KR100649176B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면, 리소그래피 투영장치에 있어서, 소정의 액체공급시스템이 투영시스템의 마지막 요소와 리소그래피 투영장치의 기판 사이의 공간에서 액체를 유지시킨다. 기판을 잡아주는 기판테이블상에 위치되는 센서는 기판이 침지액체내에서 침지될 때에(즉, 기판이 묘화될 때와 동일한 조건하에서) 묘화되도록 되어 있다. 센서의 흡수요소의 주요 외측면이 1종 또는 적은 종의 금속류로 형성되게 함으로써, 센서의 수명이 길어진다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치;
도 2 및 3은 종래기술의 리소그래피 투영장치에 사용되는 액체공급시스템;
도 4는 또 다른 종래기술의 리소그래피 투영장치에 따른 액체공급시스템;
도 5는 본 발명에 따른 센서 및 또 다른 액체공급시스템;
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 센서;
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 센서;
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 센서; 및
도 9는 본 발명의 제4실시예에 따른 센서를 예시한 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는, 기판 일반적으로는 기판의 타겟부상으로 필요한 패턴을 적용시키는 기계이다. 예를 들어, 리소그래피 장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 대안적으로는 마스크 또는 레티클로 지칭되기도 하는 패터 닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(1이상의 다이로 구성되는)상으로 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 상기 패턴의 전사는 기판상에 제공되는 방사선-감응재(레지스트)의 층상으로의 묘화(imaging)를 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 순차적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함한다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체 마스크 패턴을 타겟부상으로 한번에 노광함으로써 상기 각 타겟부가 조사되는 소위 스테퍼(stepper)와, 주어진 기준 방향("스캐닝 방향")으로 방사선 빔을 통하여 상기 패턴을 스캐닝하는 한편 상기 스캐닝 방향과 평행 또는 반평행으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사되는 소위 스캐너(scanner)를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 패턴을 기판상에 임프린트(imprint)함으로써 패터닝장치로부터 기판으로 상기 패턴을 전사시키는 것도 가능하다.
또한, 투영시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 충전(fill)시키기 위하여 기판이 비교적 높은 굴절지수를 갖는 액체, 예를 들어 물에 리소그래피 장치의 기판을 침지시키는 방법에 제안되어 왔다. 이것의 요점은 노광 방사선이 상기 액체에서 보다 짧은 파장을 갖기 때문에 보다 작은 피처들의 묘화(imaging)가 가능해진다는 점이다. (상기 액체의 효과는 시스템의 유효 NA를 증가시키고 초점심도 또한 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다.) 그 안에서 현탁된 솔리드 입자(예를 들어, 석영)를 갖는 물을 포함하는 여타 침지액체들이 제안되어 왔다.
하지만, 액체의 바스(bath)내에 기판 또는 기판 및 기판테이블을 침지시키는 것(예를 들어, 본 명세서에서 그 전체를 참조로 채용하고 있는 US 4,509,852 참조)은 스캐닝 노광시 가속화되어야 하는 큰 체적의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이것은 추가적 또는 보다 강력한 모터를 필요로 하고 상기 액체내의 난류가 바람직하지 않고 예기치 못한 효과를 가져올 수도 있다.
제안되는 해법들 중 하나는 액체 공급시스템이 액체 제한 시스템(liquid confinement system)을 사용하여 투영시스템의 마지막 요소와 기판 사이, 그리고 기판의 단지 국부화된 영역상에만 액체를 공급하는 것이다(일반적으로 기판은 투영시스템의 마지막 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이를 위해 제안되어온 한가지 방법은 본 명세서에서 참조를 위해 그 전체를 채용한 WO 99/49504에 개시되어 있다. 도 2 및 3에 예시된 바와 같이, 액체는, 1이상의 유입구(IN)에 의하여, 바람직하게는 마지막 요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 기판상으로 공급되고 투영시스템 아래를 지난 후에 1이상의 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소의 아래에서 스캐닝되므로, 액체는 상기 요소의 +X 측에서 공급되고 -X측에서 흡수된다. 도 2는, 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고 저압 소스에 연결되는 유출구(OUT)에 의하여 상기 요소의 다른 측면상에서 흡수되는 배열을 개략적으로 나타내고 있다. 도 2의 예시에서, 상기 액체는 마지막 요소에 대한 상기 기판의 이동 방향을 따라서 공급되나, 이것이 상기 경우에 반드시 필요한 것은 아니다. 마지막 요소의 주변에 위치한 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 실행가능하며, 그 일 예가, 마지막 요소 주변에서 정상적인 패턴으로 어느 한 측면상에 유출구 및 유입구로 이루어진 4개의 세트가 제공된 도 3에 예시되어 있다.
제안되어 온 또 다른 해법은 액체공급시스템에, 기판 테이블과 투영시스템의 마지막 요소 사이 공간 경계부의 적어도 일부분을 따라 연장되는 시일 부재를 제공하는 것이다. 이 해법은 도 4에 예시되어 있다. 상기 시일 부재는 Z방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대적인 움직임이 존재하더라도 XY 평면에서는 투영시스템에 대해 실질적으로 정지된 상태이다. 시일 부재와 기판의 표면 사이에는 시일이 형성된다. 상기 시일은 가스 시일과 같은 무접촉식 시일이 바람직하다. 본 명세서에서 참조를 위해 채용한 유럽특허출원 제03252955.4호에는 가스 시일을 이용한 시스템 등이 개시되어 있다.
유럽특허출원 제03257072.3호에는, 트윈 또는 듀얼 스테이지의 침지 리소그래피 장치의 아이디어가 개시되어 있다. 상기 장치에는 기판을 지지하기 위한 2개의 스테이지가 제공된다. 수준 측량(leveling measurements)은 침지 액체 없이 제1위치에서 일 스테이지로 수행되고, 노광은 침지 액체가 존재하는 제2위치에서 일 스테이지로 수행된다. 대안적으로는 상기 장치가 단 하나의 스테이지를 가질 수도 있다.
종래의 리소그래피 투영장치는, 기판을 지지하는 기판테이블이 투영빔에 대해 정확하게 위치설정될 수 있도록 기판테이블상에 몇개의 센서를 필요로 한다. 이들 센서들은 레티클 레벨(마스크)에서 마스크 패턴의 투영되는 에어리얼 이미지의 웨이퍼 레벨에서의 위치를 측정하는데 사용되는 센서인 TIS(Transmission Image Sensor)를 포함한다. 통상적으로, 웨이퍼 레벨에서 투영되는 이미지는 투영빔의 파장과 유사한 라인 폭을 갖는 라인 패턴이다. 상기 TIS는 포토 셀 하부를 갖는 투과 패턴을 사용함으로써 상기 마스크 패턴들을 측정한다. 센서 데이터는 웨이퍼 테이블의 위치에 대한 마스크의 위치를 6가지 자유도로 측정하는데 사용된다. 또한, 상기 측정을 위해서 마스크상의 4개의 지점이 사용되기 때문에 투영되는 마스크의 확대 및 스콜링(scalling)이 측정된다. 또한, 센서는 패턴의 위치 및 조명세팅(Sigma, Lens NA, 모든 마스크(Binary, PSM,...))의 영향을 측정할 수 있어야 하기 때문에 작은 라인 폭이 필요하다. 또한, 상기 센서는 상기 장치의 광학성능을 측정/모니터링하는데 사용된다. Pupil 형상, Coma, Spherical, Astigmatism 및 Field 곡률을 측정하기 위하여 다양한 측정들이 실행된다. 상기 측정들에 대하여, 다양하게 투영되는 이미지들과 조합하여 다양한 조명 세팅들이 사용된다. 또한, 상기 센서는 리소그래피 툴과 관련하여 구현되는 간섭계 웨이브프론트 측정시스템(interferometric wavefront measurement system)인 ILIAS(Integrated Lens Interferometer At Scanner)일 수도 있다. ILIAS는 시스템의 셋업 및 적격화검사에 필요한 렌즈 수차(최대 Zernicke 36)와 관련된 (정적) 측정들을 수행한다. ILIAS는 시스템 셋업 및 캘리브레이션에 사용되는 스캐너 집적 측정시스템이다. ILIAS는 기계 소요품에 따른 정규 기준과 관련하여 스캐너의 재캘리브레이션 및 모니터링에 사용된다. 또한, 상기 센서는 기판 레벨에서 사용될 수 있는 선량 (스폿) 센서 또는 여타 형태의 센서일 수 있다. 상기 센서들 모두는 기판 레벨에서 사용되고, 위와 같이 기판테이블상에 위치된다. 침지액체가 투영빔에 어떻게 효과를 미치는지에 대한 복잡한 예측을 수행해야할 필요성을 없애기 위하여, 기판이 투영될 때와 동일한 조건, 즉 투영시스템의 마지막 요소와 센서 사이의 공간을 침지액체로 충전한다 는 조건하에서 상기 센서들을 조명하는 것이 바람직하다.
종래 리소그래피 투영장치에 사용되는 상술된 형태의 센서들은 실제 포토 센서 요소 검출기 전방의 격자에 걸쳐 흡수층이 위치될 필요가 있다. 상기 흡수층은 정확한 리딩이 이루어질 수 있도록 상기 센서가 하이 콘트라스트 센서이어야 할 필요가 있다. 상기 흡수층은 폐쇄된 영역과 판상의 개방 패턴을 통하여 투과되는 광 사이의 하이 신호 콘트라스트를 얻기 위하여 개방영역과 폐쇄영역을 갖는다. 흡수층 아래의 포토센서는 큰 각도에 대하여 광을 측정하기 위해서 개방 패턴보다는 훨씬 더 큰 것이 보통이다. 통상적인 센서에서의 개방 패턴영역 대 포토 감응영역의 비는 대략 1:5600이다. 따라서, 포토 센서 상부의 폐쇄영역상에 흡수층을 사용하여 가능한 한 많은 광을 흡수하는 것이 중요하다. 200nm 정도의 라인 폭을 갖는 영역 패턴들이 요구된다. 이를 구현하기 위하여, 요구되는 분해능을 쉽게 얻을 수 있도록 다중층 구조체가 사용된다. 통상적으로, 상기 센서들의 흡수요소들은 상이한 금속류(metal type)들로 이루어진 복수의 층으로 만들어 질 수 있다. 크롬은 마스크 제조에서 잘 알려져 있고 UV 및 DUV 광을 차단하는 양호한 흡수특성을 가지기 때문에 가장 널리 사용된다. 알루미늄 또한 크롬에 대해 양호한 에칭 선택성 및 양호한 광학적 밀도를 가지기 때문에 널리 사용된다. 여타 금속들, 기본금속(elemental metal)이나 합금 모두가 적합할 수도 있다. 기판테이블의 높이 측정에 유용한 그들의 양호한 전기 도전성 및 광학적 반사성 때문에 금속들이 바람직하다.
US 5,825,043에 개시된 종래기술의 침지 리소그래피 투영장치에서는, 기판테이블의 표면으로부터 방사선이 반사된다는 것에 기초하여, 기판테이블상에 센서들 이 배치되기 때문에 센서들이 침지액체에 대한 저항성을 갖도록 할 필요가 없다. 이는 정확성에 있어서의 손실을 가져온다.
침지 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 정확한 센서를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 패터닝장치로부터 기판상으로 패턴을 투영하도록 배치된 리소그래피 투영장치가 제공되고, 상기 장치는:
- 상기 투영시스템의 마지막 요소와 상기 기판 사이의 공간에 침지액체를 제공하도록 배치된 액체공급시스템; 및
- 방사선에 의하여 노광되는 기판테이블상에 장착되는 한편, 상기 액체공급시스템으로부터의 침지액체에 침지되는 센서로서, Al, Cr, 또는 Al 및 Cr로 형성되는 상기 센서의 조사 동안, 상기 침지액체와 접촉하는 외측면을 포함하는 상기 센서를 갖는다.
본 발명에 의하면, 특히 침지액체가 물이거나 물을 기반으로 한 것일 경우 2종의 유사하지 않은 금속들 사이의 갈바닉 셀(galvanic cell)의 형성이 방지될 수 있다. 이는, 상기 센서가 기판테이블상에 위치설정되도록 한다. 갈바닉 셀이 조성되는 것이 허용될 경우 흡수요소상에는 작은 크기의 피처들을 요하기 때문에, 금속 종류들 중 하나가 용해되어 나간다면 상기 흡수요소의 유효성은 크게 저감할 것이다. 따라서, 침지환경에서의 긴 사용수명을 제공하는 본 발명에 의하면 하이 콘트라스트 센서들이 얻어진다.
금속류란 용어는 기본금속 또는 합금을 의미한다.
일 실시예에서, 외측면은 1종 금속류의 연속층에 의하여 형성된다. 그 다음, 상이한 흡수특성의 영역을 제공하는 한가지 방법은 그 두께가 균일하지 않도록 하나의 층을 제공하는 것이다. 따라서, 흡수요소내의 두 금속의 사용을 완전히 배제하여 연속층에 대한 약간의 손상이 있더라도 갈바닉 셀이 조정되지 않는다.
대안적으로는, 흡수요소가 고립재료로 된 1이상의 층을 포함할 수도 있다. 고립재료는 서로 전기적으로 절연되고 침지액체로부터 고립될 수 있도록 하기에 편리한 방식을 제공한다. 바람직하게는, 상기 층은 연속적이나 2종의 금속이 서로 고립되고 침지액체로부터 고립되는 한 필요하지 않다.
일 실시예에서, 흡수요소는 두께가 균일하지 않는 1이상의 금속층을 포함한다. 상기 실시예에서, 외측면은 상기 고립재료층의 영역 및 상기 1종의 금속류의 1이상의 층의 하나의 영역을 포함할 수 있다. 상기 1이상의 금속층이 상이한 금속류로 된 각 금속의 2개층이라면, 고립재료의 층은 전기절연재료일 수 있고 각각 상이한 금속류로 된 두개층 사이에 끼워질 수도 있다.
또한, 흡수요소가 고립재료로 된 1이상의 층을 포함하는 경우, 상기 흡수요소는 각각 상이한 금속류로 된 두 층을 포함할 수도 있다. 고립재료층이 외측면을 형성한다면 각각 상이한 1종의 금속류로 되어 있는 두 층은 접촉하게 될 수도 있다.
본 발명의 추가형태에 따르면,
- 투영시스템의 마지막요소와 상기 기판 사이의 공간내에 침지액체를 통하여 상기 기판상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 및
- 상기 마지막 요소와 센서 사이에 침지액체를 제공한 후에 기판테이블상의 센서를 조명하는 단계를 포함하고, 상기 센서는 1종 또는 적은 종의 금속류로 형성되고 상기 침지액체와 접촉하는 외측면을 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는:
- 방사선(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)의 빔(B)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝수단(MA)(예를 들어, 마스크)을 지지하고, 적정 파라미터에 따라 패터닝수단을 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 지지구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(WT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 적정 파라이터에 따라 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝수단(MA)에 의하여 방사선 빔(B)으로 부여된 패턴을 (예를 들어, 1이상의 다이를 포함하는) 기판(W)의 타겟부(C)상으로 투영하도록 구성된 투영시스템(예를 들어, 굴절투영렌즈 시스템)(PL)를 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기나 여타 형태의 광학구성요소 또는 그들의 조합과 같은 광학구성요 소를 포함하는 다양한 종류의 광학구성요소를 포함할 수 있다.
지지구조체는 패터닝장치의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 상기 지지구조체는, 패터닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝장치가 진공환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 따른 소정의 방식으로 상기 패터닝장치를 유지시킨다. 상기 지지구조체는 패터닝수단을 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타 클램핑 기술들을 사용할 수 있다. 상기 지지구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정 또는 이동이 가능한 테이블 또는 프레임일 수 있다. 상기 지지구조체는 예를 들어 투영시스템에 대하여 원하는 위치에 상기 패터닝장치가 놓이도록 할 수도 있다. 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "마스크"란 용어는 좀 더 일반적인 용어인 "패터닝장치"와 동의어로 생각할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성시키는 것과 같이 투영 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 모든 장치를 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여되는 패턴은, 가령 상기 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처를 포함한다면 기판 타겟부의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않는다는데 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여되는 패턴은 집적회로와 같은 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램 가능한 거울배열 및 프로그램 가능한 LCD 패널을 포함한다. 리소그래피에서는 마스크가 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 프로그램 가능한 거울배열의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 배열을 채용하며, 상기 거울들 각각은 개별적으로 경사져서 입사되는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시킨다. 이렇게 경사진 거울들은 거울 매트릭스에 의하여 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는 사용되는 노광 방사선에 대하여 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절한 것으로서 굴절, 반사 및 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학시스템을 포함한 모든 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영시스템"이라는 보다 일반적인 용어와 동의어로 고려될 수도 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용하는) 투과형이다. 대안적으로는, (예를 들어, 상술된 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 배열을 채용하거나 반사형 마스크를 채용하는) 반사형일 수도 있다.
리소그래피장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병렬로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 상기 방사선소스와 리소그래피 장치는, 예를 들어 상기 방사선소스가 엑시 머 레이저인 경우 별도로 존재할 수도 있다. 이러한 경우에, 상기 방사선소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성한다고 볼 수 없으며, 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로 방사선소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)를 거쳐간다. 여타의 경우에는, 예를 들어, 방사선소스가 수은램프인 경우 상기 방사선소스가 상기 장치의 통합된 일부일 수 있다. 방사선소스(SO)와 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭할 수도 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기분포를 조정하는 조정기(adjuster:AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터 퓨필 평면에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측의 반경크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 상기 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 여타 다양한 구성요소들을 포함한다. 상기 일루미네이터는 방사선 빔을 콘디셔닝하여 그것의 단면에 필요한 균일성과 세기 분포를 갖도록 하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 기판지지체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에 잡혀있는 패터닝장치(예를 들어, 마스크(MA)상)에 입사되고, 패터닝장치에 의하여 패터닝된다. 방사선 빔(B)은 마스크(MA)를 가로지른 다음 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔을 포커스한다. 제2위치설정수단(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더 또는 용량성 센서)에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 상기 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지는 않았음)는, 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후나 스캔하는 중에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로 마스크테이블(MT)의 이동은, 제1위치설정수단(PM)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제1위치설정수단(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우에, 마스크 테이블(MT)은 짧은 행정 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1,P2)를 사용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬마크들이 전용 타겟부를 점거하더라도, 그들이 타겟부들 사이의 공간에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-래인 정렬마크(scribe-lane alignment marks)라 공지되어 있음). 이와 유사하게 하나 이상의 다이가 마스크(MA)상에 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 마스크 정렬마크가 배치될 수도 있다.
나타낸 장치는 다음의 바람직한 모드 중 1이상에 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)이 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에(즉, 단일 정적노광) 타겟부(C)상으로 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단 일 정적노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)이 동시에 스캐닝되는 한편 방사선 빔에 부여된 패턴이 소정 타겟부(C)(즉, 단일 동적노광)상에 투영된다. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영시스템(PS)의 이미지 반전특성 및 확대(축소)에 의하여 판정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 (스캐닝되지 않는 방향에서의) 타켓부의 폭을 제한하는 한편, 스캐닝동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝방향에서의) 높이를 판정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)이 프로그램가능한 패터닝장치를 잡아주어 기본적으로 정적인 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 움직이거나 스캐닝된다. 상기 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선소스가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 이어지는 방사선펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 상기 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울배열과 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 활용하는 마스크없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들을 채용할 수도 있다.
도 5는 기판 스테이지(WT)상에 위치되는 센서와 투영시스템(PL) 사이의 액체저장소(10)를 나타낸다. 상기 액체저장소(10)는 유입/유출 덕트(1)를 거쳐 제공되는 비교적 높은 굴절지수를 갖는 액체, 예를 들어 물로 충전된다. 상기 액체는 투 영시스템의 파장이 공기 또는 진공내에서보다 액체내에서 더 짧아서 보다 작은 피처들이 분해될 수 있도록 하는 효과를 가진다. 투영시스템의 분해능 한도는 특히 투영빔의 파장 및 시스템의 개구수에 의하여 결정된다는 것이 잘 알려져 있다. 액체의 존재는 유효 개구수를 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다. 또한, 고정 개구수에서, 상기 액체는 필드의 깊이를 증가시키는데 효과적이다.
저장소(10)는, 투영시스템(PL)과 마주하는 기판의 주요 표면과 투영시스템(PL)의 마지막 광학요소 사이의 공간을 충전시키기 위하여 상기 액체가 가두리될 수 있도록 상기 투영렌즈(PL)의 묘화 필드 주변에서 상기 기판(W)에 대해 바람직한 무접촉 시일을 형성한다. 상기 저장소는 투영렌즈(PL)의 마지막 요소의 아래 및 그를 둘러싸고 위치한 시일부재(12)에 의하여 형성된다. 따라서, 액체공급시스템은 기판의 국부화된 영역상에만 액체를 제공한다. 상기 시일부재(12)는 투영시스템의 마지막 요소와 센서(10)(또는 기판(W)) 사이의 공간을 액체로 충전하는 액체공급시스템의 일부분을 형성한다. 상기 액체는 투영렌즈의 아래의 공간 및 시일부재(12)내로 들어간다. 상기 시일부재(12)는 투영렌즈의 저부요소 약간 위로 연장되고, 상기 액체는 액체의 버퍼가 제공되도록 상기 마지막 요소 위로 상승한다. 시일부재(12)는 상단부에서 투영시스템 및 그것의 마지막 요소의 형상과 밀접하게 순응하는, 예를 들어 둥근 내주부를 갖는다. 저부에서, 내주부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형(하지만, 어떠한 형상이라도 가능)에 밀접하게 순응한다. 투영빔은 상기 어퍼처를 통과한다.
상기 액체(11)는 시일장치(16)에 의하여 저장소(10)내에 가둬진다. 도 2에 예시된 바와 같이, 시일장치는 무접촉 시일, 즉 가스 시일이다. 가스 시일은 가스, 예를 들어 유입구(15)를 거쳐 시일부재(12)와 기판(W) 사이의 갭으로의 가압하에 제공되고 제1유출구(14)에 의하여 추출되는 공기 또는 합성공기에 의하여 형성된다. 가스 유입구(15)사의 과도 압력, 제2유출구(14)상의 진공 레벨 및 갭의 기하학적 구조는 액체(11)를 가둬 놓는 장치의 광학 축선을 향해 안쪽으로 고속의 공기 유동이 존재하도록 배치된다. 여느 시일에 의한 것과 마찬가지로, 예를 들어 제1유출구(14) 로 일부 액체가 누출되기 쉽다.
또한, 도 2 및 3은 유입구(들)(IN), 유출구(들)(OUT), 기판(W) 및 투영렌즈(PL)의 마지막 요소에 의하여 형성되는 액체 저장소를 도시하고 있다. 도 4의 액체공급시스템과 마찬가지로, 유입구(들)(IN) 및 유출구(들)(OUT)을 포함하는 도 2 및 3에 예시된 액체공급시스템은 투영시스템의 마지막 요소와 기판 주요 표면의 국부화된 영역 사이의 공간으로 액체를 공급한다.
도 2 내지 4 및 5의 액체공급시스템 모두는 도 6에 보다 상세히 예시된 센서(20)와 함께 사용될 수 있다. 도 6에서, 상기 액체공급시스템은 예시되지 않았으나, 침지액체(11)로 충전되는 액체 저장소(10)에서와 같이 투영시스템(30)의 마지막 요소는 도시되어 있다.
센서(20)는 센서요소 검출기(40), 투과성 센서격자(45) 및 흡수요소(100)로 이루어진다. 상기 흡수요소(100)는 센서 콘트라스트를 강화하여 전체 센서의 성능을 향상시키는데 사용된다. 흡수요소(100)로 인한 상기 센서의 콘트라스트는 폐쇄 영역, 즉 커버되는 영역을 통하여 투과되는 광의 양에 대한 패턴의 개방 영역을 통 하여 투과되는 광이 비이다. 흡수요소의 거동은 주로 센서요소 검출기(40) 위의 흡수요소(100)의 영역과 투과성 센서격자(45)의 개방 영역의 비에 의하여 구동된다. TIS와 관련하여, 개방 격자영역 대 폐쇄 흡수영역의 비는 1:5600이다. 흡수요소(100)를 통하여 투과되는 광의 0.1% 콘트리뷰션(contribution)를 얻기 위해서는, 10e-3/5600~2e-7의 광학 밀도가 요구된다.
투과성 센서격자(45)는 (센서상의 패턴보다 4 또는 5배 큰) 레티클 레벨에서 대응 패턴의 투영되는 에어리얼 이미지의 콘볼루션(convolution)을 위해 사용된다. 레티클 레벨에서 패턴의 투영되는 에어리얼 이미지를 갖는 투과성 센서 격자(45)의 콘볼루션은 기판 레벨에서 투과성 센서 격자(45)의 위치에 따른 세기 프로파일을 제공한다. 상이한 기판테이블 위치에서의 세기 데이터에 의하여 에어리얼 이미지의 위치 및 형상이 계산될 수 있다.
센서 요소 검출기(40)는 격자의 개방 영역을 통하여 투과되는 광을 전기신호로 전환시킨다. 하지만, 흡수요소(100) 및 격자(45)를 통하여 투과되는 광의 총량은 전체 전기신호에 기여한다. 양호한 센서 성능을 얻기 위해서는 흡수요소(100)를 통하여 투과되는 광의 양이 (개방 영역을 통하여 투과되는 광의 0.1% 미만으로) 최소화되어야 한다. 흡수층(100)의 광학 밀도가 너무 크다면, 센서의 성능은 열화될 것이다.
따라서, 흡수요소(100)의 목적은 투영빔(PB)의 에너지의 일부를 흡수하여, 상이한 흡수특성의 영역들을 제공함으로써 상기 센서가 충분한 콘트라스트를 얻을 수 있도록 하는 것이다. 흡수요소(100)는 알루미늄 및/또는 크롬(또는 그들의 합 금)과 같은 1이상의 금속층으로 만들어지는 것이 바람직하나 어떤 금속들의 층으로도 만들어질 수 있다. Al 및 Cr은 투영빔 방사선의 흡수에 특히 효율적이며 유리한 제조 및 프로세싱 자원일 수 있다.
금속층의 총 두께는 200nm 정도로 이루어진다. Al/Cr 층에 있어서, 통상적으로 Al 층은 100nm, Cr 층은 90nm의 두께를 갖는다. 커버되지 않은 영역의 폭은 TIS의 경우는 100 내지 300nm, ILIAS의 경우는 2 내지 5㎛ 정도로 되어 있다. 흡수요소내에 각각 상이한 금속류로 된 2개층을 사용하면, 상기 두 금속류가 전기적으로 접촉하고, 전해질, 즉 침지액체와 접촉할 경우 갈바닉 셀이 설정될 것이다. 이러한 갈바닉 셀에서, 덜 희귀한 금속(알루미늄)은 반응 1에서와 같이 반응할 것이다.
Al → Al3+ + 3e- (반응 1)
반응 1에서 생성되는 3개의 전자는 반응 2가 일어나는 크롬-침지액체의 계면으로 이동한다. 수계 침지액체의 경우에, 상기 반응은:
2H2O + O2 + 4e- → 4OH- (반응 2)
물 이외의 침지액체에 대해서는, 약간 다른 반응이 일어난다.
상기 반응들이 합해지면 다음과 같은 반응이 일어난다.
4Al + 6H20 +3O2 → 4Al3+ + 12OH- (반응 3)
경험에 따르면, 전체 반응의 속도는, 특히 연루된 금속에 의한 영향을 받게된다. 그들의 위치가 갈바닉 셀에 가까워질수록, 부식속도는 느려진다. 아연 또는 카드뮴과 같은 갈바닉 열(series)내에서 알루미늄에 가까운 금속들은, 그들이 크롬을 대체하기 위한 본 적용에 사용하기에는 적합하지 않은 단점이 있다.
제1실시예에서, 상기 갈바닉 셀의 조성은, 통상적으로 20 내지 100nm 두께의 SiO2 또는 SiN과 같은 고립재료로 된 연속층(120)을 사용함으로써 방지된다. 상기 층(120)은 단지 층 105만이 침지액체와 접촉하게 되는 영역에 걸쳐 연속적일 필요는 없다. 그것이 없는, 즉 층 105와 107이 함께 침지액체와 접촉하는 경우에만 연속적일 필요가 있다. 층 105에서의 스크래치 및 핀홀로 인한 침지액체와 층 105와의 공존(compatibility)에 의한 문제를 방지하기 때문에 층 105의 모두를 사용하는 연속층이 바람직하다. 고립재료는 액체 불침투성(전기적으로 절연성 또는 도전성)이거나 전기 절연체일 수 있고 센서가 조사되는 방사선에 대해 충분히 투명해야 한다. 전기 절연체가 바람직하다. 연속층(120)이 흡수요소(100)의 두 금속층(105,107) 모두를 커버하면(즉, 센서의 노광시 침지액체와 접촉하게 되는 흡수요소(100)의 외측면이 연속층으로 형성되면), 반응 2가 진행될 수 없도록 두번째 금속층(107)(크롬층)이 침지액체(11)로부터 고립되기 때문에 상기 두 층들간에 또는 단일 층내의 상이한 두 금속류간에 갈바닉 반응이 진행될 수 없다.
본 발명에 의하면, 침지액체에 침지되는 경우의 유사하지 않은 두 금속류간의 갈바닉 셀의 형성은, 특히 침지액체가 물이거나 수계 액체인 경우 방지될 수 있다. 이는, 센서가 기판테이블상에 위치될 수 있도록 한다. 갈바닉 셀의 조성이 허용될 경우에는 흡수요소상에 작은 크기의 피처들이 요구되기 때문에, 상기 금속류 들 중 하나가 용해되어 나가게 되면 상기 흡수요소의 유효성이 급속이 저감된다. 따라서, 침지환경에서의 긴 사용수명을 제공하는 본 발명에 의하여 하이 콘트라스트 센서가 얻어진다.
금속류라는 용어는 기본금속 또는 합금을 의미한다. 고립재료는 상이한 금속류들이 서로 전기적으로 절연되거나 침지액체로부터 고립될 수 있도록 하는데 편리한 방법을 제공한다.
이상에서 알 수 있듯이, 각각의 두 금속층(105,107)은 상이한 종류의 금속으로 만들어질 수 있으며, 실제 본 발명은 1종 이상의 금속으로 만들어지는 단일 금속층만으로 사용될 수도 있다.
제2실시예
이제부터, 후술할 내용을 제외하고는 제1실시예와 동일한 제2실시예에 대하여, 도 6을 참조해 설명하기로 한다.
제2실시예에서도, 흡수층(100)은 2개의 금속층(105,107)으로 이루어진다. 하지만, 제2실시예에서는 연속 고립층(120)이 전기절연재료로 만들어지며 제1층(105)과 제2층(107) 사이에 끼워진다. 즉, 고립층은 단지 그것이 없을 때 층 105 및 107의 스택이 침지액체와 접촉하게 되는 경우에 필요하나, 연속층은 층(105)내의 결함에 잘 대응할 수 있는 것이 바람직하다. 따라서, 흡수요소(100)의 표면은 일부는 제1금속층(105)으로, 일부는 절연재료(120)의 층으로 형성된다. 본 실시예에서, 절연재료(120) 층의 역할은 제1금속층(105) 및 제2금속층(107)을 서로 전기적으로 고립시켜 갈바닉 결합이 존재하지 않도록 하는 것이다. 본 실시예에서, 제1금속층 (105)은 단일 금속류, 즉 기본금속이나 합금으로 만들어져야 하지만 두개의 기본금속 또는 완전히 합금되지는 않은 두개의 합금으로 이루어지지 않는다. 제2금속층(107)은 1이상의 금속류로 만들어질 수도 있다.
제3실시예
이제부터, 후술할 내용을 제외하고는 제1실시예와 동일한 제3실시예에 대하여, 도 7을 참조해 설명하기로 한다.
제3실시예에서는, 절연재료로 된 층(120)이 존재하지 않는다. 두 층(105,108)이 존재하는데, 그 중 한 층은 금속층(105), 바람직하게는 Cr로 이루어진 금속층이고, 다른 한 층은 세라믹, 예를 들어 금속 탄화물 또는 질화물, 바람직하게는 TiN과 같은 비금속층(108)이다. 상기 층들(105,108)은 대략 어느 한 방식일 수 있다. 또한, 이러한 조합은 갈바닉 부식에 대한 양호한 저항성을 가지며, 각 층은 대략 100nm 두께까지만 필요로 하기 때문에 제조가 용이한 장점을 갖는다.
제4실시예
이제부터, 후술할 내용을 제외하고는 제1실시예와 동일한 제4실시예에 대하여, 도 8을 참조해 설명하기로 한다.
제4실시예에서는, 흡수요소(100)에 단 한가지의 금속류를 사용함으로써 갈바닉 결합의 형성이 방지된다. 상기 단일 금속류는 층 105에 퇴적될 수 있다. 상이한 흡수특성의 영역들은 상이한 두께로 금속층(105)을 퇴적시킴으로써 층 105의 두께가 균일하지 않게 형성된다. 단 한가지의 금속류가 침지액체에 노출되기 때문에, 갈바닉 결합은 존재하지 않는다. 따라서, 흡수요소에서의 2개 금속을 사용이 완전 배제되어 연속층에 대한 작은 손상이 있더라도 갈바닉 셀이 조성되지 않는다.
상술된 실시예들 모두에 있어서, 금속층(105,107)은 센서의 영역에 걸쳐 다양한 두께들로 이루어질 수 있다. 변화하는 두께들은 상기 층이 전혀 퇴적되지 않는 영역들을 포함한다(도 5, 6 및 7 참조). 제1 및 제2실시예는 주어진 영역에 특정한 두께로 존재하거나 소정 영역에는 전혀 존재하지 않는 금속층들에 대하여 설명하였는데, 상기 경우에 있어 이것이 필수적인 것은 아니며 층들의 두께가 센서의 영역에 걸쳐 변화할 수도 있다.
투과성 센서 격자(45) 및 기판테이블(WT)는 비 도전성 재료로 만들어지는 것이 바람직하다. 이것은, 기판테이블(WT)이나 투과성 센서 격자(45) 및 또한 침지액체와 접촉하는 여타 금속들상에 퇴적되는 금속층들(105,107)간에 갈바닉 결합이 설정될 수 없다면 유리하다.
갈바닉 셀들의 형성을 피하기 위한 상술된 방법들은 침지액체내에 침지되는 센서들 중 일부에 적용될 수 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 플랫 패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막자기헤드 등의 제조와 같은 다른 여러 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 보다 일반적인 용어인 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 유의어로서 간주될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 여기서 지칭되는 기판 은, 예를 들어 트랙(통상적으로 기판에 레지스트의 층을 적용하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴) 또는 메트롤로지 또는 검사 툴에서, 노광 전 또는 후에, 처리될 수 있다. 적용이 가능하다면, 본 명세서는 상기 및 여타의 기판 프로세싱 툴에 적용될 수도 있다. 또한, 기판은, 예를 들어 다중층의 IC를 생성시키기 위하여 1회 이상 처리될 수 있기 때문에, 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어가 이미 다중 처리된 층을 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 사용에 관한 특정한 설명이 있었으나, 본 발명은 여타 적용례, 예를 들어 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에 적용될 수도 있으며, 상황이 허락한다면 광학 리소그래피만으로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패턴닝장치의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성되는 패턴을 형성한다. 패터닝장치의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용시킴으로써 레지스트가 제거(cure)되는 기판으로 공급되는 레지스트 층내로 가압될 수 있다. 상기 패터닝장치는 레지스트를 벗어나 이동하여 상기 레지스트가 제거되고 난 후에 그곳에 소정의 패턴을 남긴다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 정도인) 자외(UV)선과 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인) 극자외(EUV)선 및 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
상황이 허락한다면, "렌즈"라는 용어는 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예에 대하여 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계적 판독가능한 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 그 안에 위와 같은 컴퓨터 프로그램을 구비한 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명은 특히 침지 리소그래피 장치에 적용될 수 있으나, 상술된 종류들로만 제한되는 것은 아니다.
상기 설명들은 예시를 위한 것으로 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면 이하의 청구항의 범위를 벗어나지 않는다면 상술된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 이루어질 수도 있다는 것을 이해해야 한다.
본 출원은, 참조를 위해 본 명세서에 채용한, 2003년 7월 24일 출원된 유럽특허출원 제03255228.3호에 대한 우선권리를 청구한다.
본 발명에 따르면, 센서의 흡수요소의 주요 외측면이 1종 또는 적은 종의 금속류로 형성되게 함으로써 센서의 수명이 길어진다.

Claims (12)

  1. 패터닝장치로부터 기판상으로 패턴을 투영시키도록 배치되는 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 상기 투영시스템의 마지막 요소와 상기 기판 사이의 공간에 침지액체를 제공하도록 배치된 액체공급시스템; 및
    - 방사선에 의하여 노광되는 기판테이블상에 장착되는 한편, 상기 액체공급시스템으로부터의 침지액체에 침지되는 센서로서, Al, Cr, 또는 Al 및 Cr로 형성되는 상기 센서의 조사 동안, 상기 침지액체와 접촉하는 외측면을 포함하는 상기 센서를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외측면은 하나의 금속류로 된 연속층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연속층은 두께가 균일하지 않아서 상이한 흡수특성들을 갖는 영역들을 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 외측면은 하나의 금속류로 된 층으로 형성되고, 상기 센서는 세라믹재료로 된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 센서는 고립재료(isolation material)로 된 1이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 센서는 1이상의, 균일한 두께로 이루어지지 않은 금속층을 포함하는 것을 특징하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 1이상의 금속층은 각각 상이한 금속류로 된 2개의 층인 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 주요 외측면은 상기 고립재료로 된 층의 영역 및 한가지 금속류로 이루어진 상기 1이상의 금속층 중 하나의 영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 2개의 금속층은 접촉해 있고 상기 고립재료의 층은 전기 절연재료이며 상기 주요 외측면을 형성하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 고립재료의 층은 상기 2개의 금속층들 사이에 끼워지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서는, 상이한 흡수특성들의 영역들과 상기 흡수요소들에 의하여 형성될 경우에는 상기 외측면까지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  12. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 투영시스템의 마지막요소와 기판 사이의 공간내에 침지액체를 통하여 상기 기판상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 및
    - 상기 마지막 요소와 상기 사이에 침지액체를 제공한 후에 상기 기판테이블상의 센서를 조명하는 단계를 포함하고; 상기 센서는 Al, Cr, 또는 Al 및 Cr로 형성되고 상기 침지액체와 접촉하는 외측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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