JP3289461B2 - 電圧制御発振器及びその製造方法 - Google Patents
電圧制御発振器及びその製造方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路と圧電
振動子と電子部品を内蔵した電圧制御発振器及びその製
造方法に関する。
振動子と電子部品を内蔵した電圧制御発振器及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電圧制御発振器の一例を、圧電振
動子に水晶振動子を用いた図９の回路構成図及び図１０
［ａ］、１０［ｂ］の構造図で示される電圧制御水晶発
振器（ＶＣＸＯ）を用いて説明する。
動子に水晶振動子を用いた図９の回路構成図及び図１０
［ａ］、１０［ｂ］の構造図で示される電圧制御水晶発
振器（ＶＣＸＯ）を用いて説明する。
【０００３】近年、自動車電話等の移動体通信機器分野
ではその装置の小型軽量化がめざましく、それに用いら
れる電圧制御発振器も小型薄型化が要求されている。ま
た電圧制御発振器の実装方法も、他の半導体や電子部品
とともに装置に内蔵される回路基板に両面実装が可能な
ように、半田リフロー等に対応した表面実装タイプ（Ｓ
ＭＤ）が求められている。
ではその装置の小型軽量化がめざましく、それに用いら
れる電圧制御発振器も小型薄型化が要求されている。ま
た電圧制御発振器の実装方法も、他の半導体や電子部品
とともに装置に内蔵される回路基板に両面実装が可能な
ように、半田リフロー等に対応した表面実装タイプ（Ｓ
ＭＤ）が求められている。
【０００４】しかしながら図９の回路構成を有する従来
の電圧制御水晶発振器は、図１０［ａ］、１０［ｂ］で
示すように、トランジスター１０１や可変容量ダイオー
ド１０２等の回路部品を搭載した基板１０３をメタルキ
ャンパッケージのステム１０４に半田等で接続固定し、
さらに水晶振動子１０５を基板１０３に接続固定する。
そしてキャン１０６を抵抗溶接等で気密封止したディス
クリートタイプが一般的であった。また自動車電話等の
装置に内蔵される回路基板への実装後の周波数調整、あ
るいは長期使用による周波数変化に対して、周波数調整
を行なえるようにトリマーコンデンサー等を内蔵し、キ
ャン１０６に穴を設けたタイプのパッケージも広く使用
されている。
の電圧制御水晶発振器は、図１０［ａ］、１０［ｂ］で
示すように、トランジスター１０１や可変容量ダイオー
ド１０２等の回路部品を搭載した基板１０３をメタルキ
ャンパッケージのステム１０４に半田等で接続固定し、
さらに水晶振動子１０５を基板１０３に接続固定する。
そしてキャン１０６を抵抗溶接等で気密封止したディス
クリートタイプが一般的であった。また自動車電話等の
装置に内蔵される回路基板への実装後の周波数調整、あ
るいは長期使用による周波数変化に対して、周波数調整
を行なえるようにトリマーコンデンサー等を内蔵し、キ
ャン１０６に穴を設けたタイプのパッケージも広く使用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の電圧
制御発振器は、メタルキャンパッケージのディスクリー
ト型が一般的であり、このタイプのパッケージでは自動
車電話等の移動体通信機器、あるいはＰＨＰ（パーソナ
ル・ハンディホーン）等の回路基板に表面実装すること
が困難であった。
制御発振器は、メタルキャンパッケージのディスクリー
ト型が一般的であり、このタイプのパッケージでは自動
車電話等の移動体通信機器、あるいはＰＨＰ（パーソナ
ル・ハンディホーン）等の回路基板に表面実装すること
が困難であった。
【０００６】また周波数調整するための穴等がパッケー
ジ表面に開いているため、半田フローや半田リフローと
いった自動の半田付け加工が困難であった。
ジ表面に開いているため、半田フローや半田リフローと
いった自動の半田付け加工が困難であった。
【０００７】また従来の電圧制御発振器は、回路部品や
基板あるいはステム等といった構成によりパッケージの
厚みが５〜７ｍｍ以上と厚くなり、小型の自動車電話や
その他の移動体通信機器への搭載が、その実装面積や使
用する部品高さの制限等により困難になっている。
基板あるいはステム等といった構成によりパッケージの
厚みが５〜７ｍｍ以上と厚くなり、小型の自動車電話や
その他の移動体通信機器への搭載が、その実装面積や使
用する部品高さの制限等により困難になっている。
【０００８】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の信頼性の高い表面実装用パッケー
ジタイプの電圧制御発振器を安価に提供することであ
る。
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の信頼性の高い表面実装用パッケー
ジタイプの電圧制御発振器を安価に提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る電圧制御発振器は、半導体集積回路と
圧電振動子と電子部品を内蔵した電圧制御発振器におい
て、前記半導体集積回路はリードフレームのアイランド
上に搭載されワイヤーボンディングにより前記リードフ
レームのインナーリード端子に電気的に配線されてお
り、前記圧電振動子は前記半導体集積回路及び前記電子
部品と平行に前記リードフレームの空間部１４に位置決
めされ、前記圧電振動子のリードと前記リードフレーム
の一部を電気的に接続されており、前記電子部品を横断
して配線されるインナーリード端子の前記電子部品と交
差する部分をディプレス加工し、前記ディプレス加工さ
れたディプレス加工部分と前記電子部品を接着剤により
仮固定し、前記電子部品は、前記リードフレームに形成
されたランド部に電気的に接続されており、かつ前記イ
ンナーリード端子の外方部、及び信号入力用リード端子
の一部を除いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子
と前記電子部品及び前記リードフレームとは樹脂で一体
にモールドされており、前記信号入力用リード端子は、
前記半導体集積回路に電気的に接続され、外部から前記
半導体集積回路のデータを制御するものであって、前記
半導体集積回路に対して前記電子部品とは反対側の前記
電圧制御発振器の樹脂パッケージの短辺側に一列に配置
されており、さらに、前記信号入力用リード端子に信号
を入力することにより発振周波数調整を行った上で、除
去されることを特徴としたものである。
に、本発明に係る電圧制御発振器は、半導体集積回路と
圧電振動子と電子部品を内蔵した電圧制御発振器におい
て、前記半導体集積回路はリードフレームのアイランド
上に搭載されワイヤーボンディングにより前記リードフ
レームのインナーリード端子に電気的に配線されてお
り、前記圧電振動子は前記半導体集積回路及び前記電子
部品と平行に前記リードフレームの空間部１４に位置決
めされ、前記圧電振動子のリードと前記リードフレーム
の一部を電気的に接続されており、前記電子部品を横断
して配線されるインナーリード端子の前記電子部品と交
差する部分をディプレス加工し、前記ディプレス加工さ
れたディプレス加工部分と前記電子部品を接着剤により
仮固定し、前記電子部品は、前記リードフレームに形成
されたランド部に電気的に接続されており、かつ前記イ
ンナーリード端子の外方部、及び信号入力用リード端子
の一部を除いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子
と前記電子部品及び前記リードフレームとは樹脂で一体
にモールドされており、前記信号入力用リード端子は、
前記半導体集積回路に電気的に接続され、外部から前記
半導体集積回路のデータを制御するものであって、前記
半導体集積回路に対して前記電子部品とは反対側の前記
電圧制御発振器の樹脂パッケージの短辺側に一列に配置
されており、さらに、前記信号入力用リード端子に信号
を入力することにより発振周波数調整を行った上で、除
去されることを特徴としたものである。
【００１０】又、本発明に係る電圧制御発振器の製造方
法は、半導体集積回路をリードフレームのアイランド上
に搭載しワイヤーボンディングにより前記リードフレー
ムのインナーリード端子に電気的に配線する工程と、
圧電振動子を前記半導体集積回路及び電子部品と平行に
前記リードフレームの空間部１４に位置決めし、前記圧
電振動子のリードと前記リードフレームの一部を電気的
に接続する工程と、前記電子部品を前記リードフレーム
に形成されたランド部に搭載する工程と、前記電子部品
を横断して配線されるインナーリード端子の前記電子部
品と交差する部分をディプレス加工して、前記ディプレ
ス加工部分に前記電子部品を接着剤により仮固定する工
程と、仮固定された前記電子部品を前記ランド部に電気
的に接続する工程と、前記インナーリード端子の外方
部、及び、前記半導体集積回路に対して前記電子部品と
は反対側の電圧制御発振器の樹脂パッケージの短辺側に
トランスファーモールド型のゲート部を設け、前記短辺
側に一列に配置された信号入力用リード端子の一部を除
いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子と前記電子
部品及び前記リードフレームを樹脂で一体にモールドす
る工程と、前記インナーリード端子等をつなぐダムバー
を切断し前記インナーリード端子の外方部を曲げ加工す
る工程と、前記信号入力用リード端子に信号を入力し発
振周波数を調整する工程と、前記信号入力用リード端子
を切断する工程とからなることを特徴としている。
法は、半導体集積回路をリードフレームのアイランド上
に搭載しワイヤーボンディングにより前記リードフレー
ムのインナーリード端子に電気的に配線する工程と、
圧電振動子を前記半導体集積回路及び電子部品と平行に
前記リードフレームの空間部１４に位置決めし、前記圧
電振動子のリードと前記リードフレームの一部を電気的
に接続する工程と、前記電子部品を前記リードフレーム
に形成されたランド部に搭載する工程と、前記電子部品
を横断して配線されるインナーリード端子の前記電子部
品と交差する部分をディプレス加工して、前記ディプレ
ス加工部分に前記電子部品を接着剤により仮固定する工
程と、仮固定された前記電子部品を前記ランド部に電気
的に接続する工程と、前記インナーリード端子の外方
部、及び、前記半導体集積回路に対して前記電子部品と
は反対側の電圧制御発振器の樹脂パッケージの短辺側に
トランスファーモールド型のゲート部を設け、前記短辺
側に一列に配置された信号入力用リード端子の一部を除
いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子と前記電子
部品及び前記リードフレームを樹脂で一体にモールドす
る工程と、前記インナーリード端子等をつなぐダムバー
を切断し前記インナーリード端子の外方部を曲げ加工す
る工程と、前記信号入力用リード端子に信号を入力し発
振周波数を調整する工程と、前記信号入力用リード端子
を切断する工程とからなることを特徴としている。
【００１１】また、上記製造方法において、前記電圧制
御発振器を製造するトランスファーモールド型におい
て、ガスベントがモールド型のゲート側とは反対側にの
み形成されるように構成すればよい。
御発振器を製造するトランスファーモールド型におい
て、ガスベントがモールド型のゲート側とは反対側にの
み形成されるように構成すればよい。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【実施例】本発明の電圧制御発振器の一実施例を、圧電
振動子に水晶振動子を用いたＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕ
ｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅｓ）形状の
樹脂パッケージの電圧制御水晶発振器を例として、図面
に基づいて説明する。
振動子に水晶振動子を用いたＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕ
ｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅｓ）形状の
樹脂パッケージの電圧制御水晶発振器を例として、図面
に基づいて説明する。
【００１９】〔実施例１〕 図１、図２、図３、図４、図５及び図６は、本発明に係
る電圧制御発振器の実施例の構造図及び回路構成図等で
ある。
る電圧制御発振器の実施例の構造図及び回路構成図等で
ある。
【００２０】図１［ａ］の平面図及び図１［ｂ］の断面
図に示すように、４２％Ｎｉ５８％Ｆｅを含有する合金
あるいはＣｕ合金系等の高導電性金属材料からなるアイ
ランド部１に、特開平２−１７０７０３号の図１に示さ
れるＣＭＯＳタイプの半導体集積回路（ＩＣチップ：以
下ＩＣチップと記す）２が導電性接着剤等によりマウン
トされており、ＩＣチップ２のパッドとアイランド部１
の周囲を取り囲むインナーリード端子３とがＡｕワイヤ
ーボンディング線４により電気的に接続されている。矩
形状のＡＴ水晶振動子片５等を内蔵するシリンダー形タ
イプの水晶振動子６は、そのリード７をＩＣチップ２の
水晶振動子６を発振させるためのゲート端子８、及びド
レイン端子９にＡｕワイヤーボンディング線４により電
気的に接続されたインナーリード端子１０ａ、１０ｂの
途中のマウントエリア１１ａ、１１ｂに抵抗スポット溶
接あるいはレーザー溶接で固定され、同時に電気的に接
続されている。
図に示すように、４２％Ｎｉ５８％Ｆｅを含有する合金
あるいはＣｕ合金系等の高導電性金属材料からなるアイ
ランド部１に、特開平２−１７０７０３号の図１に示さ
れるＣＭＯＳタイプの半導体集積回路（ＩＣチップ：以
下ＩＣチップと記す）２が導電性接着剤等によりマウン
トされており、ＩＣチップ２のパッドとアイランド部１
の周囲を取り囲むインナーリード端子３とがＡｕワイヤ
ーボンディング線４により電気的に接続されている。矩
形状のＡＴ水晶振動子片５等を内蔵するシリンダー形タ
イプの水晶振動子６は、そのリード７をＩＣチップ２の
水晶振動子６を発振させるためのゲート端子８、及びド
レイン端子９にＡｕワイヤーボンディング線４により電
気的に接続されたインナーリード端子１０ａ、１０ｂの
途中のマウントエリア１１ａ、１１ｂに抵抗スポット溶
接あるいはレーザー溶接で固定され、同時に電気的に接
続されている。
【００２１】ここでリード７は電圧制御（ＶＣ）用イン
ナーリード端子１２及びインナーリード端子１０ａを横
断してマウントエリア１１ａ、１１ｂに接続するため、
図１［ｂ］に示すように折り曲げ加工されており、更に
リード７はマウントエリア１１ａ、１１ｂをオーバーハ
ングするように、リード７の長さを調節して切断加工さ
れている。このように加工された水晶振動子６はＩＣチ
ップ２と平行にリードフレーム１３の空間部１４に位置
決めされている。
ナーリード端子１２及びインナーリード端子１０ａを横
断してマウントエリア１１ａ、１１ｂに接続するため、
図１［ｂ］に示すように折り曲げ加工されており、更に
リード７はマウントエリア１１ａ、１１ｂをオーバーハ
ングするように、リード７の長さを調節して切断加工さ
れている。このように加工された水晶振動子６はＩＣチ
ップ２と平行にリードフレーム１３の空間部１４に位置
決めされている。
【００２２】また図２の回路構成図に示すチップ抵抗１
５及び１６、チップコンデンサー１７、可変容量ダイオ
ード１８の電子部品を、リードフレーム１３の各ランド
部１９に半田溶融温度が３００℃以上の高温半田等によ
り電気的に接続している。
５及び１６、チップコンデンサー１７、可変容量ダイオ
ード１８の電子部品を、リードフレーム１３の各ランド
部１９に半田溶融温度が３００℃以上の高温半田等によ
り電気的に接続している。
【００２３】そして、チップ抵抗１５及び１６、チップ
コンデンサー１７、可変容量ダイオード１８の各電子部
品は、水晶振動子６と平行にかつＩＣチップ２と並んで
配置されている。
コンデンサー１７、可変容量ダイオード１８の各電子部
品は、水晶振動子６と平行にかつＩＣチップ２と並んで
配置されている。
【００２４】また図１［ａ］に示すように、ＩＣチップ
２に対してチップ抵抗１５及び１６、チップコンデンサ
ー１７、可変容量ダイオード１８の電子部品とは反対側
の電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４の短辺側２
５に、ＤＩＮ（Ｄａｔａ Ｉｎ）端子２６、ＷＲ（Ｗｒ
ｉｔｅ）端子２７、ＯＥ（Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌ
ｅ）端子２８の各信号入力用リード端子が一列に設けら
れている。ここで各信号入力用リード端子２６、２７、
２８は、ＩＣチップ２のＤＩＮ、ＷＲ、ＯＥの各端子と
Ａｕワイヤーボンディング線４により電気的に接続され
ている。
２に対してチップ抵抗１５及び１６、チップコンデンサ
ー１７、可変容量ダイオード１８の電子部品とは反対側
の電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４の短辺側２
５に、ＤＩＮ（Ｄａｔａ Ｉｎ）端子２６、ＷＲ（Ｗｒ
ｉｔｅ）端子２７、ＯＥ（Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌ
ｅ）端子２８の各信号入力用リード端子が一列に設けら
れている。ここで各信号入力用リード端子２６、２７、
２８は、ＩＣチップ２のＤＩＮ、ＷＲ、ＯＥの各端子と
Ａｕワイヤーボンディング線４により電気的に接続され
ている。
【００２５】更に図３に示すように、チップ抵抗１５及
び１６とチップコンデンサー１７の各電極部２０と、可
変容量ダイオード１８のリード部２１には、鉛含有率が
９０％以上の半田メッキ２２等の皮膜が全体に施されて
いる。
び１６とチップコンデンサー１７の各電極部２０と、可
変容量ダイオード１８のリード部２１には、鉛含有率が
９０％以上の半田メッキ２２等の皮膜が全体に施されて
いる。
【００２６】更に図１［ａ］に示すように、インナーリ
ード端子１０ａはチップ抵抗１５及び１６の下側を横断
して配線されている。図４はその部分を拡大した断面図
であり、チップ抵抗１５及び１６と交差するインナーリ
ード１０ａは、この部分で下側に折り曲げられディプレ
ス加工されている。本実施例の場合は、インナーリード
１０ａのディプレス量は約０．１〜０．２ｍｍであり、
この隙間にチップ抵抗１５及び１６を仮固定する接着剤
２３等を用いている。
ード端子１０ａはチップ抵抗１５及び１６の下側を横断
して配線されている。図４はその部分を拡大した断面図
であり、チップ抵抗１５及び１６と交差するインナーリ
ード１０ａは、この部分で下側に折り曲げられディプレ
ス加工されている。本実施例の場合は、インナーリード
１０ａのディプレス量は約０．１〜０．２ｍｍであり、
この隙間にチップ抵抗１５及び１６を仮固定する接着剤
２３等を用いている。
【００２７】以上を図５に示すトランスファーモールド
型２９にセットし、インナーリード端子３及び各信号入
力用リード端子２６、２７、２８の外方部を残してトラ
ンスファーモールドにより、パッケージ本体２４に樹脂
モールドする。ここで本実施例では、モールド材注入用
のゲート部３０は信号入力用リード端子２６、２７、２
８を避けた位置に設けられている。またトランスファー
モールド型２９には、ゲート部３０の反対側にのみモー
ルド時のガス抜き用のガスベント３１が設けられてい
る。従って信号入力用リード端子２６、２７、２８のセ
ットされる部分は、モールド時のガス抜き用のガスベン
トが無く均一な平面で構成されている。これは、トラン
スファーモールド時のレジンフラッシュをなくし、各信
号入力用リード端子２６、２７、２８の外方部表面にレ
ジン等の皮膜が生成するのを防止するためである。この
ように樹脂モールドされたパッケージ本体２４は、イン
ナーリード端子３及び各信号入力用リード端子２６、２
７、２８等をつなぐタイバー等を切断除去し、インナー
リード端子３の外方部をリード曲げ加工する。このよう
にして図１［ａ］に示す構造を有する電圧制御水晶発振
器が得られる。
型２９にセットし、インナーリード端子３及び各信号入
力用リード端子２６、２７、２８の外方部を残してトラ
ンスファーモールドにより、パッケージ本体２４に樹脂
モールドする。ここで本実施例では、モールド材注入用
のゲート部３０は信号入力用リード端子２６、２７、２
８を避けた位置に設けられている。またトランスファー
モールド型２９には、ゲート部３０の反対側にのみモー
ルド時のガス抜き用のガスベント３１が設けられてい
る。従って信号入力用リード端子２６、２７、２８のセ
ットされる部分は、モールド時のガス抜き用のガスベン
トが無く均一な平面で構成されている。これは、トラン
スファーモールド時のレジンフラッシュをなくし、各信
号入力用リード端子２６、２７、２８の外方部表面にレ
ジン等の皮膜が生成するのを防止するためである。この
ように樹脂モールドされたパッケージ本体２４は、イン
ナーリード端子３及び各信号入力用リード端子２６、２
７、２８等をつなぐタイバー等を切断除去し、インナー
リード端子３の外方部をリード曲げ加工する。このよう
にして図１［ａ］に示す構造を有する電圧制御水晶発振
器が得られる。
【００２８】更に図６に示すように樹脂モールドされた
電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４をデータ制御
装置３２の治具部にセットする。データ制御装置３２の
コンタクトプローブ３３を、パッケージ本体２４の各信
号入力用リード端子２６、２７、２８に接触させる。こ
れにより、データ制御装置３２からの信号を入力してＩ
Ｃチップ２にデータを書き込むことにより、電圧制御水
晶発振器の基準となる発振周波数（Ｆ0）を調整する。
電圧制御水晶発振器のパッケージ本体２４をデータ制御
装置３２の治具部にセットする。データ制御装置３２の
コンタクトプローブ３３を、パッケージ本体２４の各信
号入力用リード端子２６、２７、２８に接触させる。こ
れにより、データ制御装置３２からの信号を入力してＩ
Ｃチップ２にデータを書き込むことにより、電圧制御水
晶発振器の基準となる発振周波数（Ｆ0）を調整する。
【００２９】以上のように図６は周波数調整の一実施例
であり、ここでコンタクトプローブ３３を接触させる方
向は、本実施例に限らずどの方向からでも良い。また電
圧制御水晶発振器をデータ制御装置３２に複数個を並べ
て同時に周波数調整しても良い。また電圧制御発振器の
データ制御装置３２の治具部へのセット方向はパッケー
ジ裏表どちらでも良い。
であり、ここでコンタクトプローブ３３を接触させる方
向は、本実施例に限らずどの方向からでも良い。また電
圧制御水晶発振器をデータ制御装置３２に複数個を並べ
て同時に周波数調整しても良い。また電圧制御発振器の
データ制御装置３２の治具部へのセット方向はパッケー
ジ裏表どちらでも良い。
【００３０】そして最後に各信号入力用リード端子２
６、２７、２８の外方部を切断除去することにより、一
般的な小型水晶発振器と同様なＳＯＪパッケージ形状の
電圧制御水晶発振器が得られる。
６、２７、２８の外方部を切断除去することにより、一
般的な小型水晶発振器と同様なＳＯＪパッケージ形状の
電圧制御水晶発振器が得られる。
【００３１】また以上の製造工程のフローは一例であ
り、その順序については特に規定しない。
り、その順序については特に規定しない。
【００３２】上述のような構成によれば、電圧制御発振
器の高さは約４．４ｍｍかつその容積は約０．５ｃｃと
なり、小型で薄型の電圧制御水晶発振器が得られる。ま
た電圧制御用インナーリード端子１２の電圧コントロー
ルにより、電圧制御水晶発振器の周波数が可変され、本
実施例においては基準周波数に対して、最大±１００ｐ
ｐｍの周波数可変を行なうことができる。
器の高さは約４．４ｍｍかつその容積は約０．５ｃｃと
なり、小型で薄型の電圧制御水晶発振器が得られる。ま
た電圧制御用インナーリード端子１２の電圧コントロー
ルにより、電圧制御水晶発振器の周波数が可変され、本
実施例においては基準周波数に対して、最大±１００ｐ
ｐｍの周波数可変を行なうことができる。
【００３３】〔実施例２〕 図７は本発明に係る電圧制御発振器の他の実施例であ
り、搭載する電子部品を可変容量ダイオード１８のみと
し、その他の抵抗及びコンデンサーをＩＣチップ２の内
部に構成した構造図である。ここで可変容量ダイオード
１８は、水晶振動子６と同時に、抵抗スポット溶接ある
いはレーザー溶接によりリードフレーム１３に接続固定
されている。
り、搭載する電子部品を可変容量ダイオード１８のみと
し、その他の抵抗及びコンデンサーをＩＣチップ２の内
部に構成した構造図である。ここで可変容量ダイオード
１８は、水晶振動子６と同時に、抵抗スポット溶接ある
いはレーザー溶接によりリードフレーム１３に接続固定
されている。
【００３４】上述のような構成によれば、抵抗スポット
溶接あるいはレーザー溶接により搭載部品を接続固定し
ているので、信頼性の高い確実な電気的接続が可能とな
る。
溶接あるいはレーザー溶接により搭載部品を接続固定し
ているので、信頼性の高い確実な電気的接続が可能とな
る。
【００３５】〔実施例３〕 図８は本発明に係る電圧制御発振器の他の実施例であ
り、圧電振動子にＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓ
ｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子３４を用いた構造図である。
このように水晶振動子６と同形状のシリンダー形タイプ
のＳＡＷ共振子３４を空間部１４に位置決めして配置す
ることにより、実施例１と同様にＳＡＷ共振子を用いた
１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ等の高周波帯域用の電圧制
御ＳＡＷ発振器が得られる。
り、圧電振動子にＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓ
ｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子３４を用いた構造図である。
このように水晶振動子６と同形状のシリンダー形タイプ
のＳＡＷ共振子３４を空間部１４に位置決めして配置す
ることにより、実施例１と同様にＳＡＷ共振子を用いた
１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ等の高周波帯域用の電圧制
御ＳＡＷ発振器が得られる。
【００３６】上述のような構成によれば、高さが約４．
４ｍｍで容積が約０．５ｃｃと小型で薄型の電圧制御Ｓ
ＡＷ発振器が得られる。
４ｍｍで容積が約０．５ｃｃと小型で薄型の電圧制御Ｓ
ＡＷ発振器が得られる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、圧電振動子を半導体集
積回路及び電子部品と平行にリードフレームに実装し樹
脂でモールドすることにより、表面実装タイプでかつ小
型薄型の電圧制御発振器が得られるという効果を有す
る。さらに、信号入力用リード端子を半導体集積回路に
対して電子部品とは反対側の樹脂パッケージの短辺側に
配置することにより、半導体集積回路に対して最短距離
で信号を入力することが可能となり、ノイズや配線間の
負荷容量などに影響されない精度の高い周波数調整が可
能になるという効果を有する。また、一列に配置するこ
とによりその信号入力用リード端子のスペースを最小に
することができ、電圧制御発振器を構成するリードフレ
ームの外径サイズを変えることなく、従来の小型圧電発
振器等の製造ライン共通で使用できるという効果を有す
る。特に、電子部品を横断して配線されるインナーリー
ドの電子部品と交差する部分をディプレス加工すること
により、ディプレス加工部と電子部品の隙間に接着剤等
を使用することにより、電子部品の仮固定が可能となり
確実な実装が行え、さらに電子部品を実装した時の半田
等のはみ出しによるショートを防止することができると
いう効果を有する。
積回路及び電子部品と平行にリードフレームに実装し樹
脂でモールドすることにより、表面実装タイプでかつ小
型薄型の電圧制御発振器が得られるという効果を有す
る。さらに、信号入力用リード端子を半導体集積回路に
対して電子部品とは反対側の樹脂パッケージの短辺側に
配置することにより、半導体集積回路に対して最短距離
で信号を入力することが可能となり、ノイズや配線間の
負荷容量などに影響されない精度の高い周波数調整が可
能になるという効果を有する。また、一列に配置するこ
とによりその信号入力用リード端子のスペースを最小に
することができ、電圧制御発振器を構成するリードフレ
ームの外径サイズを変えることなく、従来の小型圧電発
振器等の製造ライン共通で使用できるという効果を有す
る。特に、電子部品を横断して配線されるインナーリー
ドの電子部品と交差する部分をディプレス加工すること
により、ディプレス加工部と電子部品の隙間に接着剤等
を使用することにより、電子部品の仮固定が可能となり
確実な実装が行え、さらに電子部品を実装した時の半田
等のはみ出しによるショートを防止することができると
いう効果を有する。
【００３８】本発明に係る製造方法によれば、半導体集
積回路と圧電振動子及び電子部品をリードフレームで実
装し樹脂でモールドする工程と、信号入力用リード端子
を用いて周波数調整をする工程とにより、従来の小型圧
電発振器等の製造ラインを共有化することができ、小型
薄型の電圧制御発振器が安価に製造できる。
積回路と圧電振動子及び電子部品をリードフレームで実
装し樹脂でモールドする工程と、信号入力用リード端子
を用いて周波数調整をする工程とにより、従来の小型圧
電発振器等の製造ラインを共有化することができ、小型
薄型の電圧制御発振器が安価に製造できる。
【００３９】
【００４０】また、前記電圧制御発振器を製造するトラ
ンスファーモールド型において、ガスベントがモールド
型のゲート側とは反対側にのみ形成して製造することに
より、信号入力用リード端子の外方部表面にレジンの染
み出しをなくすことにより、コンタクトプローブ等によ
る電気的接触が確実に行え、データ書き込みが確実に行
えるという効果を有する。
ンスファーモールド型において、ガスベントがモールド
型のゲート側とは反対側にのみ形成して製造することに
より、信号入力用リード端子の外方部表面にレジンの染
み出しをなくすことにより、コンタクトプローブ等によ
る電気的接触が確実に行え、データ書き込みが確実に行
えるという効果を有する。
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【図１】本発明の電圧制御発振器の一実施例を示す構造
図。
図。
【図２】本発明の電圧制御発振器の一実施例を示す回路
構成図。
構成図。
【図３】本発明の電圧制御発振器に用いられるチップ抵
抗、チップコンデサー及び可変容量ダイオードのリード
フレームへの搭載図。
抗、チップコンデサー及び可変容量ダイオードのリード
フレームへの搭載図。
【図４】本発明の電圧制御発振器のチップ抵抗搭載部の
拡大断面図。
拡大断面図。
【図５】本発明の電圧制御発振器をトランスファーモー
ルド型にセットした配置図。
ルド型にセットした配置図。
【図６】本発明の電圧制御発振器をデータ制御装置にセ
ットした配置図。
ットした配置図。
【図７】本発明の他の実施例を示す構造図。
【図８】本発明の他の実施例を示す構造図。
【図９】従来の電圧制御発振器を示す回路構成図。
【図１０】従来の電圧制御発振器を示す構造図。
１ アイランド部 ２ ＩＣチップ ３ インナーリード端子 ４ Ａｕワイヤーボンディング線 ５ ＡＴ水晶振動子片 ６ 水晶振動子 ７ リード ８ ゲート端子 ９ ドレイン端子 １０ａ、１０ｂ インナーリード端子 １１ａ、１１ｂ マウントエリア １２ 電圧制御（ＶＣ）用インナーリード端子 １３ リードフレーム １４ 空間部 １５、１６ チップ抵抗 １７ チップコンデンサー １８ 可変容量ダイオード １９ ランド部 ２０ 電極部 ２１ リード部 ２２ 半田メッキ ２３ 接着剤 ２４ パッケージ本体 ２５ 短辺側 ２６ ＤＩＮ端子 ２７ ＷＲ端子 ２８ ＯＥ端子 ２９ トランスファーモールド型 ３０ ゲート部 ３１ ガスベント ３２ データ制御装置 ３３ コンタクトプローブ ３４ ＳＡＷ共振子 １０１ トランジスター １０２ 可変容量ダイオード １０３ 基板 １０４ ステム １０５ 水晶振動子 １０６ キャン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03B 5/32 H03B 5/30 H05K 3/32
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体集積回路と圧電振動子と電子部品
を内蔵した電圧制御発振器において、 前記半導体集積回路はリードフレームのアイランド上に
搭載されワイヤーボンディングにより前記リードフレー
ムのインナーリード端子に電気的に配線されており、 前記圧電振動子は前記半導体集積回路及び前記電子部品
と平行に前記リードフレームの空間部１４に位置決めさ
れ、前記圧電振動子のリードと前記リードフレームの一
部を電気的に接続されており、 前記電子部品を横断して配線されるインナーリード端子
の前記電子部品と交差する部分をディプレス加工し、前
記ディプレス加工されたディプレス加工部分と前記電子
部品を接着剤により仮固定し、前記電子部品は、前記リ
ードフレームに形成されたランド部に電気的に接続され
ており、 かつ前記インナーリード端子の外方部、及び信号入力用
リード端子の一部を除いて、前記半導体集積回路と前記
圧電振動子と前記電子部品及び前記リードフレームとは
樹脂で一体にモールドされており、 前記信号入力用リード端子は、前記半導体集積回路に電
気的に接続され、外部から前記半導体集積回路のデータ
を制御するものであって、前記半導体集積回路に対して
前記電子部品とは反対側の前記電圧制御発振器の樹脂パ
ッケージの短辺側に一列に配置されており、 さらに、前記信号入力用リード端子に信号を入力するこ
とにより発振周波数調整を行った上で、除去されること
を特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項２】 半導体集積回路をリードフレームのアイ
ランド上に搭載しワイヤーボンディングにより前記リー
ドフレームのインナーリード端子に電気的に配線する工
程と、 圧電振動子を前記半導体集積回路及び電子部品と平行に
前記リードフレームの空間部１４に位置決めし、前記圧
電振動子のリードと前記リードフレームの一部を電気的
に接続する工程と、 前記電子部品を前記リードフレームに形成されたランド
部に搭載する工程と、 前記電子部品を横断して配線されるインナーリード端子
の前記電子部品と交差する部分をディプレス加工して、
前記ディプレス加工部分に前記電子部品を接着剤により
仮固定する工程と、仮固定された前記電子部品を前記ランド部に電気的に接
続する工程と、 前記インナーリード端子の外方部、及び、前記半導体集
積回路に対して前記電子部品とは反対側の電圧制御発振
器の樹脂パッケージの短辺側にトランスファーモールド
型のゲート部を設け、前記短辺側に一列に配置された信
号入力用リード端子の一部を除いて、前記半導体集積回
路と前記圧電振動子と前記電子部品及び前記リードフレ
ームを樹脂で一体にモールドする工程と、 前記インナーリード端子等をつなぐダムバーを切断し前
記インナーリード端子の外方部を曲げ加工する工程と、 前記信号入力用リード端子に信号を入力し発振周波数を
調整する工程と、 前記信号入力用リード端子を切断する工程とからなるこ
とを特徴とする電圧制御発振器の製造方法。 - 【請求項３】 前記電圧制御発振器を製造するトランス
ファーモールド型において、ガスベントがモールド型の
ゲート側とは反対側にのみ形成されたことを特徴とする
請求項２記載の電圧制御発振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00424294A JP3289461B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電圧制御発振器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00424294A JP3289461B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電圧制御発振器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212130A JPH07212130A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3289461B2 true JP3289461B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=11579083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00424294A Expired - Lifetime JP3289461B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電圧制御発振器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289461B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6081164A (en) * | 1997-01-09 | 2000-06-27 | Seiko Epson Corporation | PLL oscillator package and production method thereof |
| JP2003101408A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Citizen Watch Co Ltd | 発振器 |
| JP6019610B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | Ｓａｗ発振器および電子機器 |
-
1994
- 1994-01-19 JP JP00424294A patent/JP3289461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07212130A (ja) | 1995-08-11 |
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