TWI248719B - Piezoelectric oscillator and electronic equipment and method for producing piezoelectric oscillator - Google Patents

Piezoelectric oscillator and electronic equipment and method for producing piezoelectric oscillator Download PDF

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TWI248719B TW093131683A TW93131683A TWI248719B TW I248719 B TWI248719 B TW I248719B TW 093131683 A TW093131683 A TW 093131683A TW 93131683 A TW93131683 A TW 93131683A TW I248719 B TWI248719 B TW I248719B
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Description

1248719 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關適於小型化及薄型化的壓電振盪器及電 子機器以及壓電振盪器的製造方法。 【先.前技術】 以往技術的壓電振盪器是壓電振盪器的面積比水平排 列壓電振動子與半導體積體電路(1C)的面積更大尺寸。 在晶片焊墊上安裝有1C晶片,在此1C晶片的側方設有壓 電振動子。並且,在晶片焊墊的側方至少設有2個接腳端 子,在該等接的腳端子與設置於1C晶片的電極會被施以 打線結合而導通。又,該等的接腳端子會被延設至壓電振 動子間附近,與壓電振動子電性連接。又,使用樹脂等的 模製材來模製壓電振動子及1C晶片的周圍,形成樹脂密 封封裝(例如參照專利文獻1 )。 〔專利文獻1〕特開平7- 1 62236號公報 【發明內容】 (發明所欲解決的課題) 近年來,隨著搭載壓電振盪器之電子機器的小型化, 壓電振盪器或安裝於壓電振盪器的壓電振動子也被謀求小 型化及薄型化。因此,壓電振動子的尺寸會被小型化至與 1C晶片的尺寸同程度。 但,在並列安裝壓電振動子與1C晶片的以往技術之 (2) (2)1248719 壓電振盪器的構成中,若接腳端子的配線長變長,則會有 浮遊電容増加的問題點。又,近年來,雖使用高頻帶域的 電子機器變多,但會有頻率越高,浮遊電容越會變大的問 題點。 並且,在1C晶片設置温度補償機能來作爲温度補償 型壓電振盪器時,因爲1C晶片與壓電振動子的距離大, 所以從1C晶片產生的熱與壓電振動子的熱之間會發生温 度差。因此,無法高精度的温度補償,且會有無法瞬間補 償的問題點。 而且,必須設置供以對接腳端子與1C晶片施以打線 結合的結合空間,有礙於壓電振盪器的小型化。 本發明是爲了解決上述問題點而硏發者,其目的是在 於提供一種可藉由縮小平面尺寸來達成小型化的壓電振盪 器。 又,其目的是在於提供一種搭載壓電振盪器的電子機 器。又,其目的是在於提供一種壓電振盪器的製造方法。 (用以解決課題的手段) 爲了達成上述目的,本發明之壓電振盪器的特徵係具 備: 複數個安裝用·接腳,其係由接腳架所形成.,具有連接 至安裝基板的安裝端子; 電子零件,其係與上述複數個安裝用接腳電性連接; 壓電振動子,其係具有外部端子,與上述電子零件電 (3) . (3) .1248719 性連接;及 連接手段,其係電性連接上述壓電振動子的上述外部 端子與設置於上述電子零件的連接端子; " 其係至少使上述複數個安裝用接腳的上述安裝端子露 ^ 出,且以模製材來密封上述接腳架及上述電子零件的周圍 , 上述連接手段與上述壓電振動子的上述外部端子的連 接部會被形成於上述電子零件的外形的内側。 φ 以往必須以平面形狀在電子零件的外側且振盪器外形 的内側區域中進行電子零件與壓電振動子的電性連接,但 若利用本發明,則沒有如此設計上的限制,可使壓電振盪 器小型化。又,若在形成壓電振盪器之前進行壓電振動子 及電子零件的動作檢查,則可確認動作良好或不良。然後 ,可藉由組合良品的壓電振動子及電子零件來構成壓電振 盪器。因此,不會像以往技術那樣,藉由模製材來密封壓 電振動子及電子零件之後,就算是壓電振動子以外的原因 @ 造成壓電振盪器不良,還是會將良品的壓電振動子予以一 起廢棄,因此可降低製造成本。 又,上述連接手段爲金屬球,經由上述金屬球來連接 設置於上述電子零件的上述連接端子與上述壓電振動子的 * 上述外部端子。 · 藉此,與經由接腳架來連接壓電振動子與電子零件的 壓電振盪器相較下,可使薄型化。又,當電子零件爲具有 振盪電路及温度補償機能的1C晶片時,上述温度補償可 •6- (4) (4)1248719 根據設置於1C晶片内的温度感測器的計測値來進行。於 是,壓電振動子會被連接於1C晶片的正上方,所以1C晶 片與壓電振動子的温度差會變小,因此可高精度地進行温 度補償。又,可藉由使用熱傳導率高的金屬球來進行更高 精度的温度補償。 上述連接手段爲形成於接腳架的連接端子及打線結合 ,以打線結合來連接上述電子零件的上述連接端子與上述 接腳架的上述連接端子,連接上述接腳架的上述連接端子 與上述壓電振動子的上述外部端子。 此情況,可在上述電子零件與上述壓電振動子之間介 裝作爲熱傳導構件的接腳架。在此,依電子零件的種類, 打線結合焊墊的位置會被變更。又,依壓電振動子的種類 ,外部端子的位置會被變更。但,在實施打線結合時,由 於具有引繞打線結合的自由度,因此無關設置於電子零件 的打線結合焊墊的位置,或壓電振動子的外部端子的位置 ,可利用打線結合來導通壓電振動子及電子零件。又,由 於在電子零件與壓電振動子之間設置熱傳導構件,因此熱 容易從電子零件來傳導至壓電振動子。藉此,當電子零件 爲温度補償型振盪電路時,可高精度地進行温度補償。 又,上述電子零件爲半導體積體電路,更具備:由接 腳架所形成,載置於上述半導體積體電路的電路側(能動 面側)的晶片焊墊。 藉由上述晶片焊墊,可使從半導體積體電路(1C )的 電路面側產生的熱放熱至壓電振動子側,消除1C與壓電 -7- (5) (5)1248719 振動子的温度差。又,由於設置温度感測器的1C是在電 路面側設有温度感測器,因此b縮小壓電振動子與温度感 測器的温度差。並且,在1C與接腳架實施打線結合時, 因爲在打線結合焊墊以外的1C的電路面與壓電振動子之 間存在空間,所以只要利用此空間來作爲配置晶片焊墊的 空間,便可縮小以往配置於1C下面的晶片焊墊的空間部 份,而使壓電振盪器小型化薄型化。 又,上述半導體積體電路與上述晶片焊墊會藉由絶緣 性接著劑來連接,在上述晶片焊墊及/或上述接腳架的上 述連接端子形成防止上述絶緣性接著劑流出至形成於上述 半導體積體電路的打線結合焊墊之流出防止手段。 藉由此流出防止手段,可防止絶緣性連接材流入打線 結合焊墊。 又,於安裝端子形成拔出防止手段。 藉由拔出防止手段,可使安裝用接腳與模製材的連接 強度提升。因此,可提高藉由焊錫來將壓電振盪器安裝於 安裝基板時之安裝強度。 又,可以模製材來密封上述壓電振動子的周圍。 藉此構成,模製材可發揮壓電振動子與連接部的連接 強度補強的任務,因此可提高壓電振動子與連接部的連接 強度。 又,於上述壓電振盪器中,在上述接腳架設置調整端 子,導通上述調整端子與上述電子零件。 電子零件爲具有振盪電路及温度補償機能的半導體積 -8 - (6) (6)1248719 體電路(IC )晶片時,在形成壓電振盪器之後亦可經由調 整端子來對1C晶片進行寫入等。調整端子是供以進行電 子零件,壓電振盪器的特性檢查,特性調整及/或壓電振 動子與連接端子的導通確認之端子。又,所謂特性檢查是 意指樹脂成形後之電子零件的動作檢查,或作爲壓電振盪 器的特性檢查等。又,所謂特性調整是意指電子零件爲具 有振盪電路及温度補償機能的1C晶片時,使壓電振盪器 的輸出頻率配合任意的頻率,或在1C晶片附加温度補償 電路時,補正壓電振盪器的温度所造成的頻率變化,或在 1C晶片附加藉由輸入電壓來使頻率變化的機能時,調整 其變化感度。 又,本發明之電子機器的特徵係搭載上述壓電振盪器 。藉由搭載具有上述特徴的壓電振盪器,可實現小型且可 靠度高的電子零件。 又,本發明之壓電振盪器的製造方法的特徵爲: 在半導體積體電路的電路面側連接接腳架,以打線結 合來連接導通上述半導體積體電路與上述接腳架,在上述 接腳架連接導通壓電振動子的外部端子。 以往的壓電振動子的製造方法是在接腳架上安裝半導 體積體電路(1C)之後,實施打線結合。但,本發明是在 1C的電路面側連接接腳架,實施打線結合,因此可使壓 電振盪器小型化及薄型化。 又’本發明之壓電振盪器的製造方法的特徵爲: 在具備安裝用接腳的下側接腳架上連接電子零件,在 -9- (7) (7)1248719 上述電子零件上連接具備對壓電振動子的連接手段之上側 接腳架, 在上述下側接腳架與上述電子零件之間,及上述上側 接腳架與上述電子零件之間施以打線結合而導通,經由上 述連接手段來連接導通上述電子零件與壓電振動子。 藉此,可經由設置於電子零件外形的内側的連接端子 或導電性連接材等的連接手段在電子零件的上面連接壓電 振動子。藉此,可使壓電振盪器小型化及薄型化。又,電 子零件可爲1C或電容器等。 【實施方式】 以下,說明本發明的壓電振盪器及電子機器以及壓電 振邊器的製造方法的最佳實施形態。首先,說明有關第1 實施形態。圖1是表示壓電振盪器的分解立體圖。又,圖 1是表示去除樹脂密封封裝的狀態。又,圖2是表示圖1 的A-A線的側面剖面圖。第1實施形態的壓電振盪器1 〇 是在壓電振盪器10的下部設置接腳架11,且於此接腳架 11上安裝構成振盪電路等的半導體積體電路(1C)晶片 14,在此1C晶片14上利用連接手段,亦即導電性連接材 16來連接壓電振動子18,使用模製材來予以密封形成。 又,於圖2的側面剖面圖中,爲了説明,亦顯示1C晶片 ,打線結合,導電性連接材,壓電振動子等的外形。 圖3是表示接腳架11的平面圖。接腳架11是由銅或 42合金等的金屬所構成。在此接腳架11的框部20内的 -10- (8) (8)1248719 中央部形成有安裝1C晶片14的晶片焊墊22,與框部20 的兩側短邊連接。並且,在框部20的四角附近形成安裝 用接腳12的一部份,在框部20的四角附近,L字型的安 裝端子24會使L字的長邊朝向晶片焊墊22側來形成。又 ,設置於框部20的一側短邊的安裝端子24的長邊前端會 沿著上述框部20的短邊方向來與晶片焊墊22連接。又, 安裝端子24的長邊與上述框部20的長邊會被連接。 又,於框部20的長邊側的安裝端子24間,形成有供 以確認1C晶片14的特性檢查或特性調整等的調整端子 28。所謂特性檢查是意指使用模製材來密封1C晶片14等 之後,檢查1C晶片14的動作或壓電振盪器1 0的特性^ 又,所謂特性調整是意指在1C晶片1 4附加温度補償電路 時,補正壓電振盪器1〇的温度所造成的頻率變化,或在 1C晶片14附加藉由輸入電壓來使頻率變化的機能時,調 整該變化感度等。調整端子28是沿著晶片焊墊22的長度 方向,且從沿著該長度方向而形成的部份在與長度方向正 交的方向延設有延設部28a,然後與框部20連接。 1C晶片14是由振盪電路所構成,在晶片14的上面 形成有被施以複數條打線結合的焊墊。在圖1中,上述焊 墊的形狀爲四角,但亦可爲圓形,多角形。並且,在1C 晶片1 4的上面,利用導電性連接材1 6來安裝壓電振動子 18的連接端子30至少設有2個。若將此連接端子30設 置3個以上,則1C晶片14與壓電振動子1 8之連接的安 定性會提升。另外,1C晶片14除了振盪電路以外,亦可 -11 - 1248719 Ο) 附加藉由輸入電壓來使振盪頻率變化的機能,或補償振盪 頻率會隨温度而變化的頻率-温度特性的機能。又,1C晶 片14亦可爲電阻或電容器等的電子零件。 圖4是表示壓電振動子的正面剖面圖。壓電振動子 18是在由陶瓷或金屬等所形成的封裝基座32内形成座電 極34,在該座電極34上使用導電性接著劑36來安裝壓 電振動片42。該座電極34是被引出至上述封裝基座32 的角部,經由形成於側面的城形固定裝置(castellation) 來與形成於封裝基座32背面的外部端子26導通。此外部 端子26是對應於1C晶片14上面所形成的連接端子30來 形成。另外,該座電極34亦可經由穿孔等來與外部端子 26導通。又,壓電振動片42可爲AT切片或BT切片等 的壓電振動片,音叉型壓電振動片,或彈性表面波素子片 。而且,在封裝基座32的上面連接罩蓋38,將封裝内部 予以氣密密封。並且,罩蓋3 8的連接方法是例如經由低 融點玻璃來連接玻璃製的罩蓋38,或經由科瓦合金等的 連接材來利用縫焊連接金屬製的罩蓋38。當封裝基座32 爲金屬形成時,必須在電性連接壓電振動片42及外部端 子26的配線與封裝基座32之間介在絶緣構件。 又,壓電振盪器10的形成方法是形成其次所示。在 晶片焊墊22上,1C晶片14會利用連接材來安裝,在形 成於1C晶片14上面的上述焊墊與安裝端子24,及上述 焊墊與調整端子28施以打線結合來導通。並且,在1C晶 片1 4的上面利用導電性連接材1 6來電性及機械性連接壓 -12· (10) 1248719 電振動子1 8。此刻,形成於ic晶片14上面的連接端 30與形成於壓電振動子18背面的外部端子26會經由 電性連接材1 6來連接。而且,導電性連接材1 6與外部 子26的連接部是位於1C晶片14的外形的内側。導電 連接材16只要是使用例如由焊錫或金等的金屬所構成 金屬球,或含有銀等的導電塡充物之環氧系或矽酮系等 導電性接著劑,焊錫,金屬構件或導電薄板即可。又, 2中雖是在2處連接1C晶片14與壓電振動子18的形 ,但連接處亦可設置3處以上。 又,以樹脂等的模製材來密封接腳架1 1,1C晶片 及壓電振動子18等的周圍,而構成樹脂密封封裝40。 此樹脂密封封裝40的形成後切斷安裝端子24,調整端 28及晶片焊墊22與框部20。此切斷位置可爲樹脂密封 裝4 0的表面附近或從樹脂密封封裝40突出切斷。 又,於樹脂密封封裝40的背面露出安裝端子24, 樹脂密封封裝40的上面露出壓電振動子18的罩蓋38 由於在罩蓋38的上面記載壓電振動子18的振盪頻率或 造批號等的製品樣式,因此必須使罩蓋3 8露出,在樹 密封封裝40的表面記載製品樣式。又,亦可依情況, 罩蓋38密封於樹脂密封封裝40的内部。又,亦可使用 製材來密封安裝用接腳1 2,1C晶片1 4及打線結合,不 用模製材來密封壓電振動子18。 由於如此形成的壓電振盪器10是在1C晶片14上 由導電性連接材16來連接壓電振動子18,因此與封裝 子 導 端 性 的 的 圖 態 14 在 子 封 於 〇 製 脂 將 模 使 經 上 -13· (11) (11)1248719 並列設置壓電振動子18及1C晶片14的以往技術之壓電 振盪器相較下,可小型化。又,1C晶片14與壓電振動子 1 8的連接手段,亦即導電性連接材1 6會被設置於1C晶 片1 4的上面。因此,與連接於IC晶片的外側且壓電振盪 器外形的内側區域時相較下’可使壓電振盪器1 〇小型化 。又,由於只使用導電性連接材16來連接壓電振動子18 與1C晶片1 4,因此與利用接腳架,打線結合等來電性及 機械性連接時相較下,可使薄型化。 此外,在1C晶片1 4附加補償頻率-温度特性的機能 來形成的温度補償型壓電振盪器時,因爲在內藏温度感測 器的1C晶片正上方設有壓電振動子,所以可高精度進行 温度補償。並且,在導電性連接材16使用熱傳導率高的 金屬球,更可高精度進行温度補償。 另外,本實施形態是晶片焊墊22與一部份的安裝端 子24會連接,所以若使該安裝端子24接地,則可減少從 1C晶片14等所發生的雜訊或來自壓電振盪器10外部的 雜訊。並且,只要將連接端子增加至3個,經由導電性連 接材16來電性連接壓電振動子的罩蓋及其安裝端子24’ 便可減少來自壓電振盪器的上方外部的雜訊。 再者,可於1C晶片14與調整端子28,1C晶片14與 安裝端子24之間自由實施打線結合,因此即使1C晶片 1 4的上述焊墊位置多少改變,還是可以使用同一形狀的 接腳架11,進而能夠提高壓電振盪器1〇的設計自由度。 又,若在1C晶片Μ上安裝壓電振動子18之前進行 -14- (12) (12)1248719 壓電振動子18的動作檢查及頻率調整,則不會安裝動作 不良的壓電振動子。若在形成壓電振盪器10後進行壓電 振動子18的頻率調整或壓電振盪器1〇的動作檢查,則有 時會發現不良品。此刻,當壓電振動子1 8爲不良時,必 須連正常動作的1C晶片14也廢棄,製造成本會變高。但 ,本實施形態的壓電振盪器1 〇則無情況,因此可降低製 造成本。 其次,說明有關第2實施形態的壓電振盪器。第2實 施形態是說明第1實施形態的變形例,且對與第1實施形 態相同的部份賦予同樣的符號,而簡略或省略其説明。圖 5是表示第2實施形態的壓電振盪器的側面剖面圖。搭載 於壓電振盪器1 0的1C晶片1 4不會被安裝於晶片焊墊上 ,而以樹脂密封封裝40來保持。 此壓電振盪器10的形成方法是形成其次所示。框部 内形成有安裝端子24與調整端子的接腳架,亦即第1實 施形態所述的接腳架中,將未形成晶片焊墊的框架載置於 膠帶薄板上。在載置於該膠帶薄板上的接腳架的中央部載 置1C晶片14。然後,在形成於ic晶片14上面的打線結 合焊墊與安裝端子24,及上述打線結合焊墊與調整端子 實施打線結合,而使導通。並且,在形成於1C晶片14上 面的連接端子經由導電性連接材16來連接壓電振動子18 的外部端子26,在1C晶片14上電性及機械性連接壓電 振動子18。然後,以模製材來密封接腳架,1(:晶片14及 壓電振動子18等的周圍,而形成樹脂密封封裝40之後, -15 - (13) 1248719 剝下上述膠帶薄板,形成壓電振盪器10。由於 電振盪器10是在晶片焊墊上安裝1C晶片14, 型化。 圖6是表示壓電振盪器10的安裝方法的説 將上述壓電振盪器1〇安裝於安裝基板時’只要 或金等所構成的金屬球來安裝即可。此情況,可 板與1C晶片1 4背面之間形成空間。由於如此的 器10配線於安裝基板的圖案與1C晶片14背面 ,因此不必避開1C晶片1 4背面來設置圖案配線 可充分確保圖案配線的自由度。又,可利用該空 洗淨簡單地去除在將壓電振盪器安裝於安裝基板 的助焊劑。 其次,說明有關第3實施形態。第3實施形 明第1實施形態的變形例。又,對與第1實施形 部份賦予同樣的符號,而且簡略或省略其説明。 示第3實施形態的壓電振盪器的側面剖面圖。又 表示擴大第3實施形態的接腳架的安裝端子部份 。第3實施形態的壓電振盪器10的安裝端子50 部50a,傾斜部50b及安裝部50c所構成。結合 沿著與1C晶片14的長度方向正交的方向來設置 至沿著1C晶片14的長度方向的框部20的邊。 部5 0a的外側延伸設有傾斜部50b,傾斜部50b 下降。在此傾斜部5 Ob的外側延伸設有平面形狀 50c,安裝部50c與晶片焊墊22是取一定距離來 如此的壓 因此可薄 明圖。在 經由焊錫 在安裝基 壓電振盪 不會接觸 。所以, 間來藉由 時所產生 態中亦說 態相同的 圖7是表 ,圖8是 的平面圖 是由結合 部5 0 a是 ,且連接 在此結合 是往下側 的安裝部 平行形成 -16- (14) (14)1248719 。若如此形成安裝端子50,則晶片焊墊22會位於比安裝 部5 0c更上方,一旦形成樹脂密封封裝40,則晶片焊墊 22及連接於晶片焊墊22上的1C晶片14會被保持於模内 。藉此,晶片焊墊22不會露出於樹脂密封封裝40的表面 ,所以可提高對來自外部的衝撃等的耐衝撃性。 其次,說明有關第4實施形態。第4實施形態中亦說 明第1實施形態的變形例。又,對與第1實施形態相同的 部份賦予同樣的符號,而且簡略或省略其説明。圖9是表 示第4實施形態的壓電振盪器的側面剖面圖。在安裝於壓 電振盪器10的1C晶片54的下面設有與接腳架的安裝端 子24及調整端子連接的結合焊墊56。並且,在1C晶片 54的上面設有與壓電振動子18的外部端子26連接的連 接端子57。而且,在1C晶片54中,貫通下面與上面的 穿孔58至少形成2個以上,從形成於1C晶片54的下面 的電路面來經由穿孔5 8引出至上面的連接端子5 7。 藉由覆晶結合62在接腳架上連接如此1C晶片54的 結合焊墊56,藉由導電性連接材16在1C晶片54的連接 端子57連接壓電振動子18的外部端子26,且以模製材 來模製該等的周圍,而形成壓電振盪器10。藉此,亦可 使用覆晶結合62來形成壓電振盪器10,取代在安裝端子 24與1C晶片54,:及調整端子與1C晶片54實施打線結合 來導通者。 其次,說明有關第5實施形態。第5實施形態的壓電 振盪器是經由接腳架來將1C晶片與壓電振動子連接於上 -17· (15) (15)1248719 下。圖10是表示第5實施形態的接腳架的平面圖。又, 圖11是表不第5實施形態的壓電振盪器的正面剖面圖。 另外’圖1 1 ( a )是表示形成壓電振盪器之後的剖面圖, 同圖(b)是將壓電振墨器分解成壓電振動子,接腳架及 1C晶片的剖面圖。在接腳架70的框部72内的中央部形 成有連接1C晶片74與壓電振動子76的焊墊78,此焊塾 78是與框部72的一邊連接。而且,在焊墊78與框部72 之間形成有傾斜部78a,此傾斜部78a是往上側上升。 此外,在框部72的四角形成安裝用接腳80。此安裝 用接腳80是由安裝端子80a,傾斜部80b及結合部80c 所構成。結合部80c是被連接於沿著1C晶片74的長度方 向的框部72的邊,往與1C晶片74的長度方向正交的方 向來形成。在此結合部80c的外側形成有傾斜部80b,傾 斜部80b是往下側下降。在此傾斜部80b的外側形成有安 裝端子8 0a,從框部72取特定距離來配置安裝端子8 0a。 另外,在沿著1C晶片74的長度方向的方向之安裝用 接腳80間形成有複數個調整端子82。此調整端子82是 沿著1C晶片74的長度方向來形成,且從沿著該長度方向 而形成的部份在與長度方向正交的方向延設有延設部82a ,然後與框部72連接。 再者,與1C晶片74的長度方向正交的方向之安裝用 接腳80間形成有連接端子84。此連接端子84是沿著1C 晶片74的長度方向,且延設至形成於壓電振動子76背面 的外部端子86的下側。又,於連接端子84的途中形成有 -18- (16) (16)1248719 傾斜部84a,以連接端子84的前端側能夠配置於比框部 72更上側的方式上升。亦即,連接端子84的前端側與焊 墊78會形成於同一面内。又,於連接端子84形成有結合 部84b。此結合部84b是在比傾斜部84a更靠框部72側 的位置,往與1C晶片74的長度方向正交的方向延設。 其次,說明壓電振盪器的形成方法。首先連接在1C 晶片74形成有打線結合焊墊的面與形成於接腳架70的焊 墊78的下面及連接端子84的下面。此刻,焊墊78是經 由連接材來與1C晶片74連接,連接端子84是經由絶緣 性接著劑或絶緣薄板等的絶緣性連接材來與1C晶片74連 接。然後,在結合部80c,84b與1C晶片74,及調整端 子82與1C晶片74實施打線結合來使導通。此結合部 8 0c,8 4b及調整端子82的結合部是存在於與1C晶片74 的電路面大致相同的平面上。另外,藉由連接端子84及 導通連接端子84與1C晶片74的打線結合來構成連接手 段。然後,經由含有銀等的導電塡充物的環氧系或矽酮系 等的導電性接著劑,焊錫,金屬構件或導電薄板等的導電 性連接材來連接連接端子8 4與壓電振動子76的外部端子 86,而使接腳架70與壓電振動子76導通。又,亦可直接 連接連接端子84與外部端子86。 在此,連接端子84與外部端子86的連接部是位於 1C晶片74的外形内側。又,亦可在焊墊78的上側經由 連接材來與壓電振動子76連接。然後,以壓電振盪器88 的安裝端子80 a的下面及壓電振動子76的罩蓋表面能夠 -19- (17) (17)1248719 露出之方式,使用樹脂等的模製材來密封壓電振動子76 ,1C晶片74及接腳架70等4的周圍,且只將從模製部突 出的接腳架70不要的部份予以切斷,而形成樹脂密封封 裝型的壓電振盪器88。 由於如此的壓電振盪器8 8是經由接腳架70來上下連 接壓電振動子76與1C晶片74,因此與封裝上並列設置 壓電振動子76及1C晶片74的以往技術之壓電振盪器88 相較下,可使小型化。又,因爲經由以打線結合而電性連 接的接腳架70來導通連接1C晶片74與壓電振動子76, 所以即使使用位於打線結合焊墊多少偏移的位置之不同的 1C晶片,還是能夠使用同一接腳架70來形成壓電振盪器 88。又,因爲結合部80c,84b與1C晶片74的電路面會 大致同平面狀存在,所以結合的始端與終端的高低差幾乎 沒有,可有效防止在1C晶片74的邊緣部份發生有導線接 觸之虞的短路等。 此外,在1C晶片74附加補償頻率-温度特性的機能 來形成的温度補償型壓電振盪器88時,因爲在內藏温度 感測器的1C晶片74正上方經由接腳架設有壓電振動子 76,所以在1C晶片74與壓電振動子76的温度差會變小 。藉此,可高精度進行温度補償。並且,接腳架70使用 熱傳導率高的材料,更可高精度進行温度補償。 另外,若使配設於壓電振動子76與1C晶片74之間 的焊墊78接地,則可減少從1C晶片74等發生至外部的 雜訊或從壓電振盪器1 0的外部接受的雜訊。 -20- (18) (18)1248719 再者,若於形成壓電振盪器88之前進行壓電振動子 76的動作檢查及/或頻率調整,則不會將不良的壓電振 動子76安裝於壓電振盪器88,進而能夠削減壓電振盪器· 8 8的製造成本。 v 又,本實施形態是在接腳架70的中央部設置焊墊78 ,但此焊墊7 8亦可設置流出防止手段,例如穴部。在連 接1C晶片74與焊墊78時,若使用接著劑,則接著劑會 流出至形成於1C晶片74上的打線結合焊墊,造成會有無 φ 法實施打線結合等的問題發生。但,若設置穴部,則多餘 的接著劑會逃至該穴部,可防止流出至打線結合焊墊的接 著劑。因此可實施打線結合。又,亦可取代穴部,而設置 凹凸形狀。又,穴部或凹凸形狀亦可設置於連接端子84 〇 又,安裝用接腳80雖是形成彎曲於模製材内部的構 成,但亦可構成使安裝用接腳80彎曲於模製材外部的J 接腳或雙翼形狀。又,亦可拿掉設置於接腳架70的中央 φ 部的焊墊78,僅存在連接端子84。又,亦可拿掉焊墊78 ,在此部份設置接腳架的厚度量的絶緣薄板,或熱傳導薄 板。 其次’說明有關第6實施形態。第6實施形態的壓電 ’ 振盪器亦經由接腳架來將1C晶片與壓電振動子連接於上 ^ 下。圖12是表示第6實施形態的接腳架的平面圖。又, 圖13是表示第6實施形態的壓電振盪器的正面剖面圖。 另外’圖13(a)是表示形成壓電振盪器之後的剖面匾, -21 - (19) (19)1248719 同圖(b)是表示將壓電振盪器分解成壓電振動子,接腳 架及1C晶片,以及壓電振盪器的形成時所使用的薄板之 剖面圖。在接腳架94的框部96内側的中央部形成有連接 1C晶片98及壓電振動子100的焊墊102,此焊墊102是 分別與框部96的互相呈對向的邊連接。而且,在與框部 96連接處形成有傾斜部102a,此傾斜部l〇2a是以焊墊 1 02能夠位於比框部9 6更上側之方式來上升至上側。 並且,在框部96的四角形成有安裝用接腳104。此 安裝用接腳104是由安裝端子104a及安裝端子l〇4a的拔 出防止手段的牽掛部l〇4b所構成。安裝端子l〇4a是設置 於框部96的角部。此安裝端子104a是形成將壓電振盪器 106安裝於安裝基板上時的連接處,且亦形成在安裝端子 l〇4a的上部施以打線結合來與1C晶片98導通的結合部 。在此安裝端子l〇4a的外側,傾斜部104c會上升形成, 且在此傾斜部104c的外側形成有平面部104d。此平面部 l〇4d是位於與上述焊墊102同一面内,在平面部104d與 傾斜部104c形成供以使安裝用接腳104與模製材的連接 強度提升之拔出防止手段的牽掛部104b。 而且,在沿著1C晶片98的長度方向的方向之安裝用 接腳104間形成有複數個調整端子108。此調整端子108 是與第5實施.形態所述的調整端子同樣構成。 又,與1C晶片98的長度方向正交的方向之安裝用接 腳1〇4間形成有複數個連接端子110。此連接端子110是 沿著1C晶片98的長度方向,且延設至形成於壓電振動子 -22- (20) (20)1248719 1 0 0的背面的外部端子1 1 2的下側。又,於連接端子1 1 0 的途中形成有傾斜部1 1 〇a,以連接端子1 1 〇的前端側能 夠配置於比框部96更上側的方式上升。又,於連接端子 110形成有結合部110b。此結合部ll〇b是在比傾斜部 1 10a更靠框部96側的位置,往與IC晶片98的長度方向 正交的方向延設。 其次,說明壓電振盪器106的形成方法。首先使1C 晶片9 8之形成有打線結合焊墊的面朝向上側,將ic晶片 98載置於薄板1 14上。在此1C晶片98的上側,經由連 接材來連接形成於接腳架94的焊墊102的下側及連接端 子1 1 0的下側。然後,在結合部1 1 〇 b與IC晶片9 8,安 裝端子104a與1C晶片98,及調整端子108與1C晶片98 貫施打線結合而使導通。並且,在連接端子110的上側經 由導電性連接材16及在焊墊102的上側經由連接材來連 接壓電振動子100,使壓電振動子100與連接端子110導 通。另外,藉由連接端子110,及連通連接端子110與1C 晶片98的打線結合來構成連接手段。又,連接端子1 1〇 與外部端子1 12的連接部是位於1C晶片98的外形内側。 然後,以壓電振盪器106的安裝用接腳104的下面及壓電 振動子100的罩蓋表面能夠露出之方式,使用樹脂等的模 製材來密封壓電振動子100,1C晶片98及接腳架94等的 周圍,且只將從模製部突出的接腳架94不要的部份予以 切斷,剝下上述薄板1 1 4,而形成樹脂密封封裝型的壓電 振盪器106。另外,使用於焊墊102與壓電振動子10 0, -23- (21) (21)1248719 連接端子11 0與壓電振動子100,焊墊102與1C晶片98 ,及連接端子110與1C晶片98的連接之連接材只要使用 與第5實施形態同樣的連接材即可。 如此的壓電振盪器1 06可取得與第5實施形態的壓電 振盪器同樣的效果。又,焊墊102,連接端子110的一部 份爲供以固著接腳架94與1C晶片98的晶片焊墊,配置 於1C的電路面側,因此與在1C晶片98下面側設置晶片 焊墊的以往技術之壓電振盪器相較下,可小型化薄型化 。另外,晶片焊墊亦可只要連接端子110,而不具焊墊 102。又,可於安裝端子104a設置拔出防止手段的牽掛部 l〇4b來形成安裝用接腳104,藉此可提高安裝用接腳104 與模製材的連接強度。 又,本實施形態亦可與第5實施形態的壓電振盪器同 樣地在焊墊1 02設置穴部。又,除了穴部以外,亦可設置 凹凸形狀。又,穴部亦可設置於連接端子11〇。 又,亦可將安裝用接腳80構成〗接腳或雙翼形狀的 框架。 其次,說明有關第7實施形態。第7實施形態的壓電 振盪器亦經由接腳架來將1C晶片與壓電振動子連接於上 下。圖14是表示第7實施形態的接腳架的平面圖。又, 圖15是表示第7實施形態的壓電振盪器的正面剖面圖。 另外,圖15(a)是表示形成壓電振盪器之後的剖面圖, 同圖(b)是表示將壓電振盪器分解成壓電振動子,接腳 架及1C晶片的剖面圖。 -24- (22) (22)1248719 連接1C晶片120及壓電振動子122的焊墊124會被 形成於接腳架126的框部128内側的中央部。此焊墊124 是分別與框部128之互相呈對向的邊連接。並且,在焊墊 124的中央部形成有流出防止手段的穴部130。在連接1C 晶片1 20與焊墊1 24時,若使用接著劑,則接著劑會流出 至形成於1C晶片120上的打線結合焊墊,造成會有無法 實施打線結合等的問題發生。若設置穴部1 3 0,則多餘的 接著劑會逃至該穴部,可防止流出至打線結合焊墊的接著 劑。因此可實施打線結合。又,亦可取代穴部,而設置凹 凸形狀。又,穴部或凹凸形狀亦可設置於連接端子136。 另外,在連接焊墊124及框部128的接腳架126中,沿著 1C晶片120的長度方向形成有作爲流出防止手段的延設 部124a。此延設部124a是以能夠位於1C晶片120的上 側之方式來設置。此延設部124a是供以使接著劑難以流 至打線結合焊墊。 此外,在框部128的四角形成有安裝用接腳132。此 安裝用接腳132是由安裝端子132a及拔出防止手段的結 合部132b來構成,連接至沿著與1C晶片120的長度方向 正交的方向之框部128的邊。更詳而言之,構成安裝用接 腳132的一部份之第1傾斜部132c會從框部128往沿著 1C晶片120的長度方向的方向下降形成。在此第1傾斜 部132c延設有安裝端子132a,此安裝端子132a是位於 比焊墊124更下側。並且,在安裝端子132a延設有第2 傾斜部132d,第2傾斜部132d是往上側上升形成。另外 -25- (23) (23)1248719 ’在第2傾斜部132d延設有平面部132e,此平面部l32e 是位於比焊墊124更下側,比安裝端子132a更上側。 又,以第2傾斜部I32d及平面部132e來構成結合部 132b。又’結合部132b,第1傾斜部132c及第2傾斜部 132d爲安裝端子132a的拔出防止手段。 另外,在沿著1C晶片120的長度方向之方向的安裝 用接腳132間形成有複數個調整端子134。此調整端子 134是沿者1C晶片120的長度方向來形成,且從沿著該 長度方向而形成的部份在與長度方向正交的方向延設有延 設部13 4b,然後與框部128連接。並且,在延設部13 4b 與框部128的連接處形成有傾斜部134a,傾斜部134a是 往下側下降。 再者,與1C晶片120的長度方向正交的方向之安裝 用接腳132間形成有連接端子136。此連接端子136是沿 著1C晶片120的長度方向,且延設至形成於壓電振動子 122背面的外部端子136的下側。又,於連接端子136的 途中形成有2處的傾斜部136b,且從此傾斜部136b間往 與1C晶片120的長度方向正交的方向形成結合部136a。 上述傾斜部136b的1處是設置於框部128與結合部136a 之間,往下側下降形成。又,從結合部1 3 6a來設置於連 接端子1 3 6的前端側之傾斜部1 3 6b是往上側上升形成。 又,框部128與連接端子136的前端側是位於同一面内。 其次,說明壓電振盪器的形成方法。首先在1C晶片 120設有打線結合焊墊的面經由連接材來連接形成於接腳 (24) (24)1248719 架126的焊墊124的下側及連接端子136的下側。而且, 在結合部132b,136a與1C晶片120,安裝端子132a與 1C晶片120,及調整端子134與1C晶片120實施打線結 合來使導通。又,藉由連接端子136,及導通連接端子 136與1C晶片120的打線結合來構成連接手段。而且, 連接端子136與外部端子138的連接部是位於1C晶片 .120的外形内側。然後,以接腳架126的上面及安裝用接 腳132的下面能夠露出之方式,使用樹脂等的模製材來密 封1C晶片120及接腳架126等的周圍。其次,在焊墊 1 24的上側經由連接材及在連接端子1 3 6的上側經由導電 性連接材16來連接壓電振動子122,使壓電振動子122 與連接端子136導通。然後,若只將從模製部突出的接腳 架126不要的部份予以切斷,則會形成1C晶片120的周 圍被模製,壓電振動子122會露出於所被模製的部份的外 側之樹脂密封封裝型的壓電振盪器140。又,使用於焊墊 124及連接端子136與壓電振動子122,焊墊124及連接 端子136與1C晶片120的連接之連接材只要是使用與第 5實施形態同樣的連接材即可。 如此的壓電振盪器可取得與第5及第6實施形態的壓 電振盪器同樣的效果。 又,亦可將本實施形態的安裝用接腳132構成J接腳 或雙翼形狀的框架。 其次,說明有關第8實施形態。第8實施形態的壓電 振盪器亦經由接腳架來將1C晶片與壓電振動子連接於上 -27- (25) (25)1248719 下。圖16是表示第8實施形態的接腳架的平面圖。又, 圖17是表示第8實施形態的壓電振盪器的正面剖面圖。 另外,圖17(a)是表示形成壓電振盪器之後的剖面圖, 同圖(b)是表示將壓電振盪器分解成壓電振動子,接腳 架及1C晶片的剖面圖。又,圖1 8是表示第8實施形態的 壓電振盪器的側面圖。 在接腳架146的框部148内的中央部形成有連接1C 晶片150及壓電振動子152的焊墊154,此焊墊154是與 框部148的一邊連接。而且,在焊墊154與框部148之間 形成有傾斜部154a,此傾斜部154a是往下側下降。 此外,在框部148的四角形成有打線結合端子156。 此打線結合端子156是連接至沿著1C晶片150的長度方 向的框部1 4 8的邊。在此打線結合端子1 5 6的外側,沿著 1C晶片150的長度方向而形成有傾斜部156a,此傾斜部 1 5 6 a是往下側下降。而且,在傾斜部1 5 6 a的前端形成有 平面部156b,此平面部156b是位於與焊墊154同一面内 。在平面部156b與傾斜部156a形成供以提高打線結合端 子156與模製材的連接強度之拔出防止手段的牽掛部 156c。並且,針對打線結合端子156,在牽掛部i56c的 相反側,往打線結合端子156的内側形成有缺口部156d 〇 另外,在沿著1C晶片150的長度方向之方向的打線 結合端子156間形成有複數個調整端子158。此調整端子 1 5 8是與第5實施形態所述的調整端子1 5 8同樣構成。 -28- (26) (26)1248719 並且,在與1C晶片150的長度方向正交的方向之框 部148形成有連接端子160。此連接端子160是沿著1C 晶片150的長度方向,且延設至形成於壓電振動子152的 背面之外部端子162的下側。而且,在連接端子160的途 中形成有傾斜部160a,以連接端子160的前端側能夠位 於比框部148更下側的方式下降。亦即連接端子160的前 端側是位於與焊墊154同一面内。另外,在連接端子160 形成有結合部160b。此結合部160b是在比傾斜部160a 更靠框部148側的位置,往與1C晶片150的長度方向正 交的方向延設。 上述調整端子1 5 8是往外側框部1 64延設,而與外側 框部164連接。又,從打線結合端子156與框部148所連 接的位置往外側框部1 64延設,而與外側框部1 64連接。 此延設部份的前端是形成壓電振盪器166的安裝端子168 〇 其次,說明壓電振盪器1 66的形成方法。首先使形成 於1C晶片150的電路面朝向下側,將1C晶片150連接至 形成於接腳架146的焊墊154的上側。此刻,1C晶片150 與焊墊154是經由連接材來連接。然後,從1C晶片150 開始,分別對打線結合端子1 5 6,調整端子1 5 8及結合部 16〇b實施打線結合來使導通。並且,在連接端子160的 下側經由導電性連接材來連接外部端子1 62,在焊墊1 54 的下側經由連接材來使壓電振動子152連接。又,藉由連 接端子160及導通連接端子160與1C晶片150的打線結 -29- (27) (27)1248719 合來構成連接手段。又,連接端子160與外部端子162的 連接部是位於1C晶片1 5 0的外形内側。 並且,在以打線結合來連接1C晶片150與接腳架 146的製造工程中,把圖16中的上下顛倒過來,在ic晶 片150上放置接腳架146,使進行1C晶片150,接腳架 1 46的打線結合的各個面朝向上側,進行結合。 然後,以1C晶片150,調整端子158,打線結合端子 156的各上面能夠露出之方式,使用樹脂等的模製材來密 封壓電振動子152,1C晶片150及接腳架146等的周圍。 其次,除了形成安裝端子16 8的框架以外,切斷從模製材 所密封後的部份突出的接腳架1 46。然後,使形成安裝端 子168的框架的彎曲部168a朝向下側,凹曲成J接腳形 狀。又,安裝用接腳169亦可爲雙翼形狀。 另外,調整端子158,安裝用接腳169的一部份的打 線結合端子156會分別對模製材露出於上面。使用該露出 部份’進行電子零件,壓電振盪器的特性檢查,特性調整 及/或壓電振動子與連接端子的導通確認。 或者,使用模製材密封後,除了使安裝用接腳169及 調整端子158延設至外側框部164的部份以外,切斷從模 製材所密封後的部份突出的接腳架1 46 (未圖示)。 切斷後,使用從模製材所密封後的部份突出的安裝用 接腳169及延設後的調整端子158來進行特性檢查,特性 調整等。然後,安裝用接腳169會彎曲成J接腳形狀,調 整端子1 5 8亦可切斷從模製材突出的部份。 -30- (28) (28)1248719 又,亦可不切斷調整端子158,與安裝用接腳同樣的 ,彎曲成J接腳形狀,利用前端來作爲安裝端子(未圖示 )。藉此,安裝端子會増加,可提高壓電振盪器166對安 裝基板的安裝強度。 如此的壓電振盪器1 66可取得與第5實施形態的壓電 振盪器同樣的效果。 其次,說明有關第9實施形態。第9實施形態的壓電 振盪器是在1C晶片的上下連接接腳架,在此接腳架上連 接壓電振動子。圖19是表示第9實施形態的接腳架的平 面圖。另外,圖19 ( a )是表示連接至1C晶片的下側, 配置於壓電振盪器的下面之下側接腳架,圖19(b)是表 示連接至1C晶片的上側,連接壓電振動子的上側接腳架 。又,.圖20是表示在第9實施形態的接腳架安裝1C晶片 的平面圖。又,圖2 1是表示第9實施形態的壓電振盪器 的正面剖面圖。另外,圖21(a)是表示形成壓電振盪器 之後的剖面圖,同圖(b)是將壓電振盪器分解成壓電振 動子,接腳架及1C晶片的剖面圖。 在下側接腳架25 0的框部252内的中央部形成安裝有 1C晶片254的焊塾256,此焊墊256是與框部252的一邊 連接。 此外,在框部252的四角設有由安裝端子25 8a,傾 斜部2 5 8b及結合部25 8c所構成的安裝用接腳25 8,且與 沿著焊墊256的長度方向的框部252連接。亦即從框部 252往與焊墊2 56的長度方向正交的方向延設結合部258c -31 - (29) (29)1248719 ,且在此結合部25 8c的外側,傾斜部25 8b會向下形成, 在此傾斜部25 8b的外側形成舍安裝端子2 5 8a。此安裝端 子258a是與焊墊256取一定距離來平行形成。並且,結 合部25 8c會被延設至内側。而且,1個安裝用接腳258 是從結合部25 8c所被延設至内側的部份來往焊墊25 6延 設接腳,連接安裝用接腳258與焊墊256。 另外,在沿著焊墊256的長度方向之方向的安裝用接 腳258間形成有複數個調整端子260。又,調整端子260 只要是使用與第5實施形態所示的調整端子相同者即可。 再者,上側接腳架262的框部264的外形是與下側接 腳架25 0的框部252相同。而且,在沿著與形成於下側接 腳架250的焊墊256的長度方向正交的方向之上側接腳架 262的框部264形成有連接端子266。此連接端子266是 往框部264的中央延設,延設至1C晶片254的上側。又 ,於連接端子266的途中設有傾斜部266b,往上方上升 。並且,在連接端子266中,結合部266a會往與1C晶片 254的長度方向正交的方向延設。而且,連接端子266會 形成1C晶片254與壓電振動子268的連接手段。 其次,說明壓電振盪器的形成方法。首先在下側接腳 架250的焊墊256上使用連接材來安裝1C晶片254。然 後’在下側接腳架25 0與1C晶片254上接合上側接腳架 262。此刻,連接端子266與1C晶片254是在1C晶片 2 5 4的外形内側連接。並且,藉由點焊等來接合下側接腳 架250的框部2 52與上側接腳架262的框部264。又,亦 -32- (30) (30)1248719 可在連接端子266的下面一部份塗佈接著劑,連接1C晶 片254的上面與連接端子266的下面。然後,在安裝用接 腳258與1C晶片254,調整端子260與1C晶片254,連 接端子266與1C晶片254實施打線結合而電性連接。 又,利用焊錫等,在連接端子266的上面連接形成於 壓電振動子268下面的外部端子270。此刻,壓電振動子 268的外部端子270與連接端子266是在1C晶片254的 外形内側連接。因此,連接壓電振動子268與1C晶片 254的連接部是位於1C晶片254的外形内側。最後,以 壓電振動子268的罩蓋272表面及安裝端子25 8a的安裝 面能夠露出之方式,使用模製材來密封壓電振動子268, 1C晶片254,上側接腳架262及下側接腳架250的周圍, 而形成樹脂密封封裝型的壓電振盪器274。 如此的壓電振盪器274可取得與第5實施形態的壓電 振邊器同樣的效果。又,可藉由該製造方法使連接端子 266承載於1C晶片254的上面,可在1C晶片254的外形 内側設置連接部。 又,本實施形態亦可與第5實施形態的壓電振盪器同 樣的在焊墊25 6設置穴部。又,除了穴部以外,亦可設置 凹凸形狀。又,穴部亦可設置於連接端子266。又,亦可 將調整端子260形成於上側接腳架262,或者形成於雙方 的接腳架。又,亦可針對焊墊256,在長度方向配置連接 端子266,在與長度方向正交的方向配置調整端子260, 或者在長度方向配置連接端子2 66,調整端子260雙方。 (31) (31)1248719 其次,說明有關第1 0實施形態。第1 0實施形態是說 明有關第5〜第8實施形態所述連接端子的變形例。並且 ,該變形例是只針對IC晶片與連接端子來進行説明。首 先說明有關第1變形例。圖22是表示第1變形例的連接 端子及1C晶片的立體圖。連接端子丨74是形成L字型形 狀’在與1C晶片176呈相反側的面設有階差部182。階 差部182可藉由沖壓的塑性加工或蝕刻來容易形成。連接 端子174是經由絶緣性連接材來與IC晶片176連接。又 ’ 1C晶片176與壓電振動子的外部端子的電性連接路徑 是從1C晶片176上的打線結合焊墊藉由打線結合來與結 合部178連接,然後在階差部182的上側經由導電性連接 材來與外部端子連接。 其次,有關第2變形例是僅說明與第1變形例相異的 點。圖23是表示第2變形例的連接端子及1C晶片的立體 圖。與第1變形例相異的點是結合部1 92.爲設置於接近 IC晶片1 9 0的中心的位置。 其次’有關第3變形例是僅說明與第2變形例相異的 點。圖24是表示第3變形例的連接端子及1C晶片的立體 圖。與第2變形例相異的點是在連接端子200中,設置傾 斜部2 0 6,在平面部2 0 8的上側經由連接材來與外部端子 連接的平面部208 〇 其次,有關第4變形例是僅說明與第3變形例相異的 點。圖25是表示第4變形例的連接端子及ic晶片的立體 圖。與第3變形例相異的點是在連接端子210中,結合部 •34- (32) (32)1248719 218及傾斜部214會設置於不與1C晶片212的垂直方向 重疊的位置。平面部216的下面與1C晶片212上面只要 使用絶緣性連接材來連接即可,又,1C晶片2 12的上面 亦可不經由連接材來直接承載於平面部216。又,爲了減 輕絶緣連接材及平面部2 1 6對形成於1C晶片2 1 2上面的 電路面造成損傷,可在除了 1C晶片212的打線結合焊墊 以外的上面安裝聚醯亞胺等的保護膜。 其次,有關第5變形例是僅說明與第4變形例相異的 點。圖26是表示第5變形例的連接端子及1C晶片的立體 圖。與第4變形例相異的點是在連接端子224中設置二個 傾斜部228,232及二個平面部230,234。這是在打線結 合的垂直方向以較高的部份不會與壓電振動子的下面接觸 之方式,藉由連接端子224,一面確保1C晶片226與壓 電振動子之垂直方向的間隔,一面.爲了減少.1C晶片226 與壓電振動子間的温度差,將連接端子224的一部份的第 2平面部234下面經由絶緣連接材來與1C晶片226連接 。此爲1C晶片226的上面,且與平面部230重疊於垂直 方向的位置形成打線結合焊墊時的有效實施例。 另外,雖第1及第2變形例是在連接端子設置階差部 ,第3〜第5變形例是在連接端子設置傾斜部,但第1及 第2變形例亦可於連接端子設置傾斜部,第3〜第5變形 例亦可於連接端子設置階差部。 第1〜第10實施形態的壓電振盪器可搭載於行動電 話或個人電腦等需要控制用的基準信號源之電子機器等。 -35- (33) (33)1248719 藉此,可實現小型且信頼性高的電子機器。 【圖式簡單說明】 圖1是表示第1實施形態之壓電振盪器的分解立體圖 〇 圖2是表示第1實施形態之壓電振盪器的側面剖面圖 〇 圖3是表示第1實施形態之接腳架的平面圖。 圖4是表示壓電振動子的正面剖面圖。 圖5是表示第2實施形態之壓電振盪器的側面剖面圖 〇 圖6是用以說明壓電振盪器之安裝的側面剖面圖。 圖7是表示第3實施形態之壓電振盪器的側面剖面圖 〇 圖8是表示擴大接腳架的部份平面圖。 圖9是表示第4實施形態之壓電振盪器的側面剖面圖 〇 圖10是表示第5實施形態之接腳架的平面圖。 .圖1 1是表示第5實施形態之壓電振盪器的正面剖面 圖。 圖12是表示第6實施形態之接腳架的平面圖。 圖13是表示第6實施形態之壓電振盪器的正面剖面 圖。 圖1 4是表示第7實施形態之接腳架的平面圖。 -36- (34) (34)1248719 圖1 5是表示第7實施形態之壓電振盪器的正面剖面 圖。 圖1 6是表示第8實施形態之接腳架的平面圖。 圖1 7是表示第8實施形態之壓電振盪器的正面剖面 圖。 圖1 8是表示第8實施形態之壓電振盪器的側面圖。 圖19是表示第9實施形態之接腳架的平面圖。 圖20是表示在第9實施形態的接腳架安裝1C晶片的 平面圖。 圖2 1是表示第9實施形態之壓電振盪器的正面剖面 圖。 圖22 .是表示第1 0實施形態,連接端子的第1變形例 的立體圖。 圖23是表示第1 0實施形態,連接端子的第2變形例 的立體圖。 圖24是表示第10實施形態,連接端子的第3變形例 的立體圖。 圖25是表示第1 0實施形態,連接端子的第4變形例 的立體圖。 圖26是表示第1 0實施形態,連接端子的第5變形例 的立體圖。 【主要元件符號說明】 10.........壓電振盪器 -37- (35)1248719 12………安裝用接腳 14.........半導體積體電路0C)晶片 16.........導電性連接材 18.........壓電振動子 22.........晶片焊墊 24.........安裝端子 28.........調整端子
30.........連接端子 40.........樹脂密封封裝 74.........1C晶片 76.........壓電振動子 78.........焊墊 8〇.........安裝用接腳 82.........調整端子 84.........連接端子
88.........壓電振盪器 -38-

Claims (1)

1248719 (1) 十、申請專利範圍 1.一種壓電振盪器,其特徵係具備: 複數個安裝用接腳,其係由接腳架所形成,具有連接 至安裝基板的安裝端子; 電子零件,其係與上述複數個安裝用接腳電性連接; .壓電振動子,其係具有外部端子,與上述電子零件電 牲連接;及 連接手段,其係電性連接上述壓電振動子的上述外部 端子與設置於上述電子零件的連接端子; 其係至少使上述複數個安裝用接腳的上述安裝端子露 出’且以模製材來密封上述接腳架及上述電子零件的周圍 上述連接手段與上述壓電振動子的上述外部端子的連 接部會被形成於上述電子零件的外形的内側。 2·如申請專利範圍第1項之壓電振盪器,其中上述連 接手段爲金屬球,經由上述金屬球來連接設置於上述電子 零件的上述連接端子與上述壓電振動子的上述外部端子。 .3·如申請專利範圍第1項之壓電振盪器,其中上述連 接手段爲形成於接腳架的連接端子及打線結合,以打線結 合來連接上述電子零件的上述連接端子與上述接腳架的上 述連接端子,連接上述接腳架的上述連接端子與上述壓電 振動子的上述外部端子。 4.如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之壓電 振盪器,其中在上述電子零件與上述壓電振動子之間介裝 -39- (2) (2)1248719 熱傳導構件。 5 .如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之壓電 振盪器,其中上述電子零件爲半導體積體電路, 更具備··由接腳架所形成,載置於上述半導體積體電 路的電路面側的晶片焊墊。 6·如申請專利範圍第5項之壓電振盪器,其中上述半 導體積體電路與上述晶片焊墊會藉由絶緣性接著劑來連接 ’且在上述晶片焊墊形成防止上述絶緣性接著劑流出至形 成於上述半導體積體電路的打線結合焊墊之流出防止手段 〇 7·如申請專利範圍第3項之壓電振盪器,其中上述電 子零件爲半導體積體電路, 更具備:由接腳架所形成,載置於上述半導體積體電 路的電路面側的晶片焊墊, 上述半導體積體電路與上述晶片焊墊會藉由絶緣性接 著劑來連接, 在上述晶片焊墊及/或上述接腳架的上述連接端子形 成防止上述絶緣性接著劑流出至形成於上述半導體積體電 路的打線結合焊墊之流出防止手段。 8 ·如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之壓電 振盪器’其中在安裝端子形成拔出防止手段。 9 ·如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之壓電 振盪器’其中以模製材來密封上述壓電振動子的周圍。 10·如申請專利範圍第1〜3項的任一項所記載之壓電 -40- (3) (3)1248719 振盪器’其中在上述接腳架設置調整端子,導通上述調整 端子與上述電子零件。 1 1 · 一種電子機器,其特徵係搭載申請專利範圍第j〜 3項的任一項所記載之壓電振盪器。 12·—種壓電振盪器的製造方法,其特徵爲: 在半導體積體電路的電路面側連接接腳架,以打線結 合來連接導通上述半導體積體電路與上述接腳架,在上述 接腳架連接導通壓電振動子的外部端子。 13·—種壓電振盪器的製造方法,其特徵爲: 在具備安裝用接腳的下側接腳架上連接電子零件,在 上述電子零件上連接具備對壓電振動子的連接手段之上側 接腳架, 在上述下側接腳架與上述電子零件之間,及上述上側 接腳架與上述電子零件之間施以打線結合而導通,經由上 述連接手段來連接導通上述電子零件與壓電振動子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8421543B2 (en) 2010-12-17 2013-04-16 Industrial Technology Research Institute Crystal oscillator and method for manufacturing the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158464A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Kinseki Corp 圧電発振器
JP4226003B2 (ja) * 2005-12-28 2009-02-18 日本電波工業株式会社 感知装置
JP5111043B2 (ja) * 2006-11-30 2012-12-26 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法、並びに、圧電振動子を備える発振器、電子機器、及び電波時計
JP5100211B2 (ja) * 2007-06-13 2012-12-19 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
JP5111018B2 (ja) * 2007-08-27 2012-12-26 セイコーインスツル株式会社 気密端子の製造方法及び圧電振動子の製造方法
JP2009130665A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Epson Toyocom Corp 圧電発振器
WO2011030571A1 (ja) * 2009-09-14 2011-03-17 株式会社村田製作所 圧電振動装置の製造方法
US9230890B2 (en) 2012-04-27 2016-01-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
JP5306512B1 (ja) 2012-04-27 2013-10-02 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、計測機器、及び補正方法
JP5980632B2 (ja) * 2012-09-13 2016-08-31 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器
JP6665487B2 (ja) * 2015-11-02 2020-03-13 セイコーエプソン株式会社 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局
JP6346227B2 (ja) * 2016-08-03 2018-06-20 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器
CN106527292B (zh) * 2016-12-26 2023-07-28 中国工程物理研究院总体工程研究所 多压电陶瓷激振器并联组合系统的控制方法及控制装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125732B2 (ja) 1997-11-04 2001-01-22 日本電気株式会社 圧電振動子発振器
JP4294135B2 (ja) 1998-12-28 2009-07-08 京セラキンセキ株式会社 圧電発振器
JP2000341042A (ja) 1999-05-26 2000-12-08 Mitsumi Electric Co Ltd 発振器及びその製造方法
JP3634676B2 (ja) 1999-07-13 2005-03-30 日本電波工業株式会社 圧電発振器
JP2002330027A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の温度補償水晶発振器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8421543B2 (en) 2010-12-17 2013-04-16 Industrial Technology Research Institute Crystal oscillator and method for manufacturing the same

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Publication number Publication date
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