JP2005151537A - 圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法 - Google Patents

圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005151537A
JP2005151537A JP2004295285A JP2004295285A JP2005151537A JP 2005151537 A JP2005151537 A JP 2005151537A JP 2004295285 A JP2004295285 A JP 2004295285A JP 2004295285 A JP2004295285 A JP 2004295285A JP 2005151537 A JP2005151537 A JP 2005151537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
piezoelectric oscillator
lead frame
piezoelectric
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004295285A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiko Miyazaki
克彦 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004295285A priority Critical patent/JP2005151537A/ja
Priority to TW093131683A priority patent/TWI248719B/zh
Priority to KR1020040084832A priority patent/KR100689051B1/ko
Priority to CNB2004100860019A priority patent/CN100492880C/zh
Publication of JP2005151537A publication Critical patent/JP2005151537A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

【課題】 小型化および薄型化に適した圧電発振器と、その圧電発振器を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器１０は、リードフレームから形成され、実装基板に接続する実装端子２４を有する複数の実装用リード１２と、前記複数の実装用リード１２と電気的に接続された電子部品と、外部端子を有し、前記電子部品と電気的に接続された圧電振動子１８と、前記圧電振動子１８の前記外部端子と前記電子部品に設けた接続端子とを電気的接続する接続手段と、を備え、少なくとも前記複数の実装用リード１２の前記実装端子２４を露出させつつ、前記リードフレームおよび前記電子部品の周囲をモールド材で封止した圧電発振器であって、前記接続手段と前記圧電振動子１８の前記外部端子との接続部が、前記電子部品の外形の内側に形成された構成である。
【選択図】 図１

Description

本発明は小型化および薄型化に適した圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法に関するものである。
従来技術に係る圧電発振器は、その平面の面積が圧電振動子と半導体集積回路（ＩＣ）を水平に並べた面積よりも大きく、次のような構成になっている。すなわちダイパッド上にＩＣチップが実装され、このＩＣチップの側方に圧電振動子が設けられている。前記ダイパッドの側方には少なくとも２本のリード端子が設けられ、これらのリード端子とＩＣチップに設けられた電極とにワイヤボンディングが施されて導通している。また、これらのリード端子は圧電振動子の間近に延設され、圧電振動子と電気的に接続されている。そして、圧電振動子およびＩＣチップの周囲を樹脂等のモールド材でモールドされて、樹脂封止パッケージを形成している（例えば、特許文献１を参照）。
特開平７−１６２２３６号公報
近年は、圧電発振器が搭載される電子機器が小型化されているのに伴い、圧電発振器や圧電発振器に実装される圧電振動子も小型化および薄型化が図られている。このため圧電振動子のサイズは、ＩＣチップのサイズと同程度まで小型化されている。
しかしながら、圧電振動子とＩＣチップを水平方向に並べた従来技術に係る圧電発振器の構成では、リード端子の配線長が長くなると浮遊容量が増加する問題点を有していた。そして近年は、高周波帯域を使用する電子機器が多くなっているが、周波数が高くなればなる程、浮遊容量が大きくなる問題点があった。
またＩＣチップに温度補償機能を設けて温度補償型圧電発振器とした場合、ＩＣチップと圧電振動子の距離が離れているために、ＩＣチップから発生する熱と圧電振動子の熱との間で温度差が生じてしまう。このため高精度の温度補償ができず、さらに瞬時の補償ができない問題点があった。
またリード端子とＩＣチップにワイヤボンディングの施されるボンディングスペースを設けなければならず、圧電発振器の小型化に障害となっていた。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、平面サイズを小さくすることで小型化を可能にする圧電発振器を提供することを目的としている。
また圧電発振器を搭載した電子機器を提供することを目的としている。さらに圧電発振器の製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明に係る圧電発振器は、リードフレームから形成され、実装基板に接続する実装端子を有する複数の実装用リードと、前記複数の実装用リードと電気的に接続された電子部品と、外部端子を有し、前記電子部品と電気的に接続された圧電振動子と、前記圧電振動子の前記外部端子と前記電子部品に設けた接続端子とを電気的接続する接続手段と、を備え、少なくとも前記複数の実装用リードの前記実装端子を露出させつつ、前記リードフレームおよび前記電子部品の周囲をモールド材で封止した圧電発振器であって、前記接続手段と前記圧電振動子の前記外部端子との接続部が、前記電子部品の外形の内側に形成されたことを特徴としている。従来は、平面形状で、電子部品の外側かつ発振器外形の内側の領域において、電子部品と圧電振動子との電気的接続を行う必要があったが、本発明によれば、そのような設計上の制約はなく、圧電発振器を小型化することができる。また圧電発振器を形成する前に圧電振動子および電子部品の動作チェックを行うと、動作の良・不良を確認することができる。したがって従来技術のように、モールド材により圧電振動子および電子部品を封止した後に、圧電振動子以外を原因とした圧電発振器の不良が生じたとしても、良品の圧電振動子を廃棄することがなくなるので、製造コストを削減できる。
また前記接続手段は金属ボールであり、前記電子部品に設けた前記接続端子と、前記圧電振動子の前記外部端子とを前記金属ボールを介して接続したことを特徴としている。これにより、リードフレームを介して圧電振動子と電子部品を接続した圧電発振器に比べて薄型化することができる。また電子部品を、発振回路と温度補償機能を有するＩＣチップとした場合、前記温度補償はＩＣチップ内に設けられた温度センサの計測値に基づいて行われている。このためＩＣチップの直上に圧電振動子が接続されているので、ＩＣチップと圧電振動子との温度差が小さくなるため、高精度に温度補償を行うことができる。また熱伝導率の高い金属ボールを用いることで、より高精度に温度補償を行うことができる。
前記接続手段はリードフレームに形成された接続端子およびワイヤボンディングであり、前記電子部品の前記接続端子と前記リードフレームの前記接続端子とをワイヤボンディングで接続し、前記リードフレームの前記接続端子と前記圧電振動子の前記外部端子とを接続したことを特徴としている。この場合、前記電子部品と前記圧電振動子との間に熱伝導部材としてリードフレームを介装した構成にすることができる。電子部品の種類によってワイヤボンディングパッドの位置は変更される。また圧電振動子の種類によって外部端子の位置は変更される。ところでワイヤボンディングを施す場合、ワイヤボンディングを引き回す自由度がある。このため電子部品に設けられたワイヤボンディングパッドの位置や、圧電振動子の外部端子の位置にかかわらず、ワイヤボンディングを用いて圧電振動子と電子部品を導通することができる。また電子部品と圧電振動子の間に熱伝導部材を設けたので、電子部品から圧電振動子へ熱が伝わりやすくなる。よって、電子部品を温度補償型発振回路とした場合、高精度に温度補償を行うことができる。
また前記電子部品は半導体集積回路であり、リードフレームにより形成され、前記半導体集積回路の回路面側（能動面側）に載置されたダイパッドを更に備えたことを特徴としている。前記ダイパッドにより、半導体集積回路（ＩＣ）の回路面側から発生する熱を圧電振動子側に放熱し、ＩＣと圧電振動子の温度差をなくすことができる。また温度センサを設けたＩＣは回路面側に温度センサが設けられるため、圧電振動子と温度センサの温度差を小さくすることができる。またＩＣとリードフレームにワイヤボンディングを施す場合、ワイヤボンディングパッド以外のＩＣの回路面と圧電振動子との間に空間が存在するため、この空間をダイパッドを配置するスペースとして利用すれば、従来のＩＣ下面に配置しているダイパッドのスペース分だけ圧電発振器を小型化・薄型化することができる。なお接続端子をダイパッドとして利用してもよい。
また前記半導体集積回路と前記ダイパッドとが絶縁性接着剤によって接続され、前記半導体集積回路に形成されたワイヤボンディングパッドへ前記絶縁性接着剤が流れ出すのを防止する流出防止手段を前記ダイパッドおよび／または接続端子に形成したことを特徴としている。この流出防止手段により絶縁性接続材がワイヤボンディングパッドに流れ込むのを防止することができる。
また実装端子に抜け防止手段を形成したことを特徴としている。抜け防止手段により実装用リードとモールド材の接続強度を向上させることができる。したがって、圧電発振器を半田により実装基板へ実装した場合における実装強度を向上させることができる。
また前記圧電振動子の周囲をモールド材で封止した構成にできる。この構成により、モールド材は圧電振動子と接続部の接続強度補強の役割を果たすので、圧電振動子と接続部の接続強度を向上することができる。
また上述した圧電発振器において、前記リードフレームに調整端子を設け、前記調整端子と前記電子部品とを導通したことを特徴としている。電子部品を、発振回路と温度補償機能を有する半導体集積回路（ＩＣ）チップとした場合、圧電発振器を形成した後でも調整端子を介してＩＣチップに書き込み等を行うことができる。調整端子は、電子部品、圧電発振器の特性検査、特性調整および／または圧電振動子と接続端子との導通確認をするための端子である。なお、特性検査とは、樹脂成形後における電子部品の動作チェックや、圧電発振器としての特性検査などをいう。また、特性調整とは、電子部品を発振回路と温度補償機能を有するＩＣチップとした場合、圧電発振器の出力周波数を任意の周波数に合わせたり、ＩＣチップに温度補償回路が付加された場合に、圧電発振器の温度による周波数変化を補正したり、入力電圧によって周波数を変化させる機能がＩＣチップに付加された場合に、その変化感度を調整したりすることなどをいう。
また本発明に係る電子機器は、上述した圧電発振器を搭載したことを特徴としている。上述した特徴を有する圧電発振器を搭載することにより、小型で信頼性の高い電子部品を実現できる。
また本発明に係る圧電発振器の製造方法は、半導体集積回路の回路面側にリードフレームを接続し、前記半導体集積回路と前記リードフレームとをワイヤボンディングで接続して導通し、前記リードフレームに圧電振動子の外部端子を接続して導通することを特徴としている。従来の圧電振動子の製造方法は、リードフレーム上に半導体集積回路（ＩＣ）を実装した後に、ワイヤボンディングを施している。しかし本発明では、ＩＣの回路面側にリードフレームを接続し、ワイヤボンディングを施しているので、圧電発振器を小型化および薄型化することができる。
また実装用リードを備えた下側リードフレーム上に電子部品を接続し、圧電振動子に対する前記電子部品上に接続手段を備えた上側リードフレームを前記電子部品上に接続し、前記下側リードフレームと前記電子部品との間、および前記上側リードフレームと前記電子部品との間にワイヤボンディングを施して導通し、前記接続手段を介して前記電子部品と圧電振動子とを接続して導通することを特徴としている。これにより、電子部品外形の内側に設けた接続端子や導電性接続材等の接続手段を介して、電子部品の上面に圧電振動子を接続することができる。よって圧電発振器を小型化および薄型化することができる。なお電子部品としてＩＣやコンデンサ等を用いることができる。
以下に、本発明に係る圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法の好ましい実施の形態を説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１に圧電発振器の分解した斜視図を示す。なお図１では樹脂封止パッケージを取除いた状態を示している。また図２は、図１のＡ−Ａ線における側面断面図を示す。第１の実施形態に係る圧電発振器１０は、圧電発振器１０の下部にリードフレーム１１を設け、このリードフレーム１１上に発振回路等を構成する半導体集積回路（ＩＣ）チップ１４を実装し、このＩＣチップ１４上に接続手段、すなわち導電性接続材１６を用いて圧電振動子１８を接続し、これらをモールド材で封止して形成されたものである。なお図２の側面断面図には、説明のため、ＩＣチップやワイヤボンディング、導電性接続材、圧電振動子の外形も示してある。
図３にリードフレーム１１の平面図を示す。リードフレーム１１は銅や４２アロイ等の金属からなる。このリードフレーム１１における枠部２０内の中央部にＩＣチップ１４を実装するダイパッド２２が形成され、枠部２０の両側短辺と接続している。また枠部２０の四隅近傍に実装用リード１２の一部に形成され、枠部２０の四隅近傍にＬ字型の実装端子２４が、Ｌ字の長辺をダイパッド２２側に向けて形成されている。そして枠部２０の片側短辺に設けられた実装端子２４における長辺の先端は、前記枠部２０の短辺方向に沿ってダイパッド２２と接続されている。さらに実装端子２４の長辺と前記枠部２０の長辺が接続されている。
また枠部２０の長辺側における実装端子２４間に、ＩＣチップ１４の特性検査や特性調整等を確認するための調整端子２８が形成されている。なお特性検査とは、ＩＣチップ１４等をモールド材で封止した後に、ＩＣチップ１４の動作や圧電発振器１０の特性を検査すること等をいう。また特性調整とは、ＩＣチップ１４に温度補償回路が付加された場合に、圧電発振器１０の温度による周波数変化を補正したり、ＩＣチップ１４に入力電圧によって周波数を変化させる機能が付加された場合に、その変化感度を調整すること等をいう。調整端子２８はダイパッド２２の長手方向に沿うとともに、この長手方向に沿って形成された部分から長手方向に直交する方向に延設部２８ａが延設されて枠部２０と接続している。
ＩＣチップ１４は発振回路からなり、チップ１４の上面に複数のワイヤボンディングが施されるパッドが形成された構成である。図１において、前記パッドの形状は四角であるが、丸形、多角形でもよい。またＩＣチップ１４の上面に、導電性接続材１６を用いて圧電振動子１８を実装する接続端子３０が少なくとも２つ設けられている。この接続端子３０を３つ以上設けると、ＩＣチップ１４と圧電振動子１８の接続の安定性が向上する。なおＩＣチップ１４は発振回路に加えて、入力電圧によって発振周波数を変化させる機能や、温度によって発振周波数が変化する周波数−温度特性を補償する機能を付加してもよい。またＩＣチップ１４は抵抗やコンデンサ等の電子部品でもよい。
図４に圧電振動子の正面断面図を示す。圧電振動子１８は、セラミックあるいは金属等から形成してなるパッケージベース３２内にマウント電極３４を形成し、該マウント電極３４上に導電性接着剤３６を用いて圧電振動片４２を実装した構成である。該マウント電極３４は前記パッケージベース３２の角部に引出され、側面に形成されたキャスタレーションを介して、パッケージベース３２の裏面に形成された外部端子２６と導通している。この外部端子２６はＩＣチップ１４の上面に形成された接続端子３０に対応して形成されている。なお該マウント電極３４はビアホール等を介して外部端子２６と導通してもよい。また圧電振動片４２は、ＡＴカットやＢＴカット等の圧電振動片、音叉型圧電振動片、または弾性表面波素子片であればよい。そしてパッケージベース３２の上面にはリッド３８が接続され、パッケージ内部を気密封止している。なおリッド３８の接続方法は、例えば低融点ガラスを介してガラス製のリッド３８を接続し、またはコバール等の接続材を介してシーム溶接により金属製のリッド３８を接続する構成である。なおパッケージベース３２が金属にて形成された場合、圧電振動片４２と外部端子２６を電気的に接続する配線と、パッケージベース３２の間に絶縁部材を介在させる必要がある。
そして圧電発振器１０の形成方法は次のようになる。ダイパッド２２上にＩＣチップ１４が接続材を用いて実装され、ＩＣチップ１４の上面に形成された前記パッドと実装端子２４、および前記パッドと調整端子２８にワイヤボンディングが施されて導通される。またＩＣチップ１４の上面に導電性接続材１６を用いて圧電振動子１８が電気的および機械的に接続される。このときＩＣチップ１４上面に形成された接続端子３０と、圧電振動子１８の裏面に形成された外部端子２６が導電性接続材１６を介して接続している。また導電性接続材１６と外部端子２６の接続部は、ＩＣチップ１４の外形の内側に位置している。なお導電性接続材１６は、例えば半田や金等の金属からなる金属ボール、銀等の導電フィラーを含有したエポキシ系やシリコーン系等の導電性接着剤、半田、金属部材または導電シートを用いればよい。また図２では、ＩＣチップ１４と圧電振動子１８を２箇所で接続した形態で記載しているが、接続箇所を３箇所以上設けてもよい。
そしてリードフレーム１１、ＩＣチップ１４および圧電振動子１８等の周囲を樹脂等のモールド材で封止して樹脂封止パッケージ４０を構成する。この樹脂封止パッケージ４０の形成後には実装端子２４、調整端子２８およびダイパッド２２と、枠部２０とを切断する。この切断位置は樹脂封止パッケージ４０の表面付近あるいは樹脂封止パッケージ４０から突出して切断されてもよい。
また樹脂封止パッケージ４０の裏面には実装端子２４が露出しており、樹脂封止パッケージ４０の上面には圧電振動子１８のリッド３８が露出している。リッド３８の上面には、圧電振動子１８の発振周波数や製造ロット等の製品仕様が記載されているので、リッド３８を露出させることにより樹脂封止パッケージ４０の表面に製品仕様を記載する必要がなくなる。なお、場合によっては、リッド３８を樹脂封止パッケージ４０の内部に封止した構成としてもよい。また実装用リード１２、ＩＣチップ１４およびワイヤボンディングをモールド材で封止し、圧電振動子１８をモールド材で封止しない構成としてもよい。
このようにして形成される圧電発振器１０では、ＩＣチップ１４上に導電性接続材１６を介して圧電振動子１８が接続されているので、パッケージ上に圧電振動子１８とＩＣチップ１４を並列に設けた従来技術に係る圧電発振器に比べて小型化することができる。またＩＣチップ１４と圧電振動子１８の接続手段、すなわち導電性接続材１６がＩＣチップ１４の上面に設けられている。このためＩＣチップの外側かつ圧電発振器外形の内側の領域で接続する場合に比べて、圧電発振器１０を小型化することができる。さらに導電性接続材１６のみを用いて圧電振動子１８とＩＣチップ１４とを接続するので、リードフレーム、ワイヤボンディング等を用いて電気的および機械的に接続する場合に比べて薄型化することができる。
またＩＣチップ１４に周波数−温度特性を補償する機能を付加して形成した温度補償型圧電発振器とする場合、温度センサが内蔵されたＩＣチップの直上に圧電振動子が設けられているので、より高精度に温度補償を行うことができる。また導電性接続材１６に熱伝導率の高い金属ボールを用いることで、さらに高精度に温度補償を行うことができる。
また本実施形態ではダイパッド２２と一部の実装端子２４が接続した構成であり、この実装端子２４を接地させると、ＩＣチップ１４等から発生するノイズや、圧電発振器１０の外部からのノイズを低減させることができる。また、接続端子を３つに増やし、圧電振動子のリッドとこの実装端子２４を導電性接続材１６を介して電気的に接続すれば、圧電発振器の上方から来る外部からのノイズを低減することができる。
さらにワイヤボンディングをＩＣチップ１４と調整端子２８、ＩＣチップ１４と実装端子２４の間に自由に施すことができるので、ＩＣチップ１４の前記パッドの位置が多少かわったとしても同一形状のリードフレーム１１を用いることができ、圧電発振器１０の設計自由度が向上する。
またＩＣチップ１４上に圧電振動子１８を実装する前に圧電振動子１８の動作チェックおよび周波数調整を行うと、動作が不良な圧電振動子を実装することがなくなる。ところで圧電発振器１０を形成した後に圧電振動子１８の周波数調整や、圧電発振器１０の動作チェックを行うと不良が発見される場合がある。このとき圧電振動子１８が不良であった場合、正常に動作するＩＣチップ１４まで廃棄しなければならず製造コストが高くなってしまう。しかし本実施形態の圧電発振器１０では正常に動作するＩＣチップ１４を廃棄することがなくなるので、製造コストを削減できる。
次に、第２の実施形態に係る圧電発振器について説明する。なお第２の実施形態では第１の実施形態の変形例を説明するので、第１の実施形態と同一部分には同番号を付してその説明は簡略又は省略する。図５に第２の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図を示す。圧電発振器１０に搭載されているＩＣチップ１４はダイパッド上に実装されておらず、樹脂封止パッケージ４０で保持された構成である。
この圧電発振器１０の形成方法は次のようになる。まず枠部内に実装端子２４と調整端子が形成されたリードフレーム、すなわち第１の実施形態で説明したリードフレームにおいて、ダイパッドが形成されていないフレームをテープシート上に載置する。このテープシート上に載置したリードフレームの中央部にＩＣチップ１４を載置する。そしてＩＣチップ１４の上面に形成されたワイヤボンディングパッドと実装端子２４、前記ワイヤボンディングパッドと調整端子にワイヤボンディングを施して導通させる。またＩＣチップ１４の上面に形成された接続端子に導電性接続材１６を介して圧電振動子１８の外部端子２６が接続され、ＩＣチップ１４上に圧電振動子１８が電気的および機械的に接続される。そしてリードフレーム、ＩＣチップ１４および圧電振動子１８等の周囲をモールド材で封止して樹脂封止パッケージ４０を形成した後に前記テープシートを剥せば、圧電発振器１０が形成される。このような圧電発振器１０はダイパッド上にＩＣチップ１４が実装されていないので薄型化できる。
図６に圧電発振器１０の実装方法の説明図を示す。上述した圧電発振器１０を実装基板に実装するときは、半田や金等からなる金属ボールを介して実装すればよい。この場合、実装基板とＩＣチップ１４裏面の間に空間を形成することができる。このような圧電発振器１０は実装基板に配線されたパターンとＩＣチップ１４裏面が接触しないため、ＩＣチップ１４裏面を避けてパターン配線を設計する必要がない。したがって、パターン配線の自由度が十分確保できる。また、この空間により、圧電発振器を実装基板に実装した際に発生するフラックスを洗浄により簡単に除去することができる。
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態においても、第１の実施形態の変形例を説明する。なお第１の実施形態と同一部分には同番号を付してその説明は簡略又は省略する。図７に第３の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図を示す。また図８に第３の実施形態に係るリードフレームの実装端子部分を拡大した平面図を示す。第３の実施形態に係る圧電発振器１０の実装端子５０はボンディング部５０ａ、傾斜部５０ｂおよび実装部５０ｃからなる。ボンディング部５０ａはＩＣチップ１４の長手方向に直交する方向に沿って設けられ、ＩＣチップ１４の長手方向に沿う枠部２０の辺に接続されている。このボンディング部５０ａの外側に傾斜部５０ｂが延設され、傾斜部５０ｂは下側に立ち下げられている。この傾斜部５０ｂの外側に平面形状の実装部５０ｃが延設され、実装部５０ｃとダイパッド２２は一定距離をおいて平行に形成されている。このように実装端子５０を形成すると実装部５０ｃよりも上方にダイパッド２２が位置することになり、樹脂封止パッケージ４０を形成するとモールド内にダイパッド２２およびダイパッド２２上に接続されたＩＣチップ１４が保持される。これにより、ダイパッド２２が樹脂封止パッケージ４０の表面に露出していないので、外部から加わる衝撃等に対して耐衝撃性が向上する。
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態においても、第１の実施形態の変形例を説明する。なお第１の実施形態と同一部分には同番号を付してその説明は簡略又は省略する。図９に第４の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図を示す。圧電発振器１０に実装されるＩＣチップ５４の下面には、リードフレームの実装端子２４および調整端子と接続するボンディングパッド５６が設けられている。またＩＣチップ５４の上面には圧電振動子１８の外部端子２６と接続する接続端子５７が設けられている。そしてＩＣチップ５４には下面と上面を貫通するビアホール５８が少なくとも２以上形成され、ＩＣチップ５４の下面に形成された回路面からビアホール５８を介して上面の接続端子５７に引き出されている。
このようなＩＣチップ５４のボンディングパッド５６をフリップチップボンディング６２によりリードフレーム上に接続し、圧電振動子１８の外部端子２６を導電性接続材１６によりＩＣチップ５４の接続端子５７に接続して、これらの周囲をモールド材でモールドすると、圧電発振器１０が形成される。これにより実装端子２４とＩＣチップ５４、調整端子とＩＣチップ５４にワイヤボンディングを施して導通するかわりに、フリップチップボンディング６２を用いても圧電発振器１０を形成することができる。
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態に係る圧電発振器は、リードフレームを介してＩＣチップと圧電振動子を上下に接続してなる構成である。図１０に第５の実施形態に係るリードフレームの平面図を示す。また図１１に第５の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図を示す。なお図１１（ａ）は圧電発振器を形成した後の断面図であり、同図（ｂ）は圧電発振器を圧電振動子、リードフレームおよびＩＣチップに分解した断面図である。リードフレーム７０の枠部７２内における中央部にＩＣチップ７４と圧電振動子７６が接続されるパッド７８が形成され、このパッド７８は枠部７２の一辺と接続されている。そしてパッド７８と枠部７２の間に傾斜部７８ａが形成され、この傾斜部７８ａは上側へ立ち上げられている。
また枠部７２の四隅には実装用リード８０が形成されている。この実装用リード８０は実装端子８０ａ、傾斜部８０ｂおよびボンディング部８０ｃからなる。ボンディング部８０ｃは、ＩＣチップ７４の長手方向に沿う枠部７２の辺に接続し、ＩＣチップ７４の長手方向に直交する方向に向かって形成されている。このボンディング部８０ｃの外側に傾斜部８０ｂが形成され、傾斜部８０ｂは下側へ立ち下げられている。この傾斜部８０ｂの外側に実装端子８０ａが形成され、枠部７２から所定距離をおいて実装端子８０ａが配置されている。
またＩＣチップ７４の長手方向に沿う方向の実装用リード８０間に複数の調整端子８２が形成されている。この調整端子８２はＩＣチップ７４の長手方向に沿って形成されるとともに、この長手方向に沿って形成された部分から長手方向に直交する方向に延設部８２ａが延設されて枠部７２と接続している。
またＩＣチップ７４の長手方向に直交する方向の実装用リード８０間に接続端子８４が形成されている。この接続端子８４はＩＣチップ７４の長手方向に沿うとともに、圧電振動子７６の裏面に形成された外部端子８６の下側まで延設されている。そして接続端子８４の途中には傾斜部８４ａが形成され、接続端子８４の先端側が枠部７２よりも上側に配置されるよう立ち上げられている。すなわち接続端子８４の先端側とパッド７８が同一面内に形成されている。さらに接続端子８４にボンディング部８４ｂが形成されている。このボンディング部８４ｂは、傾斜部８４ａよりも枠部７２側の位置において、ＩＣチップ７４の長手方向に直交する方向へ延設されている。
次に、圧電発振器の形成方法を説明する。まずＩＣチップ７４にワイヤボンディングパッドが形成された面と、リードフレーム７０に形成されたパッド７８の下面および接続端子８４の下面を接続する。このときパッド７８は接続材を介して、接続端子８４は絶縁性接着剤や絶縁シート等の絶縁性接続材を介してＩＣチップ７４と接続している。そして、ボンディング部８０ｃ，８４ｂとＩＣチップ７４、および調整端子８２とＩＣチップ７４にワイヤボンディングを施して導通させる。このボンディング部８０ｃ、８４ｂおよび調整端子８２のボンディング部は、ＩＣチップ７４の回路面とほぼ同じ平面上に存在している。なお接続端子８４、および接続端子８４とＩＣチップ７４を導通するワイヤボンディングにより接続手段を構成している。この後、銀等の導電フィラーを含有したエポキシ系やシリコーン系等の導電性接着剤、半田、金属部材または導電シート等の導電性接続材を介して接続端子８４と圧電振動子７６の外部端子８６を接続して、リードフレーム７０と圧電振動子７６を導通させる。また接続端子８４と外部端子８６を直接接続することもできる。
ここで接続端子８４と外部端子８６の接続部は、ＩＣチップ７４の外形の内側に位置している。なおパッド７８の上側に接続材を介して圧電振動子７６と接続してもよい。そして圧電発振器８８の実装端子８０ａの下面および圧電振動子７６のリッド表面が露出するように、圧電振動子７６、ＩＣチップ７４およびリードフレーム７０等の周囲を樹脂等のモールド材で封止して、モールド部から突出したリードフレーム７０を不要な部分のみ切断すると、樹脂封止パッケージ型の圧電発振器８８が形成される。
このような圧電発振器８８は、リードフレーム７０を介して圧電振動子７６とＩＣチップ７４が上下に接続されているので、パッケージ上に圧電振動子７６とＩＣチップ７４を並列に設けた従来技術に係る圧電発振器に比べて小型化することができる。またワイヤボンディングで電気的に接続されたリードフレーム７０を介してＩＣチップ７４と圧電振動子７６が導通接続しているので、ワイヤボンディングパッドが多少ずれた位置にある、異なったＩＣチップを使用した場合であっても、同一のリードフレーム７０を使用して圧電発振器８８を形成することができる。
またボンディング部８０ｃ、８４ｂとＩＣチップ７４の回路面とがほぼ同じ平面上に存在するため、ボンディングの始端と終端との高低差がほとんどなく、ＩＣチップ７４のエッジ部分にワイヤが接触し生じる虞のあるショート等を有効に防止できる。
またＩＣチップ７４に周波数−温度特性を補償する機能を付加して形成した温度補償型圧電発振器８８とする場合、温度センサが内蔵されたＩＣチップ７４の直上にリードフレームを介して圧電振動子７６が設けられているので、ＩＣチップ７４と圧電振動子７６での温度差が小さくなる。これにより高精度に温度補償を行うことができる。またリードフレーム７０に熱伝導率の高い材料を用いることで、さらに高精度に温度補償を行うことができる。
また圧電振動子７６とＩＣチップ７４の間に配設されるパッド７８を接地させると、ＩＣチップ７４等から外部へ発生するノイズや、圧電発振器８８の外部から受けるノイズを低減させることができる。
また圧電発振器８８を形成する前に圧電振動子７６の動作チェックおよび／または周波数調整を行うと、不良な圧電振動子７６を圧電発振器８８に実装することがなくなり、圧電発振器８８の製造コストを削減することができる。
なお本実施形態ではリードフレーム７０の中央部にパッド７８を設けた構成としているが、このパッド７８に流出防止手段、例えば穴部を設けてもよい。ＩＣチップ７４とパッド７８を接続するときに接着剤を用いると、ＩＣチップ７４上に形成されたワイヤボンディングパッドに接着剤が流れ出し、ワイヤボンディングを施せない等の問題が生じる。しかし穴部を設けると、この穴部に余分な接着剤を逃し、ワイヤボンディングパッドに流れ出す接着剤を防止することができるのでワイヤボンディングを施すことができる。また穴部のかわりに凹凸形状を設けてもよい。また穴部や凹凸形状は接続端子８４に設けてもよい。
また実装用リード８０は、モールド材の内部で折り曲げた構成となっているが、実装用リード８０をモールド材の外部にて折り曲げるＪリードやガルウィング形状にて構成したものでもよい。またリードフレーム７０の中央部に設けたパッド７８をなくし、接続端子８４のみでもよい。また、パッド７８をなくし、この部分にリードフレームの厚み分の絶縁シート、あるいは熱伝導シートを配置してもよい。
次に、第６の実施形態について説明する。第６の実施形態の圧電発振器も、リードフレームを介してＩＣチップと圧電振動子を上下に接続してなる構成である。図１２に第６の実施形態に係るリードフレームの平面図を示す。また図１３に第６の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図を示す。なお図１３（ａ）は圧電発振器を形成した後の断面図であり、同図（ｂ）は圧電発振器を圧電振動子、リードフレームおよびＩＣチップに分解するとともに、圧電発振器の形成時に使用するシートを示した断面図である。リードフレーム９４の枠部９６内側の中央部にＩＣチップ９８と圧電振動子１００が接続されるパッド１０２が形成され、このパッド１０２は枠部９６における互いに対向する辺のそれぞれと接続されている。そして枠部９６との接続する箇所に傾斜部１０２ａが形成され、この傾斜部１０２ａは、枠部９６よりも上側にパッド１０２が位置するように上側に立ち上げられている。
また枠部９６の四隅には実装用リード１０４が形成されている。この実装用リード１０４は実装端子１０４ａおよび実装端子１０４ａの抜け防止手段である引掛かり部１０４ｂからなる。実装端子１０４ａは枠部９６の角部に設けられている。この実装端子１０４ａは圧電発振器１０６を実装基板上に実装するときの接続箇所になるとともに、実装端子１０４ａの上部にワイヤボンディングが施されてＩＣチップ９８と導通するボンディング部にもなる。この実装端子１０４ａの外側において傾斜部１０４ｃが立ち上げ形成されるとともに、この傾斜部１０４ｃの外側に平面部１０４ｄが形成されている。この平面部１０４ｄは前記パッド１０２と同一面内にあり、平面部１０４ｄと傾斜部１０４ｃで実装用リード１０４とモールド材の接続強度を向上させるための抜け防止手段である引掛かり部１０４ｂを形成している。
またＩＣチップ９８の長手方向に沿う方向の実装用リード１０４間に複数の調整端子１０８が形成されている。この調整端子１０８は第５の実施形態で説明した調整端子と同様の構成である。
またＩＣチップ９８の長手方向に直交する方向の実装用リード１０４間に複数の接続端子１１０が形成されている。この接続端子１１０はＩＣチップ９８の長手方向に沿うとともに、圧電振動子１００の裏面に形成された外部端子１１２の下側まで延設されている。そして接続端子１１０の途中には傾斜部１１０ａが形成され、接続端子１１０の先端側が枠部９６よりも上側に位置するよう立ち上げられている。さらに接続端子１１０にボンディング部１１０ｂが形成されている。このボンディング部１１０ｂは、傾斜部１１０ａよりも枠部９６側の位置において、ＩＣチップ９８の長手方向に直交する方向へ延設されている。
次に、圧電発振器１０６の形成方法を説明する。まずＩＣチップ９８のワイヤボンディングパッドが形成された面を上側に向けて、ＩＣチップ９８をシート１１４上に載置する。このＩＣチップ９８の上側に、接続材を介してリードフレーム９４に形成されたパッド１０２の下側および接続端子１１０の下側を接続する。そしてボンディング部１１０ｂとＩＣチップ９８、実装端子１０４ａとＩＣチップ９８、および調整端子１０８とＩＣチップ９８にワイヤボンディングを施して導通させる。また接続端子１１０の上側に導電性接続材１６を介して、およびパッド１０２の上側に接続材を介して圧電振動子１００を接続し、圧電振動子１００と接続端子１１０を導通させる。なお接続端子１１０、および接続端子１１０とＩＣチップ９８を導通するワイヤボンディングにより接続手段を構成している。そして接続端子１１０と外部端子１１２の接続部は、ＩＣチップ９８の外形の内側に位置している。この後、圧電発振器１０６の実装用リード１０４の下面および圧電振動子１００のリッド表面が露出するように、圧電振動子１００、ＩＣチップ９８およびリードフレーム９４等の周囲を樹脂等のモールド材で封止して、モールド部から突出したリードフレーム９４を不要な部分のみ切断し、前記シート１１４を剥すと樹脂封止パッケージ型の圧電発振器１０６が形成される。なおパッド１０２と圧電振動子１００、接続端子１１０と圧電振動子１００、パッド１０２とＩＣチップ９８、および接続端子１１０とＩＣチップ９８との接続に用いられる接続材は、第５の実施形態と同様の接続材を用いればよい。
このような圧電発振器１０６は、第５の実施形態の圧電発振器と同様の効果を得ることができる。またパッド１０２、接続端子１１０の一部がリードフレーム９４とＩＣチップ９８を固着するためのダイパッドであり、ＩＣの回路面側に配置しているため、ＩＣチップ９８下面側にダイパッドを設けた従来技術に係る圧電発振器に比べて小型化・薄型化することができる。なおダイパッドは、接続端子１１０のみとし、パッド１０２がなくてもよい。また実装端子１０４ａに抜け防止手段である引掛かり部１０４ｂを設けて実装用リード１０４を形成したことにより、実装用リード１０４とモールド材の接続強度を向上することができる。
なお本実施形態では、第５の実施形態の圧電発振器と同様にパッド１０２に穴部を設けてもよい。また穴部の他に凹凸形状を設けてもよい。さらに穴部は接続端子１１０に設けてもよい。
また実装用リード８０をＪリードやガルウィング形状のフレームにて構成してもよい。
次に、第７の実施形態について説明する。第７の実施形態に係る圧電発振器も、リードフレームを介してＩＣチップと圧電振動子を上下に接続してなる構成である。図１４に第７の実施形態に係るリードフレームの平面図を示す。また図１５に第７の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図を示す。なお図１５（ａ）は圧電発振器を形成した後の断面図であり、同図（ｂ）は圧電発振器を圧電振動子、リードフレームおよびＩＣチップに分解した断面図である。
ＩＣチップ１２０と圧電振動子１２２が接続されるパッド１２４が、リードフレーム１２６の枠部１２８内側の中央部に形成されている。このパッド１２４は枠部１２８における互いに対向する辺のそれぞれと接続されている。またパッド１２４の中央部には流出防止手段である穴部１３０が形成されている。ＩＣチップ１２０とパッド１２４を接続するときに接着剤を用いると、ＩＣチップ１２０上に形成されたワイヤボンディングパッドに接着剤が流れ出し、ワイヤボンディングを施せない等の問題が生じる。穴部１３０を設けると、この穴部に余分な接着剤を逃し、ワイヤボンディングパッドに流れ出す接着剤を防止することができるのでワイヤボンディングを施すことができる。また流出防止手段として穴部のかわりに凹凸形状を設けてもよい。また穴部や凹凸形状は接続端子１３６に設けてもよい。さらにパッド１２４と枠部１２８が接続するリードフレーム１２６には、ＩＣチップ１２０の長手方向に沿って流出防止手段として延設部１２４ａが形成されている。この延設部１２４ａはＩＣチップ１２０の上側に位置するように設けられている。この延設部１２４ａは、ワイヤボンディングパッドに接着剤が流れずらくするためのものである。
また枠部１２８の四隅には実装用リード１３２が形成されている。この実装用リード１３２は実装端子１３２ａおよび抜け防止手段であるボンディング部１３２ｂからなり、ＩＣチップ１２０の長手方向に直交する方向に沿った枠部１２８の辺に接続されている。詳しくは、実装用リード１３２の一部を構成する第１の傾斜部１３２ｃが、枠部１２８からＩＣチップ１２０の長手方向に沿う方向に向かって立ち下げ形成されている。この第１の傾斜部１３２ｃには実装端子１３２ａが延設され、この実装端子１３２ａはパッド１２４よりも下側に位置している。また実装端子１３２ａに第２の傾斜部１３２ｄが延設され、第２の傾斜部１３２ｄは上側に向けて立ち上げ形成されている。さらに第２の傾斜部１３２ｄに平面部１３２ｅが延設され、この平面部１３２ｅはパッド１２４よりも下側に、かつ実装端子１３２ａよりも上側に位置している。そして第２の傾斜部１３２ｄと平面部１３２ｅでボンディング部１３２ｂが構成されている。なおボンディング部１３２ｂ、第１の傾斜部１３２ｃ、第２の傾斜部１３２ｄは、実装端子１３２ａの抜け防止手段である。
またＩＣチップ１２０の長手方向に沿う方向の実装用リード１３２間に複数の調整端子１３４が形成されている。この調整端子１３４はＩＣチップ１２０の長手方向に沿って形成されるとともに、この長手方向に沿って形成された部分から長手方向に直交する方向に延設部１３４ｂが延設されて枠部１２８と接続している。また延設部１３４ｂと枠部１２８の接続箇所には傾斜部１３４ａが形成され、傾斜部１３４ａは下側に立ち下げられている。
またＩＣチップ１２０の長手方向に直交する方向の実装用リード１３２間に接続端子１３６が形成されている。この接続端子１３６はＩＣチップ１２０の長手方向に沿うとともに、圧電振動子１２２の裏面に形成された外部端子１３８の下側まで延設されている。そして接続端子１３６の途中には２箇所の傾斜部１３６ｂが形成され、この傾斜部１３６ｂ間からＩＣチップ１２０の長手方向に直交する方向へ向かってボンディング部１３６ａが形成されている。前記傾斜部１３６ｂの１箇所は枠部１２８とボンディング部１３６ａの間に設けられ、下側へ立ち下げ形成されている。またボンディング部１３６ａから接続端子１３６の先端側に設けられた傾斜部１３６ｂは上側に立ち上げ形成されている。そして枠部１２８と接続端子１３６の先端側は同一面内に位置している。
次に、圧電発振器の形成方法を説明する。まずＩＣチップ１２０にワイヤボンディングパッドが設けられた面に、接続材を介してリードフレーム１２６に形成されたパッド１２４の下側および接続端子１３６の下側を接続する。そしてボンディング部１３２ｂ，１３６ａとＩＣチップ１２０、実装端子１３２ａとＩＣチップ１２０、および調整端子１３４とＩＣチップ１２０にワイヤボンディングを施して導通させる。なお接続端子１３６、および接続端子１３６とＩＣチップ１２０を導通するワイヤボンディングにより接続手段を構成している。そして接続端子１３６と外部端子１３８の接続部は、ＩＣチップ１２０の外形の内側に位置している。この後、リードフレーム１２６の上面および実装用リード１３２の下面が露出するように、ＩＣチップ１２０およびリードフレーム１２６等の周囲を樹脂等のモールド材で封止する。次に、パッド１２４の上側に接続材を介して、および接続端子１３６の上側に導電性接続材１６を介して圧電振動子１２２を接続し、圧電振動子１２２と接続端子１３６を導通させる。そしてモールド部から突出したリードフレーム１２６を不要な部分のみ切断すると、ＩＣチップ１２０の周囲がモールドされ、圧電振動子１２２がモールドされた部分の外側に露出した樹脂封止パッケージ型の圧電発振器１４０が形成される。なおパッド１２４および接続端子１３６と圧電振動子１２２、パッド１２４および接続端子１３６とＩＣチップ１２０との接続に用いられる接続材は、第５の実施形態と同様の接続材を用いればよい。
このような圧電発振器は、第５および第６の実施形態の圧電発振器と同様の効果を得ることができる。
なお本実施形態の実装用リード１３２をＪリードやガルウィング形状のフレームにて構成してもよい。
次に、第８の実施形態について説明する。第８の実施形態の圧電発振器も、リードフレームを介してＩＣチップと圧電振動子を上下に接続してなる構成である。図１６に第８の実施形態に係るリードフレームの平面図を示す。また図１７に第８の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図を示す。なお図１７（ａ）は圧電発振器を形成した後の断面図であり、同図（ｂ）は圧電発振器を圧電振動子、リードフレームおよびＩＣチップに分解した断面図である。さらに図１８に第８の実施形態に係る圧電発振器の側面図を示す。
リードフレーム１４６の枠部１４８内における中央部にＩＣチップ１５０と圧電振動子１５２が接続されるパッド１５４が形成され、このパッド１５４は枠部１４８の一辺と接続されている。そしてパッド１５４と枠部１４８の間に傾斜部１５４ａが形成され、この傾斜部１５４ａは下側に立ち下げられている。
また枠部１４８の四隅にはワイヤボンディング端子１５６が形成されている。このワイヤボンディング端子１５６はＩＣチップ１５０の長手方向に沿う枠部１４８の辺に接続されている。このワイヤボンディング端子１５６の外側に、ＩＣチップ１５０の長手方向に沿って傾斜部１５６ａが形成され、この傾斜部１５６ａは下側へ立ち下げられている。そして傾斜部１５６ａの先には平面部１５６ｂが形成され、この平面部１５６ｂはパッド１５４と同一面内に位置している。平面部１５６ｂと傾斜部１５６ａで、ワイヤボンディング端子１５６とモールド材の接続強度を向上させるための抜け防止手段である引掛かり部１５６ｃを形成している。またワイヤボンディング端子１５６に対して引掛かり部１５６ｃの反対側において、ワイヤボンディング端子１５６の内側に向かって切欠き部１５６ｄが形成されている。
またＩＣチップ１５０の長手方向に沿う方向のワイヤボンディング端子１５６間に複数の調整端子１５８が形成されている。この調整端子１５８は第５の実施形態で説明した調整端子１５８と同様の構成である。
またＩＣチップ１５０の長手方向に直交する方向の枠部１４８に接続端子１６０が形成されている。この接続端子１６０はＩＣチップ１５０の長手方向に沿うとともに、圧電振動子１５２の裏面に形成された外部端子１６２の下側まで延設されている。そして接続端子１６０の途中には傾斜部１６０ａが形成され、接続端子１６０の先端側が枠部１４８よりも下側に位置するように立ち下げられている。すなわち接続端子１６０の先端側はパッド１５４と同一面内に位置している。さらに接続端子１６０にボンディング部１６０ｂが形成されている。このボンディング部１６０ｂは、傾斜部１６０ａよりも枠部１４８側の位置において、ＩＣチップ１５０の長手方向に直交する方向へ延設されている。
前記調整端子１５８は外側枠部１６４に向かって延設され、外側枠部１６４と接続している。さらにワイヤボンディング端子１５６と枠部１４８が接続した位置から外側枠部１６４に向かって延設され、外側枠部１６４と接続している。この延設された部分の先端は圧電発振器１６６の実装端子１６８となる。
次に、圧電発振器１６６の形成方法を説明する。まずＩＣチップ１５０に形成された回路面を下側に向け、ＩＣチップ１５０をリードフレーム１４６に形成されたパッド１５４の上側に接続する。このとき、ＩＣチップ１５０とパッド１５４は接続材を介して接続される。そしてＩＣチップ１５０より、ワイヤボンディング端子１５６、調整端子１５８およびボンディング部１６０ｂへ、それぞれワイヤボンディングを施して導通させる。また接続端子１６０の下側に導電性接続材を介して外部端子１６２を接続し、さらにパッド１５４の下側に接続材を介して圧電振動子１５２を接続させる。なお接続端子１６０、および接続端子１６０とＩＣチップ１５０を導通するワイヤボンディングにより接続手段を構成している。そして接続端子１６０と外部端子１６２の接続部は、ＩＣチップ１５０の外形の内側に位置している。
なおＩＣチップ１５０とリードフレーム１４６をワイヤボンディングにて接続する製造工程においては、図１６においての上下を引っ繰り返しにして、ＩＣチップ１５０の上にリードフレーム１４６を置き、ＩＣチップ１５０、リードフレーム１４６のワイヤボンディングを行う夫々の面を上側に向けて、ボンディングを行う。
この後、ＩＣチップ１５０、調整端子１５８、ワイヤボンディング端子１５６のそれぞれ上面が露出するように、圧電振動子１５２、ＩＣチップ１５０およびリードフレーム１４６等の周囲を樹脂等のモールド材で封止させる。次に、モールド材で封止した部分から突出したリードフレーム１４６を、実装端子１６８となるフレームを除いて切断する。そして実装端子１６８となるフレームの折り曲げ部１６８ａを下側に向けて、Ｊリード形状になるよう折り曲げる。なお実装用リード１６９はガルウィング形状でもよい。
なお、調整端子１５８、実装用リード１６９の一部であるワイヤボンディング端子１５６のそれぞれがモールド材に対して、上面に露出している。この露出部分を使用して、電子部品、圧電発振器の特性検査、特性調整および／または圧電振動子と接続端子との導通確認を行う。
あるいは、モールド材で封止後、モールド材で封止した部分から突出したリードフレーム１４６を、実装用リード１６９及び調整端子１５８を外側枠部１６４まで延設した部分を除いて切断する（図示せず）。
切断後、モールド材で封止した部分から突出した実装用リード１６９と延設した調整端子１５８を使用して、特性検査、特性調整等を行う。その後、実装用リード１６９はＪリード形状になるよう折り曲げ、調整端子１５８はモールド材から突出した部分を切断してもよい。
なお、調整端子１５８を切断せずに、実装用リードと同様にＪリード形状になるよう折り曲げ、先端を実装端子として利用してもよい（図示せず）。これにより、実装端子が増え、圧電発振器１６６の実装基板への実装強度を向上することができる。
このような圧電発振器１６６は、第５の実施形態に係る圧電発振器と同様の効果を得ることができる。
次に、第９の実施形態について説明する。第９の実施形態に係る圧電発振器は、ＩＣチップの上下にリードフレームを接続し、このリードフレーム上に圧電振動子を接続した構成である。図１９に第９の実施形態に係るリードフレームの平面図を示す。なお図１９（ａ）はＩＣチップの下側に接続され、圧電発振器の下面に配置される下側リードフレームを示し、図１９（ｂ）はＩＣチップの上側に接続され、圧電振動子が接続される上側リードフレームを示す。また図２０に第９の実施形態に係るリードフレームにＩＣチップを実装した平面図を示す。さらに図２１に第９の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図を示す。なお図２１（ａ）は圧電発振器を形成した後の断面図であり、同図（ｂ）は圧電発振器を圧電振動子、リードフレームおよびＩＣチップに分解した断面図である。
下側リードフレーム２５０の枠部２５２内における中央部にＩＣチップ２５４が実装されるパッド２５６が形成され、このパッド２５６は枠部２５２の一辺と接続されている。
また枠部２５２の四隅に実装端子２５８ａ、傾斜部２５８ｂおよびボンディング部２５８ｃからなる実装用リード２５８が設けられ、パッド２５６の長手方向に沿う枠部２５２と接続されている。すなわち枠部２５２からパッド２５６の長手方向に直交する方向へボンディング部２５８ｃが延設されるとともに、このボンディング部２５８ｃの外側に傾斜部２５８ｂが立ち下げ形成され、この傾斜部２５８ｂの外側に実装端子２５８ａが形成されている。この実装端子２５８ａはパッド２５６と一定距離をおいて平行に形成されている。またボンディング部２５８ｃは内側に延設されている。そして１つの実装用リード２５８は、ボンディング部２５８ｃが内側に延設された部分からパッド２５６に向かってリードが延設され、実装用リード２５８とパッド２５６が接続されている。
またパッド２５６の長手方向に沿う方向の実装用リード２５８間に複数の調整端子２６０が形成されている。なお調整端子２６０は、第５の実施形態で示した調整端子と同様のものを用いればよい。
また上側リードフレーム２６２の枠部２６４の外形は、下側リードフレーム２５０の枠部２５２と同一である。そして下側リードフレーム２５０に形成されたパッド２５６の長手方向に直交する方向へ沿う上側リードフレーム２６２の枠部２６４には接続端子２６６が形成されている。この接続端子２６６は枠部２６４の中央へ向かって延設され、ＩＣチップ２５４の上側まで延設されている。そして接続端子２６６の途中には傾斜部２６６ｂが設けられ、上方へ向けて立ち上げられている。また接続端子２６６には、ＩＣチップ２５４の長手方向に直交する方向へ向かってボンディング部２６６ａが延設されている。なお接続端子２６６がＩＣチップ２５４と圧電振動子２６８の接続手段となる。
次に、圧電発振器の形成方法を説明する。まず下側リードフレーム２５０のパッド２５６上に接続材を用いてＩＣチップ２５４を実装する。そして下側リードフレーム２５０とＩＣチップ２５４上に上側リードフレーム２６２を接合する。このとき接続端子２６６とＩＣチップ２５４は、ＩＣチップ２５４の外形の内側において接続している。また下側リードフレーム２５０の枠部２５２と、上側リードフレーム２６２の枠部２６４をスポット溶接等により接合する。なお接続端子２６６の下面の一部に接着剤を塗布し、ＩＣチップ２５４の上面と接続端子２６６の下面を接続してもよい。この後実装用リード２５８とＩＣチップ２５４、調整端子２６０とＩＣチップ２５４、接続端子２６６とＩＣチップ２５４にワイヤボンディングを施して電気的に接続する。
そして半田等を用いて、接続端子２６６の上面に圧電振動子２６８の下面に形成された外部端子２７０を接続する。このとき圧電振動子２６８の外部端子２７０と接続端子２６６はＩＣチップ２５４の外形の内側において接続している。このため圧電振動子２６８とＩＣチップ２５４を接続する接続部はＩＣチップ２５４の外形の内側に位置している。最後に圧電振動子２６８のリッド２７２表面および実装端子２５８ａの実装面が露出するように、圧電振動子２６８、ＩＣチップ２５４、上側リードフレーム２６２および下側リードフレーム２５０の周囲をモールド材で封止して樹脂封止パッケージ型の圧電発振器２７４を形成する。
このような圧電発振器２７４は、第５の実施形態の圧電発振器と同様の効果を得ることができる。また、この製造方法によりＩＣチップ２５４の上面に接続端子２６６を乗せることができ、ＩＣチップ２５４の外形の内側に接続部を設けることができる。
なお本実施形態では、第５の実施形態の圧電発振器と同様にパッド２５６に穴部を設けてもよい。また穴部の他に凹凸形状を設けてもよい。さらに穴部は接続端子２６６に設けてもよい。また、調整端子２６０を上側リードフレーム２６２に形成してもよく、両方のリードフレームに形成してもよい。なおパッド２５６に対して、長手方向に接続端子２６６、長手方向に直交する方向に調整端子２６０を配置してもよく、長手方向に接続端子２６６、調整端子２６０の両方を配置してもよい。
次に、第１０の実施形態について説明する。第１０の実施形態では、第５ないし第８の実施形態で説明した接続端子の変形例について説明する。なおこの変形例はＩＣチップと接続端子についてのみ説明する。まず第１の変形例について説明する。図２２に第１の変形例に係る接続端子およびＩＣチップの斜視図を示す。接続端子１７４はＬ字型形状をなし、ＩＣチップ１７６と反対側の面に段差部１８２が設けられている。なお、段差部１８２は、プレスによる塑性加工やエッチングによって容易に形成することができる。接続端子１７４は、絶縁性接続材を介してＩＣチップ１７６と接続されている。また、ＩＣチップ１７６と圧電振動子の外部端子の電気的接続経路は、ＩＣチップ１７６上のワイヤボンディングパッドからワイヤボンディングにて、ボンディング部１７８と接続され、その後、段差部１８２の上側に導電性接続材を介して、外部端子と接続されている。
次に、第２の変形例について第１の変形例と異なる点のみを説明する。図２３に第２の変形例に係る接続端子およびＩＣチップの斜視図を示す。第１の変形例と異なる点は、ボンディング部１９２がＩＣチップ１９０の中心に近い位置に設けた点である。
次に、第３の変形例について第２の変形例と異なる点のみを説明する。図２４に第３の変形例に係る接続端子およびＩＣチップの斜視図を示す。第２の変形例と異なる点は、接続端子２００において、傾斜部２０６を設け、平面部２０８の上側に接続材を介して、外部端子と接続する平面部２０８を設けている点である。
次に、第４の変形例について第３の変形例と異なる点のみを説明する。図２５に第４の変形例に係る接続端子およびＩＣチップの斜視図を示す。第３の変形例と異なる点は、接続端子２１０において、ボンディング部２１８、傾斜部２１４が、ＩＣチップ２１２の垂直方向に重ならない位置に設けている点である。平面部２１６の下面とＩＣチップ２１２上面とは、絶縁性接続材にて接続してもよく、また、ＩＣチップ２１２の上面に接続材を介さずに平面部２１６を直接乗せてもよい。なお絶縁接続材及び平面部２１６により、ＩＣチップ２１２の上面に形成された回路面へのダメージを軽減するために、ＩＣチップ２１２のワイヤボンディングパッド以外の上面にポリイミド等の保護膜を取り付けるとよい。
次に、第５の変形例について第４の変形例と異なる点のみを説明する。図２６に第５の変形例に係る接続端子およびＩＣチップの斜視図を示す。第４の変形例と異なる点は、接続端子２２４において、二つの傾斜部２２８、２３２及び二つの平面部２３０、２３４を設けている点である。これは、ワイヤボンディングの垂直方向に高い部分が圧電振動子の下面と接触しないように接続端子２２４により、ＩＣチップ２２６と圧電振動子の垂直方向への間隔を確保しつつ、ＩＣチップ２２６と圧電振動子間での温度差を低減するために接続端子２２４の一部である第２の平面部２３４下面を絶縁接続材を介してＩＣチップ２２６と接続している。これは、ＩＣチップ２２６の上面、かつ平面部２３０と垂直方向に重なる位置にワイヤボンディングパッドが形成されている場合に有効な実施例である。
なお第１および第２の変形例では接続端子に段差部を設けた構成とし、第３ないし第５の変形例では接続端子に傾斜部を設けた構成としているが、第１および第２の変形例では接続端子に傾斜部を設けた構成とし、第３ないし第５の変形例では接続端子に段差部を設けた構成としてもよい。
第１ないし第１０の実施形態に係る圧電発振器は、携帯電話やパーソナルコンピュータ等の、制御用の基準信号源を必要とする電子機器等に搭載することができる。これにより、小型で信頼性の高い電子機器を実現できる。
第１の実施形態に係る圧電発振器の分解した斜視図である。 第１の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図である。 第１の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 圧電振動子の正面断面図である。 第２の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図である。 圧電発振器の実装を説明する側面断面図である。 第３の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図である。 リードフレームの一部を拡大した平面図である。 第４の実施形態に係る圧電発振器の側面断面図である。 第５の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 第５の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図である。 第６の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 第６の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図である。 第７の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 第７の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図である。 第８の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 第８の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図である。 第８の実施形態に係る圧電発振器の側面図である。 第９の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 第９の実施形態に係るリードフレームにＩＣチップを実装した平面図である。 第９の実施形態に係る圧電発振器の正面断面図である。 第１０の実施形態に係り、接続端子の第１変形例の斜視図である。 第１０の実施形態に係り、接続端子の第２変形例の斜視図である。 第１０の実施形態に係り、接続端子の第３変形例の斜視図である。 第１０の実施形態に係り、接続端子の第４変形例の斜視図である。 第１０の実施形態に係り、接続端子の第５変形例の斜視図である。
符号の説明
１０………圧電発振器、１２………実装用リード、１４………半導体集積回路（ＩＣ）チップ、１６………導電性接続材、１８………圧電振動子、２２………ダイパッド、２４………実装端子、２８………調整端子、３０………接続端子、４０………樹脂封止パッケージ、７４………ＩＣチップ、７６………圧電振動子、７８………パッド、８０………実装用リード、８２………調整端子、８４………接続端子、８８………圧電発振器。

Claims (13)

  1. リードフレームから形成され、実装基板に接続する実装端子を有する複数の実装用リードと、
    前記複数の実装用リードと電気的に接続された電子部品と、
    外部端子を有し、前記電子部品と電気的に接続された圧電振動子と、
    前記圧電振動子の前記外部端子と前記電子部品に設けた接続端子とを電気的接続する接続手段と、
    を備え、少なくとも前記複数の実装用リードの前記実装端子を露出させつつ、前記リードフレームおよび前記電子部品の周囲をモールド材で封止した圧電発振器であって、
    前記接続手段と前記圧電振動子の前記外部端子との接続部が、前記電子部品の外形の内側に形成された、
    ことを特徴とする圧電発振器。
  2. 請求項１に記載の圧電発振器において、前記接続手段は金属ボールであり、前記電子部品に設けた前記接続端子と、前記圧電振動子の前記外部端子とを前記金属ボールを介して接続したことを特徴とする圧電発振器。
  3. 請求項１に記載の圧電発振器において、前記接続手段はリードフレームに形成された接続端子およびワイヤボンディングであり、前記電子部品の前記接続端子と前記リードフレームの前記接続端子とをワイヤボンディングで接続し、前記リードフレームの前記接続端子と前記圧電振動子の前記外部端子とを接続したことを特徴とする圧電発振器。
  4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器において、前記電子部品と前記圧電振動子との間に熱伝導部材を介装したことを特徴とする圧電発振器。
  5. 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器において、前記電子部品は半導体集積回路であり、
    リードフレームにより形成され、前記半導体集積回路の回路面側に載置されたダイパッドを更に備えたことを特徴とする圧電発振器。
  6. 請求項５に記載の圧電発振器において、前記半導体集積回路と前記ダイパッドとが絶縁性接着剤によって接続され、前記半導体集積回路に形成されたワイヤボンディングパッドへ前記絶縁性接着剤が流れ出すのを防止する流出防止手段を前記ダイパッドに形成したことを特徴とする圧電発振器。
  7. 請求項３に記載の圧電発振器において、前記電子部品は半導体集積回路であり、
    リードフレームにより形成され、前記半導体集積回路の回路面側に載置されたダイパッドを更に備え、
    前記半導体集積回路と前記ダイパッドとが絶縁性接着剤によって接続され、
    前記半導体集積回路に形成されたワイヤボンディングパッドへ前記絶縁性接着剤が流れ出すのを防止する流出防止手段を前記ダイパッドおよび／または前記リードフレームの前記接続端子に形成したことを特徴とする圧電発振器。
  8. 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器において、実装端子に抜け防止手段を形成したことを特徴とする圧電発振器。
  9. 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器において、前記圧電振動子の周囲をモールド材で封止したことを特徴とする圧電発振器。
  10. 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器において、前記リードフレームに調整端子を設け、前記調整端子と前記電子部品とを導通したことを特徴とする圧電発振器。
  11. 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器を搭載したことを特徴とする電子機器。
  12. 半導体集積回路の回路面側にリードフレームを接続し、前記半導体集積回路と前記リードフレームとをワイヤボンディングで接続して導通し、前記リードフレームに圧電振動子の外部端子を接続して導通することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
  13. 実装用リードを備えた下側リードフレーム上に電子部品を接続し、圧電振動子に対する接続手段を備えた上側リードフレームを前記電子部品上に接続し、前記下側リードフレームと前記電子部品との間、および前記上側リードフレームと前記電子部品との間にワイヤボンディングを施して導通し、前記接続手段を介して前記電子部品と圧電振動子とを接続して導通することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
JP2004295285A 2003-10-24 2004-10-07 圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法 Pending JP2005151537A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004295285A JP2005151537A (ja) 2003-10-24 2004-10-07 圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法
TW093131683A TWI248719B (en) 2003-10-24 2004-10-19 Piezoelectric oscillator and electronic equipment and method for producing piezoelectric oscillator
KR1020040084832A KR100689051B1 (ko) 2003-10-24 2004-10-22 압전 발진기와 전자 기기 및 압전 발진기의 제조방법
CNB2004100860019A CN100492880C (zh) 2003-10-24 2004-10-22 压电振荡器及电子设备以及压电振荡器的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003365199 2003-10-24
JP2004295285A JP2005151537A (ja) 2003-10-24 2004-10-07 圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005151537A true JP2005151537A (ja) 2005-06-09

Family

ID=34703228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004295285A Pending JP2005151537A (ja) 2003-10-24 2004-10-07 圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2005151537A (ja)
KR (1) KR100689051B1 (ja)
CN (1) CN100492880C (ja)
TW (1) TWI248719B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158464A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp 圧電発振器
JP2008311826A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2009130665A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Epson Toyocom Corp 圧電発振器
CN101252346B (zh) * 2006-11-30 2012-08-29 精工电子有限公司 压电振荡器及其制造方法，以及具有压电振荡器的振荡器
JP2013232545A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体装置、計測機器、及び補正方法
JP2013232876A (ja) * 2012-09-13 2013-11-14 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体装置及び計測機器
JP2016187059A (ja) * 2016-08-03 2016-10-27 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器
US9787250B2 (en) 2012-04-27 2017-10-10 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4226003B2 (ja) * 2005-12-28 2009-02-18 日本電波工業株式会社 感知装置
JP5111018B2 (ja) * 2007-08-27 2012-12-26 セイコーインスツル株式会社 気密端子の製造方法及び圧電振動子の製造方法
JP4998620B2 (ja) * 2009-09-14 2012-08-15 株式会社村田製作所 圧電振動装置の製造方法
TWI420810B (zh) 2010-12-17 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 石英振盪器及其製造方法
JP6665487B2 (ja) * 2015-11-02 2020-03-13 セイコーエプソン株式会社 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局
CN106527292B (zh) * 2016-12-26 2023-07-28 中国工程物理研究院总体工程研究所 多压电陶瓷激振器并联组合系统的控制方法及控制装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125732B2 (ja) 1997-11-04 2001-01-22 日本電気株式会社 圧電振動子発振器
JP4294135B2 (ja) 1998-12-28 2009-07-08 京セラキンセキ株式会社 圧電発振器
JP2000341042A (ja) 1999-05-26 2000-12-08 Mitsumi Electric Co Ltd 発振器及びその製造方法
JP3634676B2 (ja) 1999-07-13 2005-03-30 日本電波工業株式会社 圧電発振器
JP2002330027A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の温度補償水晶発振器

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158464A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp 圧電発振器
CN101252346B (zh) * 2006-11-30 2012-08-29 精工电子有限公司 压电振荡器及其制造方法，以及具有压电振荡器的振荡器
JP2008311826A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2009130665A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Epson Toyocom Corp 圧電発振器
US9197217B2 (en) 2012-04-27 2015-11-24 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device, measurement device, and correction method
JP2013232545A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体装置、計測機器、及び補正方法
US9584134B2 (en) 2012-04-27 2017-02-28 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Correcting temperature based oscillation frequency errors in semiconductor device
US9787250B2 (en) 2012-04-27 2017-10-10 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
US9838022B2 (en) 2012-04-27 2017-12-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device with oscillation frequency error correction
US10243515B2 (en) 2012-04-27 2019-03-26 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
US10411715B2 (en) 2012-04-27 2019-09-10 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device, measurement device, and correction method
US10622944B2 (en) 2012-04-27 2020-04-14 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
JP2013232876A (ja) * 2012-09-13 2013-11-14 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体装置及び計測機器
JP2016187059A (ja) * 2016-08-03 2016-10-27 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器

Also Published As

Publication number Publication date
CN1610247A (zh) 2005-04-27
KR100689051B1 (ko) 2007-03-02
KR20050039650A (ko) 2005-04-29
CN100492880C (zh) 2009-05-27
TWI248719B (en) 2006-02-01
TW200522504A (en) 2005-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7157836B2 (en) Piezoelectric device
US6313520B1 (en) Resin-sealed power semiconductor device including substrate with all electronic components for control circuit mounted thereon
US6518501B1 (en) Electronic part and method of assembling the same
JP2005151537A (ja) 圧電発振器および電子機器並びに圧電発振器の製造方法
JP2006279872A (ja) 圧電振動子及びその製造方法並びにその圧電振動子を用いた圧電発振器の製造方法
JP5083710B2 (ja) 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2006074736A (ja) 圧電発振器およびその製造方法
US9214445B2 (en) Electronic component and method of fabricating the same
US8072276B2 (en) Surface mount crystal oscillator
JP2009232150A (ja) 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
JP2008005088A (ja) 圧電振動子用パッケージおよび圧電振動子、圧電発振器
JP3209977B2 (ja) 半導体モジュ−ル
US11659664B2 (en) Electronic device
JP2006060281A (ja) 圧電発振器
JP2008010922A (ja) 圧電発振器
JP2008011125A (ja) 弾性表面波デバイス
JP2015195593A (ja) 水晶発振器
JP2008011029A (ja) 圧電発振器
KR20060115531A (ko) 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법
US11699986B2 (en) Oscillator and method of manufacturing same
JP4952083B2 (ja) 圧電発振器
JP2011097247A (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JP2010212379A (ja) 電子部品モジュール及びその製造方法
JPH07212130A (ja) 電圧制御発振器及びその製造方法
JP2000124251A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器