JP3421747B2 - 圧電発振器及び電圧制御発振器 - Google Patents
圧電発振器及び電圧制御発振器Info
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Description
圧電振動子とを内蔵した圧電発振器、及び半導体集積回
路と圧電振動子とその他の電子部品とを内蔵した電圧制
御発振器、並びにその製造方法に関する。
イブ)あるいは携帯用のコンピュータ等の小型の情報機
器や、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器におい
て装置の小型軽量化がめざましく、それらに用いられる
圧電発振器及び電圧制御発振器も小型薄型化が要求され
ている。またそれとともに、装置の回路基板に両面実装
が可能な表面実装(SMD)タイプが求められている。
振器の一例を、圧電振動子に水晶振動子を用いた図19
(a)、19(b)の構造図で示される水晶発振器、及
び図20(a)、20(b)の構造図で示される電圧制
御発振器(VCXO)を用いて説明する。
振器の構成において、CMOSタイプ等のICチップ1
01は、リードフレーム102の一部であるアイランド
部103に導電性接着剤等により接着固定され、Auワ
イヤーボンディング線104により入出力用リード端子
105に電気的に接続されている。また断面が約φ3m
mのシリンダー形のケースに水晶振動子片を内蔵した水
晶振動子106は、インナーリード107に固定され、
ICチップ101のゲート端子108、及びドレイン端
子109に電気的に接続されている。そしてICチップ
101、水晶振動子106、入出力用リード端子105
の一部を含んでトランスファーモールド方法等によりエ
ポキシ系の樹脂モールド材により封止され、水晶発振器
の樹脂パッケージ110が形成されている。
従来の電圧制御発振器の構成は、トランジスター111
や可変容量ダイオード112等の回路部品を搭載した基
板113を、メタルキャンパッケージのステム114に
半田等で接続固定し、更に水晶振動子115を基板11
3に接続固定する。そしてキャン116を抵抗溶接等で
気密封止したディスクリートタイプが一般的である。ま
た、移動体通信機器等の装置に内蔵される回路基板への
実装後、周波数調整が行えるように基板113にトリマ
ーコンデンサー等を実装し、キャン116に調整用の穴
を設けたタイプも広く使用されている。
発振器及び電圧制御発振器は、シリンダーケースの直径
が約φ3mmの圧電振動子を内蔵しており、そのため圧
電発振器及び電圧制御発振器の高さは約4.5mm〜7
mm以上、かつその容積は全体で約0.5cc〜1.0
ccと大型であり、HDD、携帯用のコンピュータ、携
帯電話や自動車電話等の比較的小型の電子機器への搭載
が、その実装面積や使用する部品高さの制限等により非
常に困難になっている。
及び電圧制御発振器を薄型化するには、内蔵する圧電振
動子の厚みを薄くすればよく、それには次の2つの技術
が考えられる。
リンクして、シリンダータイプの圧電振動子の直径を小
さくする方法である。これは、仮に圧電振動子の直径を
約φ1.5mmまで小さくしたときの圧電振動子片の断
面サイズを求めると、そのサイズは、0.5〜0.7
(W)×5.6(L)mmとなる。これを従来の約φ3
mmの圧電振動子ケースに内蔵している圧電振動子片と
比較すると、従来のサイズは1.8〜2.0(W)×
5.6(L)mmである。しかしながら水晶等の圧電振
動子片を、このように小型化して、かつ特性を維持する
ためには高精度な設計や加工技術が必要であり、現状に
おいてはコストアップとなりあまり実用的ではない。
電振動子を断面が楕円あるいは、トラック形状(長円
形)の形状に構成することにより、薄型化する方法であ
る。この方法によれば、内蔵する圧電振動子片のサイズ
は従来のサイズがそのまま使用できる。従って圧電振動
子片は従来のコストで製造ができるという利点を有して
いる。
した例は、特開平4−259104号公報に詳しく、そ
れには断面の一面に平面部を有する圧電振動子を用いた
小型発振器が述べられている。
を樹脂でモールドする工程において、モールド材注入時
に内蔵する半導体集積回路や圧電振動子等には均一な注
入圧が加わる。
造を有し、その内部に圧電振動子片を内蔵している。こ
のためケース全体がモールド時の注入圧により変形しな
い構造を有していなければならない。それは、ケースの
変形による圧電振動子片とケース内面の接触の防止や、
ケースの変形により発生した応力による、内部の圧電振
動子片の歪や、マウント部等の歪の発生を防止するため
である。
ても異なり、円筒形(従来のシリンダータイプ)に比べ
て、断面が楕円あるいはトラック形状の圧電振動子は、
構造解析ソフトウェア等を用いて解析すると、モールド
時の注入圧のような均一な圧力に対する変形解析結果は
一様ではなく、楕円における短軸方向あるいはトラック
形状の平行部(直線部)付近に大きな変形が生じること
がわかっている。そして実際のモールド実験でもそれを
裏付ける結果が出ている。
する場合に、圧電振動子を配置する場所によって、モー
ルド成形時の収縮によってケースの変形が異なるため、
その位置についても最適な配置や構成を考えなくてはな
らない。それは、モールド成形時にモールド材の収縮に
よる熱応力が発生し、その熱応力値は圧電発振器及び電
圧制御発振器のパッケージの各々の場所により異なるか
らである。
によると、断面の一面に平面部を有する圧電振動子の平
面部にICが固定され、その圧電振動子及びICを圧電
発振器のほぼ中央に配置して、樹脂でモールド成形され
ている。
が固定されるためには、ICの面積以上の平面部を有し
ていなければならず、ICが大きくなればそれに合わせ
て平面部を広くしなくてはならない。即ち圧電振動子の
平面部が広くなるということは、トラック形状の平行部
が長くなることであり、前記モールド注入時に圧電振動
子への圧力が大きくなり、ケースの変形がより大きくな
るという課題が発生する。
ド肉厚が厚くなるため、成形時の熱応力による圧電振動
子の変形が反対側(ICの固定されない側)より大きく
なるという課題も有している。
るいは、トラック形状の形状にして圧電発振器及び電圧
制御発振器を薄型化するには、圧電振動子の断面形状及
び圧電振動子を内蔵する位置等についてその最適な構成
を提供しなければならない。
振器についても発振周波数の高精度化が要求されてい
る。この発振周波数の調整が高精度にかつ簡単に行える
構成についても本発明において提供する。
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の高精度の圧電発振器及び電圧制御
発振器を安価に提供することである。
半導体集積回路と圧電振動子とを内蔵した圧電発振器に
おいて、前記半導体集積回路はリードフレームのアイラ
ンド上に搭載され、ワイヤーボンディングにより前記リ
ードフレームのインナーリード端子に電気的に配線され
ており、楕円あるいはトラック形状の断面を有する前記
圧電振動子は前記半導体集積回路に隣接して配置され、
前記圧電振動子のリードと前記リードフレームの一部が
電気的に接続されており、更に前記半導体集積回路に電
気的に接続され外部から前記半導体集積回路のデータを
制御する信号入力用リード端子を前記半導体集積回路に
対して前記圧電振動子と平行に、かつ前記圧電振動子が
配置された側の反対側に配置し、前記半導体集積回路は
前記圧電振動子に対向する辺以外の3辺に入出力のパッ
ドが形成され、前記インナーリード端子の外方部及び前
記信号入力用リード端子を除いて、前記半導体集積回路
と前記圧電振動子及び前記リードフレームを樹脂で前記
圧電振動子の上側及び下側の樹脂厚が等しくなるように
一体にモールドし、更に前記信号入力用リード端子を用
いて信号を入力することにより、発振周波数調整を行う
ことを特徴とする。
て、前記圧電振動子のケース断面の短軸方向あるいは平
行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚く形成され
ていることを特徴とする。
圧電振動子とその他の電子部品とを内蔵した電圧制御発
振器において、前記半導体集積回路はリードフレームの
アイランド上に搭載されワイヤーボンディングにより前
記リードフレームのインナーリード端子に電気的に配線
されており、楕円あるいはトラック形状の断面を有する
前記圧電振動子は前記半導体集積回路及び前記電子部品
に隣接して配置され、前記圧電振動子のリードと前記リ
ードフレームの一部が電気的に接続されており、更に前
記電子部品を前記リードフレームに形成されたランド部
に搭載し、更に前記半導体集積回路に電気的に接続され
外部から前記半導体集積回路のデータを制御する信号入
力用リード端子を前記半導体集積回路に対して前記圧電
振動子と平行に、かつ前記圧電振動子が配置された側の
反対側に配置し、前記半導体集積回路は前記圧電振動子
に対向する辺以外の3辺に入出力のパッドが形成され、
前記インナーリード端子の外方部及び前記信号入力用リ
ード端子を除いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動
子と前記電子部品及び前記リードフレームを樹脂で前記
圧電振動子の上側及び下側の樹脂厚が等しくなるように
一体にモールドし、更に前記信号入力用リード端子を用
いて信号を入力することにより、発振周波数調整を行う
ことを特徴とする。
て、前記圧電振動子のケース断面の短軸方向あるいは平
行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚く形成され
ていることを特徴とすることを特徴とする。
て、前記電子部品が可変容量ダイオードであることを特
徴とする。
て、前記半導体集積回路のインバータの入出力端子間
に、直列に接続した前記圧電振動子と前記可変容量ダイ
オードを有し、前記可変容量ダイオードと前記インバー
タの間に直流カットコンデンサを接続し、前記圧電振動
子と前記可変容量ダイオードの間と接地間に、バイアス
抵抗を接続し、かつ前記可変容量ダイオードと前記直流
カットコンデンサの間から信号を入力することを特徴と
する。
発振器の実施の一形態を、圧電振動子に水晶振動子を用
いたSOJ(Small Outline J−Lea
d Packages)形状の樹脂パッケージの水晶発
振器、及び電圧制御発振器を例として、図面に基づいて
説明する。但し、本発明の水晶発振器、及び電圧制御発
振器の構成については、共通する項目が多く、その共通
する項目については水晶発振器の項で詳細に説明し、重
複するのを避ける。
は、請求項1記載の発明に係る水晶発振器の構造図、回
路構成図及び製造方法を示す配置図、及び水晶発振器に
用いる水晶振動子の構造図等である。
図に示すように、42%Ni58%Feからなる42A
lloy、あるいはCu合金系等の高導電性金属材料か
らなるリードフレーム1のアイランド部2に、発振回路
を有するCMOSタイプの半導体集積回路(ICチッ
プ:以下ICチップと記す)3が、導電性接着剤等によ
りダイボンディングされており、ICチップ3のパッド
とアイランド部2の周囲を取り囲むインナーリード端子
4とが、Auワイヤーボンディング線5により電気的に
接続されている。矩形状のAT水晶振動子片6を内蔵す
る水晶振動子7は、そのリード8をICチップ3の水晶
振動子7を発振させるためのXG端子(ゲート側)9、
及びXR端子(ドレイン側)10に、Auワイヤーボン
ディング線5により電気的に接続されたインナーリード
端子11a、11bの途中のマウントエリア12a、1
2bに抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶接等で固定
され、同時に電気的に接続されている。
b、11cを横断してマウントエリア12a、12bに
接続するため、図1(b)に示すように折り曲げ加工さ
れており、更にリード8はマウントエリア12a、12
bをオーバーハングするように、リード8の長さを調節
して切断加工されている。このように加工された水晶振
動子7はICチップ3に隣接してリードフレーム1に位
置決めされている。
くなるように、水晶振動子7の位置を決定している。本
実施例では、上下の樹脂厚が約0.2mmとなるように
構成されている。
するための信号入力用リード端子(それぞれD0端子1
4、D1端子15、D2端子16、D3端子17、D4
端子18、D5端子19、D6端子20及びコントロー
ル端子21)が、水晶発振器13の長手方向の側面(長
辺側)に構成されている。このように信号入力用リード
端子は、水晶発振器13の構成において、ICチップ3
に対して水晶振動子7と平行に、かつ水晶振動子7とは
反対側に配置されている。
3、OUT端子24、NC/OE端子25の入出力用の
各端子が配置されている。
を支持するための支持用リード端子26、27、28、
29がリードフレーム1に設けられている。
に、ICチップ3は内部に発振回路30、容量アレイ3
1、レジスタ32、PROM33、制御回路34及び出
力バッファ35等を搭載し、周波数調整データ及び分周
設定データ等を外部から入力しプログラミングして、容
量アレイ31を制御することにより、XG端子9の容量
値を変化させ、OUT端子24からの水晶発振における
発振周波数を調整する機能を有するワンチップ化された
半導体素子である。
抗、CMOSインバータ、ゲート及びドレインの各容量
から構成される回路であり、容量アレイ31はゲート容
量に付属した周波数調整用の7つの容量で構成されてい
る。またレジスタ32は発振周波数の調整工程におい
て、外部からのプログラミングにより入力した周波数調
整データを記録する機能を有し、PROM33は、その
周波数調整したデータを書き込み保存する。更に制御回
路34は、PROM33またはレジスタ32に設定した
周波数調整データで容量アレイ31を制御する回路であ
り、出力バッファ35は、発振回路30からの発振信号
を増幅する機能を有している。
Cチップ3の各パッドは、図1(a)に示すように、水
晶振動子7に対向する辺以外の残りの3辺にのみ形成さ
れており、各パッドはインナーリード端子4にAuワイ
ヤーボンディング線5により電気的に接続されている。
面図)及び図3(b)に示すように、本発明の水晶振動
子7の形状は断面がトラック形状(長円形)を有してお
り、その構成は気密端子36のインナーリード37に、
矩形状のAT水晶振動子片6がマウントされ、ケース3
8により封止されている。ここでAT水晶振動子片6
は、従来と同じサイズが用いられている。このように気
密端子36及びケース38をトラック形状に形成するこ
とにより、従来と同じサイズのAT水晶振動子片6を内
蔵することができ、水晶振動子7のサイズは厚みが約
1.5mmと非常に薄型化されている。また水晶振動子
7の断面形状はトラック形状に限らず楕円等でもよい。
の側面図、及び図4(c)の断面図(図4(a)のA−
A断面)に示すように、上記のように構成されたリード
フレーム1をトランスファーモールド型39にセット
し、インナーリード端子4及び信号入力用リード端子
(それぞれD0端子14、D1端子15、D2端子1
6、D3端子17、D4端子18、D5端子19、D6
端子20及びコントロール端子21)の外方部を残して
トランスファーモールドにより、水晶発振器13に樹脂
モールドする。ここで、本実施例では、モールド材注入
用のゲート部40は、水晶発振器13の短辺側に配置さ
れており、水晶振動子7のケース部トップ41にモール
ド材を衝突させることにより、モールド材注入時のモー
ルド材の流れを均一化させている。
出力用の各端子及び信号入力用リード端子(それぞれD
0端子14、D1端子15、D2端子16、D3端子1
7、D4端子18、D5端子19、D6端子20及びコ
ントロール端子21)等をつなぐタイバー等を切断除去
(トリミング)する。そしてリードフレーム1に複数個
(本実施例の場合は10個)連結した状態の、図5に示
す構造を有する水晶発振器13が得られる。この状態に
おいて水晶発振器13は支持用リード端子26、27、
28、29によりリードフレーム1に連結されている。
ここで支持用リード端子26、27、28、29は、そ
れぞれ独立しており、他の入出力用の端子及び信号入力
用リード端子とは接続していない。
時に用いられるピンプローブ等の接触位置を示してい
る。このように水晶発振器13が支持されているため、
リードフレーム1に複数個を連結した状態で周波数調整
加工が可能となる。また複数個を同時に周波数調整する
ことも可能である。従って周波数調整工程がインライン
化でき、安価な水晶発振器の製造が可能となる。
3をリードフレーム1から切断分離する。この切断分離
の工程では、まずVSS端子22、VDD端子23、O
UT端子24、NC/OE端子25の入出力用の各端子
をJベンド加工し、信号入力用リード端子(それぞれD
0端子14、D1端子15、D2端子16、D3端子1
7、D4端子18、D5端子19、D6端子20及びコ
ントロール端子21)を切断し、最後に支持用リード端
子26、27、28、29とリードフレーム1をつなぐ
部分を切断することにより、水晶発振器13が分離され
図6に示すSOJタイプの水晶発振器が得られる。
高さは約2.0〜2.2mmかつその容積は約0.2c
cとなり、小型で薄型の水晶発振器が得られる。
子の周囲の樹脂の厚みが均一となり、モールド時のモー
ルド材の充填度が向上し、パッケージクラック等のない
信頼性の高い水晶発振器が得られる。
調整可能な高精度な水晶発振器であるが、図7に示すよ
うな発振回路のみを有する汎用CMOS回路の水晶発振
器についても、同様な構成が可能である。
発振器の発振周波数の調整方法について詳しく説明す
る。 図8に示すように、リードフレーム1に複数個の
水晶発振器13を連結した状態で、周波数調整機42に
セットし以下の手順で発振周波数を自動で調整する。
ーブ43等を水晶発振器13の各端子に接触させる。そ
してVDD端子23、VSS端子22に電圧を印加して
内蔵している水晶振動子7を発振させる。ここで図9に
示す理想曲線におけるMINデータを周波数調整機42
のカウンターに入力する。次に水晶発振器13のコント
ロール端子21を”H”レベルにセットし、NC/OE
端子25を”L”レベルにセットする。この時容量アレ
イ31はPROM33からレジスタ32に切り替わり、
レジスタ32が動作状態になる。そしてNC/OE端子
25よりN発のパルスを入力する。この操作によりレジ
スタ32にデータNが設定される。そしてOUT端子2
4より出力される発振周波数(F1)をモニターする。
この発振周波数(F1)が図9に示すターゲット周波数
(F0)と合えば、周波数調整が完了したことになり、
まだ周波数が異なる場合は、前記の操作を繰り返し行う
ことになる。
データをPROM33に書き込むことにより、発振周波
数の周波数調整結果が保存される。即ちバイナリー形式
で示したデータをD0端子14〜D6端子20に対応さ
せ、データ0となる端子のPROM33に構成されたヒ
ューズを切断することにより、データの書き込みを行
う。尚ヒューズの切断は、VDD端子23=GNDに対
し、該当端子に書き込み電圧を印加して行う。
り、ここでピンプローブ43を接触させる方向は、本実
施例に限らずどの方向からでも良い。また圧電発振器の
周波数調整機42へのセット方向はパッケージ裏表どち
らでも良い。
り、その順序については特に規定しない。
発明に係る電圧制御発振器の構造図、回路構成図及びブ
ロック図である。
断面図に示すように、42%Ni58%Feからなる4
2Alloy、あるいはCu合金系等の高導電性材料か
らなるリードフレーム51のアイランド部52に、CM
OSタイプのICチップ53が導電性接着剤等によりダ
イボンディングされており、ICチップ53のパッドと
アイランド部52の周囲を取り囲むインナーリード端子
54とがAuワイヤーボンディング線55により電気的
に接続されている。矩形状のAT水晶振動子片56を内
蔵する水晶振動子57は、そのリード58をICチップ
53の水晶振動子57を発振させるためのXG端子(ゲ
ート側)59、及びXR端子(ドレイン側)60に、A
uワイヤーボンディング線55により電気的に接続され
たインナーリード端子61、62の、途中のマウントエ
リア63、64に抵抗スポット溶接あるいはレーザー溶
接等で固定され、同時に電気的に接続されている。
ンナーリード端子60、65を横断してマウントエリア
63、64に接続するため、図10(b)に示すように
折り曲げ加工されており、更にリード58はマウントエ
リア63、64をオーバーハングするように、リード5
8の長さを調節して切断加工されている。このように加
工された水晶振動子57はリードフレーム51に位置決
めされている。
は、水晶発振器の項で示した図3の水晶振動子7と同様
であり、断面がトラック形状(長円形)を有しており、
その構成は気密端子のインナーリードに矩形状のAT水
晶振動子片がマウントされ、ケースにより封止されてい
る。このように水晶振動子57のサイズは、厚みが約
1.5mmと非常に薄型化されている。
ダイオード66等の電子部品は、図10(a)に示すよ
うに、リードフレーム51のランド部67に配置され、
抵抗スポット溶接あるいはレーザ溶接または半田、導電
性接着剤等で接続固定されている。
容量ダイオード66の接続位置は、同一の直線上にあ
り、例えば製造工程において溶接ヘッドの移動等の加工
時間の短縮等が可能となるなど、二つの異なる部品の接
続固定が簡単に行える構造となっている。
路は、図11に示すように、インバータと帰還抵抗と発
振用のコンデンサ等を有している。そして、インバータ
の入出力端子間に水晶振動子57と可変容量ダイオード
66を直列に接続している。また、可変容量ダイオード
66とインバータの間に直流カットコンデンサを接続し
ており、圧電振動子57と可変容量ダイオード66の間
と接地間にバイアス抵抗を接続している。そして更に、
可変容量ダイオード66と直流カットコンデンサの間か
ら、制御電圧あるいは変調信号を入力して可変容量ダイ
オード66の静電容量を変化させ、発振周波数を可変し
ている。
うに、信号入力用リード端子及び支持用リード端子が、
それぞれ同様に配置されている。
9、OUT端子70、VC端子71の入出力端子が配置
されている。
ように、ICチップ53は内部に発振回路72、容量ア
レイ73、レジスタ74、PROM75、制御回路76
及び出力バッファ77等を搭載し、周波数調整データ及
び分周設定データ等を外部から入力しプログラミングし
て、容量アレイ73を制御することにより、XG端子5
9の容量値を変化させ、OUT端子70からの水晶発振
における発振周波数を調整する機能を有するワンチップ
化された半導体素子である。
8を形成している。この内蔵抵抗78は、VC端子71
の入力抵抗であり、これは水晶振動子57と可変容量ダ
イオード66に接続されている。
レームをトランスファーモールド型にセットし、インナ
ーリード端子54及び信号入力用リード端子の外方部を
残してトランスファーモールドにより、電圧制御発振器
に樹脂モールドする。
振器と同様である。但し水晶発振器では、NC/OE端
子を用いたが、電圧制御発振器では、VC端子71を用
いて調整を行う点が異なっている。
実施例であり、チップ形状の可変容量ダイオード79を
用いたタイプの電圧制御発振器である。可変容量ダイオ
ード79をランド部80に導電性接着剤等で固定し、ワ
イヤーボンディング金線81で配線している。
器の高さは約2.0〜2.2mmかつその容積は約0.
2ccとなり、小型で薄型の電圧制御発振器が得られ
る。
子の周囲の樹脂の厚みが均一となり、モールド時のモー
ルド材の充填度が向上し、パッケージクラック等のない
信頼性の高い電圧制御発振器が得られる。
C端子の電位を1.2V〜1.8Vに可変することによ
り、発振周波数が中心周波数に対してプラスマイナス2
0ppmの変化をすることが可能である。
(長円形)の水晶振動子82を、パッケージ本体83の
外部に露出した構造を有する水晶発振器および電圧制御
発振器である。
電圧制御発振器は更に薄型になり、その高さは内蔵する
水晶振動子の厚みと等しく約1.5mmとなる。
気に触れるため、放熱効果が向上しICチップに発生す
る熱が水晶振動子内部に伝導するのを防止している。
に係わる、水晶振動子のケースの具体的な実施例であ
る。図15(a)は水晶振動子のケース91の断面が楕
円の形状を有する実施例であり、図15(b)は水晶振
動子のケース92の断面がトラック形状を有する実施例
である。
は一様ではなく、楕円の短軸方向93が長軸方向94に
比較して約1.5〜2倍の厚みを有している。本実施例
では短軸方向93の厚みは0.15mmから0.2mm
程度で設計されており、また長軸方向94の厚みは約
0.1mmで設計されている。そして短軸方向93と長
軸方向94は連続した曲面でつながれている。
92の肉厚は一様ではなく、トラック形状の平行部95
が円弧部96に比較して約1.5〜2倍の厚みを有して
いる。この場合も同様に平行部95の厚みは0.15m
mから0.2mm程度で設計されており、また円弧部9
6の厚みは約0.1mmで設計されている。そして平行
部95と円弧部96は連続した曲面でつながれている。
脂モールド時の注入圧により変形する部分のみを厚くす
ることにより、構造力学上充分な強度が確保でき、必要
最低限の大きさの圧電振動子が提供できる。またケース
を成形するのに必要な材料についても最小限の材料にす
ることができ安価にケースを加工することができる。
アを用いて変形解析した結果は、ケースの変形が従来例
に比べて約1/4以下となる。図16はトラック形状を
有するケース92の構造解析の結果である。この解析
は、ケース外面に均一な圧力を印加した時のケースの変
形の状態を解析している。図16(a)は従来例の変形
状態であり、図16(b)は本実施例の変形状態を示し
ている。
楕円の短軸方向93あるいはトラック形状の平行部95
の変形を抑えることができ、信頼性の高い圧電発振器お
よび電圧制御発振器を提供できる。
振器に用いているモールド材の特性表である。本実施例
で用いているタイプのモールド樹脂は、240℃〜26
0℃程度の高熱時の曲げ強度が約2.5Kg/mm2で
あり、従来のタイプのモールド樹脂の高熱時の曲げ強度
は約1.2Kg〜1.5Kg/mm2である。このよう
に曲げ強度の高いモールド材を用いることにより、圧電
発振器及び電圧制御発振器を基板等に実装する際のリフ
ローストレスに対し効果がある。特に本実施例の圧電振
動子の形状が楕円やトラック形状のように、圧電振動子
ケースに対する樹脂の密着面積が大きい場合には、リフ
ロー時にケース界面での剥離やパッケージクラックが発
生しやすく、これを防止するため、曲げ強度が高いモー
ルド材を用いている。
る水晶振動子のケースの変形をプロットしたグラフであ
る。このグラフは一般的な圧縮応力(注入圧)とひずみ
線図であり、図18の弾性変形領域(弾性限度内)では
ケースが、モールド注入時に変形を起こしてもモールド
が完了すれば変形が元に戻る。ところがこの弾性変形領
域を越えてケースが塑性変形するような力が加わると変
形は元に戻らない。本実施例ではモールドに使用するト
ランスファーモールドマシン及びモールド型等の条件に
より、弾性変形領域内でモールドできる注入圧を決定し
ている。一例を示すとその値は、トランスファーモール
ドマシンのラム部で約18Kg/cm2の圧力になるよ
うに設定している。また本実施例ではケース材料はFe
−Ni系の42alloy材を用いており、この材料に
対する応力と歪みの関係から最適なモールド注入圧を決
定している。
ールドすることにより、永久ひずみであるケースの塑性
変形が防止できる。
御発振器の形状がSOJ形状のパッケージについて説明
しているが、パッケージ形状はこの他にSOP(Sma
llOutline Packages)等でも良い。
いはトラック形状の断面を有する圧電振動子を、半導体
集積回路に隣接してリードフレームに実装し樹脂でモー
ルドすることにより、必要最低限のスペースで圧電発振
器を構成でき、表面実装タイプで小型薄型の圧電発振器
を構成することが可能となる。また圧電振動子の周囲の
樹脂の厚みが均一となるため、モールド時のモールド材
の充填が均一に行え、パッケージクラック等の発生しな
い信頼性の高い圧電発振器が得られるという効果を有す
る。
のケース構造を楕円の場合は短軸方向の厚みを長軸方向
の厚みより厚く設定し、またトラック形状の場合は平行
部の厚みを円弧部の厚みより厚く設定することにより、
従来に比較してケースの変形を格段に抑えることができ
る。また圧電振動子のケース内部への影響がない品質の
高いモールド加工ができ、歩留まりのよい圧電発振器が
提供できるという効果を有する。
はトラック形状の断面を有する圧電振動子を、半導体集
積回路及び電子部品に隣接してリードフレームに実装し
樹脂でモールドすることにより、表面実装タイプでかつ
小型薄型の電圧制御発振器が得られるという効果を有す
る。また圧電振動子の周囲の樹脂の厚みが均一となるた
め、モールド時のモールド材の充填が均一に行え、パッ
ケージクラック等の発生しない信頼性の高い電圧制御発
振器が得られるという効果を有する。
のケース構造を楕円の場合は短軸方向の厚みを長軸方向
の厚みより厚く設定し、またトラック形状の場合は平行
部の厚みを円弧部の厚みより厚く設定することにより、
従来に比較してケースの変形を格段に抑えることができ
る。また圧電振動子のケース内部への影響がない品質の
高いモールド加工ができ、歩留まりのよい電圧制御発振
器が提供できるという効果を有する。
可変容量ダイオードを用いることにより、小型薄型で精
度及び信頼性の高い電圧制御発振器を安価に提供でき
る。
回路のインバータの入出力端子間に、直列に接続した圧
電振動子と可変容量ダイオードを有し、可変容量ダイオ
ードとインバータの間に直流カットコンデンサを接続
し、圧電振動子と可変容量ダイオードの間と接地間に、
バイアス抵抗を接続し、かつ可変容量ダイオードと直流
カットコンデンサの間から信号を入力することにより、
電圧制御発振器の発振周波数の可変幅を従来に比べ大き
くとれるという効果を有する。この可変幅が大きくとれ
る理由は、可変容量ダイオードの端子間の位相差が関係
している。
(a)は、平面図。(b)は、断面図。
する圧電振動子の構造図。(a)は、図3(b)のA−
A断面図。(b)は、側面図。
型にセットした配置図。(a)は、平面図。(b)は、
側面図。(c)は、図4(a)のA−A断面図。
造図。
図。
造図。
曲線図。
造図。(a)は、平面図。(b)は、断面図。
構造図。
の実施例を示す構造図。
蔵する圧電振動子の具体的な構造図。(a)は、楕円形
状の実施例。(b)は、トラック形状の実施例。
(a)は、従来例の変形特性。(b)は、本実施例の変
形特性。
いているモールド材の特性表。
スの変形(ひずみ)特性を示すグラフ。
平面図。(b)は、断面図。
は、平面図。(b)は、断面図。
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体集積回路と圧電振動子とを内蔵し
た圧電発振器において、前記半導体集積回路はリードフ
レームのアイランド上に搭載され、ワイヤーボンディン
グにより前記リードフレームのインナーリード端子に電
気的に配線されており、楕円あるいはトラック形状の断
面を有する前記圧電振動子は前記半導体集積回路に隣接
して配置され、前記圧電振動子のリードと前記リードフ
レームの一部が電気的に接続されており、更に前記半導
体集積回路に電気的に接続され外部から前記半導体集積
回路のデータを制御する信号入力用リード端子を前記半
導体集積回路に対して前記圧電振動子と平行に、かつ前
記圧電振動子が配置された側の反対側に配置し、前記半
導体集積回路は前記圧電振動子に対向する辺以外の3辺
に入出力のパッドが形成され、前記インナーリード端子
の外方部及び前記信号入力用リード端子を除いて、前記
半導体集積回路と前記圧電振動子及び前記リードフレー
ムを樹脂で前記圧電振動子の上側及び下側の樹脂厚が等
しくなるように一体にモールドし、更に前記信号入力用
リード端子を用いて信号を入力することにより、発振周
波数調整を行うことを特徴とする圧電発振器。 - 【請求項2】 前記圧電振動子のケース断面の短軸方向
あるいは平行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚
く形成されていることを特徴とする請求項1記載の圧電
発振器。 - 【請求項3】 半導体集積回路と圧電振動子とその他の
電子部品とを内蔵した電圧制御発振器において、 前記半導体集積回路はリードフレームのアイランド上に
搭載されワイヤーボンディングにより前記リードフレー
ムのインナーリード端子に電気的に配線されており、楕
円あるいはトラック形状の断面を有する前記圧電振動子
は前記半導体集積回路及び前記電子部品に隣接して配置
され、前記圧電振動子のリードと前記リードフレームの
一部が電気的に接続されており、更に前記電子部品を前
記リードフレームに形成されたランド部に搭載し、更に
前記半導体集積回路に電気的に接続され外部から前記半
導体集積回路のデータを制御する信号入力用リード端子
を前記半導体集積回路に対して前記圧電振動子と平行
に、かつ前記圧電振動子が配置された側の反対側に配置
し、前記半導体集積回路は前記圧電振動子に対向する 辺
以外の3辺に入出力のパッドが形成され、前記インナー
リード端子の外方部及び前記信号入力用リード端子を除
いて、前記半導体集積回路と前記圧電振動子と前記電子
部品及び前記リードフレームを樹脂で前記圧電振動子の
上側及び下側の樹脂厚が等しくなるように一体にモール
ドし、更に前記信号入力用リード端子を用いて信号を入
力することにより、発振周波数調整を行うことを特徴と
する電圧制御発振器。 - 【請求項4】 前記圧電振動子のケース断面の短軸方向
あるいは平行部が、前記ケース断面の他の部分に対し厚
く形成されていることを特徴とする請求項3記載の電圧
制御発振器。 - 【請求項5】 前記電子部品が可変容量ダイオードであ
ることを特徴とする請求項3記載の電圧制御発振器。 - 【請求項6】 前記半導体集積回路のインバータの入出
力端子間に、直列に接続した前記圧電振動子と前記可変
容量ダイオードを有し、前記可変容量ダイオードと前記
インバータの間に直流カットコンデンサを接続し、前記
圧電振動子と前記可変容量ダイオードの間と接地間に、
バイアス抵抗を接続し、かつ前記可変容量ダイオードと
前記直流カットコンデンサの間から信号を入力すること
を特徴とする請求項5記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00269396A JP3421747B2 (ja) | 1995-02-15 | 1996-01-10 | 圧電発振器及び電圧制御発振器 |
DE69611046T DE69611046T2 (de) | 1995-02-15 | 1996-02-12 | Piezoelektrischer Oszillator, spannungsgesteuerter Ozillator, und Herstellungsverfahren derselben |
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US5912592A (en) * | 1994-07-04 | 1999-06-15 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator |
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US6081164A (en) * | 1997-01-09 | 2000-06-27 | Seiko Epson Corporation | PLL oscillator package and production method thereof |
GB2330711B (en) * | 1997-10-21 | 2000-06-28 | Lsi Logic Corp | Controllable reactance circuit for an integrated circuit |
JP3337970B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2002-10-28 | 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 | 水晶発振回路および水晶発振用集積回路装置 |
JP3829525B2 (ja) * | 1998-04-02 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 容量アレイユニット及び発振回路 |
US6590314B1 (en) | 1998-08-07 | 2003-07-08 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric resonator container, piezoelectric resonator using the same, circuit board mounting piezoelectric resonator thereon, and method for manufacturing piezoelectric resonator |
US6268778B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-07-31 | Silicon Wave, Inc. | Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit |
US6211745B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-04-03 | Silicon Wave, Inc. | Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos-field effect transistors |
WO2001031774A1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-03 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for changing crystal oscillator frequency |
US6271733B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-08-07 | Agere Systems Guardian Corp. | Integrated oscillator circuit with a memory based frequency control circuit and associated methods |
EP1146640A1 (de) * | 2000-04-10 | 2001-10-17 | Infineon Technologies AG | Integrierter Hochfrequenzschwingkreis mit Abgleichkondensatoren |
JP2002135053A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電発振器及びその製造方法、及び圧電発振器を用いた電子装置 |
JP3921362B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2007-05-30 | 日本電波工業株式会社 | 温度補償水晶発振器 |
US7098748B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-08-29 | Schmidt Dominik J | Integrated CMOS high precision piezo-electrically driven clock |
CN1300812C (zh) * | 2001-10-31 | 2007-02-14 | 中国科学院上海冶金研究所 | 一种高容量电化学电容器的制造方法 |
DE10162912B4 (de) * | 2001-12-20 | 2006-09-28 | Infineon Technologies Ag | Quarzoszillatorschaltung |
US6853261B1 (en) | 2002-05-07 | 2005-02-08 | Rfmd Wpan, Inc. | Method and apparatus for calibrating voltage-controlled devices |
JP3764877B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | レーダ装置 |
JP4222147B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
DE10308087A1 (de) * | 2003-02-24 | 2004-09-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Schutz vor den Effekten von Kondensatbrücken |
JP4314999B2 (ja) | 2003-03-13 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
CN100334803C (zh) * | 2003-04-15 | 2007-08-29 | 泰艺电子股份有限公司 | 同步制造多个压电振荡器的方法 |
US20040246039A1 (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Chi-Ming Hsiao | Switched capacitor circuit capable of minimizing clock feedthrough effect in a voltage controlled oscillator circuit |
JP3783235B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2006-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
US7015742B2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-21 | Media Tek Inc. | Switched capacitor circuit capable of eliminating clock feedthrough by complementary control signals for digital tuning VCO |
US7266869B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-09-11 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric oscillator |
KR100756131B1 (ko) * | 2003-09-02 | 2007-09-05 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
TWI349439B (en) | 2004-03-22 | 2011-09-21 | Integrated Device Tech | Monolithic clock generator and timing/frequency reference |
US7719371B2 (en) | 2004-03-22 | 2010-05-18 | Integrated Device Technology, Inc. | Spread spectrum clock and reference signal generator |
US8095813B2 (en) | 2004-03-22 | 2012-01-10 | Integrated Device Technology, Inc | Integrated circuit systems having processor-controlled clock signal generators therein that support efficient power management |
JP4763477B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-08-31 | セイコーインスツル株式会社 | リードフレーム及びそれを用いた表面実装型圧電振動子の製造方法、及び圧電振動子の樹脂モールド構造 |
US20060267701A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Robert Eilers | Method and system for dynamically calculating values for tuning of voltage-controlled crystal oscillators |
US20070004362A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Lawrence Der | Methods and apparatus to generate small frequency changes |
EP1791252A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-30 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Oscillator comprising a startup control device |
KR20080069262A (ko) * | 2005-11-24 | 2008-07-25 | 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍) | 시동 제어 장치를 구비한 발진기 |
US20070188053A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Injection molded energy harvesting device |
EP2044685A4 (en) * | 2006-07-21 | 2009-08-12 | Ecole Technologie Superieure | VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR (VCO) |
JP5076440B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5164532B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-03-21 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体モジュールおよび撮像装置 |
US7978017B2 (en) | 2007-12-05 | 2011-07-12 | Integrated Device Technology, Inc. | Control voltage generator for a clock, frequency reference, and other reference signal generator |
US8093958B2 (en) | 2007-12-05 | 2012-01-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Clock, frequency reference, and other reference signal generator with a controlled quality factor |
US8134414B2 (en) | 2009-04-24 | 2012-03-13 | Integrated Device Technology, Inc. | Clock, frequency reference, and other reference signal generator with frequency stability over temperature variation |
US9106378B2 (en) * | 2009-06-10 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Systems, apparatus and methods for communicating downlink information |
US8164159B1 (en) | 2009-07-18 | 2012-04-24 | Intergrated Device Technologies, inc. | Semiconductor resonators with electromagnetic and environmental shielding and methods of forming same |
US9144037B2 (en) * | 2009-08-11 | 2015-09-22 | Qualcomm Incorporated | Interference mitigation by puncturing transmission of interfering cells |
US8724563B2 (en) * | 2009-08-24 | 2014-05-13 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus that facilitates detecting system information blocks in a heterogeneous network |
US9277566B2 (en) | 2009-09-14 | 2016-03-01 | Qualcomm Incorporated | Cross-subframe control channel design |
JP4998620B2 (ja) | 2009-09-14 | 2012-08-15 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動装置の製造方法 |
US8942192B2 (en) | 2009-09-15 | 2015-01-27 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for subframe interlacing in heterogeneous networks |
US9226288B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-12-29 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for supporting communications in a heterogeneous network |
US9125072B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-09-01 | Qualcomm Incorporated | Heterogeneous network (HetNet) user equipment (UE) radio resource management (RRM) measurements |
US9271167B2 (en) | 2010-04-13 | 2016-02-23 | Qualcomm Incorporated | Determination of radio link failure with enhanced interference coordination and cancellation |
US9392608B2 (en) | 2010-04-13 | 2016-07-12 | Qualcomm Incorporated | Resource partitioning information for enhanced interference coordination |
CN102332891A (zh) * | 2010-07-14 | 2012-01-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 具有可调频功能的晶振电路 |
US8886190B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-11-11 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for measuring cells in the presence of interference |
TWI420810B (zh) | 2010-12-17 | 2013-12-21 | Ind Tech Res Inst | 石英振盪器及其製造方法 |
US8638131B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | Dynamic feedback-controlled output driver with minimum slew rate variation from process, temperature and supply |
CN103166674A (zh) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 无锡国科微纳传感网科技有限公司 | 一种信号频率的校正方法和装置 |
JP6129671B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-05-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10069502B2 (en) * | 2014-07-31 | 2018-09-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for PPL and CDR designs for achieving specific bandwidth and phase margin requirements |
JP6910134B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2021-07-28 | 京セラ株式会社 | 圧電振動素子及び圧電振動デバイス |
US10291180B2 (en) * | 2017-10-06 | 2019-05-14 | Realtek Semiconductor Corp. | Crystal oscillator circuit and method thereof |
TWI662683B (zh) * | 2017-11-14 | 2019-06-11 | 矽萊克電子股份有限公司 | 電晶體之串聯裝置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6119204A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
US5592130A (en) * | 1987-02-27 | 1997-01-07 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator including a piezoelectric resonator with outer lead |
US5392006A (en) * | 1987-02-27 | 1995-02-21 | Seiko Epson Corporation | Pressure seal type piezoelectric resonator |
JPS63232603A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Nec Corp | 温度補償型圧電発振器 |
US4916413A (en) * | 1987-11-20 | 1990-04-10 | Matsushima Kogyo Kabushiki Kaisha | Package for piezo-oscillator |
US4827226A (en) * | 1988-05-31 | 1989-05-02 | Motorola, Inc. | Fully integrated, adjustable oscillator for use with a crystal |
US5030926A (en) * | 1990-07-10 | 1991-07-09 | At&T Bell Laboratories | Voltage controlled balanced crystal oscillator circuit |
JP3099382B2 (ja) * | 1991-02-14 | 2000-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 小型発振器 |
JP3178068B2 (ja) * | 1991-05-31 | 2001-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器 |
JP3079786B2 (ja) * | 1991-10-21 | 2000-08-21 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器、及びこれを用いたリアルタイムクロック、pll発振器 |
US5229640A (en) * | 1992-09-01 | 1993-07-20 | Avx Corporation | Surface mountable clock oscillator module |
JPH0799413A (ja) * | 1993-01-22 | 1995-04-11 | Citizen Watch Co Ltd | 水晶発振器およびその製造方法ならびに発振周波数調整方法 |
-
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Publication number | Publication date |
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