JPH07212130A - 電圧制御発振器及びその製造方法 - Google Patents
電圧制御発振器及びその製造方法Info
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- JPH07212130A JPH07212130A JP6004242A JP424294A JPH07212130A JP H07212130 A JPH07212130 A JP H07212130A JP 6004242 A JP6004242 A JP 6004242A JP 424294 A JP424294 A JP 424294A JP H07212130 A JPH07212130 A JP H07212130A
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- electronic component
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路と圧電振動子と電子部品を内蔵
した電圧制御発振器において、小型で薄型の表面実装タ
イプの電圧制御発振器を提供する。 【構成】圧電振動子にシリンダー形タイプの水晶振動子
６を用い、この水晶振動子６を半導体集積回路（ＩＣチ
ップ）２と電子部品１５、１６、１７及び１８と平行に
リードフレーム１３に実装し樹脂でモールドした構成に
よる電圧制御水晶発振器。
した電圧制御発振器において、小型で薄型の表面実装タ
イプの電圧制御発振器を提供する。 【構成】圧電振動子にシリンダー形タイプの水晶振動子
６を用い、この水晶振動子６を半導体集積回路（ＩＣチ
ップ）２と電子部品１５、１６、１７及び１８と平行に
リードフレーム１３に実装し樹脂でモールドした構成に
よる電圧制御水晶発振器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路と圧電
振動子と電子部品を内蔵した電圧制御発振器及びその製
造方法に関する。
振動子と電子部品を内蔵した電圧制御発振器及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電圧制御発振器の一例を、圧電振
動子に水晶振動子を用いた図９の回路構成図及び図１０
［ａ］、１０［ｂ］の構造図で示される電圧制御水晶発
振器（ＶＣＸＯ）を用いて説明する。
動子に水晶振動子を用いた図９の回路構成図及び図１０
［ａ］、１０［ｂ］の構造図で示される電圧制御水晶発
振器（ＶＣＸＯ）を用いて説明する。
【０００３】近年、自動車電話等の移動体通信機器分野
ではその装置の小型軽量化がめざましく、それに用いら
れる電圧制御発振器も小型薄型化が要求されている。ま
た電圧制御発振器の実装方法も、他の半導体や電子部品
とともに装置に内蔵される回路基板に両面実装が可能な
ように、半田リフロー等に対応した表面実装タイプ（Ｓ
ＭＤ）が求められている。
ではその装置の小型軽量化がめざましく、それに用いら
れる電圧制御発振器も小型薄型化が要求されている。ま
た電圧制御発振器の実装方法も、他の半導体や電子部品
とともに装置に内蔵される回路基板に両面実装が可能な
ように、半田リフロー等に対応した表面実装タイプ（Ｓ
ＭＤ）が求められている。
【０００４】しかしながら図９の回路構成を有する従来
の電圧制御水晶発振器は、図１０［ａ］、１０［ｂ］で
示すように、トランジスター１０１や可変容量ダイオー
ド１０２等の回路部品を搭載した基板１０３をメタルキ
ャンパッケージのステム１０４に半田等で接続固定し、
さらに水晶振動子１０５を基板１０３に接続固定する。
そしてキャン１０６を抵抗溶接等で気密封止したディス
クリートタイプが一般的であった。また自動車電話等の
装置に内蔵される回路基板への実装後の周波数調整、あ
るいは長期使用による周波数変化に対して、周波数調整
を行なえるようにトリマーコンデンサー等を内蔵し、キ
ャン１０６に穴を設けたタイプのパッケージも広く使用
されている。
の電圧制御水晶発振器は、図１０［ａ］、１０［ｂ］で
示すように、トランジスター１０１や可変容量ダイオー
ド１０２等の回路部品を搭載した基板１０３をメタルキ
ャンパッケージのステム１０４に半田等で接続固定し、
さらに水晶振動子１０５を基板１０３に接続固定する。
そしてキャン１０６を抵抗溶接等で気密封止したディス
クリートタイプが一般的であった。また自動車電話等の
装置に内蔵される回路基板への実装後の周波数調整、あ
るいは長期使用による周波数変化に対して、周波数調整
を行なえるようにトリマーコンデンサー等を内蔵し、キ
ャン１０６に穴を設けたタイプのパッケージも広く使用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の電圧
制御発振器は、メタルキャンパッケージのディスクリー
ト型が一般的であり、このタイプのパッケージでは自動
車電話等の移動体通信機器、あるいはＰＨＰ（パーソナ
ル・ハンディホーン）等の回路基板に表面実装すること
が困難であった。
制御発振器は、メタルキャンパッケージのディスクリー
ト型が一般的であり、このタイプのパッケージでは自動
車電話等の移動体通信機器、あるいはＰＨＰ（パーソナ
ル・ハンディホーン）等の回路基板に表面実装すること
が困難であった。
【０００６】また周波数調整するための穴等がパッケー
ジ表面に開いているため、半田フローや半田リフローと
いった自動の半田付け加工が困難であった。
ジ表面に開いているため、半田フローや半田リフローと
いった自動の半田付け加工が困難であった。
【０００７】また従来の電圧制御発振器は、回路部品や
基板あるいはステム等といった構成によりパッケージの
厚みが５〜７ｍｍ以上と厚くなり、小型の自動車電話や
その他の移動体通信機器への搭載が、その実装面積や使
用する部品高さの制限等により困難になっている。
基板あるいはステム等といった構成によりパッケージの
厚みが５〜７ｍｍ以上と厚くなり、小型の自動車電話や
その他の移動体通信機器への搭載が、その実装面積や使
用する部品高さの制限等により困難になっている。
【０００８】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の信頼性の高い表面実装用パッケー
ジタイプの電圧制御発振器を安価に提供することであ
る。
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の信頼性の高い表面実装用パッケー
ジタイプの電圧制御発振器を安価に提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体集積回路と圧電振動子と電子部品を内蔵した電圧
制御発振器において、半導体集積回路はリードフレーム
のアイランド上に搭載されワイヤーボンディングにより
リードフレームのインナーリード端子に電気的に配線さ
れており、圧電振動子は半導体集積回路及び電子部品と
平行にリードフレームの空間部１４に位置決めされ、圧
電振動子のリードとリードフレームの一部を電気的に接
続されており、更に電子部品をリードフレームに形成さ
れたランド部に搭載し、更に半導体集積回路に電気的に
接続され外部から半導体集積回路のデータを制御する信
号入力用リード端子を配置し、かつインナーリード端子
の外方部及び信号入力用リード端子の一部を除いて半導
体集積回路と圧電振動子と電子部品及びリードフレーム
を樹脂で一体にモールドし、更に信号入力用リード端子
に信号を入力し発振周波数調整を行い、更に信号入力用
リード端子を除去したことを特徴とする。
半導体集積回路と圧電振動子と電子部品を内蔵した電圧
制御発振器において、半導体集積回路はリードフレーム
のアイランド上に搭載されワイヤーボンディングにより
リードフレームのインナーリード端子に電気的に配線さ
れており、圧電振動子は半導体集積回路及び電子部品と
平行にリードフレームの空間部１４に位置決めされ、圧
電振動子のリードとリードフレームの一部を電気的に接
続されており、更に電子部品をリードフレームに形成さ
れたランド部に搭載し、更に半導体集積回路に電気的に
接続され外部から半導体集積回路のデータを制御する信
号入力用リード端子を配置し、かつインナーリード端子
の外方部及び信号入力用リード端子の一部を除いて半導
体集積回路と圧電振動子と電子部品及びリードフレーム
を樹脂で一体にモールドし、更に信号入力用リード端子
に信号を入力し発振周波数調整を行い、更に信号入力用
リード端子を除去したことを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明は、半導体集積回路を
リードフレームのアイランド上に搭載しワイヤーボンデ
ィングによりリードフレームのインナーリード端子に電
気的に配線する工程と、圧電振動子を半導体集積回路及
び電子部品と平行にリードフレームの空間部１４に位置
決めし、圧電振動子のリードとリードフレームの一部を
電気的に接続する工程と、電子部品をリードフレームに
形成されたランド部に搭載する工程と、インナーリード
端子の外方部及び信号入力用リード端子の一部を除いて
半導体集積回路と圧電振動子と電子部品及びリードフレ
ームを樹脂で一体にモールドする工程と、インナーリー
ド端子等をつなぐダムバーを切断しインナーリード端子
の外方部を曲げ加工する工程と、信号入力用リード端子
を切断する工程とからなることを特徴とする。
リードフレームのアイランド上に搭載しワイヤーボンデ
ィングによりリードフレームのインナーリード端子に電
気的に配線する工程と、圧電振動子を半導体集積回路及
び電子部品と平行にリードフレームの空間部１４に位置
決めし、圧電振動子のリードとリードフレームの一部を
電気的に接続する工程と、電子部品をリードフレームに
形成されたランド部に搭載する工程と、インナーリード
端子の外方部及び信号入力用リード端子の一部を除いて
半導体集積回路と圧電振動子と電子部品及びリードフレ
ームを樹脂で一体にモールドする工程と、インナーリー
ド端子等をつなぐダムバーを切断しインナーリード端子
の外方部を曲げ加工する工程と、信号入力用リード端子
を切断する工程とからなることを特徴とする。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、信号入力用リード端子が半導体集積回路に
対して電子部品とは反対側の電圧制御発振器の樹脂パッ
ケージの短辺側に一列に配置されたことを特徴とする。
明において、信号入力用リード端子が半導体集積回路に
対して電子部品とは反対側の電圧制御発振器の樹脂パッ
ケージの短辺側に一列に配置されたことを特徴とする。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明において、電子部品の電極部あるいはリード部が鉛含
有率９０％以上の半田により皮膜加工されていることを
特徴とする。
明において、電子部品の電極部あるいはリード部が鉛含
有率９０％以上の半田により皮膜加工されていることを
特徴とする。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１記載の発
明において、電子部品を横断して配線されるインナーリ
ード端子の電子部品と交差する部分をディプレス加工し
たことを特徴とする。
明において、電子部品を横断して配線されるインナーリ
ード端子の電子部品と交差する部分をディプレス加工し
たことを特徴とする。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項２記載の発
明において、電圧制御発振器を製造するトランスファー
モールド型において、ガスベントがモールド型のゲート
側とは反対側にのみ形成されたトランスファーモールド
型により製造されることを特徴とする。
明において、電圧制御発振器を製造するトランスファー
モールド型において、ガスベントがモールド型のゲート
側とは反対側にのみ形成されたトランスファーモールド
型により製造されることを特徴とする。
【００１５】請求項７記載の発明は、請求項１記載の発
明において、電子部品をレーザー溶接あるいは抵抗溶接
加工にてリードフレームに接続したことを特徴とする。
明において、電子部品をレーザー溶接あるいは抵抗溶接
加工にてリードフレームに接続したことを特徴とする。
【００１６】請求項８記載の発明は、請求項１記載の発
明において、圧電振動子が水晶振動子であることを特徴
とする。
明において、圧電振動子が水晶振動子であることを特徴
とする。
【００１７】請求項９記載の発明は、請求項１記載の発
明において、圧電振動子がＳＡＷ共振子であることを特
徴とする。
明において、圧電振動子がＳＡＷ共振子であることを特
徴とする。
【００１８】
【実施例】本発明の電圧制御発振器の一実施例を、圧電
振動子に水晶振動子を用いたＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕ
ｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅｓ）形状の
樹脂パッケージの電圧制御水晶発振器を例として、図面
に基づいて説明する。
振動子に水晶振動子を用いたＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕ
ｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅｓ）形状の
樹脂パッケージの電圧制御水晶発振器を例として、図面
に基づいて説明する。
【００１９】〔実施例１〕図１、図２、図３、図４、図
５及び図６は請求項１、２、３、４、５、６及び８記載
の発明に関わる電圧制御水晶発振器の構造図及び回路構
成図等である。
５及び図６は請求項１、２、３、４、５、６及び８記載
の発明に関わる電圧制御水晶発振器の構造図及び回路構
成図等である。
【００２０】図１［ａ］の平面図及び図１［ｂ］の断面
図に示すように、４２％Ｎｉ５８％Ｆｅを含有する合金
あるいはＣｕ合金系等の高導電性金属材料からなるアイ
ランド部１に、特開平２−１７０７０３号の図１に示さ
れるＣＭＯＳタイプの半導体集積回路（ＩＣチップ：以
下ＩＣチップと記す）２が導電性接着剤等によりマウン
トされており、ＩＣチップ２のパッドとアイランド部１
の周囲を取り囲むインナーリード端子３とがＡｕワイヤ
ーボンディング線４により電気的に接続されている。矩
形状のＡＴ水晶振動子片５等を内蔵するシリンダー形タ
イプの水晶振動子６は、そのリード７をＩＣチップ２の
水晶振動子６を発振させるためのゲート端子８、及びド
レイン端子９にＡｕワイヤーボンディング線４により電
気的に接続されたインナーリード端子１０ａ、１０ｂの
途中のマウントエリア１１ａ、１１ｂに抵抗スポット溶
接あるいはレーザー溶接で固定され、同時に電気的に接
続されている。
図に示すように、４２％Ｎｉ５８％Ｆｅを含有する合金
あるいはＣｕ合金系等の高導電性金属材料からなるアイ
ランド部１に、特開平２−１７０７０３号の図１に示さ
れるＣＭＯＳタイプの半導体集積回路（ＩＣチップ：以
下ＩＣチップと記す）２が導電性接着剤等によりマウン
トされており、ＩＣチップ２のパッドとアイランド部１
の周囲を取り囲むインナーリード端子３とがＡｕワイヤ
ーボンディング線４により電気的に接続されている。矩
形状のＡＴ水晶振動子片５等を内蔵するシリンダー形タ
イプの水晶振動子６は、そのリード７をＩＣチップ２の
水晶振動子６を発振させるためのゲート端子８、及びド
レイン端子９にＡｕワイヤーボンディング線４により電
気的に接続されたインナーリード端子１０ａ、１０ｂの
途中のマウントエリア１１ａ、１１ｂに抵抗スポット溶
接あるいはレーザー溶接で固定され、同時に電気的に接
続されている。
【００２１】ここでリード７は電圧制御（ＶＣ）用イン
ナーリード端子１２及びインナーリード端子１０ａを横
断してマウントエリア１１ａ、１１ｂに接続するため、
図１［ｂ］に示すように折り曲げ加工されており、更に
リード７はマウントエリア１１ａ、１１ｂをオーバーハ
ングするように、リード７の長さを調節して切断加工さ
れている。このように加工された水晶振動子６はＩＣチ
ップ２と平行にリードフレーム１３の空間部１４に位置
決めされている。
ナーリード端子１２及びインナーリード端子１０ａを横
断してマウントエリア１１ａ、１１ｂに接続するため、
図１［ｂ］に示すように折り曲げ加工されており、更に
リード７はマウントエリア１１ａ、１１ｂをオーバーハ
ングするように、リード７の長さを調節して切断加工さ
れている。このように加工された水晶振動子６はＩＣチ
ップ２と平行にリードフレーム１３の空間部１４に位置
決めされている。
【００２２】また図２の回路構成図に示すチップ抵抗１
５及び１６、チップコンデンサー１７、可変容量ダイオ
ード１８の電子部品を、リードフレーム１３の各ランド
部１９に半田溶融温度が３００℃以上の高温半田等によ
り電気的に接続している。
５及び１６、チップコンデンサー１７、可変容量ダイオ
ード１８の電子部品を、リードフレーム１３の各ランド
部１９に半田溶融温度が３００℃以上の高温半田等によ
り電気的に接続している。
【００２３】そして、チップ抵抗１５及び１６、チップ
コンデンサー１７、可変容量ダイオード１８の各電子部
品は、水晶振動子６と平行にかつＩＣチップ２と並んで
配置されている。
コンデンサー１７、可変容量ダイオード１８の各電子部
品は、水晶振動子６と平行にかつＩＣチップ２と並んで
配置されている。
【００２４】また図１［ａ］に示すように、ＩＣチップ
２に対してチップ抵抗１５及び１６、チップコンデンサ
ー１７、可変容量ダイオード１８の電子部品とは反対側
の電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４の短辺側２
５に、ＤＩＮ（Ｄａｔａ Ｉｎ）端子２６、ＷＲ（Ｗｒ
ｉｔｅ）端子２７、ＯＥ（Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌ
ｅ）端子２８の各信号入力用リード端子が一列に設けら
れている。ここで各信号入力用リード端子２６、２７、
２８は、ＩＣチップ２のＤＩＮ、ＷＲ、ＯＥの各端子と
Ａｕワイヤーボンディング線４により電気的に接続され
ている。
２に対してチップ抵抗１５及び１６、チップコンデンサ
ー１７、可変容量ダイオード１８の電子部品とは反対側
の電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４の短辺側２
５に、ＤＩＮ（Ｄａｔａ Ｉｎ）端子２６、ＷＲ（Ｗｒ
ｉｔｅ）端子２７、ＯＥ（Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌ
ｅ）端子２８の各信号入力用リード端子が一列に設けら
れている。ここで各信号入力用リード端子２６、２７、
２８は、ＩＣチップ２のＤＩＮ、ＷＲ、ＯＥの各端子と
Ａｕワイヤーボンディング線４により電気的に接続され
ている。
【００２５】更に図３に示すように、チップ抵抗１５及
び１６とチップコンデンサー１７の各電極部２０と、可
変容量ダイオード１８のリード部２１には、鉛含有率が
９０％以上の半田メッキ２２等の皮膜が全体に施されて
いる。
び１６とチップコンデンサー１７の各電極部２０と、可
変容量ダイオード１８のリード部２１には、鉛含有率が
９０％以上の半田メッキ２２等の皮膜が全体に施されて
いる。
【００２６】更に図１［ａ］に示すように、インナーリ
ード端子１０ａはチップ抵抗１５及び１６の下側を横断
して配線されている。図４はその部分を拡大した断面図
であり、チップ抵抗１５及び１６と交差するインナーリ
ード１０ａは、この部分で下側に折り曲げられディプレ
ス加工されている。本実施例の場合は、インナーリード
１０ａのディプレス量は約０．１〜０．２ｍｍであり、
この隙間にチップ抵抗１５及び１６を仮固定する接着剤
２３等を用いている。
ード端子１０ａはチップ抵抗１５及び１６の下側を横断
して配線されている。図４はその部分を拡大した断面図
であり、チップ抵抗１５及び１６と交差するインナーリ
ード１０ａは、この部分で下側に折り曲げられディプレ
ス加工されている。本実施例の場合は、インナーリード
１０ａのディプレス量は約０．１〜０．２ｍｍであり、
この隙間にチップ抵抗１５及び１６を仮固定する接着剤
２３等を用いている。
【００２７】以上を図５に示すトランスファーモールド
型２９にセットし、インナーリード端子３及び各信号入
力用リード端子２６、２７、２８の外方部を残してトラ
ンスファーモールドにより、パッケージ本体２４に樹脂
モールドする。ここで本実施例では、モールド材注入用
のゲート部３０は信号入力用リード端子２６、２７、２
８を避けた位置に設けられている。またトランスファー
モールド型２９には、ゲート部３０の反対側にのみモー
ルド時のガス抜き用のガスベント３１が設けられてい
る。従って信号入力用リード端子２６、２７、２８のセ
ットされる部分は、モールド時のガス抜き用のガスベン
トが無く均一な平面で構成されている。これは、トラン
スファーモールド時のレジンフラッシュをなくし、各信
号入力用リード端子２６、２７、２８の外方部表面にレ
ジン等の皮膜が生成するのを防止するためである。この
ように樹脂モールドされたパッケージ本体２４は、イン
ナーリード端子３及び各信号入力用リード端子２６、２
７、２８等をつなぐタイバー等を切断除去し、インナー
リード端子３の外方部をリード曲げ加工する。このよう
にして図１［ａ］に示す構造を有する電圧制御水晶発振
器が得られる。
型２９にセットし、インナーリード端子３及び各信号入
力用リード端子２６、２７、２８の外方部を残してトラ
ンスファーモールドにより、パッケージ本体２４に樹脂
モールドする。ここで本実施例では、モールド材注入用
のゲート部３０は信号入力用リード端子２６、２７、２
８を避けた位置に設けられている。またトランスファー
モールド型２９には、ゲート部３０の反対側にのみモー
ルド時のガス抜き用のガスベント３１が設けられてい
る。従って信号入力用リード端子２６、２７、２８のセ
ットされる部分は、モールド時のガス抜き用のガスベン
トが無く均一な平面で構成されている。これは、トラン
スファーモールド時のレジンフラッシュをなくし、各信
号入力用リード端子２６、２７、２８の外方部表面にレ
ジン等の皮膜が生成するのを防止するためである。この
ように樹脂モールドされたパッケージ本体２４は、イン
ナーリード端子３及び各信号入力用リード端子２６、２
７、２８等をつなぐタイバー等を切断除去し、インナー
リード端子３の外方部をリード曲げ加工する。このよう
にして図１［ａ］に示す構造を有する電圧制御水晶発振
器が得られる。
【００２８】更に図６に示すように樹脂モールドされた
電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４をデータ制御
装置３２の治具部にセットする。データ制御装置３２の
コンタクトプローブ３３を、パッケージ本体２４の各信
号入力用リード端子２６、２７、２８に接触させる。こ
れにより、データ制御装置３２からの信号を入力してＩ
Ｃチップ２にデータを書き込むことにより、電圧制御水
晶発振器の基準となる発振周波数（Ｆ0）を調整する。
電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４をデータ制御
装置３２の治具部にセットする。データ制御装置３２の
コンタクトプローブ３３を、パッケージ本体２４の各信
号入力用リード端子２６、２７、２８に接触させる。こ
れにより、データ制御装置３２からの信号を入力してＩ
Ｃチップ２にデータを書き込むことにより、電圧制御水
晶発振器の基準となる発振周波数（Ｆ0）を調整する。
【００２９】以上のように図６は周波数調整の一実施例
であり、ここでコンタクトプローブ３３を接触させる方
向は、本実施例に限らずどの方向からでも良い。また電
圧制御水晶発振器をデータ制御装置３２に複数個を並べ
て同時に周波数調整しても良い。また電圧制御発振器の
データ制御装置３２の治具部へのセット方向はパッケー
ジ裏表どちらでも良い。
であり、ここでコンタクトプローブ３３を接触させる方
向は、本実施例に限らずどの方向からでも良い。また電
圧制御水晶発振器をデータ制御装置３２に複数個を並べ
て同時に周波数調整しても良い。また電圧制御発振器の
データ制御装置３２の治具部へのセット方向はパッケー
ジ裏表どちらでも良い。
【００３０】そして最後に各信号入力用リード端子２
６、２７、２８の外方部を切断除去することにより、一
般的な小型水晶発振器と同様なＳＯＪパッケージ形状の
電圧制御水晶発振器が得られる。
６、２７、２８の外方部を切断除去することにより、一
般的な小型水晶発振器と同様なＳＯＪパッケージ形状の
電圧制御水晶発振器が得られる。
【００３１】また以上の製造工程のフローは一例であ
り、その順序については特に規定しない。
り、その順序については特に規定しない。
【００３２】上述のような構成によれば、電圧制御発振
器の高さは約４．４ｍｍかつその容積は約０．５ｃｃと
なり、小型で薄型の電圧制御水晶発振器が得られる。ま
た電圧制御用インナーリード端子１２の電圧コントロー
ルにより、電圧制御水晶発振器の周波数が可変され、本
実施例においては基準周波数に対して、最大±１００ｐ
ｐｍの周波数可変を行なうことができる。
器の高さは約４．４ｍｍかつその容積は約０．５ｃｃと
なり、小型で薄型の電圧制御水晶発振器が得られる。ま
た電圧制御用インナーリード端子１２の電圧コントロー
ルにより、電圧制御水晶発振器の周波数が可変され、本
実施例においては基準周波数に対して、最大±１００ｐ
ｐｍの周波数可変を行なうことができる。
【００３３】〔実施例２〕図７は請求項７記載の発明に
関わる他の実施例であり、搭載する電子部品を可変容量
ダイオード１８のみとし、その他の抵抗及びコンデンサ
ーをＩＣチップ２の内部に構成した構造図である。ここ
で可変容量ダイオード１８は、水晶振動子６と同時に、
抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶接によりリードフ
レーム１３に接続固定されている。
関わる他の実施例であり、搭載する電子部品を可変容量
ダイオード１８のみとし、その他の抵抗及びコンデンサ
ーをＩＣチップ２の内部に構成した構造図である。ここ
で可変容量ダイオード１８は、水晶振動子６と同時に、
抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶接によりリードフ
レーム１３に接続固定されている。
【００３４】上述のような構成によれば、抵抗スポット
溶接あるいはレーザー溶接により搭載部品を接続固定し
ているので、信頼性の高い確実な電気的接続が可能とな
る。
溶接あるいはレーザー溶接により搭載部品を接続固定し
ているので、信頼性の高い確実な電気的接続が可能とな
る。
【００３５】〔実施例３〕図８は請求項９記載の発明に
関わる他の実施例であり、圧電振動子にＳＡＷ（Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ａｃｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子３４を用
いた構造図である。このように水晶振動子６と同形状の
シリンダー形タイプのＳＡＷ共振子３４を空間部１４に
位置決めして配置することにより、実施例１と同様にＳ
ＡＷ共振子を用いた１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ等の高
周波帯域用の電圧制御ＳＡＷ発振器が得られる。
関わる他の実施例であり、圧電振動子にＳＡＷ（Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ａｃｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子３４を用
いた構造図である。このように水晶振動子６と同形状の
シリンダー形タイプのＳＡＷ共振子３４を空間部１４に
位置決めして配置することにより、実施例１と同様にＳ
ＡＷ共振子を用いた１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ等の高
周波帯域用の電圧制御ＳＡＷ発振器が得られる。
【００３６】上述のような構成によれば、高さが約４．
４ｍｍで容積が約０．５ｃｃと小型で薄型の電圧制御Ｓ
ＡＷ発振器が得られる。
４ｍｍで容積が約０．５ｃｃと小型で薄型の電圧制御Ｓ
ＡＷ発振器が得られる。
【００３７】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、圧電振動
子を半導体集積回路及び電子部品と平行にリードフレー
ムに実装し樹脂でモールドすることにより、表面実装タ
イプでかつ小型薄型の電圧制御発振器が得られるという
効果を有する。
子を半導体集積回路及び電子部品と平行にリードフレー
ムに実装し樹脂でモールドすることにより、表面実装タ
イプでかつ小型薄型の電圧制御発振器が得られるという
効果を有する。
【００３８】請求項２記載の発明によれば、半導体集積
回路と圧電振動子及び電子部品をリードフレームに実装
し樹脂でモールドする工程と、信号入力用リード端子を
用いて周波数調整する工程とにより、従来の小型圧電発
振器等の製造ラインを共有化することができ、小型薄型
の電圧制御発振器が安価に製造できる。
回路と圧電振動子及び電子部品をリードフレームに実装
し樹脂でモールドする工程と、信号入力用リード端子を
用いて周波数調整する工程とにより、従来の小型圧電発
振器等の製造ラインを共有化することができ、小型薄型
の電圧制御発振器が安価に製造できる。
【００３９】請求項３記載の発明によれば、信号入力用
リード端子を半導体集積回路に対して電子部品とは反対
側の樹脂パッケージの短辺側に配置することにより、半
導体集積回路に対して最短距離で信号を入力することが
可能となり、ノイズや配線間の負荷容量等に影響されな
い精度の高い周波数調整が可能になるという効果を有す
る。また一列に配置することによりその信号入力用リー
ド端子のスペースを最小にすることができ、電圧制御発
振器を構成するリードフレームの外形サイズ変えること
なく、従来の小型圧電発振器等の製造ラインを共通で使
用できるという効果を有する。
リード端子を半導体集積回路に対して電子部品とは反対
側の樹脂パッケージの短辺側に配置することにより、半
導体集積回路に対して最短距離で信号を入力することが
可能となり、ノイズや配線間の負荷容量等に影響されな
い精度の高い周波数調整が可能になるという効果を有す
る。また一列に配置することによりその信号入力用リー
ド端子のスペースを最小にすることができ、電圧制御発
振器を構成するリードフレームの外形サイズ変えること
なく、従来の小型圧電発振器等の製造ラインを共通で使
用できるという効果を有する。
【００４０】請求項４記載の発明によれば、電子部品の
電極部あるいはリード部を鉛含有率９０％以上の高融点
半田により皮膜加工することにより、電圧制御発振器を
半田リフロー等で実装する時の電極部あるいはリード部
からの半田の溶け出し、あるいはフラックス等によるガ
スの発生がなく、高信頼性の表面実装タイプ電圧制御発
振器が得られるという効果を有する。
電極部あるいはリード部を鉛含有率９０％以上の高融点
半田により皮膜加工することにより、電圧制御発振器を
半田リフロー等で実装する時の電極部あるいはリード部
からの半田の溶け出し、あるいはフラックス等によるガ
スの発生がなく、高信頼性の表面実装タイプ電圧制御発
振器が得られるという効果を有する。
【００４１】請求項５記載の発明によれば、電子部品を
横断して配線されるインナーリードの電子部品と交差す
る部分をディプレス加工することにより、電子部品を実
装した時の半田等のはみ出しによるショートを防止する
ことができる。またディプレス加工した隙間に接着剤等
を使用することにより、電子部品の仮固定が可能となり
確実な実装が行えるという効果を有する。
横断して配線されるインナーリードの電子部品と交差す
る部分をディプレス加工することにより、電子部品を実
装した時の半田等のはみ出しによるショートを防止する
ことができる。またディプレス加工した隙間に接着剤等
を使用することにより、電子部品の仮固定が可能となり
確実な実装が行えるという効果を有する。
【００４２】請求項６記載の発明によれば、信号入力用
リード端子の外方部表面にレジンの染み出しをなくすこ
とにより、コンタクトプローブ等による電気的接触が確
実に行え、データ書き込みが確実に行えるという効果を
有する。
リード端子の外方部表面にレジンの染み出しをなくすこ
とにより、コンタクトプローブ等による電気的接触が確
実に行え、データ書き込みが確実に行えるという効果を
有する。
【００４３】請求項７記載の発明によれば、可変容量ダ
イオード等の比較的大きな電子部品を実装する場合に
は、抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶接加工をする
ことにより、より確実な接合が得られる。また圧電振動
子の接合と同時に加工することが可能となり、製造工程
も短縮でき安価で高信頼性の電圧制御発振器を提供でき
る。
イオード等の比較的大きな電子部品を実装する場合に
は、抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶接加工をする
ことにより、より確実な接合が得られる。また圧電振動
子の接合と同時に加工することが可能となり、製造工程
も短縮でき安価で高信頼性の電圧制御発振器を提供でき
る。
【００４４】請求項８記載の発明によれば、圧電振動子
に水晶振動子を用いることにより、より小型で信頼性の
高い電圧制御発振器を安価に提供できる。
に水晶振動子を用いることにより、より小型で信頼性の
高い電圧制御発振器を安価に提供できる。
【００４５】請求項９記載の発明によれば、圧電振動子
にＳＡＷ共振子を用いることにより、より小型で信頼性
の高い高周波帯域用の電圧制御発振器を提供できる。
にＳＡＷ共振子を用いることにより、より小型で信頼性
の高い高周波帯域用の電圧制御発振器を提供できる。
【図１】本発明の電圧制御発振器の一実施例を示す構造
図。
図。
【図２】本発明の電圧制御発振器の一実施例を示す回路
構成図。
構成図。
【図３】本発明の電圧制御発振器に用いられるチップ抵
抗、チップコンデサー及び可変容量ダイオードのリード
フレームへの搭載図。
抗、チップコンデサー及び可変容量ダイオードのリード
フレームへの搭載図。
【図４】本発明の電圧制御発振器のチップ抵抗搭載部の
拡大断面図。
拡大断面図。
【図５】本発明の電圧制御発振器をトランスファーモー
ルド型にセットした配置図。
ルド型にセットした配置図。
【図６】本発明の電圧制御発振器をデータ制御装置にセ
ットした配置図。
ットした配置図。
【図７】本発明の他の実施例を示す構造図。
【図８】本発明の他の実施例を示す構造図。
【図９】従来の電圧制御発振器を示す回路構成図。
【図１０】従来の電圧制御発振器を示す構造図。
１ アイランド部 ２ ＩＣチップ ３ インナーリード端子 ４ Ａｕワイヤーボンディング線 ５ ＡＴ水晶振動子片 ６ 水晶振動子 ７ リード ８ ゲート端子 ９ ドレイン端子 １０ａ、１０ｂ インナーリード端子 １１ａ、１１ｂ マウントエリア １２ 電圧制御（ＶＣ）用インナーリード端子 １３ リードフレーム １４ 空間部 １５、１６ チップ抵抗 １７ チップコンデンサー １８ 可変容量ダイオード １９ ランド部 ２０ 電極部 ２１ リード部 ２２ 半田メッキ ２３ 接着剤 ２４ パッケージ本体 ２５ 短辺側 ２６ ＤＩＮ端子 ２７ ＷＲ端子 ２８ ＯＥ端子 ２９ トランスファーモールド型 ３０ ゲート部 ３１ ガスベント ３２ データ制御装置 ３３ コンタクトプローブ ３４ ＳＡＷ共振子 １０１ トランジスター １０２ 可変容量ダイオード １０３ 基板 １０４ ステム １０５ 水晶振動子 １０６ キャン
Claims (9)
- 【請求項１】半導体集積回路と圧電振動子と電子部品を
内蔵した電圧制御発振器において、前記半導体集積回路
はリードフレームのアイランド上に搭載されワイヤーボ
ンディングにより前記リードフレームのインナーリード
端子に電気的に配線されており、前記圧電振動子は前記
半導体集積回路及び前記電子部品と平行に前記リードフ
レームの空間部１４に位置決めされ、前記圧電振動子の
リードと前記リードフレームの一部を電気的に接続され
ており、更に前記電子部品を前記リードフレームに形成
されたランド部に搭載し、更に前記半導体集積回路に電
気的に接続され外部から前記半導体集積回路のデータを
制御する信号入力用リード端子を配置し、かつ前記イン
ナーリード端子の外方部及び前記信号入力用リード端子
の一部を除いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子
と前記電子部品及び前記リードフレームを樹脂で一体に
モールドし、更に前記信号入力用リード端子に信号を入
力することにより発振周波数調整を行い、更に前記信号
入力用リード端子を除去したことを特徴とする電圧制御
発振器。 - 【請求項２】半導体集積回路をリードフレームのアイラ
ンド上に搭載しワイヤーボンディングにより前記リード
フレームのインナーリード端子に電気的に配線する工程
と、圧電振動子を前記半導体集積回路及び電子部品と平
行に前記リードフレームの空間部１４に位置決めし、前
記圧電振動子のリードと前記リードフレームの一部を電
気的に接続する工程と、前記電子部品を前記リードフレ
ームに形成されたランド部に搭載する工程と、前記イン
ナーリード端子の外方部及び信号入力用リード端子の一
部を除いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子と前
記電子部品及び前記リードフレームを樹脂で一体にモー
ルドする工程と、前記インナーリード端子等をつなぐダ
ムバーを切断し前記インナーリード端子の外方部を曲げ
加工する工程と、前記信号入力用リード端子に信号を入
力し発振周波数を調整する工程と、前記信号入力用リー
ド端子を切断する工程とからなる事を特徴とする電圧制
御発振器の製造方法。 - 【請求項３】前記信号入力用リード端子が前記半導体集
積回路に対して前記電子部品とは反対側の前記電圧制御
発振器の樹脂パッケージの短辺側に一列に配置されたこ
とを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項４】前記電子部品の電極部あるいはリード部が
鉛含有率９０％以上の半田により皮膜加工されているこ
とを特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項５】前記電子部品を横断して配線されるインナ
ーリード端子の前記電子部品と交差する部分をディプレ
ス加工したことを特徴とする請求項１記載の電圧制御発
振器。 - 【請求項６】前記電圧制御発振器を製造するトランスフ
ァーモールド型において、ガスベントがモールド型のゲ
ート側とは反対側にのみ形成されたことを特徴とする請
求項２記載の電圧制御発振器の製造方法。 - 【請求項７】前記電子部品をレーザー溶接あるいは抵抗
溶接加工にてリードフレームに接続したことを特徴とす
る請求項１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項８】前記圧電振動子が水晶振動子であることを
特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。 - 【請求項９】前記圧電振動子がＳＡＷ共振子であること
を特徴とする請求項１記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00424294A JP3289461B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電圧制御発振器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00424294A JP3289461B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電圧制御発振器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212130A true JPH07212130A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3289461B2 JP3289461B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=11579083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00424294A Expired - Lifetime JP3289461B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電圧制御発振器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289461B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998031104A1 (fr) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Seiko Epson Corporation | Oscillateur a boucle a verrouillage de phase et son procede de fabrication |
| JP2003101408A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Citizen Watch Co Ltd | 発振器 |
| JP2013172438A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ発振器および電子機器 |
-
1994
- 1994-01-19 JP JP00424294A patent/JP3289461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998031104A1 (fr) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Seiko Epson Corporation | Oscillateur a boucle a verrouillage de phase et son procede de fabrication |
| US6081164A (en) * | 1997-01-09 | 2000-06-27 | Seiko Epson Corporation | PLL oscillator package and production method thereof |
| JP2003101408A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Citizen Watch Co Ltd | 発振器 |
| JP2013172438A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗ発振器および電子機器 |
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|---|---|
| JP3289461B2 (ja) | 2002-06-04 |
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