JP2006074736A - 圧電発振器およびその製造方法 - Google Patents
圧電発振器およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006074736A JP2006074736A JP2005201477A JP2005201477A JP2006074736A JP 2006074736 A JP2006074736 A JP 2006074736A JP 2005201477 A JP2005201477 A JP 2005201477A JP 2005201477 A JP2005201477 A JP 2005201477A JP 2006074736 A JP2006074736 A JP 2006074736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- piezoelectric
- piezoelectric oscillator
- electrode pattern
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
【課題】 小型化を図る。
【解決手段】 圧電発振器10は、圧電振動片を内蔵した圧電振動子12と電子部品14とから構成してある。電子部品14は、電子部品本体20の能動面が封止樹脂34によって覆われている。電子部品14は、電子部品本体20の端子部と絶縁基板22のパッドとがボンディングワイヤ30aによって接続してある。ボンディングワイヤ30bは、一部が封止樹脂34の表面に露出している。封止樹脂34の表面には、ボンディングワイヤ30bの露出した部分を含む領域に電極パターン36が設けてある。電極パターン36には、圧電振動子12の下面に形成した外部端子が接合してある。
【選択図】 図1
【解決手段】 圧電発振器10は、圧電振動片を内蔵した圧電振動子12と電子部品14とから構成してある。電子部品14は、電子部品本体20の能動面が封止樹脂34によって覆われている。電子部品14は、電子部品本体20の端子部と絶縁基板22のパッドとがボンディングワイヤ30aによって接続してある。ボンディングワイヤ30bは、一部が封止樹脂34の表面に露出している。封止樹脂34の表面には、ボンディングワイヤ30bの露出した部分を含む領域に電極パターン36が設けてある。電極パターン36には、圧電振動子12の下面に形成した外部端子が接合してある。
【選択図】 図1
Description
本発明は、圧電発振器に係り、特に圧電振動片または圧電振動子と電子部品とを重ねて配置した圧電発振器およびその製造方法に関する。
従来、圧電発振器は、圧電振動子と圧電振動子を駆動する回路を有する電子部品とを平面に並べて配置した構造となっていた。しかし、電子機器の小型化に伴って、圧電発振器の実装面積が小さくなり、圧電発振器の小型化が要請されてきた。そこで、圧電発振器は、特許文献1に示されているように、圧電振動子と電子部品とを上下方向に重ねて配置した構造のものが開発された。これにより、圧電発振器の実装面積を小さくすることができる。
特開昭63−263902号公報
特許文献1に記載の圧電発振器は、圧電振動子と電子部品とのリード端子を、それぞれのパッケージの側方に突出させ、このパッケージから突出したそれぞれのリード端子を相互に接合することにより、圧電振動子と電子部品とを電気的に接続している。また、特許文献1に記載の圧電発振器は、実装基板に接合するリード端子が電子部品のパッケージの側方に突出させて設けてある。すなわち、特許文献1に記載の圧電発振器は、電子部品のリード端子をパッケージの側方に突出させるとともに、圧電振動子を接合するリード端子と、実装基板に接合するリード端子とを水平方向に並べて形成してある。このため、特許文献1に記載の圧電発振器は、小型化が困難で、実装面積が大きくなる。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、小型化を図ることを目的としている。
また、本発明は、薄型化を図れるようにすることを目的としている。
さらに、本発明は、接合強度の向上を図ることを目的としている。
また、本発明は、薄型化を図れるようにすることを目的としている。
さらに、本発明は、接合強度の向上を図ることを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明に係る圧電発振器は、圧電振動片と、この圧電振動片に電気的に接続された電子部品とを備えた圧電発振器であって、前記電子部品は、能動面が絶縁材料に覆われた電子部品本体と、前記電子部品本体の端子部に電気的に接続されるとともに、一部が前記絶縁材料の表面に露出している導電部材と、前記絶縁材料表面の、露出した前記導電部材を含む領域に形成した電極パターンと、を有することを特徴としている。
このようになっている本発明は、電子部品本体の能動面を覆っている絶縁材料の表面に、電子部品本体の端子部に電気的に接続された電極パターンが形成してある。このため、本発明は、絶縁材料、すなわち電子部品のパッケージの側方にリード端子を突出させて設ける必要がなく、圧電発振器の小型化を図ることができる。また、従来は、電子部品表面の電子部品本体に対応する部分に電極パターンを形成することが困難であったが、本発明によれば、そのような部分にも容易に電極パターンが形成できるため、面積の大きな電極パターンを形成でき、圧電振動子の実装強度を向上することができる。
前記電極パターンは、前記圧電振動片を内蔵した圧電振動子を接合する接続端子であってよい。このようになっている本発明は、圧電発振器と電子部品とを相互に接合する両者の端子を、上下方向の重なる位置に形成することができ、小型化が図れて実装面積を小さくすることができる。また、圧電振動子と電子部品とを電気的に接続する配線長を短くすることができ、不要な寄生容量などを小さくすることができる。
前記電極パターンは、前記圧電振動片の接続電極を接合するマウント端子とすることができる。このように、電子部品の絶縁材料に圧電振動片を直接実装できるようにすると、圧電振動子のパッケージの底部を省略することができ、薄型化を図ることができる。しかも、圧電発振器が温度補償型である場合に、電子部品本体(半導体チップ)と圧電振動片との距離がより小さくなるため、両者の温度差をより小さくすることができ、高精度な温度補償型圧電発振器とすることができる。
さらに、前記電極パターンは、前記電子部品本体に対する情報の書込み用または読出し用の制御端子であってよい。従来、制御端子は、リードフレームなどによってパッケージの側方に突出させて形成し、必要な情報の書込み後に切断していた。しかし、本発明は、絶縁材料の表面に形成した電極パターンを制御端子とすることにより、従来の切断工程を省略することができる。また、電極パターンを制御端子とすることにより、圧電発振器がより小型化された場合であっても、書込み装置の検査ピンを容易に接触させる大きさにでき、検査ピンとの位置ずれによる接触不良などの発生を防ぐことができる。そして、前記電極パターンは、実装基板に接合する実装端子とすることができる。これにより、パッケージの側方に突出させて実装端子を形成する必要がなく、小型化を図ることができる。
また、本発明に係る圧電発振器は、能動面が絶縁材料により覆われている電子部品本体と、前記電子部品本体の複数の端子部に対応して設けられ、それぞれが対応する前記端子部に電気的に接続されるとともに、一部が前記絶縁材料の表面に露出している導電部材と、前記絶縁材料表面の、露出した前記各導電部材を含む領域のそれぞれに形成した電極パターンと、前記複数の電極パターンの一部に導電性接合材を介して接合した圧電振動片または圧電振動子と、前記電極パターンを形成した面の反対側面に設けられ、前記電極パターンの他の一部と電気的に接続された導電パターンからなる実装端子と、を有することを特徴としている。このようになっている本発明は、圧電振動子と接合する端子および実装基板に接合する実装端子をパッケージの側方に突出して形成する必要がなく、小型化を図ることができ、寄生容量などを小さくすることができる。
なお、導電部材は、電子部品本体の端子部に一端を接続したボンディングワイヤまたは電子部品本体の端子部上に形成したバンプ、若しくはリードフレームのいずれかまたはこれらの組合せによって形成することができる。すなわち、必要に応じて導電部材を形成する材料を選択することができ、設計の自由度を高めることができる。また、導電部材をボンディングワイヤまたはバンプによって形成した場合、例えば重ねて配置した電子部品本体と圧電振動子との電気的な接続(配線)を、縦方向において容易に行なうことができる。このため、配線が短くなって寄生容量を小さくすることができるばかりでなく、圧電発振器の薄型化が容易に図れ、電子部品本体の側部(周囲)の配線スペースをなくすことができて小型化することができる。さらに、電子部品本体と圧電振動子と間隔を小さくすることができ、温度補償型圧電発振器を形成した場合に、電子部品本体により圧電振動子の温度をより正確に検出することができ、高精度な温度補償型圧電発振器を形成することができる。
そして、上記の圧電発振器を製造するための、本発明に係る圧電発振器の製造方法は、圧電振動子と、この圧電振動子に電気的に接続した電子部品とを備えた圧電発振器の製造方法であって、電子部品本体の端子部に導電部材を接合する接合工程と、前記導電部材の一部を露出させて前記電子部品本体の能動面を絶縁材料で覆う封止工程と、前記絶縁材料表面の、露出した前記導電部材を含む領域に電極パターンを形成するパターン形成工程と、前記電極パターンに圧電振動片または圧電振動子を接合するマウント工程と、を有することを特徴としている。
本発明に係る圧電発振器およびその製造方法の好ましい実施の形態を、添付図面にしたがって詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧電発振器の説明図である。図1において、圧電発振器10は、本図に図示しない圧電振動片を内蔵した圧電振動子12と、電子部品14とを備えている。電子部品14は、圧電振動片に電気的に接続され、圧電振動片を駆動して発振させる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧電発振器の説明図である。図1において、圧電発振器10は、本図に図示しない圧電振動片を内蔵した圧電振動子12と、電子部品14とを備えている。電子部品14は、圧電振動片に電気的に接続され、圧電振動片を駆動して発振させる。
圧電振動子12は、例えばセラミックシートを積層して箱型に形成した振動子パッケージ本体16と、振動子パッケージ本体16を封止した蓋体18とを有している。そして、圧電振動子12は、振動子パッケージ本体16の下面に、振動子パッケージ本体16に収容した圧電振動片と電気的に接続してある一対の外部端子(図示せず)が設けてある。
電子部品14は、電子部品本体(半導体チップ)20を有している。電子部品本体20は、非能動面が接着材などを介して矩形状の絶縁基板22に固着してある。また、電子部品14は、絶縁基板22の下面の四隅に、図示しない実装基板の回路パターンに接合する実装端子24が形成してある(図2参照)。絶縁基板22の上面には、図2に示したように、実装端子24に対応した端子パッド26と、ダミーパッド28とが設けてある。これらのパッド26、28は、金などからなるボンディングワイヤ30a、30bを介して、電子部品本体20の端子部32に電気的に接続してある。そして、各端子パッド26は、スルーホール(図示せず)などを介して実装端子24に電気的に接続してある。一方、ダミーパッド28は、何処にも接続されておらず、電気的に浮いた状態となっている。
電子部品14は、樹脂封止されていて、端子部32を設けた能動面が絶縁材料である封止樹脂34によって覆われている(図1参照)。そして、ダミーパッド28と端子部32とを接続したボンディングワイヤ30bは、実施形態の場合、導電部材を構成していて、ループがボンディングワイヤ30aより高く張ってある。このため、図1のA部の拡大図である図3に示したように、ボンディングワイヤ30bは、一部が封止樹脂34の表面に露出している。また、封止樹脂34の表面には、電極パターン36が形成してある。電極パターン36は、露出させたボンディングワイヤ30bに対応して設けてあって、封止樹脂34の表面の露出したボンディングワイヤ30bを含む領域に形成してある。すなわち、電極パターン36は、ボンディングワイヤ30bを覆って形成され、ボンディングワイヤ30bを介して電子部品本体20の端子部32に電気的に接続している。これらの電極パターン36は、無電解メッキや印刷、真空蒸着、スパッタリングなどにより形成してある。なお、電極パターン36は、下地をニッケル(Ni)、表面を金(Au)のように多層としてもよい。また、これらの電極パターン36は、接続端子となっていて、圧電振動子12の下面に設けた外部端子が半田などの導電性接合材により接合してある。また、封止樹脂34が形成された後に、封止樹脂34の表面のワイヤボンディング30bが露出している部分の周辺に対し、エッチングやサンドブラスト、研磨、レーザ光による除去加工などによって、ボンディングワイヤ30bの封止樹脂34から露出する部分を増加させ、封止樹脂34の表面に電極パターン36を形成することによって、ボンディングワイヤ30bと電極パターン36との接続を確実に行うことができる。
このようになっている実施形態の圧電発振器10は、圧電振動子12と電子部品14とを電気的に接続する端子をそれぞれのパッケージの側方に突出して形成する必要がなく、圧電発振器10の小型化を図ることができる。すなわち、圧電発振器10は、圧電振動子12と電子部品14とを電気的に接続する電極パターン36、および圧電発振器10を実装基板に接合する実装端子24がパッケージの投影面積内に、上下方向の重なる位置に形成してある。このため、圧電振動子12と電子部品本体20とは、電気的に接続する配線が縦方向において行なわれる。したがって、圧電発振器10は、実装面積が小さくなるとともに、圧電振動片と電子部品本体20とを電気的に接続する配線長が短くなり、不要な寄生容量などを小さくすることができる。また、圧電発振器10は、電子部品本体20の側部の周囲に、圧電振動子12と電気的に接続するための配線スペースを必要とせず、小型化を図ることができる。そして、圧電発振器10が温度補償型である場合に、圧電振動子12に内蔵した圧電振動片と電子部品本体20との温度差を小さくすることができ、より高精度な発振器とすることができる。
また、実施形態の電子部品14は、圧電振動子12を接合する接続端子が電極パターン36として封止樹脂34の表面の電子部品本体20と垂直方向に重なる位置に形成してある。このため、接続端子は、電子部品本体20と重なる位置に形成できるため、必要とする接合強度に応じた大きさとすることができ、大きな接合強度が得られる。したがって、圧電発振器は、振動や衝撃によって電極パターン36、圧電振動子12の外部端子、導電性接合材の部分における剥離などによる導通不良の発生をなくすことができる。
なお、圧電振動子12を接合する電極パターン36は、圧電振動子12の外部端子の位置に合わせて、封止樹脂34の圧電振動子12側の表面に配線パターンを引き回し形成してもよい。また、圧電振動子12を接合する電極パターン36は、一対あればよいが、電極パターン36を3つ以上形成してもよい。電極パターン36を3つ以上形成することにより、接合強度を向上できる。電極パターン36を3つ以上形成した場合、圧電振動子12と電気的に接続する電極パターン36は一対でよいため、他の電極パターンは接地端子とし、圧電振動子12の蓋体18と電気的に接続するか、あるいは単に圧電振動子12を接合することによって、接合強度を向上する目的の端子とすることができる。
そして、電子部品本体20の端子部32と端子パッド26、ダミーパッド28とをワイヤボンディングする場合、ファーストボンディングを端子パッド26、ダミーパッド28側、セカンドボンディングを端子部32側とする、いわゆる逆ボンディングを行なうことが望ましい。ワイヤボンディングをする場合、ファーストボンディングの直後にボンディング部に横方向の力が作用すると、ワイヤが切断することがある。したがって、ワイヤボンディングにおいては、ファーストボンディングをしたときに、キャピラリーをある程度の高さまで引き上げる必要がある。このため、電子部品本体20の端子部32に対してファーストボンディングを行なうと、ボンディングワイヤ30の張るループが高くなるので、ファーストボンディングを低い位置のパッド26、28側にするとループを低くすることができる。これにより、圧電発振器10の薄型化を図ることができる。
図4は、本発明の実施の形態に係る圧電発振器の製造方法の要部工程を示すフローチャートである。まず、図4のステップ40に示したように、電子部品本体20を接着剤などにより絶縁基板22に固着する部品本体マウント工程を行なう。次に、電子部品本体20の端子部32と、絶縁基板22の端子パッド26、ダミーパッド28とをワイヤボンディングする接合工程を行ない、両者を導電部材である金からなるボンディングワイヤ30(30a、30b)によって接続する(ステップ42)。その後、電子部品本体20の能動面を覆って電子部品本体20の全体を樹脂で封止するステップ44の封止工程を行なう。このとき、導電部材であるボンディングワイヤ30bの一部が封止樹脂34から露出するように封止する。なお、電子部品本体20を樹脂封止した際に、ボンディングワイヤ30が封止樹脂34の中に埋没するような場合は、ステップ46に示したように、樹脂封止後、エッチングやサンドブラスト、研磨、レーザ光による除去加工などによってボンディングワイヤ30bを封止樹脂34から露出させる。
次に、封止樹脂34の表面に電極パターン36を形成するパター形成工程を行なう(ステップ48)。この電極パターン36の形成は、マスクを用いたスクリーン印刷や無電解メッキ、真空蒸着、スパッタリングなどによって行なうことができる。また、電極パターン36は、封止樹脂34のボンディングワイヤ30bを露出させた表面の全体に金属薄膜を形成したのち、エッチングなどによって不要な部分を除去して形成してもよい。これにより、電子部品14が完成する。
次に、別の工程において従来と同様にして形成した圧電振動子12を電子部品14の電極パターン36に接合するマウント工程を行なう(ステップ50)。圧電振動子12と電子部品14との接合は、半田または導電性接着剤を用いて行なうことができる。これにより、圧電発振器10が組立て上がる。その後、ステップ52に示したように、圧電発振器10の検査を行なう。
図5は、第1実施形態の変形例を示したもので、導電部材がボンディングワイヤ30bとバンプ56とによって形成した例を示したものである。すなわち、この変形例においては、ボンディングワイヤ30bが封止樹脂34の表面に露出しないように電子部品本体20を樹脂封止する。そして、電子部品本体20を樹脂封止したのち、レーザ光による除去加工またはエッチングにより封止樹脂34に孔54を形成し、ボンディングワイヤ30bの一部を露出させる。その後、バンプ56をボンディングワイヤ30bに接合して孔54の中に形成し、バンプ56の頂部を封止樹脂34の表面に露出させる。バンプ56は、例えば金ワイヤを溶融して形成したボールを孔54に埋めるなどによって形成できる。
図6は、第2実施形態の説明図である。この実施形態に係る圧電発振器10Aは、圧電振動子12と電子部品14Aとから構成してある。電子部品14Aは、封止樹脂34の表面に露出させる導電部材がボンディングワイヤ30bに代えてバンプ58によって形成してある。バンプ58は、ボンディングワイヤを溶融したボールによって形成してある。なお、電子部品本体20の能動面と封止樹脂34の表面との距離が大きく、一部を封止樹脂34の表面に露出させるためには、大きな径のバンプ58を必要とする場合、径の小さなバンプを複数段重ねて形成してもよい。また、径の小さなバンプ58を形成する場合、図13に示したように、封止樹脂34に凹部を形成してバンプ58の一部を露出させるようにしてもよい。
すなわち、斜視図である図13(1)、および同図のB−B線に沿った断面図である(2)に示したように、封止樹脂34のバンプ58と対応した位置に矩形状または円形等の凹部59を形成し、バンプ58の一部を露出させる。このような凹部59は、バンプ58と対応した位置に凸部を有する金型を用いて、電子部品本体20を封止樹脂34によって封止することにより、容易に形成することができる。そして、封止樹脂34の表面の凹部59を含む領域に電極パターン36を形成する。なお、バンプ58の一部を露出させる凹部は、図13(1)に示したように、溝61であってもよい。凹部を溝61として形成すると、多種類の電子部品本体(半導体チップ)20に対して、1つの金型で対応することができる。
図7は、第3実施形態の説明図である。この第3実施形態の圧電発振器10Bは、電子部品14Bがリードフレームを用いて形成してある。すなわち、電子部品14Bは、電子部品本体20の非能動面がリードフレームのダイパッド60に固着してある。また、リードフレームは、リードから形成した実装端子62とダミー端子64とを有している。実装端子62は、ダイパッド60の下方に位置するように形成してある。そして、ダミー端子64は、実装端子62より上方(実施形態の場合、ダイパッド60と同じ高さ)に位置するように形成してある。
本図に図示しない電子部品本体20の端子部とダミー端子64とは、導電部材であるボンディングワイヤ30bによって接続してある。さらに、電子部品14Bは、実装端子62の接合面となる下面(主面)と、ボンディングワイヤ30bの一部とが封止樹脂34から露出するように電子部品本体20が樹脂封止してある。このようになっている第3実施形態の圧電発振器10Bは、ダイパッド60とダミー端子64とが封止樹脂34の下面から露出していない。このため、圧電発振器10Bを実装端子62を介して実装基板に実装したときに、ダイパッド60、ダミー端子64が実装基板に設けた配線パターンと短絡するおそれがない。
図8は、第4実施形態の説明図である。この実施形態の圧電発振器10Cは、同図(1)に示したように、圧電振動子12が電子部品14Cを構成している絶縁基板22の上面に接合してある。電子部品14Cは、電子部品本体20の能動面が図の下向きに配置され、非能動面が絶縁基板22の下面に固着してある。電子部品14Cは、直方体状に形成してあって、電子部品本体20の能動面を覆っている封止樹脂34の下面の四隅に、電極パターンから形成した実装端子66が設けてある。これらの実装端子66は、バンプ58を介して電子部品本体20の端子部に電気的に接続してある。すなわち、電子部品本体20の実装端子66に対応した端子部には、導電部材であるバンプ58が接合してある。これらのバンプ58は、一部が封止樹脂34の表面から露出している。実装端子66である電極パターンは、各バンプ58に対応して設けてあり、封止樹脂34の表面である下面の、バンプ58の露出部を含む領域に形成してある。
一方、圧電振動子12は、下面に形成した少なくとも一対の外部端子(図示せず)が絶縁基板22の上面に設けた接続端子に接合してある。そして、圧電振動子12に内蔵した圧電振動片と電気的に接続してある一対の外部端子は、絶縁基板22に設けた接続端子と端子パッドとボンディングワイヤ30bとを介して、電子部品本体20の端子部に電気的に接続してある。
この実施形態においても、前記と同様の効果を得ることができる。なお、この実施形態においては、圧電振動子12と電子部品本体20との間に絶縁基板22を介在させた場合について説明したが、圧電振動子12と電子部品本体20とを直接接合するようにしてもよい。このようにすると、絶縁基板22を省略した分薄くすることができ、圧電振動子12と電子部品本体20とを温度差を小さくすることができ、高精度な温度補償型圧電発振器とすることができる。また、部品点数の削減と製造工程の簡素化を図れ、コストを低減することができる。
圧電振動子12と電子部品本体20とを直接接合した圧電発振器を形成する場合、まず、圧電振動子12を従来と同様にして形成する。その後、圧電振動子12の能動面(蓋体18と反対側の面)に、接着剤などを介して電子部品本体20の非能動面を接合する。次に、電子部品本体20の端子部と圧電振動子12の外部端子とをワイヤボンディングするとともに、電子部品本体20の所定の端子部に所定の高さのバンプ58を形成する。その後、電子部品本体20を封止樹脂34によって、バンプ58の一部が露出するようにして封止する。さらに、封止樹脂34の表面にバンプ58に電気的に接続された実装端子66を形成する。
図8(2)は、第4実施形態の変形例を示したものである。この変形例に係る圧電発振器10Cは、電子部品14Cの封止樹脂34の、実装端子66Aと対応した位置に段部68が形成してある。したがって、実装端子66Aは、凹凸が形成されている。これにより、実装端子66Aを実装基板に接合したときに、接合面積が増大し、接合強度を向上することができる。なお、実装端子66Aの凹凸は、段部以外の形状であってもよい。
図9は、第5実施形態の説明図である。この実施形態に係る圧電発振器10Dを構成している電子部品14Dは、電子部品本体20の非能動面が、リードフレームあるいはテープなどのダイパッド70に固着してある。電子部品本体20は、能動面を覆った封止樹脂34中に封入されている。そして、電子部品本体20は、各端子部にバンプ58が接合してある。これらのバンプ58は、一部が封止樹脂34の表面に露出している。
電子部品14Dは、封止樹脂34のバンプ58が露出している表面の、各バンプ58と対応した位置に電極パターン36が形成してある。また、封止樹脂34の下面には、四隅に電極パターンからなる実装端子66が設けてある。そして、封止樹脂34には、各実装端子66と対応した位置に、封止樹脂34を図の上下方向に貫通したスルーホール72が設けてある。スルーホール72の内部には、スクリーン印刷などによって形成した導電体74が充填してある。このため、各実装端子66は、導電体74を介して対応する電極パターン36に電気的に接続してある。また、各実装端子66と電極パターン36の電気的接続は、圧電発振器10Dの側面に凹み部を設け、封止樹脂34の実装端子と接続するバンプ58が露出している表面及び凹み部表面に電極パターン36を形成して実施してもよい。この場合、実装端子の主面からはみ出した半田が、実装端子の側面に沿ってせり上がる。その結果、実装基板の電極から実装端子の側面にかけてフィレットが形成される。これにより、実装基板の電極と圧電発振器の実装端子との接続を、外観から簡単に確認することができる。
なお、本実施例では、ダイパッド70が電子部品本体20の非能動面に固着しているが、電子部品本体20の圧電振動子12側の能動面にダイパッド70を固着してもよい。この場合、実装基板側にダイパッド70が樹脂から露出することがないため、実装基板に設けられた配線パターンと短絡するおそれがない。
図10は、第6実施形態の説明図である。この実施形態に係る圧電発振器10Eは、同図(1)に示してあるように、電子部品14Eが電子部品本体20とリードフレーム80と電子部品本体20を封止した封止樹脂34とから構成してある。リードフレーム80は、電子部品本体20と圧電振動子12とを電気的に接続するための接続リード82、電子部品本体20に対して情報(データ)の書き込み、読み出しを行なうための複数の制御用リード84、圧電発振器10Eを実装基板に接合するための実装リード86を有している。電子部品本体20は、各端子部がAuバンプなどの導電性接合材88を介して、リードフレーム80の各リード82、84、86にフェイスダウンボンディングしてある。
接続リード82は、上方に向けてクランク状に折曲してあり、先端部の接続端子部82aが電子部品本体20の上面(非能動面)より上方に位置し、電子部品本体20と平行になっている。一方、実装リード86は、下方に向けてクランク状に形成してあり、先端部の実装端子部86aが制御用リード84より下方に位置し、電子部品本体20と平行になっている。そして、電子部品14Eは、封止樹脂34が接続端子部82aの上面(主面)と、実装端子部86aの下面とを露出させた状態で電子部品本体20を封止してある。さらに、封止樹脂34の上面には、接続端子部82aを含む領域に、圧電振動子12の外部端子を接合する電極パターン36が形成してある。なお、制御用リード84は、樹脂封止されたときには、先端が封止樹脂34から突出している。そして、制御用リード84は、電子部品本体20への情報の書き込み、圧電発振器10Eの周波数調整の終了後に、封止樹脂34からの突出部が図10に示したように切断される。
図10(2)は、第6実施形態の変形例を示したものである。この変形例に係る圧電発振器10Eは、実装端子部86bが上記の実装端子部86aより小さく形成してある。そして、封止樹脂34の下面には、各実装端子部86bに対応して電極パターンからなる実装端子66が設けてある。これらの実装端子66は、対応する実装端子部86bと電気的に接続している。
図11は、第7実施形態の説明図であって、実施形態に係る電子部品の斜視図である。この第7実施形態に係る電子部品14Fは、絶縁基板22の下面の四隅に、本図に図示しない実装端子が設けてある。また、封止樹脂34の上面には、導電部材である複数のバンプ58a、58bの一部が露出している。さらに、封止樹脂34の上面には、各露出したバンプ58a、58bに対応して電極パターン36a、36bが形成してある。一対の電極パターン36aは、本図に図示しない圧電振動子12を接合するためのものであって、接続端子となっている。
一方、バンプ58bに対応した電極パターン36bは、電子部品本体20に対する情報の書込み用または読出し用の端子となっている。そして、これらの電極パターン36bは、封止樹脂34の側面に形成したキャスタレーション90の内部まで延在している。したがって、電子部品14Fに圧電振動子12を接合したのち、情報書込み装置の検査ピンをキャスタレーション90に当接することにより、電子部品本体に対して情報の書き込みまたは読み出しをすることができる。なお、絶縁基板22には、キャスタレーションが形成されていない。これにより、封止樹脂34のキャスタレーション90に形成した電極パターン36bが、実装基板に設けた配線パターンと短絡するのを防止できる。
図12は、第8実施形態の説明図である。この実施形態に係る圧電発振器100は、圧電振動子102と電子部品14Gとから構成してある。圧電振動子102は、圧電振動片104と、圧電振動片を収容する振動子パッケージ106とから構成してある。圧電振動片104は、水晶板などの圧電材料の薄板によって形成してある。また、振動子パッケージ106は、金属またはセラミックなどによって、下端面が開放された箱状のキャップとして形成してある。そして、振動子パッケージ106は、下端が低融点ガラス、接着剤、金−錫合金などの接合材により封止樹脂34に接合してある。
電子部品14Gは、封止樹脂34の上面にマウント端子となる電極パターン36を有している。これらの電極パターン36は、圧電振動片104に形成した一対の接続電極(図示せず)と対応した位置に設けてある。そして、圧電振動片104の接続電極は、シリコーン系導電性接着材あるいはAuバンプ等の導電性部材110を介して、電極パターン36に接合してある。各電極パターン36は、バンプ58を介して電子部品本体20の端子部に電気的に接続してある。なお、電極パターン36は、振動子パッケージ106が金属によって形成してある場合、図12に示したように、振動子パッケージ106と接触しないように形成する。
このようになっている圧電発振器100は、圧電振動片104を直接封止樹脂34に実装しているため、振動子パッケージの底部を省略することができ、より薄型にすることができる。また、圧電振動片104と電子部品本体20とを電気的に接続する配線をより短くできて、寄生容量などをより小さくできる。さらに、圧電発振器100は、圧電振動片104と電子部品本体20との距離が小さくなるため、両者の温度差が小さくなり、より高精度な温度補償型発振器とすることができる。
なお、衝撃等により圧電振動片104と電極パターン36との導通がオープンにならないように、封止樹脂34を成型する金型により封止樹脂34の圧電振動片104側の表面に、1個以上の凸部を形成して耐衝撃性を向上させてもよい(図示せず)。また、封止樹脂34がエポキシ系樹脂であって、圧電振動片104を振動子パッケージ106によって気密封止の必要がある場合には、封止樹脂34の電極パターン36が形成された面を、電極パターン36の一部が露出するように封止樹脂34よりも耐湿性のよい低融点ガラス等の絶縁材料をコーティングする。
10、10A〜10E………圧電発振器、12………圧電振動子、14、14A〜14G………電子部品、20………電子部品本体、24、66、66A………実装端子、30b、56、58、58a、58b………導電部材(ボンディングワイヤ、バンプ)、34………絶縁材料(封止樹脂)、36、36a、36b………電極パターン、100………圧電発振器、102………圧電振動子、104………圧電振動片。
Claims (9)
- 圧電振動片と、この圧電振動片に電気的に接続された電子部品とを備えた圧電発振器であって、
前記電子部品は、
能動面が絶縁材料に覆われた電子部品本体と、
前記電子部品本体の端子部に電気的に接続されるとともに、一部が前記絶縁材料の表面に露出している導電部材と、
前記絶縁材料表面の、露出した前記導電部材を含む領域に形成した電極パターンと、
を有することを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1に記載の圧電発振器において、
前記電極パターンは、前記圧電振動片を内蔵した圧電振動子を接合する接続端子であることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1に記載の圧電発振器において、
前記電極パターンは、前記圧電振動片の接続電極を接合するマウント端子であることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の圧電発振器において、
前記電極パターンは、前記電子部品本体に対する情報の書込み用または読出し用の制御端子であることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の圧電発振器において、
前記電極パターンは、実装基板に接合する実装端子であることを特徴とする圧電発振器。 - 能動面が絶縁材料により覆われている電子部品本体と、
前記電子部品本体の複数の端子部に対応して設けられ、それぞれが対応する前記端子部に電気的に接続されるとともに、一部が前記絶縁材料の表面に露出している導電部材と、
前記絶縁材料表面の、露出した前記各導電部材を含む領域のそれぞれに形成した電極パターンと、
前記複数の電極パターンの一部に導電性接合材を介して接合した圧電振動片または圧電振動子と、
前記電極パターンを形成した面の反対側面に設けられ、前記電極パターンの他の一部と電気的に接続された導電パターンからなる実装端子と、
を有することを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の圧電発振器において、
前記導電部材は、前記電子部品本体の前記端子部に一端を接続したボンディングワイヤであることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の圧電発振器において、
前記導電部材は、前記電子部品本体の前記端子部上に形成したバンプであることを特徴とする圧電発振器。 - 圧電振動子と、この圧電振動子に電気的に接続した電子部品とを備えた圧電発振器の製造方法であって、
電子部品本体の端子部に導電部材を接合する接合工程と、
前記導電部材の一部を露出させて前記電子部品本体の能動面を絶縁材料で覆う封止工程と、
前記絶縁材料表面の、露出した前記導電部材を含む領域に電極パターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極パターンに圧電振動片または圧電振動子を接合するマウント工程と、
を有することを特徴とする圧電発振器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005201477A JP2006074736A (ja) | 2004-08-02 | 2005-07-11 | 圧電発振器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004225470 | 2004-08-02 | ||
JP2005201477A JP2006074736A (ja) | 2004-08-02 | 2005-07-11 | 圧電発振器およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006074736A true JP2006074736A (ja) | 2006-03-16 |
Family
ID=36154798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005201477A Withdrawn JP2006074736A (ja) | 2004-08-02 | 2005-07-11 | 圧電発振器およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006074736A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007267113A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2008141413A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器及びその製造方法 |
US7446460B2 (en) | 2006-06-05 | 2008-11-04 | Epson Toyocom Corporation | Piezoelectric device |
JP2009044110A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-02-26 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009111392A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Samsung Electronics Co Ltd | スタック・パッケージ及びその製造方法 |
JP2009534865A (ja) * | 2006-04-24 | 2009-09-24 | マイクロン テクノロジー, インク. | 封止スルー・ワイヤ相互接続部(twi)を有する半導体構成要素およびシステムとウェハ・レベル製造方法 |
JP2010147850A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
US8053909B2 (en) | 2005-04-08 | 2011-11-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor component having through wire interconnect with compressed bump |
US8193646B2 (en) | 2005-12-07 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor component having through wire interconnect (TWI) with compressed wire |
US8546931B2 (en) | 2005-05-19 | 2013-10-01 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor components having conductive interconnects |
JP7441887B2 (ja) | 2022-02-14 | 2024-03-01 | ウェスタン デジタル テクノロジーズ インコーポレーテッド | 露出したボンドワイヤを備える半導体デバイスパッケージ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070414A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電発振器 |
JPH11145728A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-28 | Nec Corp | 圧電振動子発振器 |
JP2000124393A (ja) * | 1998-09-15 | 2000-04-28 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | スタックパッケ―ジ及びその製造方法 |
JP2002330027A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の温度補償水晶発振器 |
JP2004063824A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-11 JP JP2005201477A patent/JP2006074736A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070414A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電発振器 |
JPH11145728A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-28 | Nec Corp | 圧電振動子発振器 |
JP2000124393A (ja) * | 1998-09-15 | 2000-04-28 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | スタックパッケ―ジ及びその製造方法 |
JP2002330027A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の温度補償水晶発振器 |
JP2004063824A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8053909B2 (en) | 2005-04-08 | 2011-11-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor component having through wire interconnect with compressed bump |
US8546931B2 (en) | 2005-05-19 | 2013-10-01 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor components having conductive interconnects |
US9013044B2 (en) | 2005-12-07 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Through wire interconnect (TWI) for semiconductor components having wire in via and bonded connection with substrate contact |
US8193646B2 (en) | 2005-12-07 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor component having through wire interconnect (TWI) with compressed wire |
JP4742938B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-08-10 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP2007267113A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイス及びその製造方法 |
US8120167B2 (en) | 2006-04-24 | 2012-02-21 | Micron Technology, Inc. | System with semiconductor components having encapsulated through wire interconnects (TWI) |
US8741667B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-03 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating a through wire interconnect (TWI) on a semiconductor substrate having a bonded connection and an encapsulating polymer layer |
JP2009534865A (ja) * | 2006-04-24 | 2009-09-24 | マイクロン テクノロジー, インク. | 封止スルー・ワイヤ相互接続部(twi)を有する半導体構成要素およびシステムとウェハ・レベル製造方法 |
JP4853747B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-01-11 | マイクロン テクノロジー, インク. | 封止スルー・ワイヤ相互接続部(twi)を有する半導体構成要素およびシステムとウェハ・レベル製造方法 |
US9018751B2 (en) | 2006-04-24 | 2015-04-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor module system having encapsulated through wire interconnect (TWI) |
US8217510B2 (en) | 2006-04-24 | 2012-07-10 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor module system having stacked components with encapsulated through wire interconnects (TWI) |
US8404523B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-03-26 | Micron Technoloy, Inc. | Method for fabricating stacked semiconductor system with encapsulated through wire interconnects (TWI) |
US8581387B1 (en) | 2006-04-24 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Through wire interconnect (TWI) having bonded connection and encapsulating polymer layer |
US7446460B2 (en) | 2006-06-05 | 2008-11-04 | Epson Toyocom Corporation | Piezoelectric device |
JP2008141413A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器及びその製造方法 |
US8710647B2 (en) | 2007-08-13 | 2014-04-29 | Yutaka Kagaya | Semiconductor device having a first conductive member connecting a chip to a wiring board pad and a second conductive member connecting the wiring board pad to a land on an insulator covering the chip and the wiring board |
JP2009044110A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-02-26 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009111392A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Samsung Electronics Co Ltd | スタック・パッケージ及びその製造方法 |
JP2010147850A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP7441887B2 (ja) | 2022-02-14 | 2024-03-01 | ウェスタン デジタル テクノロジーズ インコーポレーテッド | 露出したボンドワイヤを備える半導体デバイスパッケージ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006074736A (ja) | 圧電発振器およびその製造方法 | |
US7456552B2 (en) | Piezo-electric oscillator and method of manufacturing the same | |
KR100837453B1 (ko) | 압전 디바이스 | |
JP4742938B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP5115258B2 (ja) | 圧電デバイスおよび電子機器 | |
JP2010050778A (ja) | 圧電デバイス | |
JP2009232150A (ja) | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 | |
JP2009194652A (ja) | 表面実装用の水晶発振器及び電子カード用の基板 | |
JP4918391B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007243536A (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP2006238210A (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP4724518B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP5071035B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JPH0738334A (ja) | 水晶発振器 | |
JP2008109429A (ja) | 圧電デバイス | |
JP2008141413A (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
JP2008011125A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP2004260598A (ja) | 表面実装型温度補償水晶発振器 | |
JP2007141947A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007281597A (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP2008011029A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2008010922A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2009218783A (ja) | 圧電デバイス | |
JP5045316B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2007067135A (ja) | ランドパターン形状を有する基板とそこに実装する圧電部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101213 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110126 |