KR100463558B1 - 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체 - Google Patents

회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체 Download PDF

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후지나와토루
오노히로시
카나자와호코
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 회로접속용 접착제로서, 상기 접착제에는 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물을 포함하는 회로접속용 접착제, 및 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 회로접속용 접착제로서, 상기 접착제는 제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 유리전이온도(Tg)가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높은 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제를 제공한다.

Description

회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체{ADHESIVE FOR CIRCUIT CONNECTION, CIRCUIT CONNECTION METHOD USING THE SAME, AND CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE}
종래, 액정디스플레이와 TCP 또는 FPC와의 접속, TCP 또는 FPC와 프린트배선판과의 접속에는 접착제중에 도전성 입자를 분산시킨 이방도전성 접착제가 사용되고 있다. 또한, 최근에는 반도체 실리콘칩을 기판에 실장하는 경우에도, 종래의 와이어본드는 아니고, 반도체 실리콘칩을 페이스다운(face down)으로 기판에 직접 실장하는 소위 플립칩(flip chip)실장이 행해지고 있고, 여기에서도 이방도전성 접착제의 적용이 개시되어 있다(일본국특개소 59-120436호, 일본국특개소 60-191228호, 일본국특개평 1-251787호, 일본국특개평 7-90237호 공보).
그러나, 종래의 이방도전성 접착제는 각종 기판에 대한 접착력이 불충분하여, 충분한 접속신뢰성이 얻어지지 않는다. 특히, 접속시의 기판으로의 손상이나 위치어긋남의 저감화, 및 생산효율을 향상시키기 위해서, 접속온도의 저온화, 접속시간의 단축화의 요구에 대해서는 충분한 신뢰성이 얻어지지 않는다.
본 발명은, 접속온도의 저온화, 접속시간의 단축화를 달성하는 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 그것을 사용한 회로접속구조체를 제공한다.
본 발명은 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체에 관한 것이다.
본 발명의 제 1의 태양은, (1) 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 회로접속용 접착제로서, 상기 접착제에는 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제이다.
(2) 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물이, 적어도 하나의 카르복실기를 함유하는 화합물인 상기 (1)에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(3) 라디칼중합성 물질을 더 포함하는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(4) 도전성 입자를 더 포함하는 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(5) 회로접속용 접착제를 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속한 접속구조체로서, 상기 회로접속용 접착제가 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 접착제인 회로접속구조체이다.
본 발명의 제 2의 태양은, (6) 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을전기적으로 접속하는 회로접속용 접착제로서, 상기 접착제는 제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 유리전이온도(Tg)가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높은 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제이다.
(7) 제 1 접착제층의 접속후의 Tg가 50∼200℃, 제 2 접착제층의 접속후의 Tg가 40∼100℃이고, 제 1 접착제층의 Tg는 제 2 접착제층의 접속후의 Tg보다 5℃ 이상 높은 것을 특징으로 하는 상기 (6)에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(8) 제 1 접착제층 및 제 2 접착제층의 적어도 한쪽에 도전성 입자를 포함하는 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(9) 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽이 라디칼중합성 물질을 포함하는 상기 (6) 내지 제 (8) 중 어느 하나에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(10) 제 1 접착제층과 제 2 접착제층의 두께의 비가, 제 1 접착제층의 두께/제 2 접착제층의 두께 = 0.3∼3.0인 상기 (6) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(11) 제 1 접착제층 및 제 2 접착제층의 적어도 한쪽에 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물을 포함하는 상기 (6) 내지 (10)에 기재된 회로접속용 접착제가 제공된다.
(12) 상기 (6) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 회로접속용 접착제를 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 방법으로서, 상기 회로접속용 접착제는 제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 Tg가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높고, 또한 Tg가 높은 제 1 접착제층을 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판중 탄성율이 높은 기판측에 배치하여 접속하는 회로접속방법이 제공된다.
(13) 상기 (6) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 회로접속용 접착제를 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속한 접속구조체로서, 상기 접착제는 제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 Tg가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높고, 또한 Tg가 높은 제 1의 접착제층을 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판중 탄성율이 높은 기판측에 배치하여 접속한 접속구조체가 제공된다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체에 있어서는, 내습시험, 냉열싸이클시험 등 각종 신뢰성 시험 후에도, 기판으로부터 리프팅(lifting), 박리가 발생하지 않기 때문에, 접착력의 저하나 접속저항의 상승이 일어나지 않고, 우수한 접속신뢰성을 나타낸다.
본 발명의 제 1의 태양에서는 수산화칼륨을 사용한 적정법으로 측정한 산당량이 5∼500(KOHmg/g)의 범위의 화합물이 사용될 수 있고, 특히 카르복실기함유 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 산당량이 5 미만이면 접착력의 향상이 나타나지 않고, 500을 넘어서 크게 되면 접착제의 흡수율 등이 크게 되므로, 내습신뢰성이저하한다. 카르복실기함유 화합물은 분자내에 카르복실기를 포함하고 있는 화합물이면 특별히 제한은 없다. 또한 중량평균분자량에도 특별히 제한은 없지만, 1,000,000보다 작은 화합물이 바람직하다. 분자량이 1,000,000보다 크게 되면 접착제의 유동성이 저하한다. 카르복실기함유 화합물의 구체예로서는, 옥살산, 말론산 등의 카본산, 폴리부타디엔, 폴리비닐부티랄, (메타)아크릴수지, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리스티렌, 폴리비닐포르말수지, 폴리에스테르수지, 크실렌수지, 페녹시수지, 폴리우레탄수지, 요소수지 등의 고분자중에 카르복실기를 도입한 화합물을 들 수 있다. 고분자중에 카르복실기를 도입하는 경우, 카르복실기함유 화합물을 공중합성분으로 하여 사용하여도 좋고, 고분자를 합성한 후에 카르복실기를 도입하여도 좋다. 본 발명에서 사용되는 고분자중에 카르복실기를 도입한 화합물의 배합량으로서, 1∼80중량%가 바람직하고, 5∼70중량%가 특히 바람직하다. 1중량% 미만에서는 접착성이 부족하게 되고, 80중량%를 넘으면 유동성이 저하하게 된다.
본 발명에서 사용되는 카르복실기함유 화합물 이외의 것으로서는, 스티렌-부타디엔-스티렌공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체 등의 열가소성 수지나, 에폭시수지, (메타)아크릴수지, 말레이미드수지, 시트라콘이미드수지, 나디이미드수지, 페놀수지 등의 열경화성 수지가 사용되는데, 내열성이나 신뢰성의 점에서 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 (메타)아크릴수지, 말레이미드수지, 시트라콘이미드수지, 나디이미드수지를 사용한 라디칼중합계가 저온경화성의 점에서 바람직하다.
본 발명의 제 2의 태양에 있어서 회로접속용 접착제는 제 1 접착제층과 제 2접착제층으로 구성되고, 제 1 접착제층의 접속후의 Tg가 제 2 접착제층의 접속후의 Tg보다 높은 것이 필요하다. 제 1 접착제층의 Tg는 50∼200℃가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 60∼150℃이다. 또한, 제 2 접착제층의 Tg는 40∼100℃이고, 제 1 접착제층의 Tg는 제 2 접착제층의 접속후의 Tg보다 5℃ 이상 높은 것이 바람직하고, 더욱이 10℃ 이상 높은 것이 특히 바람직하다.
또한, 제 1 접착제층과 제 2 접착제층의 두께의 비가, 제 1 접착제층의 두께/제 2 접착제층의 두께 = 0.3∼3.0이고, 0.8∼3.0인 경우가 바람직하다. 이 범위 이외의 두께에서는 내습시험, 냉열싸이클시험 등 각종 신뢰성시험 후에도, 기판으로부터의 리프팅, 박리가 발생하고, 우수한 접속신뢰성이 얻어지지 않는 경향이 있다.
더욱이, 본 발명에서는 상기의 2층구성의 접착제를 사용하여, 서로 대향하는 기판의 회로전극을 전기적으로 접속하는 경우, Tg가 높은 제 1 접착제를 서로 대향하는 기판의 탄성율이 높은 기판측에 배치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 제 1의 접착제층 또는 제 2의 접착제층으로서는, 상기한 열가소성 수지나 열경화성 수지가 사용되고, 내열성이나 신뢰성의 점에서 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 (메타)아크릴수지, 말레이미드수지, 시트라콘이미드수지, 나디이미드수지를 사용한 라디칼중합계가 저온경화성의 점에서 바람직하다.
(메타)아크릴수지로서는, (메타)아크릴레이트를 라디칼중합시키므로써 얻어지는 것으로서, (메타)아크릴레이트로서는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 등이 있고, 단독 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용하여도 바람직하다. 또한, 필요에 따라서는, 히드로퀴논, 메틸에테르히드로퀴논 등의 라디칼 중합금지제를 경화성이 손상되지 않는 범위에서 사용하여도 바람직하다.
더욱이, 인산에스테르구조를 갖는 라디칼중합성 물질을 사용한 경우, 금속 등 무기물에 대한 접착력을 향상시킬 수 있다. 인산에스테르구조를 갖는 라디칼중합성 물질의 사용량은 접착제 조성물의 총량에 대해서 0.1∼10중량부이고, 바람직하게는 0.5∼5중량부이다. 인산에스테르구조를 갖는 라디칼중합성 물질은 무수인산과 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응성 생성물로서 얻어진다. 구체적으로는, 모노(2-메타크릴로일옥시에틸)애시드포스페이트, 디(2-메타크릴로일옥시에틸)애시드포스페이트 등이 있고, 단독으로 사용하여도 좋고, 혼합하여 사용하여도 좋다.
말레이미드 수지로서는, 분자중에 말레이미드기를 적어도 1개 가지고 있는 것으로서, 예컨대 페닐말레이미드, 1-메틸-2,4-비스말레이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스말레이미드, N,N'-p-페닐렌비스말레이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스말레이미드,N,N'-4,4-(3,3-디메틸페닐렌)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스말레이미드, N,N'-4,4-디페닐설폰비스말레이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-말레이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-말레이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판 등이 있고, 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다.
시트라콘이미드수지로서는, 분자중에 시트라콘이미드기를 적어도 1개 갖고 있는 시트라콘이미드 화합물을 중합시킨 것으로서, 시트라콘이미드 화합물로서는, 예컨대 페닐시트라콘이미드, 1-메틸-2,4-비스시트라콘이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-p-페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스시트라콘이미드, N,N'-4,4-디페닐설폰비스시트라콘이미드, 2,2-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-시트라콘이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판 등이 있고, 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다.
나디이미드수지로서는, 분자중에 나디이미드기를 적어도 1개 가지고 있는 나디이미드 화합물을 중합한 것으로, 나디이미드 화합물로서는 예컨대, 페닐나디이미드, 1-메틸-2,4-비스나디이미드벤젠, N,N'-m-페닐렌비스나디이미드, N,N'-p-페닐렌비스나디이미드, N,N'-4,4-비페닐렌비스나디이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸비페닐렌)비스나디이미드, N,N'-4,4-(3,3-디메틸디페닐메탄)비스나디이미드, N,N'-4,4-(3,3-디에틸디페닐메탄)비스나디이미드, N,N'-4,4-디페닐메탄비스나디이미드, N,N'-4,4-디페닐프로판비스나디이미드, N,N'-4,4-디페닐에테르비스나디이미드, N,N'-4,4-디페닐설폰비스나디이미드, 2,2-비스(4-(4-나디이미드페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(3-s-부틸-3,4-(4-나디이미드페녹시)페닐)프로판, 1,1-비스(4-(4-나디이미드페녹시)페닐)데칸, 4,4'-시클로헥실리덴-비스(1-(4-나디이미드페녹시)페녹시)-2-시클로헥실벤젠, 2,2-비스(4-(4-나디이미드페녹시)페닐)헥사플루오로프로판 등이 있고, 단독으로 사용하여도 좋고, 2종류 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다.
상기 라디칼중합성 화합물을 사용한 경우에는, 중합개시제를 사용한다. 중합개시제로서는, 열 또는 광에 의해 라디칼을 발생하는 화합물이면 특별히 제한은 없고, 과산화물, 아조화합물 등이 있으며, 목적으로 하는 접속온도, 접속시간, 보존안정성 등을 고려하여 적절하게 선택되지만, 높은 반응성과 보존안정성의 점에서 반감기 10시간의 온도가 40℃ 이상이고, 또한 반감기 1분의 온도가 180℃ 이하인 유기과산화물이 바람직하고, 반감기 10시간의 온도가 50℃ 이상이고, 또한 반감기1분의 온도가 170℃ 이하인 유기과산화물이 특히 바람직하다. 접속시간을 10초로 한 경우, 충분한 반응율을 얻기 위한 경화제의 배합량은 접착제 조성물의 총량에 대해서 1∼20중량%가 바람직하고, 2∼15중량%가 특히 바람직하다. 본 발명에서 사용되는 유기과산화물의 구체적인 화합물로서는, 디아실퍼록시드, 퍼록시디카보네이트, 퍼록시에스테르, 퍼록시케탈, 디알킬퍼록시드, 히드로퍼록시드, 시릴퍼록시드 등으로부터 선정될 수 있지만, 퍼록시에스테르, 디알킬퍼록시드, 히드로퍼록시드, 시릴퍼록시드는 개시제중의 염소이온이나 유기산이 5,000ppm 이하이고, 가열분해후에 발생하는 유기산이 적으며, 회로부재의 접속단자의 부식을 억제할 수 있으므로 특히 바람직하다.
디아실퍼록시드류로서는, 이소부틸퍼록시드, 2,4-디클로로벤조일퍼록시드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼록시드, 옥타노일퍼록시드, 라우로일퍼록시드, 스테아로일퍼록시드, 숙시닉퍼록시드, 벤조일퍼록시톨루엔, 벤조일퍼록시드 등을 들 수 있다.
퍼록시디카보네이트류로서는, 디-n-프로필퍼록시디카보네이트, 디이소프로필퍼록시디카보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼록시디카보네이트, 디-2-에톡시메톡시퍼록시디카보네이트, 디(2-에틸헥실퍼록시)디카보네이트, 디메톡시부틸퍼록시디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼록시)디카보네이트 등을 들 수 있다.
퍼록시에스테르류로서는, 큐밀퍼록시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼록시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼록시네오데카노에이트, t-헥실퍼록시네오데카노에이트, t-부틸퍼록시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼록시-2-에틸헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼록시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼록시-2-에틸헥사노네이트, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼록시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼록시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼록시)시클로헥산, t-헥실퍼록시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼록시-3,5,5-트리메틸헥사노네이트, t-부틸퍼록시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼록시)헥산, t-부틸퍼록시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼록시-2-에틸헥실모노카보네이트, t-헥실퍼록시벤조에이트, t-부틸퍼록시아세테이트 등을 들 수 있다.
퍼록시케탈류로서는, 1,1-비스(t-헥실퍼록시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼록시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼록시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼록시)시클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸퍼록시)데칸 등을 들 수 있다.
디알킬퍼록시드류로서는, α,α'-비스(t-부틸퍼록시)디이소프로필벤젠, 디큐밀퍼록시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼록시)헥산, t-부틸큐밀퍼록시드 등을 들 수 있다.
히드로퍼록시드류로서는, 디이소프로필벤젠히드로퍼록시드, 큐멘히드로퍼록시드 등을 들 수 있다.
시릴퍼록시드류로서는, t-부틸트리메틸시릴퍼록시드, 비스(t-부틸)디메틸시릴퍼록시드, t-부틸트리비닐시릴퍼록시드, 비스(t-부틸)디비닐시릴퍼록시드, 트리스(t-부틸)비닐시릴퍼록시드, t-부틸트리아릴시릴퍼록시드, 비스(t-부틸)디아릴시릴퍼록시드, 트리스(t-부틸)아릴시릴퍼록시드 등을 들 수 있다.
이들 유기과산화물은 회로부재의 접속단자의 부식 또는 회로전극의 부식을 억제하기 위해서, 경화제중 또는 유기과산화물중에 함유되는 염소이온이나 유기산의 양은 5,000ppm 이하인 것이 바람직하고, 더욱이 가열분해후에 발생하는 유기산이 적은 것이 보다 바람직하다. 또한, 제조한 회로접속부재의 안정성이 향상하므로 실온(25℃), 상압하에서 24시간의 개방방치후에 20중량% 이상의 중량유지율을 갖는 것이 바람직하다. 이들은 적당하게 혼합하여 사용할 수 있다.
이들 유리라디칼 발생제는 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있고, 분해촉진제, 억제제 등을 혼합하여 사용하여도 좋다.
또한, 이들 경화제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계의 고분자물질 등으로 피복하여 마이크로캡슐화한 것은 가사시간이 연장되므로 바람직하다.
라디칼중합계 이외의 열경화성 수지로서는, 에폭시수지가 있고, 에폭시수지로서는 비스페놀A형 에폭시수지, 비스페놀F형 에폭시수지, 비스페놀S형 에폭시수지, 페놀노볼락형 에폭시수지, 크레졸노볼락형 에폭시수지, 비스페놀A노볼락형 에폭시수지, 비스페놀F노볼락형 에폭시수지, 지환식 에폭시수지, 글리시딜에스테르형 에폭시수지, 글리시딜아민형 에폭시수지, 히단토인형 에폭시수지, 이소시아누레이트형 에폭시수지, 지방족 쇄상 에폭시수지 등이 있고, 이들 에폭시수지는 할로겐화되어 있어도 좋고, 수소첨가되어 있어도 좋다. 이들 에폭시수지는 2종 이상을 병용하여도 좋다.
또한, 상기 에폭시수지의 경화제로서는, 아민류, 페놀류, 산무수물류, 이미다졸류, 디시안디아미드 등 통상의 에폭시수지의 경화제로서 사용되고 있는 것이있다. 더욱이, 경화촉진제로서 통상 사용되고 있는 3급 아민류, 유기인산계 화합물을 적당하게 사용하여도 좋다.
또한, 에폭시수지를 반응시키는 방법으로서, 상기 경화제를 사용하는 것 이외에, 설포늄염, 요오드늄염 등을 사용하여, 양이온 중합시켜도 좋다.
본 발명의 회로접속용 접착제에는 필름형성성, 접착성, 경화시의 응력완화성을 부여하기 위해서, 폴리비닐부티랄수지, 폴리비닐포르말수지, 폴리에스테르수지, 폴리아미드수지, 폴리이미드수지, 크실렌수지, 페녹시수지, 폴리우레탄수지, 요소수지 등 고분자성분이 사용된다. 이들 고분자성분은, 중량평균분자량이 10,000∼10,000,000인 것이 바람직하다. 또한, 이들 수지는 라디칼중합성의 관능기로 변성되어 있어도 좋고, 이 경우 내열성이 향상한다. 더욱이, 이들 수지가 카르복실기를 포함하는 경우에는, 본 발명의 카르복실기함유 화합물로서 사용할 수 있다. 고분자 성분의 배합량은 접착제 조성물의 총량에 대해서, 2∼80중량%이고, 5∼70중량%가 바람직하며, 10∼60중량%가 특히 바람직하다. 2중량% 미만에서는 응력완화나 접착력이 충분하지 않아서, 80중량%를 넘으면 유동성이 저하한다.
본 발명의 회로접속용 접착제에는, 적당한 충진제, 연화제, 촉진제, 노화방지제, 착색제, 난연제, 커플링제를 첨가하여도 좋다.
본 발명에서 사용되는 회로접속용 접착제에는, 도전성 입자가 아니더라도, 접속시에 서로 대향하는 전극이 직접 접촉하는 것에 의해 접속이 얻어지지만, 도전성 입자를 포함한 경우, 보다 안정하게 접속이 얻어진다. 도전성 입자로서는 Au, Ag, Ni, Cu, 납땜 등의 금속입자나 카본, 또는 유리, 세라믹, 플라스틱의 비도전성입자에 Au, Ag, 백금 등의 귀금속류를 피복한 입자가 사용된다. 금속입자의 경우에는 표면의 산화를 억제하기 위해서, 귀금속류로 피복한 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자 중에서, 플라스틱을 핵체로 하여 Au, Ag 등으로 피복한 입자나 열용융 금속입자는 접속시의 가열가압에 의해 변형되어, 접촉면적이 증가하여 신뢰성이 향상한다. 귀금속류의 피복층의 두께는 100Å 이상, 바람직하게는 300Å 이상이면, 양호한 접속이 얻어진다. 또한, 상기 도전성 입자를 절연성 수지로 피복한 것도 사용될 수 있다. 도전성 입자는 접착제성분 100체적%에 대하여, 0.1∼30체적%, 보다 바람직하게는 0.1∼10체적%의 범위에서 용도에 따라 적절하게 배합된다.
또한, 제 1의 태양에 있어서, 본 발명의 회로접속용 접착제를 경화물로서 할 때의 Tg(유리전이온도)가 5℃ 이상 다른 2종류 이상의 층으로 이루어지는 다층구성으로 하여도 좋다.
더욱이, 제 2의 태양에 있어서, 제 1 접착제층 및 제 2 접착제층의 적어도 한쪽에 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 회로접속용 접착제를 사용하여 접착하는 기판으로서는, 전기적 접속을 필요로 하는 전극이 형성되어 있는 것이면 특별히 제한은 없지만, 액정디스플레이에 사용되고 있는 ITO 등으로 전극이 형성되어 있는 유리 또는 플라스틱기판, 프린트배선판, 세라믹배선판, 프렉시블배선판, 반도체실리콘칩 등이 있고, 필요에 따라서 조합하여 사용된다.
상기 기판을 사용하여 접속하는 경우, 본 발명의 제 2의 태양에 있어서 회로접속용 접착제로서는, Tg가 높은 제 1 접착제층을 탄성율이 높은 기판측에 배치하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 리프팅의 발생을 보다 적게 하는 것이 가능하다.
접속하는 경우의 조건으로서는 특별히 제한은 없지만, 접속온도 90∼250℃, 접속시간 1초∼10분이고, 사용하는 용도, 접착제, 기판에 의해 적절하게 선택되고, 필요에 따라서 후경화를 행하여도 좋다. 또한, 접속시는 가열가압에 의해 행해지지만, 필요에 따라서 열 이외의 에너지, 예컨대 광, 초음파, 전자파 등을 사용하여도 좋다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하에 나타나는 배합으로 각각 배합하고, 간이도공기(테스터산업제)를 사용하여 두께 50㎛의 편면을 표면처리한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)필름에 도포하고, 70℃, 5분의 열풍건조에 의해 필름을 제조하였다.
(우레탄아크릴레이트의 합성)
중량평균분자량 800의 폴리카프로락톤디올 400중량부와, 2-히드록시프로필아크릴레이트 131중량부, 촉매로서 디부틸주석디라우레이트 0.5중량부, 중합금지제로서 히드로퀴논모노메틸에테르 1.0중량부를 교반하면서 50℃로 가열하여 혼합하였다. 다음에 이소보론디이소시아네이트 222중량부를 적하하고 더 교반하면서 80℃로 승온하여 우레탄화 반응을 행하였다. NCO의 반응율이 99% 이상으로 된 것을 확인후, 반응온도를 낮추어 우레탄아크릴레이트를 얻었다.
라디칼중합성 물질로서, 상기의 우레탄아크릴레이트를 사용하였다. 또한, 필름형성재로서 카본산변성 부티랄수지(6000EP ; 덴키카가쿠가부시키가이샤제 상품명, 산당량 250(KOHmg/g)) 및 페녹시수지(PKHC ; 유니온카바이드사제 상품명, 중량평균분자량 45,000)를 사용하였다.
가열에 의해 유리 라디칼을 발생하는 경화제로서 t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트의 50중량% DOP(디옥틸프탈레이트) 용액을 사용하였다.
도전성 입자로서, 폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에, 두께 0.2㎛인 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에, 두께 0.04㎛의 금층을 설치한 평균입경 4㎛의 도전성 입자를 제조하여 사용하였다.
(실시예 1)
고형중량비로 카본산변성 부티랄수지(고형분으로서) 20g, 페녹시수지(고형분으로서) 30g, 우레탄아크릴레이트 49g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제, 상품명 P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 8㎛인 회로접속재료를 얻었다.
(회로접속구조체의 제조)
상기 회로접속재료를 1.5mm 폭으로 슬릿하고, 전극으로서 ITO가 형성된 유리기판상에 80℃, 5초, 1MPa의 조건으로 가접속하였다. PET기재를 박리하고, 이것에 TCP의 전극을 위치맞춤하여 배치하고, 150℃, 20초, 4MPa로 본접속하였다.
(실시예 2)
고형중량비로 카본산변성 부티랄수지(고형분으로서) 30g, 페녹시수지(고형분으로서) 30g, 우레탄아크릴레이트 39g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제, 상품명 P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 8㎛인 회로접속재료를 얻었다.
(회로접속구조체의 제조)
상기 회로접속재료를 1.5mm 폭으로 슬릿하고, 전극으로서 ITO가 형성된 유리기판상에 80℃, 5초, 1MPa의 조건으로 가접속하였다. PET기재를 박리하고, 이것에 TCP의 전극을 위치맞춤하여 배치하고, 150℃, 20초, 4MPa로 본접속하였다.
(실시예 3)
고형중량비로 카본산변성 부티랄수지(고형분으로서) 10g, 페녹시수지(고형분으로서) 35g, 우레탄아크릴레이트 54g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제, 상품명 P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 8㎛인 회로접속재료를 얻었다.
(회로접속구조체의 제조)
상기 회로접속재료를 1.5mm 폭으로 슬릿하고, 전극으로서 ITO가 형성된 유리기판상에 80℃, 5초, 1MPa의 조건으로 가접속하였다. PET기재를 박리하고, 이것에 TCP의 전극을 위치맞춤하여 배치하고, 150℃, 20초, 4MPa로 본접속하였다.
(비교예 1)
고형중량비로 페녹시수지(고형분으로서) 45g, 우레탄아크릴레이트 54g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제, 상품명 P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 접착제층의 두께가 8㎛인 회로접속재료를 얻었다.
(회로접속구조체의 제조)
상기 회로접속재료를 1.5mm 폭으로 슬릿하고, 전극으로서 ITO가 형성된 유리기판상에 80℃, 5초, 1MPa의 조건으로 가접속하였다. PET기재를 박리하고, 이것에 TCP의 전극을 위치맞춤하여 배치하고, 150℃, 20초, 4MPa로 본접속하였다.
(특성평가방법)
(1) 접속저항 : (주) 애드반테스트제 멀티미터 TR6848을 사용하여, 인접회로간의 저항을 1mA의 정전류로 측정하였다.
(2) 접착강도 : JIS Z-0237로 준거하여 행하고, (주) 토요세이키세이사쿠쇼제 스트로그래프 E-S형을 사용하여 90도 필(peel)로 측정하였다.
(3) 접속부분의 관찰 : 금속현미경으로, 접속부분의 박리, 기포의 유무를 관찰하였다.
(4) 신뢰성 평가 : 상기 접속저항, 접착력에 관해서, 80℃, 95%RH의 조건으로 고온고습시험을 행하고, 240시간후 취출하여 (1)∼(3)의 항목을 시험하였다.
그 측정결과를 표 1에 나타내었다.
항목 접속저항(Ω) 접착력(N/m) 접속부분의 외관
초기 내습시험240시간 후 초기 내습시험240시간 후 초기 내습시험240시간 후
실시예 1 2 2.2 1150 1000 양호 양호
실시예 2 2.2 2.3 1290 1180 양호 양호
실시예 3 2.1 2.4 1030 1030 양호 양호
비교예 1 2.6 5.3 760 350 양호 리프팅발생
본 발명의 실시예 1∼3에서는 접속저항, 접착력, 접속부분의 외관에도 양호한 특성을 나타내고, 내습시험후에 있어서도 양호한 신뢰성을 나타내었다. 이것에 반해서, 산당량 5(KOHmg/g) 미만인 화합물을 사용한 비교예에서는 접착력의 초기값이 낮고, 또한 내습시험후의 접속저항이 높으며, 접착력도 낮게 되어, 리프팅이 발생하여 접속신뢰성이 열세하다.
(실시예 4)
(제 1 접착제층)
라디칼중합성 물질로서 디메티롤트리시클로데칸디아크릴레이트와 상기 우레탄아크릴레이트를 사용하였다.
필름형성재로서 페녹시수지(PKHC ; 유니온카바이드사제 상품명, 중량평균분자량 45,000)를 사용하였다.
가열에 의해 유리라디칼을 발생하는 경화제로서, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트의 50중량% DOP(디옥틸프탈레이트)용액을 사용하였다.
폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에, 두께 0.2㎛의 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에 두께 0.04㎛의 금층을 설치한 평균입경 4㎛의 도전성 입자를 제조하였다.
고형중량비로 페녹시수지(고형분으로서) 50g, 디메티롤트리시클로데칸디아크릴레이트 30g, 우레탄아크릴레이트 19g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제 상품명 ; P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 8㎛인 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 110℃).
(제 2 접착제층)
라디칼중합성 물질로서 우레탄아크릴레이트를 사용하였다.
필름형성재로서 페녹시수지(PKHC ; 유니온카바이드사제 상품명, 중량평균분자량 45,000)를 사용하였다.
가열에 의해 유리라디칼을 발생하는 경화제로서 t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트의 50중량% DOP(디옥틸프탈레이트) 용액을 사용하였다.
폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에, 두께 0.2㎛의 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에, 두께 0.04㎛의 금층을 설치한 평균입경 4㎛의 도전성 입자를 제조하였다.
고형중량비로 페녹시수지(고형분으로서) 50g, 디메티롤트리시클로데칸디아크릴레이트 10g, 상기에서 합성한 우레탄아크릴레이트 39g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제 상품명 ; P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 18㎛인 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 60℃).
제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 로울라미네이터를 사용하여 적층하여 2층 구성의 회로접속용 접착제로 하였다.
(실시예 5)
(제 1 접착제층)
접착제층의 두께를 12㎛로 한 것 이외에는 실시예 4의 제 1 접착제층과 동일하게 하여 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 110℃).
(제 2 접착제층)
접착제층의 두께를 15㎛로 한 것 이외에는 실시예 4의 제 2 접착제층과 동일하게 하여 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 60℃).
제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 로울라미네이터를 사용하여 적층하여 2층 구성의 회로접속용 접착제로 하였다.
(실시예 6)
(제 1 접착제층)
접착제층의 두께를 18㎛로 한 것 이외에는 실시예 4의 제 1 접착제층과 동일하게 하여 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 110℃).
(제 2 접착제층)
접착제층의 두께를 14㎛로 한 것 이외에는 실시예 4의 제 2 접착제층과 동일하게 하여 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 60℃).
제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 로울라미네이터를 사용하여 적층하여 2층구성의 회로접속용 접착제로 하였다.
(실시예 7)
(제 1 접착제층)
필름형성재로서 페녹시수지(PKHC ; 유니온카바이드사제 상품명, 중량평균분자량 45,000)를 사용하였다.
가열에 의해 유리라디칼을 발생하는 경화제로서, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트의 50중량% DOP(디옥틸프탈레이트) 용액을 사용하였다.
폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에, 두께 0.2㎛의 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에, 두께 0.04㎛의 금층을 설치한 평균입경 4㎛의 도전성 입자를 제조하였다.
고형중량비로 페녹시수지(고형분으로서) 40g, 디메티롤트리시클로데칸디아크릴레이트 20g, 우레탄아크릴레이트 39g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제 상품명 ; P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 8㎛인 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 68℃).
(제 2 접착제층)
필름형성재로서 페녹시수지(PKHC ; 유니온카바이드사제 상품명, 중량평균분자량 45,000) 및 카본산변성 부티랄수지(600EP ; 덴키카가쿠가부시키가이샤제 상품명, 산당량 250(KOHmg/g))를 사용하였다.
가열에 의해 유리라디칼을 발생하는 경화제로서 t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트의 50중량% DOP(디옥틸프탈레이트) 용액을 사용하였다.
폴리스티렌을 핵으로 하는 입자의 표면에, 두께 0.2㎛의 니켈층을 설치하고, 이 니켈층의 외측에, 두께 0.04㎛의 금층을 설치한 평균입경 4㎛의 도전성 입자를 제조하였다.
고형중량비로 페녹시수지(고형분으로서) 30g, 카본산변성 부티랄수지(고형분으로서) 20g, 디메티롤트리시클로데칸디아크릴레이트 10g, 상기에서 합성한 우레탄아크릴레이트 39g, 인산에스테르형 아크릴레이트(쿄에이사유시가부시키가이샤제 상품명 ; P2M) 1g, t-헥실퍼록시-2-에틸헥사노네이트 5g(DOP용액으로서 10g)으로 되도록 배합하고, 더욱이 도전성 입자를 3체적% 배합분산시키고, 도포, 건조하여, 접착제층의 두께가 18㎛인 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 52℃).
제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 로울라미네이터를 사용하여 적층하여 2층 구성의 회로접속용 접착제로 하였다.
(비교예 2)
실시예 4의 제 1 접착제만을 사용하여 접착제층의 두께를 25㎛로 하여 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 110℃).
(비교예 3)
실시예 4의 제 2 접착제층만을 사용하여 접착제층의 두께를 25㎛로 하여 회로접속재료를 얻었다(경화물의 Tg는 60℃).
(접속체의 제조)
상기의 2층 구성의 회로접속용 접착제를 1.5mm폭으로 슬릿하고, 전극으로서 ITO가 형성된 유리기판상(탄성율이 높은 기판측)에 Tg가 높은 제 1 접착제층이 유리측에 오도록 배치하고, 80℃, 5초, 1MPa의 조건에서 가접속하였다. 그 후, PET기재를 박리하여, ITO의 전극과 TCP의 전극의 위치맞춤을 행하여, 140℃, 20초, 4MPa에서 본접속하였다.
또한, 본 발명의 참고예로서, 실시예 4의 2층 구성 접착제를 Tg가 낮은 제 2 접착제층이 유리측에 오도록 배치하고, 동일한 조건에서 접속하였다. 또한, 비교예 2 및 3의 회로접속용 접착제도 상기와 동일하게 행하였다.
(특성평가방법)
실시예 1∼3 및 비교예 1과 동일하게 하여 행하였다.
특성을 평가한 결과를 표 2에 나타내었다.
항목 접속저항(Ω) 접착력(N/m) 접속부분의 외관
초기 내습시험240시간 후 초기 내습시험240시간 후 초기 내습시험240시간 후
실시예 4 2.1 2.3 1200 1100 양호 양호
실시예 5 2.2 2.5 1050 1000 양호 양호
실시예 6 2.4 2.8 1250 1180 양호 양호
실시예 7 2.5 2.9 1000 970 양호 양호
비교예 2 2.2 2.2 1100 950 양호 리프팅발생
비교예 3 2.2 10 1250 450 양호 리프팅발생
참고예 2.1 4.6 1100 650 양호 리프팅발생
실시예 4∼7은 모두 접속저항, 접착력, 외관 모두 양호한 결과이고, 양호한 접속신뢰성을 나타내었다.
이에 반해서, 단층구성의 비교예 2 및 3에 있어서, Tg가 110℃인 비교예 2는내습시험후에 있어서도 접속저항의 변화는 없이 양호하지만, 접착력이 약간 저하하여 리프팅이 발생하고 말았다. 또한, Tg가 60℃로 낮은 비교예 3에서는 내습시험 240시간 후에 접속저항의 상승이 나타나고, 접착력도 저하하였다. 또한, 접속부분에 리프팅이 발생하였다.
한편, Tg가 낮은 제 2 접착제층이 유리기판측에 오도록 배치하면, 리프팅이 발생하는 경우가 있으므로, 본 발명에 있어서는, Tg가 높은 제 1 접착제층이 유리기판측에 오도록 배치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1의 태양에 의하면, 초기와 내습시험후의 접착력을 높게 할 수 있고, 또한 접속온도의 저온화, 접속시간의 단축화를 달성하는 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속구조체를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2의 태양에 있어서 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법, 회로접속구조체에서는 접속온도의 저온화나 접속시간의 단축화에 대응한 140℃, 20초에서의 접속이 가능하고, 접속후의 내습시험에 있어서도 박리현상인 리프팅의 발생이 없이 우수한 접속신뢰성을 나타내는 회로접속용구조체를 제공할 수 있다.

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  14. 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 회로접속용 접착제에 있어서, 상기 접착제는 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  15. 제 14항에 있어서, 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물이 적어도 하나의 카르복실기를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  16. 제 14항에 있어서, 라디칼중합성 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  17. 제 15항에 있어서, 라디칼중합성 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  18. 제 14항에 있어서, 도전성 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  19. 제 15항에 있어서, 도전성 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  20. 제 16항에 있어서, 도전성 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  21. 제 17항에 있어서, 도전성 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  22. 회로접속용 접착제를 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속한 접속구조체에 있어서, 상기 회로접속용 접착제가 제 14항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 기재된 접착제인 것을 특징으로 하는 회로접속구조체.
  23. 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 회로접속용 접착제에 있어서, 상기 접착제는 두께방향으로 제 1 접착제층과 제 2 접착제층의 2층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 유리전이온도(Tg)가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높은 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  24. 제 23항에 있어서, 제 1 접착제층의 접속후의 Tg가 50∼200℃, 제 2 접착제층의 접속후의 Tg가 40∼100℃이고, 제 1 접착제층의 Tg는 제 2 접착제층의 접속후의 Tg보다 5℃ 이상 높은 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  25. 제 23항에 있어서, 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽에 도전성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  26. 제 24항에 있어서, 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽에 도전성 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  27. 제 23항에 있어서, 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽이 라디칼중합성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  28. 제 24항에 있어서, 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽이 라디칼중합성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  29. 제 25항에 있어서, 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽이 라디칼중합성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  30. 제 26항에 있어서, 제 1 접착제층, 제 2 접착제층의 적어도 한쪽이 라디칼중합성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  31. 제 23항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 있어서, 제 1 접착제층과 제 2 접착제층의 두께의 비가, 제 1 접착제층의 두께/제 2 접착제층의 두께 = 0.3∼3.0인 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  32. 제 23항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 있어서, 제 1 접착제층 및 제 2 접착제층의 적어도 한쪽에 산당량 5∼500(KOHmg/g)인 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로접속용 접착제.
  33. 제 23항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 기재된 회로접속용 접착제를 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속하는 방법으로서, 상기 회로접속용 접착제는 제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 Tg가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높고, 또한 Tg가 높은 제 1 접착제층을 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판중 탄성율이 높은 기판측에 배치하여 접속하는 것을 특징으로 하는 회로접속방법.
  34. 제 23항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 기재된 회로접속용 접착제를 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판간에 개재시키고, 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판을 가압하여 가압방향의 전극간을 전기적으로 접속한 접속구조체로서, 상기 접착제는 제 1 접착제층과 제 2 접착제층을 갖고, 제 1 접착제층의 가압접속후의 Tg가 제 2 접착제층의 가압접속후의 Tg보다도 높고, 또한 Tg가 높은 제 1 접착제층을 서로 대향하는 회로전극을 갖는 기판중 탄성율이 높은 기판측에 배치하여 접속한 접속구조체.
KR10-2002-7012143A 2000-04-25 2001-04-25 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체 KR100463558B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101014483B1 (ko) * 2006-01-23 2011-02-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착시트, 및 그것을이용한 반도체장치

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169632A (ja) * 2000-04-25 2007-07-05 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤並びにそれを用いた回路接続方法及び回路接続構造体
WO2001082363A1 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connection structure
JP2005194393A (ja) 2004-01-07 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2005320455A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置
US7224075B2 (en) * 2004-08-13 2007-05-29 Intel Corporation Methods and systems for attaching die in stacked-die packages
JP4555943B2 (ja) * 2004-10-29 2010-10-06 日立化成工業株式会社 異方導電フィルム、異方導電フィルムの製造方法、これを用いた接続体および半導体装置
CN102277124B (zh) * 2005-03-16 2014-08-06 日立化成株式会社 粘接剂组合物、电路连接材料、电路构件的连接结构及半导体装置
JP4760070B2 (ja) * 2005-03-16 2011-08-31 日立化成工業株式会社 接着剤、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置
JP2007091959A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性接着剤
KR20110011755A (ko) 2006-04-26 2011-02-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 태양 전지 셀과 금속박을 전기적으로 접속하기 위한 접착제
CN101794638B (zh) * 2006-07-21 2012-06-06 日立化成工业株式会社 电路连接材料、电路部件的连接结构及电路部件的连接方法
EP2223981B1 (en) 2006-07-21 2012-03-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. Circuit connection material, circuit member connecting structure and method of connecting circuit member
JP4998468B2 (ja) * 2006-08-04 2012-08-15 日立化成工業株式会社 接着剤組成物及び回路部材の接続構造
JP2008111091A (ja) * 2006-10-06 2008-05-15 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤フィルム及び回路接続材料
JP5181220B2 (ja) * 2007-04-19 2013-04-10 日立化成株式会社 回路接続用接着フィルム、接続構造体及びその製造方法
JP5192194B2 (ja) * 2007-07-26 2013-05-08 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム
CN103351829A (zh) * 2007-09-05 2013-10-16 日立化成株式会社 粘接剂以及使用该粘接剂的连接结构体
US20100307805A1 (en) * 2007-10-29 2010-12-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material, connection structure and method for producing the same
TWI456707B (zh) * 2008-01-28 2014-10-11 Renesas Electronics Corp 半導體裝置及其製造方法
JP5226562B2 (ja) 2008-03-27 2013-07-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
JP2010100840A (ja) * 2008-09-24 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤フィルム及び回路接続材料
JP5668636B2 (ja) * 2010-08-24 2015-02-12 日立化成株式会社 回路接続構造体の製造方法
CN102737752B (zh) * 2011-03-30 2016-06-29 株式会社田村制作所 各向异性导电糊以及使用该导电糊的电子部件的连接方法
JP2012057161A (ja) * 2011-09-21 2012-03-22 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2013093245A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料及び接続構造体
JP2013206765A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ダイボンド用導電性ペースト及び該導電性ペーストによるダイボンド方法
JP6302666B2 (ja) * 2013-12-25 2018-03-28 ヘンケルジャパン株式会社 ラミネート用接着剤
TWI667276B (zh) * 2014-05-29 2019-08-01 美商羅傑斯公司 具改良耐燃劑系統之電路物質及由其形成之物件
US10233365B2 (en) 2015-11-25 2019-03-19 Rogers Corporation Bond ply materials and circuit assemblies formed therefrom
CN110312770A (zh) * 2017-02-17 2019-10-08 日立化成株式会社 粘接剂膜
KR102412246B1 (ko) 2017-06-07 2022-06-23 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체용 필름형 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
CN111511859B (zh) 2017-12-21 2022-05-31 3M创新有限公司 包括衬垫层和连续壳层的粘合剂制品
CN112424308A (zh) * 2018-09-10 2021-02-26 昭和电工株式会社 粘接片
CN116801484B (zh) * 2023-08-11 2024-03-08 荣耀终端有限公司 一种单板及其制备方法、电子设备

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5929302A (ja) * 1982-08-10 1984-02-16 サンユレジン株式会社 導電性樹脂組成物
DE3402280C1 (de) * 1984-01-24 1985-07-25 Dynamit Nobel Ag, 5210 Troisdorf Waermehaertbare Klebstoff- und Dichtungsmassen
JPS6147760A (ja) * 1984-08-16 1986-03-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電接着剤
US4695508A (en) * 1985-09-06 1987-09-22 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Adhesive composition
US4855001A (en) * 1987-02-10 1989-08-08 Lord Corporation Structural adhesive formulations and bonding method employing same
JPH0715082B2 (ja) * 1987-06-26 1995-02-22 東洋インキ製造株式会社 ポリオレフィンとの接着性に優れた焼付塗料
IL96196A (en) * 1989-11-01 1995-03-30 Raychem Ltd Electrically conductive polymeric preparation
JP2702796B2 (ja) * 1990-02-23 1998-01-26 旭化成工業株式会社 銀合金導電性ペースト
US5258139A (en) * 1990-04-20 1993-11-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Epoxy resin and adhesive composition containing the same
US5086703A (en) * 1991-02-05 1992-02-11 Klein John M Universal projectile ammunition
JPH0821254B2 (ja) 1991-02-22 1996-03-04 旭化成工業株式会社 銅合金系組成物、それを用いて印刷された成形物、ペーストおよび接着剤
US5318651A (en) * 1991-11-27 1994-06-07 Nec Corporation Method of bonding circuit boards
JP3006944B2 (ja) 1991-12-06 2000-02-07 積水フアインケミカル株式会社 異方導電性熱接着剤
US5336443A (en) * 1993-02-22 1994-08-09 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Anisotropically electroconductive adhesive composition
JP2830681B2 (ja) 1993-03-08 1998-12-02 ソニーケミカル株式会社 Ｉｃチップ実装方法
JP3907217B2 (ja) 1993-07-29 2007-04-18 日立化成工業株式会社 回路接続材料とその接続材料を用いた回路の接続方法
JPH07176557A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0881669A (ja) * 1994-07-15 1996-03-26 Hitachi Chem Co Ltd 導電性樹脂ペースト組成物および半導体装置
US5827609A (en) * 1995-06-07 1998-10-27 Avery Dennison Corporation Multilayer Pressure-sensitive adhesive construction
US5686703A (en) * 1994-12-16 1997-11-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anisotropic, electrically conductive adhesive film
US5763096A (en) * 1995-03-08 1998-06-09 Toray Industries, Inc. Film having a good adhesive property and process for producing the same
JPH09235355A (ja) * 1996-02-28 1997-09-09 Taiyo Ink Mfg Ltd 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びこれを用いた多層プリント配線板の製造方法
JP3852488B2 (ja) 1996-04-26 2006-11-29 日立化成工業株式会社 補修可能な電極接続用接着剤組成物および該組成物からなる電極接続用接続部材
US6034331A (en) * 1996-07-23 2000-03-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet
JPH10178063A (ja) 1996-10-15 1998-06-30 Toray Ind Inc 半導体集積回路接続用基板およびそれを構成する部品ならびに半導体装置
JPH10178251A (ja) 1996-10-15 1998-06-30 Toray Ind Inc 半導体集積回路接続用基板およびそれを構成する部品ならびに半導体装置
JPH10168412A (ja) * 1996-12-10 1998-06-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JPH10273626A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及び回路板の製造法
EP0979854B1 (en) * 1997-03-31 2006-10-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material, and structure and method of connecting circuit terminal
US6022907A (en) * 1997-06-03 2000-02-08 Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Urethane prepolymer, process for producing the same and pressure-sensitive adhesive comprising the same
JP3632882B2 (ja) * 1997-06-27 2005-03-23 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH11274372A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Toshiba Corp 半導体装置及びその半導体パッケージ
US7247381B1 (en) * 1998-08-13 2007-07-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board, and method of producing the same
JP3195315B2 (ja) * 1999-06-03 2001-08-06 株式会社日立製作所 半導体装置用接着層付き配線テープ及びその製造方法
WO2001082363A1 (en) 2000-04-25 2001-11-01 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive for circuit connection, circuit connection method using the same, and circuit connection structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101014483B1 (ko) * 2006-01-23 2011-02-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착시트, 및 그것을이용한 반도체장치

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