윙(gull-wing) 형상으로 구성한 것이어도 된다. 또 리드 프레임(70)의 중앙부에 설치한 패드(78)를 없애고, 접속 단자(84)만으로 해도 된다. 또, 패드(78)를 없애고, 이 부분에 리드 프레임의 두께만큼의 절연 시트, 또는 열전도 시트를 배치해도 된다.
다음에, 제6 실시형태에 관해서 설명한다. 제6 실시형태의 압전 발진기도, 리드 프레임을 통해 IC 칩과 압전 진동자를 상하로 접속하여 이루어지는 구성이다. 도 12에 제6 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도를 도시한다. 또 도 13에 제6 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도를 도시한다. 또한 도 13(a)는 압전 발진기를 형성한 후의 단면도이고, 동 도면 (b)는 압전 발진기를 압전 진동자, 리드 프레임 및 IC 칩으로 분해하는 동시에, 압전 발진기의 형성시에 사용하는 시트를 도시한 단면도이다. 리드 프레임(94)의 테두리부(96) 내측의 중앙부에 IC 칩(98)과 압전 진동자(100)가 접속되는 패드(102)가 형성되고, 이 패드(102)는 테두리부(96)에서의 서로 대향하는 변의 각각과 접속되어 있다. 그리고 테두리부(96)와 접속하는 개소에 경사부(102a)가 형성되고, 이 경사부(102a)는, 테두리부(96)보다도 상측에 패드(102)가 위치하도록 상측으로 상승되고 있다.
또 테두리부(96)의 네 구석에는 실장용 리드(104)가 형성되어 있다. 이 실장용 리드(104)는 실장 단자(104a) 및 실장 단자(104a)의 빠짐 방지 수단인 걸림부(104b)로 이루어진다. 실장 단자(104a)는 테두리부(96)의 모서리부에 설치되어 있다. 이 실장 단자(104a)는 압전 발진기(106)를 실장 기판 상에 실장할 때의 접속 개소가 되는 동시에, 실장 단자(104a)의 상부에 와이어 본딩이 실시되어 IC 칩(98)과 도통하는 본딩부로도 된다. 이 실장 단자(104a)의 외측에서 경사부(104c)가 상승 형성되는 동시에, 이 경사부(104c)의 외측에 평면부(104d)가 형성되어 있다. 이 평면부(104d)는 상기 패드(102)와 동일면 내에 있고, 평면부(104d)와 경사부(104c)로, 실장용 리드(104)와 몰드재의 접속 강도를 향상시키기 위한 빠짐 방지 수단인 걸림부(104b)를 형성하고 있다.
또 IC 칩(98)의 길이방향을 따르는 방향의 실장용 리드(104) 사이에 다수의 조정 단자(108)가 형성되어 있다. 이 조정 단자(108)는 제5 실시형태에서 설명한 조정 단자와 같은 구성이다.
또 IC 칩(98)의 길이방향에 직교하는 방향의 실장용 리드(104) 사이에 다수의 접속 단자(110)가 형성되어 있다. 이 접속 단자(110)는 IC 칩(98)의 길이방향을 따르는 동시에, 압전 진동자(100)의 이면에 형성된 외부 단자(112)의 하측까지 연장 형성되어 있다. 그리고 접속 단자(110)의 도중에는 경사부(110a)가 형성되어, 접속 단자(110)의 선단측이 테두리부(96)보다도 상측에 위치하도록 상승되고 있다. 또한 접속 단자(110)에 본딩부(110b)가 형성되어 있다. 이 본딩부(110b)는, 경사부(110a)보다도 테두리부(96)측의 위치에 있어서, IC 칩(98)의 길이방향에 직교하는 방향으로 연장 형성되어 있다.
다음에, 압전 발진기(106)의 형성 방법을 설명한다. 먼저 IC 칩(98)의 와이어 본딩 패드가 형성된 면을 상측으로 향하게 해, IC 칩(98)을 시트(114) 상에 얹어놓는다. 이 IC 칩(98)의 상측에, 접속재를 통해 리드 프레임(94)에 형성된 패드(102)의 하측 및 접속 단자(110)의 하측을 접속한다. 그리고 본딩부(110b)와 IC 칩(98), 실장 단자(104a)와 IC 칩(98), 및 조정 단자(108)와 IC 칩(98)에 와이어 본딩을 실시하여 도통시킨다. 또 접속 단자(110)의 상측에 도전성 접속재(16)를 통해, 또 패드(102)의 상측에 접속재를 통해 압전 진동자(100)를 접속하여, 압전 진동자(100)와 접속 단자(110)를 도통시킨다. 또한 접속 단자(110), 및 접속 단자(110)와 IC 칩(98)을 도통시키는 와이어 본딩에 의해 접속 수단을 구성하고 있다. 그리고 접속 단자(110)와 외부 단자(112)의 접속부는, IC 칩(98)의 외형의 내측에 위치하고 있다. 그 후, 압전 발진기(106)의 실장용 리드(104)의 하면 및 압전 진동자(100)의 리드 표면이 노출하도록, 압전 진동자(100), IC 칩(98) 및 리드 프레임(94) 등의 주위를 수지 등의 몰드재로 봉지하여, 몰드부로부터 돌출한 리드 프레임(94)를 불필요한 부분만 절단하고, 상기 시트(114)를 벗기면 수지 봉지 패키지형의 압전 발진기(106)가 형성된다. 또한 패드(102)와 압전 진동자(100), 접속 단자(110)와 압전 진동자(100), 패드(102)와 IC 칩(98), 및 접속 단자(110)와 IC 칩(98)의 접속에 사용되는 접속재는, 제5 실시형태와 동일한 접속재를 사용하면 된다.
이러한 압전 발진기(106)는, 제5 실시형태의 압전 발진기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또 패드(102), 접속 단자(110)의 일부가 리드 프레임(94)과 IC 칩(98)을 고착하기 위한 다이 패드이고, IC의 회로면측에 배치하고 있으므로, IC 칩(98) 하면측에 다이 패드를 설치한 종래 기술에 따른 압전 발진기에 비해 소형화·박형화할 수 있다. 또한 다이 패드는, 접속 단자(110)만으로 하고, 패드(102)가 없어도 된다. 또 실장 단자(104a)에 빠짐 방지 수단인 걸림부(104b)를 설치하여 실장용 리드(104)를 형성함으로써, 실장용 리드(104)와 몰드재의 접속 강도를 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시형태에서는, 제5 실시형태의 압전 발진기와 동일하게 패드(102)에 구멍부를 형성해도 된다. 또 구멍부 외에 요철 형상을 형성해도 된다. 또한 구멍부는 접속 단자(110)에 형성해도 된다.
또 실장용 리드(80)를 J 리드나 걸윙 형상의 프레임으로 구성해도 된다.
다음에, 제7 실시형태에 관해 설명한다. 제7 실시형태에 따른 압전 발진기도, 리드 프레임을 통해 IC 칩과 압전 진동자를 상하로 접속하여 이루어지는 구성이다. 도 14에 제7 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도를 도시한다. 또 도 15에 제7 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도를 도시한다. 또한 도 15(a)는 압전 발진기를 형성한 후의 단면도이고, 동 도면 (b)는 압전 발진기를 압전 진동자, 리드 프레임 및 IC 칩으로 분해한 단면도이다.
IC 칩(120)과 압전 진동자(122)가 접속되는 패드(124)가, 리드 프레임(126)의 테두리부(128) 내측의 중앙부에 형성되어 있다. 이 패드(124)는 테두리부(128)에서의 서로 대향하는 변의 각각과 접속되어 있다. 또 패드(124)의 중앙부에는 유출 방지 수단인 구멍부(130)가 형성되어 있다. IC 칩(120)과 패드(124)를 접속할 때 접착제를 사용하면, IC 칩(120) 상에 형성된 와이어 본딩 패드로 접착제가 흘러 나가, 와이어 본딩을 실시할 수 없는 등의 문제가 발생한다. 구멍부(130)를 형성하면, 이 구멍부로 여분의 접착제를 나가게 해, 와이어 본딩 패드로 흘러 나가는 접착제를 방지할 수 있으므로 와이어 본딩을 실시할 수 있다. 또 유출 방지 수단으로서 구멍부 대신에 요철 형상을 형성해도 된다. 또 구멍부나 요철 형상은 접속 단자(136)에 형성해도 된다. 또한 패드(124)와 테두리부(128)가 접속하는 리드 프레임(126)에는, IC 칩(120)의 길이방향을 따라 유출 방지 수단으로서 연장부(124a)가 형성되어 있다. 이 연장부(124a)는 IC 칩(120)의 상측에 위치하도록 형성되어 있다. 이 연장부(124a)는, 와이어 본딩 패드로 접착제가 흐르기 힘들게 하기 위한 것이다.
또 테두리부(128)의 네 구석에는 실장용 리드(132)가 형성되어 있다. 이 실장용 리드(132)는 실장 단자(132a) 및 빠짐 방지 수단인 본딩부(132b)로 이루어지고, IC 칩(120)의 길이방향에 직교하는 방향을 따른 테두리부(128)의 변에 접속되어 있다. 자세하게는, 실장용 리드(132)의 일부를 구성하는 제1 경사부(132c)가, 테두리부(128)로부터 IC 칩(120)의 길이방향을 따른 방향을 향해 하강 형성되어 있다. 이 제1 경사부(132c)에는 실장 단자(132a)가 연장 설치되고, 이 실장 단자(132a)는 패드(124)보다도 하측에 위치하고 있다. 또 실장 단자(132a)에 제2 경사부(132d)가 연장 설치되고, 제2 경사부(132d)는 상측을 향해 상승 형성되어 있다. 또한, 제2 경사부(132d)에 평면부(132e)가 연장 설치되고, 이 평면부(132e)는 패드(124)보다도 하측에, 또한 실장 단자(132a)보다도 상측에 위치하고 있다. 그리고 제2 경사부(132d)와 평면부(132e)로 본딩부(132b)가 구성되어 있다. 또한 본딩부(132b), 제1 경사부(132c), 제2 경사부(132d)는, 실장 단자(132a)의 빠짐 방지 수단이다.
또 IC 칩(120)의 길이방향을 따르는 방향의 실장용 리드(132) 사이에 다수의 조정 단자(134)가 형성되어 있다. 이 조정 단자(134)는 IC 칩(120)의 길이방향을 따라 형성되는 동시에, 이 길이방향을 따라 형성된 부분으로부터 길이방향에 직교하는 방향으로 연장부(134b)가 연장 설치되어 테두리부(128)와 접속하고 있다. 또 연장부(134b)와 테두리부(128)의 접속 개소에는 경사부(134a)가 형성되고, 경사부(134a)는 하측으로 하강되고 있다.
또 IC 칩(120)의 길이방향에 직교하는 방향의 실장용 리드(132) 사이에 접속 단자(136)가 형성되어 있다. 이 접속 단자(136)는 IC 칩(120)의 길이방향을 따르는 동시에, 압전 진동자(122)의 이면에 형성된 외부 단자(138)의 하측까지 연장 설치되어 있다. 그리고 접속 단자(136)의 도중에는 2개소의 경사부(136b)가 형성되고, 이 경사부(136b) 사이로부터 IC 칩(120)의 길이방향에 직교하는 방향을 향해 본딩부(136a)가 형성되어 있다. 상기 경사부(136b)의 1개소는 테두리부(128)와 본딩부(136a)의 사이에 형성되고, 하측으로 하강 형성되어 있다. 또 본딩부(136a)로부터 접속 단자(136)의 선단측에 형성된 경사부(136b)는 상측으로 상승 형성되어 있다. 그리고 테두리부(128)와 접속 단자(136)의 선단측은 동일면 내에 위치하고 있다.
다음에, 압전 발진기의 형성 방법을 설명한다. 먼저 IC 칩(120)에 와이어 본딩 패드가 설치된 면에, 접속재를 통해 리드 프레임(126)에 형성된 패드(124)의 하측 및 접속 단자(136)의 하측을 접속한다. 그리고 본딩부(132b, 136a)와 IC 칩(120), 실장 단자(132a)와 IC 칩(120), 및 조정 단자(134)와 IC 칩(120)에 와이어 본딩을 실시하여 도통시킨다. 또한 접속 단자(136), 및 접속 단자(136)와 IC 칩(120)을 도통시키는 와이어 본딩에 의해 접속 수단을 구성하고 있다. 그리고 접속 단자(136)와 외부 단자(138)의 접속부는, IC 칩(120)의 외형의 내측에 위치하고 있다. 그 후, 리드 프레임(126)의 상면 및 실장용 리드(132)의 하면이 노출되도록, IC 칩(120) 및 리드 프레임(126) 등의 주위를 수지 등의 몰드재로 봉지한다. 다음에, 패드(124)의 상측에 접속재를 통해, 또 접속 단자(136)의 상측에 도전성 접속 재(16)를 통해 압전 진동자(122)를 접속하고, 압전 진동자(122)와 접속 단자(136)를 도통시킨다. 그리고 몰드부로부터 돌출한 리드 프레임(126)을 불필요한 부분만 절단하면, IC 칩(120)의 주위가 몰드되어, 압전 진동자(122)가 몰드된 부분의 외측에 노출된 수지 봉지 패키지형의 압전 발진기(140)가 형성된다. 또한 패드(124) 및 접속 단자(136)와 압전 진동자(122), 패드(124) 및 접속 단자(136)와 IC 칩(120)의 접속에 사용되는 접속재는, 제5 실시형태와 동일한 접속재를 사용하면 된다.
이러한 압전 발진기는, 제5 및 제6 실시형태의 압전 발진기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한 본 실시형태의 실장용 리드(132)를 J 리드나 걸윙 형상의 프레임으로 구성해도 된다.
다음에, 제8 실시형태에 관해 설명한다. 제8 실시형태의 압전 발진기도, 리드 프레임을 통해 IC 칩과 압전 진동자를 상하로 접속하여 이루어지는 구성이다. 도 16에 제8 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도를 도시한다. 또 도 17에 제8 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도를 도시한다. 또한 도 17(a)는 압전 발진기를 형성한 후의 단면도이고, 동 도면 (b)는 압전 발진기를 압전 진동자, 리드 프레임 및 IC 칩으로 분해한 단면도이다. 또한 도 18에 제8 실시형태에 따른 압전 발진기의 측면도를 도시한다.
리드 프레임(146)의 테두리부(148) 내에서의 중앙부에 IC 칩(150)과 압전 진동자(152)가 접속되는 패드(154)가 형성되고, 이 패드(154)는 테두리부(148)의 한 변과 접속되어 있다. 그리고 패드(154)와 테두리부(148)의 사이에 경사부(154a)가 형성되고, 이 경사부(154a)는 하측으로 하강되고 있다.
또 테두리부(148)의 네 구석에는 와이어 본딩 단자(156)가 형성되어 있다. 이 와이어 본딩 단자(156)는 IC 칩(150)의 길이방향을 따른 테두리부(148)의 변에 접속되어 있다. 이 와이어 본딩 단자(156)의 외측에, IC 칩(150)의 길이방향을 따라 경사부(156a)가 형성되고, 이 경사부(156a)는 하측으로 하강되고 있다. 그리고 경사부(156a)의 선단에는 평면부(156b)가 형성되고, 이 평면부(156b)는 패드(154)와 동일면 내에 위치하고 있다. 평면부(156b)와 경사부(156a)로, 와이어 본딩 단자(156)와 몰드재의 접속 강도를 향상시키기 위한 빠짐 방지 수단인 걸림부(156c)를 형성하고 있다. 또 와이어 본딩 단자(156)에 대해 걸림부(156c)의 반대측에서, 와이어 본딩 단자(156)의 내측을 향해 절결부(156d)가 형성되어 있다.
또 IC 칩(150)의 길이방향을 따른 방향의 와이어 본딩 단자(156) 사이에 다수의 조정 단자(158)가 형성되어 있다. 이 조정 단자(158)는 제5 실시형태에서 설명한 조정 단자(158)와 동일한 구성이다.
또 IC 칩(150)의 길이방향에 직교하는 방향의 테두리부(148)에 접속 단자(160)가 형성되어 있다. 이 접속 단자(160)는 IC 칩(150)의 길이방향을 따르는 동시에, 압전 진동자(152)의 이면에 형성된 외부 단자(162)의 하측까지 연장 설치되어 있다. 그리고 접속 단자(160)의 도중에는 경사부(160a)가 형성되고, 접속 단자(160)의 선단측이 테두리부(148)보다도 하측에 위치하도록 하강되고 있다. 즉 접속 단자(160)의 선단측은 패드(154)와 동일면 내에 위치하고 있다. 또한 접속 단 자(160)에 본딩부(160b)가 형성되어 있다. 이 본딩부(160b)는, 경사부(160a)보다도 테두리부(148)측의 위치에서, IC 칩(150)의 길이방향에 직교하는 방향으로 연장 설치되어 있다.
상기 조정 단자(158)는 외측 테두리부(164)를 향해 연장 설치되어, 외측 테두리부(164)와 접속하고 있다. 또한 와이어 본딩 단자(156)와 테두리부(148)가 접속한 위치로부터 외측 테두리부(164)를 향해 연장 설치되어, 외측 테두리부(164)와 접속하고 있다. 이 연장 설치된 부분의 선단은 압전 발진기(166)의 실장 단자(168)가 된다.
다음에, 압전 발진기(166)의 형성 방법을 설명한다. 먼저 IC 칩(150)에 형성된 회로면을 하측을 향하게 하고, IC 칩(150)을 리드 프레임(146)에 형성된 패드(154)의 상측에 접속한다. 이 때, IC 칩(150)과 패드(154)는 접속재를 통해 접속된다. 그리고 IC 칩(150)으로부터, 와이어 본딩 단자(156), 조정 단자(158) 및 본딩부(160b)로, 각각 와이어 본딩을 실시하여 도통시킨다. 또 접속 단자(160)의 하측에 도전성 접속재를 통해 외부 단자(162)를 접속하고, 또한 패드(154)의 하측에 접속재를 통해 압전 진동자(152)를 접속시킨다. 또한 접속 단자(160), 및 접속 단자(160)와 IC 칩(150)을 도통시키는 와이어 본딩에 의해 접속 수단을 구성하고 있다. 그리고 접속 단자(160)와 외부 단자(162)의 접속부는, IC 칩(150)의 외형의 내측에 위치하고 있다.
또한 IC 칩(150)과 리드 프레임(146)를 와이어 본딩으로 접속하는 제조 공정에서는, 도 16에서의 상하를 뒤집어, IC 칩(150)의 위에 리드 프레임(146)을 놓고, IC 칩(150), 리드 프레임(146)의 와이어 본딩을 행하는 각각의 면을 상측으로 향하게 해, 본딩을 행한다.
그 후, IC 칩(150), 조정 단자(158), 와이어 본딩 단자(156)의 각각 상면이 노출되도록, 압전 진동자(152), IC 칩(150) 및 리드 프레임(146) 등의 주위를 수지 등의 몰드재로 봉지시킨다. 다음에, 몰드재로 봉지한 부분으로부터 돌출한 리드 프레임(146)을, 실장 단자(168)가 되는 프레임을 제외하고 절단한다. 그리고 실장 단자(168)가 되는 프레임의 절곡부(168a)를 하측으로 향하게 해, J 리드 형상이 되도록 절곡한다. 또한 실장용 리드(169)는 걸윙 형상이어도 된다.
또한, 조정 단자(158), 실장용 리드(169)의 일부인 와이어 본딩 단자(156)의 각각이 몰드재에 대해 상면에 노출되어 있다. 이 노출 부분을 사용하여, 전자 부품, 압전 발진기의 특성 검사, 특성 조정 및/또는 압전 진동자와 접속 단자의 도통 확인을 행한다.
또는, 몰드재로 봉지한 후, 몰드재로 봉지한 부분으로부터 돌출한 리드 프레임(146)을, 실장용 리드(169) 및 조정 단자(158)를 외측 테두리부(164)까지 연장 설치한 부분을 제외하고 절단한다(도시 생략).
절단 후, 몰드재로 봉지한 부분으로부터 돌출한 실장용 리드(169)와 연장 설치한 조정 단자(158)를 사용하여, 특성 검사, 특성 조정 등을 행한다. 그 후, 실장용 리드(169)는 J 리드 형상이 되도록 절곡하고, 조정 단자(158)는 몰드재로부터 돌출한 부분을 절단해도 된다.
또한, 조정 단자(158)를 절단하지 않고, 실장용 리드와 동일하게 J 리드 형 상이 되도록 절곡하여, 선단을 실장 단자로서 이용해도 된다(도시 생략). 이에 의해, 실장 단자가 증가하여, 압전 발진기(66)의 실장 기판에 대한 실장 강도를 향상시킬 수 있다.
이러한 압전 발진기(166)는, 제5 실시형태에 따른 압전 발진기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 제9 실시형태에 관해 설명한다. 제9 실시형태에 따른 압전 발진기는, IC 칩의 상하에 리드 프레임을 접속하고, 이 리드 프레임 상에 압전 진동자를 접속한 구성이다. 도 19에 제9 실시형태에 따른 리드 프레임의 평면도를 도시한다. 또한 도 19(a)는 IC 칩의 하측에 접속되고, 압전 발진기의 하면에 배치되는 하측 리드 프레임을 도시하고, 도 19(b)는 IC 칩의 상측에 접속되고, 압전 진동자가 접속되는 상측 리드 프레임을 도시한다. 또 도 20에 제9 실시형태에 따른 리드 프레임에 IC 칩을 실장한 평면도를 도시한다. 또한 도 21에 제9 실시형태에 따른 압전 발진기의 정면 단면도를 도시한다. 또한 도 21(a)는 압전 발진기를 형성한 후의 단면도이고, 동 도면 (b)는 압전 발진기를 압전 진동자, 리드 프레임 및 IC 칩으로 분해한 단면도이다.
하측 리드 프레임(250)의 테두리부(252) 내에서의 중앙부에 IC 칩(254)이 실장되는 패드(256)가 형성되고, 이 패드(256)는 테두리부(252)의 한 변과 접속되어 있다.
또 테두리부(252)의 네 구석에 실장 단자(258a), 경사부(258b) 및 본딩부(258c)로 이루어지는 실장용 리드(258)가 설치되고, 패드(256)의 길이방향을 따른 테두리부(252)와 접속되어 있다. 즉 테두리부(252)로부터 패드(256)의 길이방향에 직교하는 방향으로 본딩부(258c)가 연장 설치되는 동시에, 이 본딩부(258c)의 외측에 경사부(258b)가 하강 형성되고, 이 경사부(258b)의 외측에 실장 단자(258a)가 형성되어 있다. 이 실장 단자(258a)는 패드(256)와 일정 거리를 두고 평행으로 형성되어 있다. 또 본딩부(258c)는 내측에 연장 형성되어 있다. 그리고 1개의 실장용 리드(258)는, 본딩부(258c)가 내측에 연장 형성된 부분으로부터 패드(256)를 향해 리드가 연장 설치되어, 실장용 리드(258)와 패드(256)가 접속되어 있다.
또 패드(256)의 길이방향을 따른 방향의 실장용 리드(258) 사이에 다수의 조정 단자(260)가 형성되어 있다. 또한 조정 단자(260)는, 제5 실시형태에서 나타낸 조정 단자와 동일한 것을 사용하면 된다.
또 상측 리드 프레임(262)의 테두리부(264)의 외형은, 하측 리드 프레임(250)의 테두리부(252)와 동일하다. 그리고 하측 리드 프레임(250)에 형성된 패드(256)의 길이방향에 직교하는 방향을 따른 상측 리드 프레임(262)의 테두리부(264)에는 접속 단자(266)가 형성되어 있다. 이 접속 단자(266)는 테두리부(264)의 중앙을 향해 연장 설치되어, IC 칩(254)의 상측까지 연장 설치되어 있다. 그리고 접속 단자(266)의 도중에는 경사부(266b)가 형성되어, 상측을 향해 상승하고 있다. 또 접속 단자(266)에는, IC 칩(254)의 길이방향에 직교하는 방향을 향해 본딩부(266a)가 연장 설치 되어 있다. 또한 접속 단자(266)가 IC 칩(254)과 압전 진동자(268)의 접속 수단이 된다.
다음에, 압전 발진기의 형성 방법을 설명한다. 먼저 하측 리드 프레임(250) 의 패드(256) 상에 접속재를 사용하여 IC 칩(254)을 실장한다. 그리고 하측 리드 프레임(250)과 IC 칩(254) 상에 상측 리드 프레임(262)을 접합한다. 이 때 접속 단자(266)와 IC 칩(254)은, IC 칩(254)의 외형의 내측에서 접속하고 있다. 또 하측 리드 프레임(250)의 테두리부(252)와, 상측 리드 프레임(262)의 테두리부(264)를 스폿 용접 등에 의해 접합한다. 또한 접속 단자(266)의 하면의 일부에 접착제를 도포하여, IC 칩(254)의 상면과 접속 단자(266)의 하면을 접속해도 된다. 그 후 실장용 리드(258)와 IC 칩(254), 조정 단자(260)와 IC 칩(254), 접속 단자(266)와 IC 칩(254)에 와이어 본딩을 실시하여 전기적으로 접속한다.
그리고 땜납 등을 사용하여, 접속 단자(266)의 상면에 압전 진동자(268)의 하면에 형성된 외부 단자(270)를 접속한다. 이 때 압전 진동자(268)의 외부 단자(270)와 접속 단자(266)는 IC 칩(254)의 외형의 내측에서 접속하고 있다. 이때문에 압전 진동자(268)와 IC 칩(254)을 접속하는 접속부는 IC 칩(254)의 외형의 내측에 위치하고 있다. 마지막으로 압전 진동자(268)의 리드(272) 표면 및 실장 단자(258a)의 실장면이 노출되도록, 압전 진동자(268), IC 칩(254), 상측 리드 프레임(262) 및 하측 리드 프레임(250)의 주위를 몰드재로 봉지하여 수지 봉지 패키지형의 압전 발진기(274)를 형성한다.
이러한 압전 발진기(274)는, 제5 실시형태의 압전 발진기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또, 이 제조 방법에 의해 IC 칩(254)의 상면에 접속 단자(266)를 실을 수 있어, IC 칩(254)의 외형의 내측에 접속부를 형성할 수 있다.
또한 본 실시형태에서는, 제5 실시형태의 압전 발진기와 동일하게 패드(256) 에 구멍부를 형성해도 된다. 또 구멍부 외에 요철 형상을 형성해도 된다. 또한 구멍부는 접속 단자(266)에 형성해도 된다. 또, 조정 단자(260)를 상측 리드 프레임(262)에 형성해도 되고, 양쪽의 리드 프레임에 형성해도 된다. 또한 패드(256)에 대해, 길이방향으로 접속 단자(266), 길이방향에 직교하는 방향으로 조정 단자(260)를 배치해도 되고, 길이방향으로 접속 단자(266), 조정 단자(260)의 양쪽을 배치해도 된다.
다음에, 제10 실시형태에 관해 설명한다. 제10 실시형태에서는, 제5 내지 제8 실시형태에서 설명한 접속 단자의 변형예에 관해 설명한다. 또한 이 변형예는 IC 칩과 접속 단자에 관해서만 설명한다. 먼저 제1 변형예에 관해 설명한다. 도 22에 제1 변형예에 따른 접속 단자 및 IC 칩의 사시도를 도시한다. 접속 단자(174)는 L자형 형상을 하고, IC 칩(176)과 반대측의 면에 단차부(182)가 형성되어 있다. 또한, 단차부(182)는, 프레스에 의한 소성(塑性) 가공이나 에칭에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 접속 단자(174)는, 절연성 접속재를 통해 IC 칩(176)과 접속되어 있다. 또, IC 칩(176)과 압전 진동자의 외부 단자의 전기적 접속 경로는, IC 칩(176) 상의 와이어 본딩 패드로부터 와이어 본딩으로, 본딩부(178)와 접속되고, 그 후 단차부(182)의 상측에 도전성 접속재를 통해, 외부 단자와 접속되어 있다.
다음에, 제2 변형예에 관해 제1 변형예와 다른 점만을 설명한다. 도 23에 제2 변형예에 따른 접속 단자 및 IC 칩의 사시도를 도시한다. 제1 변형예와 다른 점은, 본딩부(192)가 IC 칩(190)의 중심에 가까운 위치에 설치된 점이다.
다음에, 제3 변형예에 관해 제2 변형예와 다른 점만을 설명한다. 도 24에 제3 변형예에 따른 접속 단자 및 IC 칩의 사시도를 도시한다. 제2 변형예와 다른 점은, 접속 단자(200)에 있어서, 경사부(206)를 형성하여, 평면부(208)의 상측에 접속재를 통해, 외부 단자와 접속하는 평면부(208)를 형성하고 있는 점이다.
다음에, 제4 변형예에 관해 제3 변형예와 다른 점만을 설명한다. 도 25에 제4 변형예에 따른 접속 단자 및 IC 칩의 사시도를 도시한다. 제3 변형예와 다른 점은, 접속 단자(210)에 있어서, 본딩부(218), 경사부(214)가, IC 칩(212)의 수직 방향으로 겹치지 않는 위치에 설치되어 있는 점이다. 평면부(216)의 하면과 IC 칩(212) 상면은, 절연성 접속재로 접속해도 되고, 또 IC 칩(212)의 상면에 접속재를 통하지 않고 평면부(216)를 직접 실어도 된다. 또한 절연 접속재 및 평면부(216)에 의해, IC 칩(212)의 상면에 형성된 회로면에 대한 데미지를 경감하기 위해, IC 칩(212)의 와이어 본딩 패드 이외의 상면에 폴리이미드 등의 보호막을 부착하면 된다.
다음에, 제5 변형예에 관해 제4 변형예와 다른 점만을 설명한다. 도 26에 제5 변형예에 따른 접속 단자 및 IC 칩의 사시도를 도시한다. 제4 변형예와 다른 점은, 접속 단자(224)에 있어서, 2개의 경사부(228, 232) 및 2개의 평면부(230, 234)를 형성하고 있는 점이다. 이것은, 와이어 본딩의 수직 방향으로 높은 부분이 압전 진동자의 하면과 접촉하지 않도록, 접속 단자(224)에 의해 IC 칩(226)과 압전 진동자의 수직 방향으로의 간격을 확보하면서, IC 칩(226)과 압전 진동자 사이에서의 온도차를 저감하기 위해서 접속 단자(224)의 일부인 제2 평면부(234) 하면을 절 연 접속재를 통해 IC 칩(226)과 접속하고 있다. 이것은, IC 칩(226)의 상면, 또한 평면부(230)와 수직 방향으로 겹치는 위치에 와이어 본딩 패드가 형성되어 있는 경우에 유효한 실시예이다.
또한 제1 및 제2 변형예에서는 접속 단자에 단차부를 형성한 구성으로 하고, 제3 내지 제5 변형예에서는 접속 단자에 경사부를 형성한 구성으로 하고 있는데, 제1 및 제2 변형예에서는 접속 단자에 경사부를 형성한 구성으로 하고, 제3 내지 제5 변형예에서는 접속 단자에 단차부를 형성한 구성으로 해도 된다.
제1 내지 제10 실시형태에 따른 압전 발진기는, 휴대전화나 PC 등의, 제어용의 기준 신호원을 필요로 하는 전자 기기 등에 탑재할 수가 있다. 이에 의해, 소형이며 신뢰성이 높은 전자 기기를 실현할 수 있다.
본 발명은, 평면 사이즈를 작게 함으로써 소형화를 가능하게 하고, 제조 비용을 삭감하며, 박형화를 실현하고, 고정밀도의 온도 보상을 행할 수 있는 등의 효과를 갖는 압전 발진기와 이를 탑재한 전자기기 및 압전 발진기의 제조 방법을 제공한다.
Claims (13)
- 삭제
- 리드 프레임으로 형성되며, 실장 기판에 접속하는 실장 단자를 갖는 다수의 실장용 리드와,상기 다수의 실장용 리드와 전기적으로 접속되고, 발진 회로를 포함하는 전자 부품과,압전 진동편과, 상기 압전 진동편을 내부에 기밀하게 밀봉한 패키지를 가지고, 상기 패키지의 표면에 상기 압전 진동편과 전기적으로 접속된 외부 단자를 가지며, 상기 전자 부품과 전기적으로 접속된 압전 진동자와,상기 압전 진동자의 상기 외부 단자와 상기 전자 부품에 설치한 접속 단자를 전기적 접속하는 접속 수단을 구비하고,적어도 상기 다수의 실장용 리드의 상기 실장 단자를 노출시키면서, 상기 리드 프레임 및 상기 전자 부품의 주위를 몰드재로 밀봉한 압전 발진기로서,상기 접속 수단과 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자와의 접속부가, 상기 전자 부품의 외형의 내측에 형성되며,상기 접속 수단은 금속 볼이고, 상기 전자 부품에 설치한 상기 접속 단자와, 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자를 상기 금속 볼을 통해 접속한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 리드 프레임으로 형성되며, 실장 기판에 접속하는 실장 단자를 갖는 다수의 실장용 리드와,상기 다수의 실장용 리드와 전기적으로 접속되고, 발진 회로를 포함하는 전자 부품과,압전 진동편과, 상기 압전 진동편을 내부에 기밀하게 밀봉한 패키지를 가지고, 상기 패키지의 표면에 상기 압전 진동편과 전기적으로 접속된 외부 단자를 가지며, 상기 전자 부품과 전기적으로 접속된 압전 진동자와,상기 압전 진동자의 상기 외부 단자와 상기 전자 부품에 설치한 접속 단자를 전기적 접속하는 접속 수단을 구비하고,적어도 상기 다수의 실장용 리드의 상기 실장 단자를 노출시키면서, 상기 리드 프레임 및 상기 전자 부품의 주위를 몰드재로 밀봉한 압전 발진기로서,상기 접속 수단과 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자와의 접속부가, 상기 전자 부품의 외형의 내측에 형성되며,상기 접속 수단은 리드 프레임에 형성된 접속 단자 및 와이어 본딩이고, 상기 전자 부품의 상기 접속 단자와 상기 리드 프레임의 상기 접속 단자를 와이어 본딩으로 접속하고, 상기 리드 프레임의 상기 접속 단자와 상기 압전 진동자의 상기 외부 단자를 접속한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전자 부품과 상기 압전 진동자의 사이에 열전도 부재를 개재 설치한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전자 부품은 반도체 집적 회로이고,리드 프레임에 의해 형성되며, 상기 반도체 집적 회로의 회로면측에 얹어진 다이 패드를 더 구비한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제5항에 있어서, 상기 반도체 집적 회로와 상기 다이 패드가 절연성 접착제에 의해 접속되고, 상기 반도체 집적 회로에 형성된 와이어 본딩 패드로 상기 절연성 접착제가 흘러 나가는 것을 방지하는 유출 방지 수단을 상기 다이 패드에 형성한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제3항에 있어서, 상기 전자 부품은 반도체 집적 회로이고,리드 프레임에 의해 형성되며, 상기 반도체 집적 회로의 회로면측에 얹어진 다이 패드를 더 구비하고,상기 반도체 집적 회로와 상기 다이 패드가 절연성 접착제에 의해 접속되고,상기 반도체 집적 회로에 형성된 와이어 본딩 패드로 상기 절연성 접착제가 흘러 나가는 것을 방지하는 유출 방지 수단을 상기 다이 패드 및/또는 상기 리드 프레임의 상기 접속 단자에 형성한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 실장 단자에, 실장 단자의 몰드재로부터의 빠짐 방지 수단인 걸림부를 형성한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 압전 진동자의 주위를 몰드재로 밀봉한 것을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 리드 프레임에 상기 몰드재의 외부로 일부가 노출되는 조정 단자를 설치하고, 상기 조정 단자와 상기 전자 부품을 도통시키며, 상기 조정 단자는 상기 전자 부품, 상기 압전 발진기의 특성 검사, 특성 조정 및 상기 압전 진동자와 상기 접속 단자의 도통 확인 중 하나 이상을 하기 위한 것임을 특징으로 하는 압전 발진기.
- 삭제
- 반도체 집적 회로의 회로면측에 리드 프레임을 접속하는 단계와,상기 반도체 집적 회로와 상기 리드 프레임을 와이어 본딩으로 접속하여 도통시키는 단계와,상기 리드 프레임에 압전 진동자의 외부 단자를 접속하여 도통시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 발진기의 제조 방법.
- 실장용 리드를 구비한 하측 리드 프레임 상에 전자 부품을 접속하는 단계와,압전 진동자에 대한 접속 수단을 구비한 상측 리드 프레임을 상기 전자 부품 상에 접속하는 단계와,상기 하측 리드 프레임과 상기 전자 부품의 사이, 및 상기 상측 리드 프레임과 상기 전자 부품의 사이에 와이어 본딩을 실시하여 도통시키는 단계와,상기 접속 수단을 통해 상기 전자 부품과 압전 진동자를 접속하여 도통시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 발진기의 제조 방법.
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