JP3421747B2 - 圧電発振器及び電圧制御発振器 - Google Patents

圧電発振器及び電圧制御発振器

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とを内蔵した圧電発振器、及び半導体集積回
路と圧電振動子とその他の電子部品とを内蔵した電圧制
御発振器、並びにその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドラ
イブ）あるいは携帯用のコンピュータ等の小型の情報機
器や、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器におい
て装置の小型軽量化がめざましく、それらに用いられる
圧電発振器及び電圧制御発振器も小型薄型化が要求され
ている。またそれとともに、装置の回路基板に両面実装
が可能な表面実装（ＳＭＤ）タイプが求められている。
【０００３】そこで、従来の圧電発振器及び電圧制御発
振器の一例を、圧電振動子に水晶振動子を用いた図１９
（ａ）、１９（ｂ）の構造図で示される水晶発振器、及
び図２０（ａ）、２０（ｂ）の構造図で示される電圧制
御発振器（ＶＣＸＯ）を用いて説明する。
【０００４】図１９（ａ）、１９（ｂ）の従来の水晶発
振器の構成において、ＣＭＯＳタイプ等のＩＣチップ１
０１は、リードフレーム１０２の一部であるアイランド
部１０３に導電性接着剤等により接着固定され、Ａｕワ
イヤーボンディング線１０４により入出力用リード端子
１０５に電気的に接続されている。また断面が約φ３ｍ
ｍのシリンダー形のケースに水晶振動子片を内蔵した水
晶振動子１０６は、インナーリード１０７に固定され、
ＩＣチップ１０１のゲート端子１０８、及びドレイン端
子１０９に電気的に接続されている。そしてＩＣチップ
１０１、水晶振動子１０６、入出力用リード端子１０５
の一部を含んでトランスファーモールド方法等によりエ
ポキシ系の樹脂モールド材により封止され、水晶発振器
の樹脂パッケージ１１０が形成されている。
【０００５】また図２０（ａ）、２０（ｂ）において、
従来の電圧制御発振器の構成は、トランジスター１１１
や可変容量ダイオード１１２等の回路部品を搭載した基
板１１３を、メタルキャンパッケージのステム１１４に
半田等で接続固定し、更に水晶振動子１１５を基板１１
３に接続固定する。そしてキャン１１６を抵抗溶接等で
気密封止したディスクリートタイプが一般的である。ま
た、移動体通信機器等の装置に内蔵される回路基板への
実装後、周波数調整が行えるように基板１１３にトリマ
ーコンデンサー等を実装し、キャン１１６に調整用の穴
を設けたタイプも広く使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の圧電
発振器及び電圧制御発振器は、シリンダーケースの直径
が約φ３ｍｍの圧電振動子を内蔵しており、そのため圧
電発振器及び電圧制御発振器の高さは約４．５ｍｍ〜７
ｍｍ以上、かつその容積は全体で約０．５ｃｃ〜１．０
ｃｃと大型であり、ＨＤＤ、携帯用のコンピュータ、携
帯電話や自動車電話等の比較的小型の電子機器への搭載
が、その実装面積や使用する部品高さの制限等により非
常に困難になっている。
【０００７】ところで、樹脂でモールドする圧電発振器
及び電圧制御発振器を薄型化するには、内蔵する圧電振
動子の厚みを薄くすればよく、それには次の２つの技術
が考えられる。
【０００８】その第一は、内蔵する圧電振動子片をシュ
リンクして、シリンダータイプの圧電振動子の直径を小
さくする方法である。これは、仮に圧電振動子の直径を
約φ１．５ｍｍまで小さくしたときの圧電振動子片の断
面サイズを求めると、そのサイズは、０．５〜０．７
（Ｗ）×５．６（Ｌ）ｍｍとなる。これを従来の約φ３
ｍｍの圧電振動子ケースに内蔵している圧電振動子片と
比較すると、従来のサイズは１．８〜２．０（Ｗ）×
５．６（Ｌ）ｍｍである。しかしながら水晶等の圧電振
動子片を、このように小型化して、かつ特性を維持する
ためには高精度な設計や加工技術が必要であり、現状に
おいてはコストアップとなりあまり実用的ではない。
【０００９】また第２の技術は、本発明で示すように圧
電振動子を断面が楕円あるいは、トラック形状（長円
形）の形状に構成することにより、薄型化する方法であ
る。この方法によれば、内蔵する圧電振動子片のサイズ
は従来のサイズがそのまま使用できる。従って圧電振動
子片は従来のコストで製造ができるという利点を有して
いる。
【００１０】この第２の技術を用いて圧電発振器を構成
した例は、特開平４−２５９１０４号公報に詳しく、そ
れには断面の一面に平面部を有する圧電振動子を用いた
小型発振器が述べられている。
【００１１】ところで、圧電発振器及び電圧制御発振器
を樹脂でモールドする工程において、モールド材注入時
に内蔵する半導体集積回路や圧電振動子等には均一な注
入圧が加わる。
【００１２】特に圧電振動子はケースの内部が中空の構
造を有し、その内部に圧電振動子片を内蔵している。こ
のためケース全体がモールド時の注入圧により変形しな
い構造を有していなければならない。それは、ケースの
変形による圧電振動子片とケース内面の接触の防止や、
ケースの変形により発生した応力による、内部の圧電振
動子片の歪や、マウント部等の歪の発生を防止するため
である。
【００１３】また、その変形は圧電振動子の形状によっ
ても異なり、円筒形（従来のシリンダータイプ）に比べ
て、断面が楕円あるいはトラック形状の圧電振動子は、
構造解析ソフトウェア等を用いて解析すると、モールド
時の注入圧のような均一な圧力に対する変形解析結果は
一様ではなく、楕円における短軸方向あるいはトラック
形状の平行部（直線部）付近に大きな変形が生じること
がわかっている。そして実際のモールド実験でもそれを
裏付ける結果が出ている。
【００１４】また圧電発振器及び電圧制御発振器を構成
する場合に、圧電振動子を配置する場所によって、モー
ルド成形時の収縮によってケースの変形が異なるため、
その位置についても最適な配置や構成を考えなくてはな
らない。それは、モールド成形時にモールド材の収縮に
よる熱応力が発生し、その熱応力値は圧電発振器及び電
圧制御発振器のパッケージの各々の場所により異なるか
らである。
【００１５】ところで、特開平４−２５９１０４号公報
によると、断面の一面に平面部を有する圧電振動子の平
面部にＩＣが固定され、その圧電振動子及びＩＣを圧電
発振器のほぼ中央に配置して、樹脂でモールド成形され
ている。
【００１６】しかしながら、圧電振動子の平面部はＩＣ
が固定されるためには、ＩＣの面積以上の平面部を有し
ていなければならず、ＩＣが大きくなればそれに合わせ
て平面部を広くしなくてはならない。即ち圧電振動子の
平面部が広くなるということは、トラック形状の平行部
が長くなることであり、前記モールド注入時に圧電振動
子への圧力が大きくなり、ケースの変形がより大きくな
るという課題が発生する。
【００１７】また、圧電振動子に対してＩＣ側のモール
ド肉厚が厚くなるため、成形時の熱応力による圧電振動
子の変形が反対側（ＩＣの固定されない側）より大きく
なるという課題も有している。
【００１８】以上のように、圧電振動子を断面が楕円あ
るいは、トラック形状の形状にして圧電発振器及び電圧
制御発振器を薄型化するには、圧電振動子の断面形状及
び圧電振動子を内蔵する位置等についてその最適な構成
を提供しなければならない。
【００１９】また、電圧制御発振器はもとより、圧電発
振器についても発振周波数の高精度化が要求されてい
る。この発振周波数の調整が高精度にかつ簡単に行える
構成についても本発明において提供する。
【００２０】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の高精度の圧電発振器及び電圧制御
発振器を安価に提供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体集積回路と圧電振動子とを内蔵した圧電発振器に
おいて、前記半導体集積回路はリードフレームのアイラ
ンド上に搭載され、ワイヤーボンディングにより前記リ
ードフレームのインナーリード端子に電気的に配線され
ており、楕円あるいはトラック形状の断面を有する前記
圧電振動子は前記半導体集積回路に隣接して配置され、
前記圧電振動子のリードと前記リードフレームの一部が
電気的に接続されており、更に前記半導体集積回路に電
気的に接続され外部から前記半導体集積回路のデータを
制御する信号入力用リード端子を前記半導体集積回路に
対して前記圧電振動子と平行に、かつ前記圧電振動子が
配置された側の反対側に配置し、前記半導体集積回路は
前記圧電振動子に対向する辺以外の３辺に入出力のパッ
ドが形成され、前記インナーリード端子の外方部及び前
記信号入力用リード端子を除いて、前記半導体集積回路
と前記圧電振動子及び前記リードフレームを樹脂で前記
圧電振動子の上側及び下側の樹脂厚が等しくなるように
一体にモールドし、更に前記信号入力用リード端子を用
いて信号を入力することにより、発振周波数調整を行う
ことを特徴とする。
【００２２】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、前記圧電振動子のケース断面の短軸方向あるいは平
行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚く形成され
ていることを特徴とする。
【００２３】請求項３記載の発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とその他の電子部品とを内蔵した電圧制御発
振器において、前記半導体集積回路はリードフレームの
アイランド上に搭載されワイヤーボンディングにより前
記リードフレームのインナーリード端子に電気的に配線
されており、楕円あるいはトラック形状の断面を有する
前記圧電振動子は前記半導体集積回路及び前記電子部品
に隣接して配置され、前記圧電振動子のリードと前記リ
ードフレームの一部が電気的に接続されており、更に前
記電子部品を前記リードフレームに形成されたランド部
に搭載し、更に前記半導体集積回路に電気的に接続され
外部から前記半導体集積回路のデータを制御する信号入
力用リード端子を前記半導体集積回路に対して前記圧電
振動子と平行に、かつ前記圧電振動子が配置された側の
反対側に配置し、前記半導体集積回路は前記圧電振動子
に対向する辺以外の３辺に入出力のパッドが形成され、
前記インナーリード端子の外方部及び前記信号入力用リ
ード端子を除いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動
子と前記電子部品及び前記リードフレームを樹脂で前記
圧電振動子の上側及び下側の樹脂厚が等しくなるように
一体にモールドし、更に前記信号入力用リード端子を用
いて信号を入力することにより、発振周波数調整を行う
ことを特徴とする。
【００２４】請求項４記載の発明は、請求項３におい
て、前記圧電振動子のケース断面の短軸方向あるいは平
行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚く形成され
ていることを特徴とすることを特徴とする。
【００２５】請求項５記載の発明は、請求項３におい
て、前記電子部品が可変容量ダイオードであることを特
徴とする。
【００２６】請求項６記載の発明は、請求項５におい
て、前記半導体集積回路のインバータの入出力端子間
に、直列に接続した前記圧電振動子と前記可変容量ダイ
オードを有し、前記可変容量ダイオードと前記インバー
タの間に直流カットコンデンサを接続し、前記圧電振動
子と前記可変容量ダイオードの間と接地間に、バイアス
抵抗を接続し、かつ前記可変容量ダイオードと前記直流
カットコンデンサの間から信号を入力することを特徴と
する。
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【発明の実施の形態】本発明の圧電発振器及び電圧制御
発振器の実施の一形態を、圧電振動子に水晶振動子を用
いたＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−Ｌｅａ
ｄ Ｐａｃｋａｇｅｓ）形状の樹脂パッケージの水晶発
振器、及び電圧制御発振器を例として、図面に基づいて
説明する。但し、本発明の水晶発振器、及び電圧制御発
振器の構成については、共通する項目が多く、その共通
する項目については水晶発振器の項で詳細に説明し、重
複するのを避ける。
【００４８】〔水晶発振器の構造とその製造方法〕 図１、図２、図３、図５、図６、図７、図８及び図９
は、請求項１記載の発明に係る水晶発振器の構造図、回
路構成図及び製造方法を示す配置図、及び水晶発振器に
用いる水晶振動子の構造図等である。
【００４９】図１（ａ）の平面図及び図１（ｂ）の断面
図に示すように、４２％Ｎｉ５８％Ｆｅからなる４２Ａ
ｌｌｏｙ、あるいはＣｕ合金系等の高導電性金属材料か
らなるリードフレーム１のアイランド部２に、発振回路
を有するＣＭＯＳタイプの半導体集積回路（ＩＣチッ
プ：以下ＩＣチップと記す）３が、導電性接着剤等によ
りダイボンディングされており、ＩＣチップ３のパッド
とアイランド部２の周囲を取り囲むインナーリード端子
４とが、Ａｕワイヤーボンディング線５により電気的に
接続されている。矩形状のＡＴ水晶振動子片６を内蔵す
る水晶振動子７は、そのリード８をＩＣチップ３の水晶
振動子７を発振させるためのＸＧ端子（ゲート側）９、
及びＸＲ端子（ドレイン側）１０に、Ａｕワイヤーボン
ディング線５により電気的に接続されたインナーリード
端子１１ａ、１１ｂの途中のマウントエリア１２ａ、１
２ｂに抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶接等で固定
され、同時に電気的に接続されている。
【００５０】ここでリード８はインナーリード端子１１
ｂ、１１ｃを横断してマウントエリア１２ａ、１２ｂに
接続するため、図１（ｂ）に示すように折り曲げ加工さ
れており、更にリード８はマウントエリア１２ａ、１２
ｂをオーバーハングするように、リード８の長さを調節
して切断加工されている。このように加工された水晶振
動子７はＩＣチップ３に隣接してリードフレーム１に位
置決めされている。
【００５１】また、水晶振動子７の上下の樹脂厚が等し
くなるように、水晶振動子７の位置を決定している。本
実施例では、上下の樹脂厚が約０．２ｍｍとなるように
構成されている。
【００５２】更に、水晶発振器１３の発振周波数を調整
するための信号入力用リード端子（それぞれＤ０端子１
４、Ｄ１端子１５、Ｄ２端子１６、Ｄ３端子１７、Ｄ４
端子１８、Ｄ５端子１９、Ｄ６端子２０及びコントロー
ル端子２１）が、水晶発振器１３の長手方向の側面（長
辺側）に構成されている。このように信号入力用リード
端子は、水晶発振器１３の構成において、ＩＣチップ３
に対して水晶振動子７と平行に、かつ水晶振動子７とは
反対側に配置されている。
【００５３】そして、ＶＳＳ端子２２、ＶＤＤ端子２
３、ＯＵＴ端子２４、ＮＣ／ＯＥ端子２５の入出力用の
各端子が配置されている。
【００５４】また、発振周波数調整時に水晶発振器１３
を支持するための支持用リード端子２６、２７、２８、
２９がリードフレーム１に設けられている。
【００５５】ここで、図２の回路ブロック図に示すよう
に、ＩＣチップ３は内部に発振回路３０、容量アレイ３
１、レジスタ３２、ＰＲＯＭ３３、制御回路３４及び出
力バッファ３５等を搭載し、周波数調整データ及び分周
設定データ等を外部から入力しプログラミングして、容
量アレイ３１を制御することにより、ＸＧ端子９の容量
値を変化させ、ＯＵＴ端子２４からの水晶発振における
発振周波数を調整する機能を有するワンチップ化された
半導体素子である。
【００５６】ところで、発振回路３０は内部に帰還抵
抗、ＣＭＯＳインバータ、ゲート及びドレインの各容量
から構成される回路であり、容量アレイ３１はゲート容
量に付属した周波数調整用の７つの容量で構成されてい
る。またレジスタ３２は発振周波数の調整工程におい
て、外部からのプログラミングにより入力した周波数調
整データを記録する機能を有し、ＰＲＯＭ３３は、その
周波数調整したデータを書き込み保存する。更に制御回
路３４は、ＰＲＯＭ３３またはレジスタ３２に設定した
周波数調整データで容量アレイ３１を制御する回路であ
り、出力バッファ３５は、発振回路３０からの発振信号
を増幅する機能を有している。
【００５７】更に、本発明の水晶発振器１３に必要なＩ
Ｃチップ３の各パッドは、図１（ａ）に示すように、水
晶振動子７に対向する辺以外の残りの３辺にのみ形成さ
れており、各パッドはインナーリード端子４にＡｕワイ
ヤーボンディング線５により電気的に接続されている。
【００５８】また、図３（ａ）（図３（ｂ）のＡ−Ａ断
面図）及び図３（ｂ）に示すように、本発明の水晶振動
子７の形状は断面がトラック形状（長円形）を有してお
り、その構成は気密端子３６のインナーリード３７に、
矩形状のＡＴ水晶振動子片６がマウントされ、ケース３
８により封止されている。ここでＡＴ水晶振動子片６
は、従来と同じサイズが用いられている。このように気
密端子３６及びケース３８をトラック形状に形成するこ
とにより、従来と同じサイズのＡＴ水晶振動子片６を内
蔵することができ、水晶振動子７のサイズは厚みが約
１．５ｍｍと非常に薄型化されている。また水晶振動子
７の断面形状はトラック形状に限らず楕円等でもよい。
【００５９】そして、図４（ａ）の平面図、図４（ｂ）
の側面図、及び図４（ｃ）の断面図（図４（ａ）のＡ−
Ａ断面）に示すように、上記のように構成されたリード
フレーム１をトランスファーモールド型３９にセット
し、インナーリード端子４及び信号入力用リード端子
（それぞれＤ０端子１４、Ｄ１端子１５、Ｄ２端子１
６、Ｄ３端子１７、Ｄ４端子１８、Ｄ５端子１９、Ｄ６
端子２０及びコントロール端子２１）の外方部を残して
トランスファーモールドにより、水晶発振器１３に樹脂
モールドする。ここで、本実施例では、モールド材注入
用のゲート部４０は、水晶発振器１３の短辺側に配置さ
れており、水晶振動子７のケース部トップ４１にモール
ド材を衝突させることにより、モールド材注入時のモー
ルド材の流れを均一化させている。
【００６０】このようにして樹脂モールドしたあと、入
出力用の各端子及び信号入力用リード端子（それぞれＤ
０端子１４、Ｄ１端子１５、Ｄ２端子１６、Ｄ３端子１
７、Ｄ４端子１８、Ｄ５端子１９、Ｄ６端子２０及びコ
ントロール端子２１）等をつなぐタイバー等を切断除去
（トリミング）する。そしてリードフレーム１に複数個
（本実施例の場合は１０個）連結した状態の、図５に示
す構造を有する水晶発振器１３が得られる。この状態に
おいて水晶発振器１３は支持用リード端子２６、２７、
２８、２９によりリードフレーム１に連結されている。
ここで支持用リード端子２６、２７、２８、２９は、そ
れぞれ独立しており、他の入出力用の端子及び信号入力
用リード端子とは接続していない。
【００６１】そして、図５の黒色の丸印は、周波数調整
時に用いられるピンプローブ等の接触位置を示してい
る。このように水晶発振器１３が支持されているため、
リードフレーム１に複数個を連結した状態で周波数調整
加工が可能となる。また複数個を同時に周波数調整する
ことも可能である。従って周波数調整工程がインライン
化でき、安価な水晶発振器の製造が可能となる。
【００６２】以上により周波数調整された水晶発振器１
３をリードフレーム１から切断分離する。この切断分離
の工程では、まずＶＳＳ端子２２、ＶＤＤ端子２３、Ｏ
ＵＴ端子２４、ＮＣ／ＯＥ端子２５の入出力用の各端子
をＪベンド加工し、信号入力用リード端子（それぞれＤ
０端子１４、Ｄ１端子１５、Ｄ２端子１６、Ｄ３端子１
７、Ｄ４端子１８、Ｄ５端子１９、Ｄ６端子２０及びコ
ントロール端子２１）を切断し、最後に支持用リード端
子２６、２７、２８、２９とリードフレーム１をつなぐ
部分を切断することにより、水晶発振器１３が分離され
図６に示すＳＯＪタイプの水晶発振器が得られる。
【００６３】以上のような構成によれば、水晶発振器の
高さは約２．０〜２．２ｍｍかつその容積は約０．２ｃ
ｃとなり、小型で薄型の水晶発振器が得られる。
【００６４】また水晶振動子の断面形状により水晶振動
子の周囲の樹脂の厚みが均一となり、モールド時のモー
ルド材の充填度が向上し、パッケージクラック等のない
信頼性の高い水晶発振器が得られる。
【００６５】以上説明した水晶発振器は、発振周波数を
調整可能な高精度な水晶発振器であるが、図７に示すよ
うな発振回路のみを有する汎用ＣＭＯＳ回路の水晶発振
器についても、同様な構成が可能である。
【００６６】〔周波数調整方法〕次に図５の構造の水晶
発振器の発振周波数の調整方法について詳しく説明す
る。 図８に示すように、リードフレーム１に複数個の
水晶発振器１３を連結した状態で、周波数調整機４２に
セットし以下の手順で発振周波数を自動で調整する。
【００６７】周波数調整機４２にセットされたピンプロ
ーブ４３等を水晶発振器１３の各端子に接触させる。そ
してＶＤＤ端子２３、ＶＳＳ端子２２に電圧を印加して
内蔵している水晶振動子７を発振させる。ここで図９に
示す理想曲線におけるＭＩＮデータを周波数調整機４２
のカウンターに入力する。次に水晶発振器１３のコント
ロール端子２１を”Ｈ”レベルにセットし、ＮＣ／ＯＥ
端子２５を”Ｌ”レベルにセットする。この時容量アレ
イ３１はＰＲＯＭ３３からレジスタ３２に切り替わり、
レジスタ３２が動作状態になる。そしてＮＣ／ＯＥ端子
２５よりＮ発のパルスを入力する。この操作によりレジ
スタ３２にデータＮが設定される。そしてＯＵＴ端子２
４より出力される発振周波数（Ｆ１）をモニターする。
この発振周波数（Ｆ１）が図９に示すターゲット周波数
（Ｆ０）と合えば、周波数調整が完了したことになり、
まだ周波数が異なる場合は、前記の操作を繰り返し行う
ことになる。
【００６８】以上の周波数モニターの結果から決定した
データをＰＲＯＭ３３に書き込むことにより、発振周波
数の周波数調整結果が保存される。即ちバイナリー形式
で示したデータをＤ０端子１４〜Ｄ６端子２０に対応さ
せ、データ０となる端子のＰＲＯＭ３３に構成されたヒ
ューズを切断することにより、データの書き込みを行
う。尚ヒューズの切断は、ＶＤＤ端子２３＝ＧＮＤに対
し、該当端子に書き込み電圧を印加して行う。
【００６９】ところで図８は周波数調整の一実施例であ
り、ここでピンプローブ４３を接触させる方向は、本実
施例に限らずどの方向からでも良い。また圧電発振器の
周波数調整機４２へのセット方向はパッケージ裏表どち
らでも良い。
【００７０】また以上の製造工程のフローは一例であ
り、その順序については特に規定しない。
【００７１】〔電圧制御発振器の構成とその製造方法〕 図１０、図１１及び図１２は請求項３、５及び６記載の
発明に係る電圧制御発振器の構造図、回路構成図及びブ
ロック図である。
【００７２】図１０（ａ）の平面図及び図１０（ｂ）の
断面図に示すように、４２％Ｎｉ５８％Ｆｅからなる４
２Ａｌｌｏｙ、あるいはＣｕ合金系等の高導電性材料か
らなるリードフレーム５１のアイランド部５２に、ＣＭ
ＯＳタイプのＩＣチップ５３が導電性接着剤等によりダ
イボンディングされており、ＩＣチップ５３のパッドと
アイランド部５２の周囲を取り囲むインナーリード端子
５４とがＡｕワイヤーボンディング線５５により電気的
に接続されている。矩形状のＡＴ水晶振動子片５６を内
蔵する水晶振動子５７は、そのリード５８をＩＣチップ
５３の水晶振動子５７を発振させるためのＸＧ端子（ゲ
ート側）５９、及びＸＲ端子（ドレイン側）６０に、Ａ
ｕワイヤーボンディング線５５により電気的に接続され
たインナーリード端子６１、６２の、途中のマウントエ
リア６３、６４に抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶
接等で固定され、同時に電気的に接続されている。
【００７３】ここで水晶振動子５７のリード５８は、イ
ンナーリード端子６０、６５を横断してマウントエリア
６３、６４に接続するため、図１０（ｂ）に示すように
折り曲げ加工されており、更にリード５８はマウントエ
リア６３、６４をオーバーハングするように、リード５
８の長さを調節して切断加工されている。このように加
工された水晶振動子５７はリードフレーム５１に位置決
めされている。
【００７４】ところで本実施例の水晶振動子５７の形状
は、水晶発振器の項で示した図３の水晶振動子７と同様
であり、断面がトラック形状（長円形）を有しており、
その構成は気密端子のインナーリードに矩形状のＡＴ水
晶振動子片がマウントされ、ケースにより封止されてい
る。このように水晶振動子５７のサイズは、厚みが約
１．５ｍｍと非常に薄型化されている。
【００７５】また、図１１の回路構成図に示す可変容量
ダイオード６６等の電子部品は、図１０（ａ）に示すよ
うに、リードフレーム５１のランド部６７に配置され、
抵抗スポット溶接あるいはレーザ溶接または半田、導電
性接着剤等で接続固定されている。
【００７６】ここで、水晶振動子５７の接続位置と可変
容量ダイオード６６の接続位置は、同一の直線上にあ
り、例えば製造工程において溶接ヘッドの移動等の加工
時間の短縮等が可能となるなど、二つの異なる部品の接
続固定が簡単に行える構造となっている。
【００７７】更に、本実施例の電圧制御発振器の発振回
路は、図１１に示すように、インバータと帰還抵抗と発
振用のコンデンサ等を有している。そして、インバータ
の入出力端子間に水晶振動子５７と可変容量ダイオード
６６を直列に接続している。また、可変容量ダイオード
６６とインバータの間に直流カットコンデンサを接続し
ており、圧電振動子５７と可変容量ダイオード６６の間
と接地間にバイアス抵抗を接続している。そして更に、
可変容量ダイオード６６と直流カットコンデンサの間か
ら、制御電圧あるいは変調信号を入力して可変容量ダイ
オード６６の静電容量を変化させ、発振周波数を可変し
ている。
【００７８】また、前述の水晶発振器の構造で示したよ
うに、信号入力用リード端子及び支持用リード端子が、
それぞれ同様に配置されている。
【００７９】そして、ＶＳＳ端子６８、ＶＤＤ端子６
９、ＯＵＴ端子７０、ＶＣ端子７１の入出力端子が配置
されている。
【００８０】ところで、図１２の回路ブロック図に示す
ように、ＩＣチップ５３は内部に発振回路７２、容量ア
レイ７３、レジスタ７４、ＰＲＯＭ７５、制御回路７６
及び出力バッファ７７等を搭載し、周波数調整データ及
び分周設定データ等を外部から入力しプログラミングし
て、容量アレイ７３を制御することにより、ＸＧ端子５
９の容量値を変化させ、ＯＵＴ端子７０からの水晶発振
における発振周波数を調整する機能を有するワンチップ
化された半導体素子である。
【００８１】また、ＩＣチップ５３の内部に内蔵抵抗７
８を形成している。この内蔵抵抗７８は、ＶＣ端子７１
の入力抵抗であり、これは水晶振動子５７と可変容量ダ
イオード６６に接続されている。
【００８２】そして、上記のように構成されたリードフ
レームをトランスファーモールド型にセットし、インナ
ーリード端子５４及び信号入力用リード端子の外方部を
残してトランスファーモールドにより、電圧制御発振器
に樹脂モールドする。
【００８３】そして、発振周波数の調整方法は、水晶発
振器と同様である。但し水晶発振器では、ＮＣ／ＯＥ端
子を用いたが、電圧制御発振器では、ＶＣ端子７１を用
いて調整を行う点が異なっている。
【００８４】また、図１３は請求項３の発明に係る他の
実施例であり、チップ形状の可変容量ダイオード７９を
用いたタイプの電圧制御発振器である。可変容量ダイオ
ード７９をランド部８０に導電性接着剤等で固定し、ワ
イヤーボンディング金線８１で配線している。
【００８５】以上のような構成によれば、電圧制御発振
器の高さは約２．０〜２．２ｍｍかつその容積は約０．
２ｃｃとなり、小型で薄型の電圧制御発振器が得られ
る。
【００８６】また水晶振動子の断面形状により水晶振動
子の周囲の樹脂の厚みが均一となり、モールド時のモー
ルド材の充填度が向上し、パッケージクラック等のない
信頼性の高い電圧制御発振器が得られる。
【００８７】本実施例における電圧制御発振器では、Ｖ
Ｃ端子の電位を１．２Ｖ〜１．８Ｖに可変することによ
り、発振周波数が中心周波数に対してプラスマイナス２
０ｐｐｍの変化をすることが可能である。
【００８８】〔更に薄型化する方法について〕 図１４は他の実施例であり、楕円あるいはトラック形状
（長円形）の水晶振動子８２を、パッケージ本体８３の
外部に露出した構造を有する水晶発振器および電圧制御
発振器である。
【００８９】このような構成によれば、水晶発振器及び
電圧制御発振器は更に薄型になり、その高さは内蔵する
水晶振動子の厚みと等しく約１．５ｍｍとなる。
【００９０】また水晶振動子のケースが直接大気中の空
気に触れるため、放熱効果が向上しＩＣチップに発生す
る熱が水晶振動子内部に伝導するのを防止している。
【００９１】〔水晶振動子の変形防止について〕 図１５及び図１６は、請求項２及び請求項４記載の発明
に係わる、水晶振動子のケースの具体的な実施例であ
る。図１５（ａ）は水晶振動子のケース９１の断面が楕
円の形状を有する実施例であり、図１５（ｂ）は水晶振
動子のケース９２の断面がトラック形状を有する実施例
である。
【００９２】図１５（ａ）において、ケース９１の肉厚
は一様ではなく、楕円の短軸方向９３が長軸方向９４に
比較して約１．５〜２倍の厚みを有している。本実施例
では短軸方向９３の厚みは０．１５ｍｍから０．２ｍｍ
程度で設計されており、また長軸方向９４の厚みは約
０．１ｍｍで設計されている。そして短軸方向９３と長
軸方向９４は連続した曲面でつながれている。
【００９３】また図１５（ｂ）においても同様にケース
９２の肉厚は一様ではなく、トラック形状の平行部９５
が円弧部９６に比較して約１．５〜２倍の厚みを有して
いる。この場合も同様に平行部９５の厚みは０．１５ｍ
ｍから０．２ｍｍ程度で設計されており、また円弧部９
６の厚みは約０．１ｍｍで設計されている。そして平行
部９５と円弧部９６は連続した曲面でつながれている。
【００９４】このようにケース９１あるいは９２の、樹
脂モールド時の注入圧により変形する部分のみを厚くす
ることにより、構造力学上充分な強度が確保でき、必要
最低限の大きさの圧電振動子が提供できる。またケース
を成形するのに必要な材料についても最小限の材料にす
ることができ安価にケースを加工することができる。
【００９５】以上のようなケースを構造解析ソフトウェ
アを用いて変形解析した結果は、ケースの変形が従来例
に比べて約１／４以下となる。図１６はトラック形状を
有するケース９２の構造解析の結果である。この解析
は、ケース外面に均一な圧力を印加した時のケースの変
形の状態を解析している。図１６（ａ）は従来例の変形
状態であり、図１６（ｂ）は本実施例の変形状態を示し
ている。
【００９６】以上のようなケースを用いることにより、
楕円の短軸方向９３あるいはトラック形状の平行部９５
の変形を抑えることができ、信頼性の高い圧電発振器お
よび電圧制御発振器を提供できる。
【００９７】また、図１７は圧電発振器及び電圧制御発
振器に用いているモールド材の特性表である。本実施例
で用いているタイプのモールド樹脂は、２４０℃〜２６
０℃程度の高熱時の曲げ強度が約２．５Ｋｇ／ｍｍ2で
あり、従来のタイプのモールド樹脂の高熱時の曲げ強度
は約１．２Ｋｇ〜１．５Ｋｇ／ｍｍ2である。このよう
に曲げ強度の高いモールド材を用いることにより、圧電
発振器及び電圧制御発振器を基板等に実装する際のリフ
ローストレスに対し効果がある。特に本実施例の圧電振
動子の形状が楕円やトラック形状のように、圧電振動子
ケースに対する樹脂の密着面積が大きい場合には、リフ
ロー時にケース界面での剥離やパッケージクラックが発
生しやすく、これを防止するため、曲げ強度が高いモー
ルド材を用いている。
【００９８】更に、図１８はモールド時の注入圧に対す
る水晶振動子のケースの変形をプロットしたグラフであ
る。このグラフは一般的な圧縮応力（注入圧）とひずみ
線図であり、図１８の弾性変形領域（弾性限度内）では
ケースが、モールド注入時に変形を起こしてもモールド
が完了すれば変形が元に戻る。ところがこの弾性変形領
域を越えてケースが塑性変形するような力が加わると変
形は元に戻らない。本実施例ではモールドに使用するト
ランスファーモールドマシン及びモールド型等の条件に
より、弾性変形領域内でモールドできる注入圧を決定し
ている。一例を示すとその値は、トランスファーモール
ドマシンのラム部で約１８Ｋｇ／ｃｍ2の圧力になるよ
うに設定している。また本実施例ではケース材料はＦｅ
−Ｎｉ系の４２ａｌｌｏｙ材を用いており、この材料に
対する応力と歪みの関係から最適なモールド注入圧を決
定している。
【００９９】以上のようにケースの弾性変形領域内でモ
ールドすることにより、永久ひずみであるケースの塑性
変形が防止できる。
【０１００】以上の実施例では、圧電発振器及び電圧制
御発振器の形状がＳＯＪ形状のパッケージについて説明
しているが、パッケージ形状はこの他にＳＯＰ（Ｓｍａ
ｌｌＯｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅｓ）等でも良い。
【０１０１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、楕円ある
いはトラック形状の断面を有する圧電振動子を、半導体
集積回路に隣接してリードフレームに実装し樹脂でモー
ルドすることにより、必要最低限のスペースで圧電発振
器を構成でき、表面実装タイプで小型薄型の圧電発振器
を構成することが可能となる。また圧電振動子の周囲の
樹脂の厚みが均一となるため、モールド時のモールド材
の充填が均一に行え、パッケージクラック等の発生しな
い信頼性の高い圧電発振器が得られるという効果を有す
る。
【０１０２】請求項２記載の発明によれば、圧電振動子
のケース構造を楕円の場合は短軸方向の厚みを長軸方向
の厚みより厚く設定し、またトラック形状の場合は平行
部の厚みを円弧部の厚みより厚く設定することにより、
従来に比較してケースの変形を格段に抑えることができ
る。また圧電振動子のケース内部への影響がない品質の
高いモールド加工ができ、歩留まりのよい圧電発振器が
提供できるという効果を有する。
【０１０３】請求項３記載の発明によれば、楕円あるい
はトラック形状の断面を有する圧電振動子を、半導体集
積回路及び電子部品に隣接してリードフレームに実装し
樹脂でモールドすることにより、表面実装タイプでかつ
小型薄型の電圧制御発振器が得られるという効果を有す
る。また圧電振動子の周囲の樹脂の厚みが均一となるた
め、モールド時のモールド材の充填が均一に行え、パッ
ケージクラック等の発生しない信頼性の高い電圧制御発
振器が得られるという効果を有する。
【０１０４】請求項４記載の発明によれば、圧電振動子
のケース構造を楕円の場合は短軸方向の厚みを長軸方向
の厚みより厚く設定し、またトラック形状の場合は平行
部の厚みを円弧部の厚みより厚く設定することにより、
従来に比較してケースの変形を格段に抑えることができ
る。また圧電振動子のケース内部への影響がない品質の
高いモールド加工ができ、歩留まりのよい電圧制御発振
器が提供できるという効果を有する。
【０１０５】請求項５記載の発明によれば、電子部品に
可変容量ダイオードを用いることにより、小型薄型で精
度及び信頼性の高い電圧制御発振器を安価に提供でき
る。
【０１０６】請求項６記載の発明によれば、半導体集積
回路のインバータの入出力端子間に、直列に接続した圧
電振動子と可変容量ダイオードを有し、可変容量ダイオ
ードとインバータの間に直流カットコンデンサを接続
し、圧電振動子と可変容量ダイオードの間と接地間に、
バイアス抵抗を接続し、かつ可変容量ダイオードと直流
カットコンデンサの間から信号を入力することにより、
電圧制御発振器の発振周波数の可変幅を従来に比べ大き
くとれるという効果を有する。この可変幅が大きくとれ
る理由は、可変容量ダイオードの端子間の位相差が関係
している。
【０１０７】
【０１０８】
【０１０９】
【０１１０】
【０１１１】
【０１１２】
【０１１３】
【０１１４】
【０１１５】
【０１１６】
【０１１７】
【０１１８】
【０１１９】
【０１２０】
【０１２１】
【０１２２】
【０１２３】
【０１２４】
【０１２５】
【０１２６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧電発振器の一実施例を示す構造図。
（ａ）は、平面図。（ｂ）は、断面図。
【図２】本発明の圧電発振器の回路ブロック図。
【図３】本発明の圧電発振器及び電圧制御発振器に内蔵
する圧電振動子の構造図。（ａ）は、図３（ｂ）のＡ−
Ａ断面図。（ｂ）は、側面図。
【図４】本発明の圧電発振器をトランスファーモールド
型にセットした配置図。（ａ）は、平面図。（ｂ）は、
側面図。（ｃ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図５】本発明の圧電発振器の周波数調整工程を示す構
造図。
【図６】本発明の圧電発振器の外観を示す斜視図。
【図７】本発明の圧電発振器の他の実施例を示す回路
図。
【図８】本発明の圧電発振器の周波数調整工程を示す構
造図。
【図９】本発明の圧電発振器の周波数調整に用いる理想
曲線図。
【図１０】本発明の電圧制御発振器の一実施例を示す構
造図。（ａ）は、平面図。（ｂ）は、断面図。
【図１１】本発明の電圧制御発振器の回路構成図。
【図１２】本発明の電圧制御発振器の回路ブロック図。
【図１３】本発明の電圧制御発振器の他の実施例を示す
構造図。
【図１４】本発明の圧電発振器及び電圧制御発振器の他
の実施例を示す構造図。
【図１５】本発明の圧電発振器及び電圧制御発振器に内
蔵する圧電振動子の具体的な構造図。（ａ）は、楕円形
状の実施例。（ｂ）は、トラック形状の実施例。
【図１６】構造解析ソフトウェアによる変形解析結果。
（ａ）は、従来例の変形特性。（ｂ）は、本実施例の変
形特性。
【図１７】本発明の圧電発振器及び電圧制御発振器に用
いているモールド材の特性表。
【図１８】モールド時の注入圧に対する圧電振動子ケー
スの変形（ひずみ）特性を示すグラフ。
【図１９】従来の圧電発振器を示す構造図。（ａ）は、
平面図。（ｂ）は、断面図。
【図２０】従来の電圧制御発振器を示す構造図。（ａ）
は、平面図。（ｂ）は、断面図。
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ アイランド部 ３ ＩＣチップ ４ インナーリード端子 ５ Ａｕワイヤーボンディング線 ６ ＡＴ水晶振動子片 ７ 水晶振動子 ８ リード ９ ＸＧ端子 １０ ＸＲ端子 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ インナーリード端子 １２ａ、１２ｂ マウントエリア １３ 水晶発振器 １４ Ｄ０端子 １５ Ｄ１端子 １６ Ｄ２端子 １７ Ｄ３端子 １８ Ｄ４端子 １９ Ｄ５端子 ２０ Ｄ６端子 ２１ コントロール端子 ２２ ＶＳＳ端子 ２３ ＶＤＤ端子 ２４ ＯＵＴ端子 ２５ ＮＣ／ＯＥ端子 ２６、２７、２８、２９ 支持用リード端子 ３０ 発振回路 ３０ 容量アレイ ３２ レジスタ ３３ ＰＲＯＭ ３４ 制御回路 ３５ 出力バッファ ３６ 気密端子 ３７ インナーリード ３８ ケース ３９ トランスファーモールド型 ４０ ゲート部 ４１ ケース部トップ ４２ 周波数調整機 ４３ ピンプローブ ５１ リードフレーム ５２ アイランド部 ５３ ＩＣチップ ５４ インナーリード端子 ５５ Ａｕワイヤーボンディング線 ５６ ＡＴ水晶振動子片 ５７ 水晶振動子 ５８ リード ５９ ＸＧ端子 ６０ ＸＲ端子 ６１、６２、６５ インナーリード端子 ６３、６４ マウントエリア ６６ 可変容量ダイオード ６７ ランド部 ６８ ＶＳＳ端子 ６９ ＶＤＤ端子 ７０ ＯＵＴ端子 ７１ ＶＣ端子 ７２ 発振回路 ７３ 容量アレイ ７４ レジスタ ７５ ＰＲＯＭ ７６ 制御回路 ７７ 出力バッファ ７８ 内蔵抵抗 ７９ 可変容量ダイオード ８０ ランド部 ８１ ワイヤーボンディング線 ８２ 水晶振動子 ８３ パッケージ本体 ９１、９２ ケース ９３ 短軸方向 ９４ 長軸方向 ９５ 平行部 ９６ 円弧部 １０１ ＩＣチップ １０２ リードフレーム １０３ アイランド部 １０４ Ａｕワイヤーボンディング線 １０５ 入出力用リード端子 １０６ 水晶振動子 １０７ インナーリード １０８ ゲート端子 １０９ ドレイン端子 １１０ 樹脂パッケージ １１１ トランジスター １１２ 可変容量ダイオード １１３ 基板 １１４ ステム １１５ 水晶振動子 １１６ キャン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/02 Ｈ０３Ｈ 9/02 Ｌ (72)発明者 菊島 正幸 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイ コーエプソン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−97109（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−91168（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 301 H01L 23/50 H03B 5/12 H03B 5/32 H03H 9/02

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体集積回路と圧電振動子とを内蔵し
    た圧電発振器において、前記半導体集積回路はリードフ
    レームのアイランド上に搭載され、ワイヤーボンディン
    グにより前記リードフレームのインナーリード端子に電
    気的に配線されており、楕円あるいはトラック形状の断
    面を有する前記圧電振動子は前記半導体集積回路に隣接
    して配置され、前記圧電振動子のリードと前記リードフ
    レームの一部が電気的に接続されており、更に前記半導
    体集積回路に電気的に接続され外部から前記半導体集積
    回路のデータを制御する信号入力用リード端子を前記半
    導体集積回路に対して前記圧電振動子と平行に、かつ前
    記圧電振動子が配置された側の反対側に配置し、前記半
    導体集積回路は前記圧電振動子に対向する辺以外の３辺
    に入出力のパッドが形成され、前記インナーリード端子
    の外方部及び前記信号入力用リード端子を除いて、前記
    半導体集積回路と前記圧電振動子及び前記リードフレー
    ムを樹脂で前記圧電振動子の上側及び下側の樹脂厚が等
    しくなるように一体にモールドし、更に前記信号入力用
    リード端子を用いて信号を入力することにより、発振周
    波数調整を行うことを特徴とする圧電発振器。
  2. 【請求項２】 前記圧電振動子のケース断面の短軸方向
    あるいは平行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚
    く形成されていることを特徴とする請求項１記載の圧電
    発振器。
  3. 【請求項３】 半導体集積回路と圧電振動子とその他の
    電子部品とを内蔵した電圧制御発振器において、 前記半導体集積回路はリードフレームのアイランド上に
    搭載されワイヤーボンディングにより前記リードフレー
    ムのインナーリード端子に電気的に配線されており、楕
    円あるいはトラック形状の断面を有する前記圧電振動子
    は前記半導体集積回路及び前記電子部品に隣接して配置
    され、前記圧電振動子のリードと前記リードフレームの
    一部が電気的に接続されており、更に前記電子部品を前
    記リードフレームに形成されたランド部に搭載し、更に
    前記半導体集積回路に電気的に接続され外部から前記半
    導体集積回路のデータを制御する信号入力用リード端子
    を前記半導体集積回路に対して前記圧電振動子と平行
    に、かつ前記圧電振動子が配置された側の反対側に配置
    し、前記半導体集積回路は前記圧電振動子に対向する 辺
    以外の３辺に入出力のパッドが形成され、前記インナー
    リード端子の外方部及び前記信号入力用リード端子を除
    いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子と前記電子
    部品及び前記リードフレームを樹脂で前記圧電振動子の
    上側及び下側の樹脂厚が等しくなるように一体にモール
    ドし、更に前記信号入力用リード端子を用いて信号を入
    力することにより、発振周波数調整を行うことを特徴と
    する電圧制御発振器。
  4. 【請求項４】 前記圧電振動子のケース断面の短軸方向
    あるいは平行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚
    く形成されていることを特徴とする請求項３記載の電圧
    制御発振器。
  5. 【請求項５】 前記電子部品が可変容量ダイオードであ
    ることを特徴とする請求項３記載の電圧制御発振器。
  6. 【請求項６】 前記半導体集積回路のインバータの入出
    力端子間に、直列に接続した前記圧電振動子と前記可変
    容量ダイオードを有し、前記可変容量ダイオードと前記
    インバータの間に直流カットコンデンサを接続し、前記
    圧電振動子と前記可変容量ダイオードの間と接地間に、
    バイアス抵抗を接続し、かつ前記可変容量ダイオードと
    前記直流カットコンデンサの間から信号を入力すること
    を特徴とする請求項５記載の電圧制御発振器。
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DE69611046T DE69611046T2 (de) 1995-02-15 1996-02-12 Piezoelektrischer Oszillator, spannungsgesteuerter Ozillator, und Herstellungsverfahren derselben
EP96101993A EP0727872B1 (en) 1995-02-15 1996-02-12 Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator, and production method thereof
CN96101425A CN1099754C (zh) 1995-02-15 1996-02-14 压电振荡器和电压控制振荡器及其制造方法
FI960668A FI112559B (fi) 1995-02-15 1996-02-14 Pietsosähköinen oskillaattori, jänniteohjattu oskillaattori, ja niiden valmistusmenetelmä
US08/601,087 US5631609A (en) 1995-02-15 1996-02-14 Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator and production method thereof
US08/785,299 US5745012A (en) 1995-02-15 1997-01-21 Voltage-controlled oscillator having a semiconductor integrated circuit, a piezoelectrics resonator and a diode and variable-capacitance diode

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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5912592A (en) * 1994-07-04 1999-06-15 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator
JP2974622B2 (ja) * 1996-09-20 1999-11-10 松下電器産業株式会社 発振器
US6081164A (en) * 1997-01-09 2000-06-27 Seiko Epson Corporation PLL oscillator package and production method thereof
GB2330711B (en) * 1997-10-21 2000-06-28 Lsi Logic Corp Controllable reactance circuit for an integrated circuit
JP3337970B2 (ja) * 1998-03-06 2002-10-28 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 水晶発振回路および水晶発振用集積回路装置
JP3829525B2 (ja) * 1998-04-02 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 容量アレイユニット及び発振回路
US6590314B1 (en) 1998-08-07 2003-07-08 Seiko Epson Corporation Piezoelectric resonator container, piezoelectric resonator using the same, circuit board mounting piezoelectric resonator thereon, and method for manufacturing piezoelectric resonator
US6268778B1 (en) * 1999-05-03 2001-07-31 Silicon Wave, Inc. Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit
US6211745B1 (en) 1999-05-03 2001-04-03 Silicon Wave, Inc. Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos-field effect transistors
WO2001031774A1 (en) * 1999-10-26 2001-05-03 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for changing crystal oscillator frequency
US6271733B1 (en) * 1999-12-13 2001-08-07 Agere Systems Guardian Corp. Integrated oscillator circuit with a memory based frequency control circuit and associated methods
EP1146640A1 (de) * 2000-04-10 2001-10-17 Infineon Technologies AG Integrierter Hochfrequenzschwingkreis mit Abgleichkondensatoren
JP2002135053A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Murata Mfg Co Ltd 圧電発振器及びその製造方法、及び圧電発振器を用いた電子装置
JP3921362B2 (ja) * 2001-07-30 2007-05-30 日本電波工業株式会社 温度補償水晶発振器
US7098748B2 (en) 2001-09-21 2006-08-29 Schmidt Dominik J Integrated CMOS high precision piezo-electrically driven clock
CN1300812C (zh) * 2001-10-31 2007-02-14 中国科学院上海冶金研究所 一种高容量电化学电容器的制造方法
DE10162912B4 (de) * 2001-12-20 2006-09-28 Infineon Technologies Ag Quarzoszillatorschaltung
US6853261B1 (en) 2002-05-07 2005-02-08 Rfmd Wpan, Inc. Method and apparatus for calibrating voltage-controlled devices
JP3764877B2 (ja) * 2002-10-16 2006-04-12 株式会社日立製作所 レーダ装置
JP4222147B2 (ja) * 2002-10-23 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器
DE10308087A1 (de) * 2003-02-24 2004-09-09 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Schutz vor den Effekten von Kondensatbrücken
JP4314999B2 (ja) 2003-03-13 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器
CN100334803C (zh) * 2003-04-15 2007-08-29 泰艺电子股份有限公司 同步制造多个压电振荡器的方法
US20040246039A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Chi-Ming Hsiao Switched capacitor circuit capable of minimizing clock feedthrough effect in a voltage controlled oscillator circuit
JP3783235B2 (ja) * 2003-06-16 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器
US7015742B2 (en) * 2003-06-20 2006-03-21 Media Tek Inc. Switched capacitor circuit capable of eliminating clock feedthrough by complementary control signals for digital tuning VCO
US7266869B2 (en) * 2003-07-30 2007-09-11 Kyocera Corporation Method for manufacturing a piezoelectric oscillator
KR100756131B1 (ko) * 2003-09-02 2007-09-05 산요덴키가부시키가이샤 회로 장치 및 그 제조 방법
TWI349439B (en) 2004-03-22 2011-09-21 Integrated Device Tech Monolithic clock generator and timing/frequency reference
US7719371B2 (en) 2004-03-22 2010-05-18 Integrated Device Technology, Inc. Spread spectrum clock and reference signal generator
US8095813B2 (en) 2004-03-22 2012-01-10 Integrated Device Technology, Inc Integrated circuit systems having processor-controlled clock signal generators therein that support efficient power management
JP4763477B2 (ja) * 2005-02-25 2011-08-31 セイコーインスツル株式会社 リードフレーム及びそれを用いた表面実装型圧電振動子の製造方法、及び圧電振動子の樹脂モールド構造
US20060267701A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Robert Eilers Method and system for dynamically calculating values for tuning of voltage-controlled crystal oscillators
US20070004362A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Lawrence Der Methods and apparatus to generate small frequency changes
EP1791252A1 (en) * 2005-11-24 2007-05-30 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Oscillator comprising a startup control device
KR20080069262A (ko) * 2005-11-24 2008-07-25 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍) 시동 제어 장치를 구비한 발진기
US20070188053A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Robert Bosch Gmbh Injection molded energy harvesting device
EP2044685A4 (en) * 2006-07-21 2009-08-12 Ecole Technologie Superieure VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR (VCO)
JP5076440B2 (ja) * 2006-10-16 2012-11-21 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5164532B2 (ja) * 2007-11-14 2013-03-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体モジュールおよび撮像装置
US7978017B2 (en) 2007-12-05 2011-07-12 Integrated Device Technology, Inc. Control voltage generator for a clock, frequency reference, and other reference signal generator
US8093958B2 (en) 2007-12-05 2012-01-10 Integrated Device Technology, Inc. Clock, frequency reference, and other reference signal generator with a controlled quality factor
US8134414B2 (en) 2009-04-24 2012-03-13 Integrated Device Technology, Inc. Clock, frequency reference, and other reference signal generator with frequency stability over temperature variation
US9106378B2 (en) * 2009-06-10 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Systems, apparatus and methods for communicating downlink information
US8164159B1 (en) 2009-07-18 2012-04-24 Intergrated Device Technologies, inc. Semiconductor resonators with electromagnetic and environmental shielding and methods of forming same
US9144037B2 (en) * 2009-08-11 2015-09-22 Qualcomm Incorporated Interference mitigation by puncturing transmission of interfering cells
US8724563B2 (en) * 2009-08-24 2014-05-13 Qualcomm Incorporated Method and apparatus that facilitates detecting system information blocks in a heterogeneous network
US9277566B2 (en) 2009-09-14 2016-03-01 Qualcomm Incorporated Cross-subframe control channel design
JP4998620B2 (ja) 2009-09-14 2012-08-15 株式会社村田製作所 圧電振動装置の製造方法
US8942192B2 (en) 2009-09-15 2015-01-27 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for subframe interlacing in heterogeneous networks
US9226288B2 (en) 2010-04-13 2015-12-29 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for supporting communications in a heterogeneous network
US9125072B2 (en) 2010-04-13 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Heterogeneous network (HetNet) user equipment (UE) radio resource management (RRM) measurements
US9271167B2 (en) 2010-04-13 2016-02-23 Qualcomm Incorporated Determination of radio link failure with enhanced interference coordination and cancellation
US9392608B2 (en) 2010-04-13 2016-07-12 Qualcomm Incorporated Resource partitioning information for enhanced interference coordination
CN102332891A (zh) * 2010-07-14 2012-01-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有可调频功能的晶振电路
US8886190B2 (en) 2010-10-08 2014-11-11 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for measuring cells in the presence of interference
TWI420810B (zh) 2010-12-17 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 石英振盪器及其製造方法
US8638131B2 (en) * 2011-02-23 2014-01-28 Qualcomm Incorporated Dynamic feedback-controlled output driver with minimum slew rate variation from process, temperature and supply
CN103166674A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 无锡国科微纳传感网科技有限公司 一种信号频率的校正方法和装置
JP6129671B2 (ja) * 2013-07-19 2017-05-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US10069502B2 (en) * 2014-07-31 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Method for PPL and CDR designs for achieving specific bandwidth and phase margin requirements
JP6910134B2 (ja) * 2016-11-30 2021-07-28 京セラ株式会社 圧電振動素子及び圧電振動デバイス
US10291180B2 (en) * 2017-10-06 2019-05-14 Realtek Semiconductor Corp. Crystal oscillator circuit and method thereof
TWI662683B (zh) * 2017-11-14 2019-06-11 矽萊克電子股份有限公司 電晶體之串聯裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6119204A (ja) * 1984-07-05 1986-01-28 Matsushima Kogyo Co Ltd 水晶発振器
US5592130A (en) * 1987-02-27 1997-01-07 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator including a piezoelectric resonator with outer lead
US5392006A (en) * 1987-02-27 1995-02-21 Seiko Epson Corporation Pressure seal type piezoelectric resonator
JPS63232603A (ja) * 1987-03-20 1988-09-28 Nec Corp 温度補償型圧電発振器
US4916413A (en) * 1987-11-20 1990-04-10 Matsushima Kogyo Kabushiki Kaisha Package for piezo-oscillator
US4827226A (en) * 1988-05-31 1989-05-02 Motorola, Inc. Fully integrated, adjustable oscillator for use with a crystal
US5030926A (en) * 1990-07-10 1991-07-09 At&T Bell Laboratories Voltage controlled balanced crystal oscillator circuit
JP3099382B2 (ja) * 1991-02-14 2000-10-16 セイコーエプソン株式会社 小型発振器
JP3178068B2 (ja) * 1991-05-31 2001-06-18 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器
JP3079786B2 (ja) * 1991-10-21 2000-08-21 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器、及びこれを用いたリアルタイムクロック、ｐｌｌ発振器
US5229640A (en) * 1992-09-01 1993-07-20 Avx Corporation Surface mountable clock oscillator module
JPH0799413A (ja) * 1993-01-22 1995-04-11 Citizen Watch Co Ltd 水晶発振器およびその製造方法ならびに発振周波数調整方法

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