KR0172005B1 - 형광체 및 형광표시장치 - Google Patents

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시게오 이토
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호소야 레이지
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Abstract

(목적)
1kV 이하의 낮은 구동전압으로 구동되고, S나 Cd를 함유하고 있지 않은 형광 표시장치에 적합한 형광체를 얻는다.
(구성)
Ti 화합물, 알칼리토류 금속화합물, 희토류원소화합물, 3족 원소화합물의 소정량을 1100∼1400℃에서 가열소성하고, 알칼리토류금속원소와 Ti의 산화물로 표시되는 모체에 희토류원소를 고용시키는 동시에 3족 원소중에서 1종의 원소를 고용시킨 형광체(알칼리 토류금속에 Sr, 희토류원소에 Pr, 3족 원소에 Al을 선택한 SrTiO3: Pr, Al형광체는 적색발광을 나타낸다).

Description

형광체 및 형광표시장치
제1a도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Al 형광체의 Al의 첨가량을 0∼80mol%까지 변화시켰을때의 X선 회절도.
제1b도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Ga 형광체에 있어서, Ga의 첨가량을 0과 9mol% 변화시킨 시료의 X선 회절도.
제2도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Al 형광체에 있어서, Al을 0∼23mol%까지 변화시킨 형광체의 분광반사율의 측정결과인 반사 스펙트럼도.
제3도는 본 발명의 SrTiO3 : Pr, Al 형광체에 있어서 Al첨가량을 9∼67mol%까지 변화시킨 시료의 발광 스펙트럼도.
제4도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Al 형광체의 첨가량과 발광개시전압의 관계를 나타내는 도면.
제5도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Al 형광체와 종래의 Y2O3: Eu 형광체의 애노드 전압과 발광휘도 관계를 나타내는 그래프.
제6도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Al 형광체의 Al의 첨가량과 상대휘도를 나타내는 그래프.
제7도는 본 발명의 SrTiO3: Pr, Al 형광체와 종래의 적색발광형광체의 색도를 나타내는 CIE 색도 도면.
제8도는 본 발명의 형광체를 VFD에 사용한 경우의 VFD의 분해사시도.
제9도는 본 발명의 형광체를 VFD에 사용한 경우의 종단면도.
제10도는 본 발명의 형광체를 사용하는 형광표시장치의 다른예를 나타내는 도면.
(산업상의 이용분야)
본 발명은 전자선의 충돌(射突)에 의해 발광하는 양극을 가진 형광표시장치 및 그 양극에 사용되는 형광체에 관한 것으로, 특히 형광체가 피착(被着)된 양극의 구동전압이 1kV이하인 형광표시장치(이하 VFD라 한다) 및 이에 사용되는 형광체, 또는 전계방출음극을 전자원으로 사용하는 형광표시장치(이하 FED라 한다) 및 이에 사용되는 형광체에 관한 것이다.
(종래의 기술)
VFD나 FED용 형광체로서, 1kV 이하의 양극 구동전압으로 발광되기 위해서는 저속 전자선용 형광체가 필요하다. 종래의 저속전자선용 형광체는 모체 저항으로 분류하면 다음의 2종류로 분류된다.
(1) 저저항의 형광체 모체를 사용하는 형광체. 이 예로서는 일반식이 ZnO : Zn으로 표시되는 청록색 발광형광체와, Zn Ga2O4로 표시되는 청색발광형광체가 실용화되어 있다. 그러나 청록색이나 청색이외의 발광색의 형광체, 예컨대 적색 발광형광체로서는 SnO2 : Eu 로 표시되는 청색발광형광체가 실용화되어 있다. 그러나 청록색이나 청색이외의 발광색의 형광체, 예컨대 적색 발광형광체로서는 SnO2: Eu 로 표시되는 형광체가 공지되어 있지만 형광휘도가 낮고 또 소정의 구동 전압이상에서 휘도포화가 생기기 때문에 발광효율도 나쁘다. 또 소정의 구동 전압이하의 휘도포화가 생기기 때문에 발광효율도 나쁘다. 또 수명특성도 나쁘기 때문에 실용화되지 않았다.
(2) 고저항의 형광체에 도전물질을 혼합하여 형광체층을 형성하고, 이 형광체층의 외형저항을 작게하여 사용하는 형광체.
이 예로서는, ZnS 또는 ZnCdS등의 형광체모체에 Ag, Au, Cu 등의 발광중심을 고용(固溶)시킨 형광체에 도전물질인 In2O3을 몇% 혼합한 형광체가 실용화되어 있다.
가령, 청색용 형광체로는 ZnS : Zn 이나 ZnS : Ag, 녹색용 형광체로는 ZnS : Cu, Al이나 (Zn0.6Cd0.4) S : Ag, Cl, 황색용으로는 (Zn0.5Cd0.5) S: Ag, Cl, 적색용으로는 (Zn0.22CD0.78) S: Ag, Cl등이 황화물 형광체로서 실용화되어 있다.
(발명이 해결하려고 하는 과제)
상기 형광체의 모체는 S가 함유되어 있으므로 이들의 형광체를 황화물 형광체로 칭하고 있다. 이 황화물 형광체는 전자의 충돌로 분해되기쉽고 이때의 분해로 황화물계의 물질로 형광표시관내를 날아 흩어진다는 것은 주지된 바이다.
이 황화물계 물질이 형광표시관내의 필라멘트 형상음극(캐소드)에 피착되면 이 음극을 오염시키고, 방출능력이 저하된다고 하는 문제점을 가지고 있었다.
또, 다른 산화물 형광체에 황화물이 피착되어 양극이 오염된다고 하는 문제도 있었다. 그리고 ZnCdS계 모체에는 공해물질인 CD가 사용되기 때문에 환경문제의 관점에서 바람직하지 않다.
상기 황화물 형광체이외의 형광체로는 예컨대 적색발광용 형광체인 Y2O3: Eu 형광체가 알려져 있으나, 절연성이 높기 때문에 도전물질로서 In2O3를 많이 혼합하여 사용하지 않으면 안된다. 이 때문에 In2O3를 통해 흐르는 무효전류가 많고, 저전압 구동영역에서 발광효율이 낮으며 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
이외에 형광체 입자를 0.1 미크론 정도로 작게하고, 또한 형광체층의 두께를 얇게 형성함으로써 저항을 작게하려고 하는 연구도 있으나, 현재 공지의 형광체중에서 입경이 미크론 이하로 발광효율이 높은 형광체는 존재하지 않는다.
그래서, 본 발명은 형광체 모체내에 S를 함유하고 있지 않는 비황화물에 의해서 또한, Cd를 함유하지 않고 저속전자선으로 여기 발광하는 형광체를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
청구항1에 기재된 형광체는 알칼리 토류금속과 Ti의 산화물로 이루어진 모체에 희토류원소 및 3족 원소를 첨가시킨 것을 특징으로 하고 있다.
청구항2에 기재된 형광체는 청구항1 기재의 형광체에 있어서, 알칼리 토류금속이 Mg, Sr, Ca, Ba 중에서 선정된 1종의 원소인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항3에 기재된 형광체는 청구항1의 형광체에 있어서, 희토류원소가 Ce, Pr, Eu, Tb, Er, Tm 중에서 선정된 1종인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항4에 기재된 형광체는 청구항1 또는 3의 형광체에 있어서, 희토류원소의 첨가량이 0.05∼5mol%인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항5에 기재된 형광체는 청구항1의 형광체에 있어서, 3족 원소가 Al, Ga, In, Tl중에서 선정된 1종의 원소인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항6에 기재된 형광체는 청구항1 또는 5의 형광체에 있어서, 3족 원소의 첨가량이 0.05∼80mol%인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항7에 기재된 형광표시장치는 진공외위기(外圍器)내에 전자원과 이 전자원으로부터 방출되는 전자선의 충돌로 발광되는 형광체층을 가진 형광표시장치에 있어서, 상기 형광체층의 형광체가 알칼리 토류금속과 Ti의 산화물로 이루어진 모체에 희토류 원소 및 3족 원소를 참가시킨 것을 특징으로 하고 있다.
청구항8에 기재된 형광표시장치는 청구항7의 형광표시장치에 있어서, 상기 알칼리 토류금속이 Mg, Sr, Ca, Ba 중에서 선정된 1종의 원소이고, 상기 희토류원소가 Ce, Pr, Eu, Tb, Er, Tm 중에서 선정된 1종이며, 상기 3족 원소가 Al, Ga, In, Tl중에서 선정된 1종인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항9에 기재된 형광표시장치는 청구항7의 형광표시장치에 있어서, 상기 희토류 원소의 첨가량이 0.05∼5mol%이며, 상기 3족 원소의 첨가량이 0.05∼80mol%인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항10에 기재된 형광표시장치는 청구항7의 형광표지상치에 있어서, 상기 전자원이 필아멘트 형상의 캐소드인 것을 특징으로 하고 있다.
청구항11에 기재된 형광표시장치는 청구항7의 형광표시장치에 있어서, 상기 전자원이 전계방출형음극(FEC)인 것을 특징으로 하고 있다.
[실시예]
본 발명의 형광체를 VFD에 사용한 경우를 이하 상세하게 설명한다.
제8도는 VFD의 분해사시도이며, 제9도는 종단면도이다.
VFDH는 양극기판(A)과 앞면용기(B) 사이에 전극구체(C)가 끼워져 유리접착재에 의해 밀봉되어 있다.
상기 양극기판(A)은 유리기판(1)의 표면에 Al 박막이 피착되어 있고 포토 리소그래피법에 의해 형성된 배선패턴(2)을 가지고 있다.
이 배선패턴(2)의 윗면에는 플릿(flit) 유리를 주성분으로 하는 절연페이스트(paste)가 스크린 인쇄법으로 피착된 절연층(3)을 가지고 있다.
절연층(3)에는 상기 배선패턴과 후술하는 양극도체(5a)를 도통시키기 위한 관통홈(4)이 형성되어 있다. 이 관통홈(4)내에는 도전페이스트가 충전되어 있다.
상기 관통홀(4)상에는 카본을 주성분으로한 도전페이스트가 피착되어 양극도체(5a)를 형성하고 있다. 이 양극도체(5a)상에는 형광체가 피착되어 형광체층을 형성하고 있다. 그리고, 상기 양극도체(5a)와 형광체층(5b)으로 양극패턴(5)을 구성하고 있다.
또, 상기 양극기판(A)상에 배설되는 전극구체(C)는, 426합금(Ni 42%, Cr, 6%, Fe 나머지)으로 형성된 스페이서 프레임(9)상에 그리드전극(6), 캐소드전극(8)이 부착되어 있다. 또 스페이서 프레임(9)에는 애노드, 캐소드, 그리드 등에 전압을 인가하는 리드단자(7)가 일체로 되어 있다. 캐소드전극(8)은 W나 ReW(레늄텅스텐)의 심선(芯線)주위에 (Ba, Sr, Ca) 0으로 이루어진 전자방출층이 전착되어 있다.
캐소드전극(8)의 양단은 상기 스페이서 프레임(9)상에 용접되어 있는 앵커(anchor)와 서포트(support)로 이루어진 지지체(11)에 고정되어 있다.
다음에 앞면용기(B)에는 투명유리판으로 이루어진 앞면판(12)과, 이 앞면판의 주위에 유리접착제로 접착된 틀형상의 측면판(13)과, 이 측면판(13)의 일부에 외위기내의 기체를 배기하기 위한 팁관이 설치되어 있다.
양극기판(A)의 테두리(2)에 있어서, 앞면용기(B)의 측면판(13)의 하단에 유리접착제를 도포하고, 전극구체(C)를 끼워서 가열접착해서 편평한 박스형의 외위기를 형성하고, 그리고 상기 팁관(10)을 통해 외위기내의 기체를 배기시켜 외위기내를 고진공으로한 상태에서 팁관(10)을 봉한다.
다음에, 본발명의 형광체를 사용하는 형광표시장치의 다른예로서 제10도에 도시한 FED(Field Emission Display)의 경우를 설명한다.
FED에는 전자원으로서의 FEC를 형성한 캐소드기판(21)과, 본 발명의 형광체가 피착 형성되어 있는 애노드기판(30)이 측면판(29)을 통해 밀봉되어 있다.
캐소드기판(21)은 유리판으로 이루어지며, 그 표면에는 금속박막이 에칭되어 캐소드전극(22)을 형성하고 있다. 이 캐소드전극(22)상에 저항층(23)을 통해 SiO2로 이루어진 절연층(24)이 적층되고, 다시 그 표면에 Nb로된 게이트층(25)이 적층되어 있다. 상기 게이트층(25) 및 절연층(24)의 에칭에 의해 개구부(26)가 형성되어 있고, 이 개구부(26)의 속에 이미터 원추체(27)가 배치되어 있다.
측, 이 이미터 원추체(27)의 선단부분은 게이트전극(25)에 형성되어 있는 개구부(26)를 향하고 있다. 이 이미터 원추체(27)와, 이미터 원추체(27)간의 거리는 미세 가공기술을 이용하여 10㎛이하가 되게 할수 있고 수만개에서 수십만개의 FEC를 한 장의 캐소드기판(21)상에 설치할 수 있다.
또한, 게이트전극(25)과 이미터 원추체(27)의 선단과의 거리를 서브㎛로 할수 있기 때문에 게이트전극(25)과 캐소드전극(22)과의 사이에 겨우 수십볼트의 전압을 인가함으로써 전자를 이미터 원추체(27)로부터 전계방출할 수 있다.
또한, 캐소드전극(22)과 이미터 원추체(27)와의 사이에 설치한 저항층(23)은 동작을 안정화시키는 작용을 하기 위한 것이다.
그리고, 캐소드기판(21)과 소정간격을 두고 애노드기판(30)이 대향하여 설치되어 있다. 이 애노드기판(20)의 안쪽에는 줄 형상의 애노드전극(31)이 복수개 형성되어 있고, 그 표면에 형광체층(32)이 피착형성되어 있다.
이 애노드기판(30)과 캐소드기판(21)이 소정간격으로 대향하도록, 양자의 단부에는 측면판(29)이 설치되어 있다. 그리고, 애노드기판(30), 캐소드기판(21) 및 측면판(29)으로 진공기밀용기가 형성되어 있고 그 내부(28)는 고진공으로 되어 있다.
이와같이 구성된 FED에 있어서, 캐소드전극(22)과 게이트전극(25)간에 소정의 전압을 인가하면 이미터 원추체(27)의 선단에서 전자가 전계방출된다.
이 전자는 정전압이 인가되어 있는 형광체층(32)에 도달한다.
그러면, 형광체층(32)은 전자에 의해 여기되어 발광하게 된다.
이 경우, 애노드전극은 ITO(Indium-Tin-Oxide)등의 투명전극으로 되어 있고, 애노드기판(30)은 투명유리로 만들어져 있으므로 형광체층(32)의 발광상태를 애노드기판(30)을 통하여 관찰할 수 있다.
그리고, 이미터 원추체(27)의 발광을 화소단위로 제어함으로써 애노드전극(31)상의 형광체층(32)에 화상을 표시할 수 있다.
다음에 상기 VFD 및 FED에 사용하는 본 발명의 형광체에 대하여 설명한다.
알칼리 토류금속A와 Ti 산화물로 이루어진 모체에 희토류원소(R) 및 3족원소(B)가 첨가되어 있는 형광체는 일반식 ATiO3: R, B로 표시된다.
상기 본 발명의 티탄산염 형광체에 있어서, 알칼리 토류금속(A)중에서 Sr을 선정하고 희토류원소(R)중에 Pr를 선정하며, 3족원소(B)중에서 Al을 선정한 SrTiO3: Pr, Al형광체의 실시예를 이하에 설명한다.
모체원료로서 SrCO3와 TiO2를 사용하고, 첨가되는 물질의 원료로서, PrCl3및 Al(OH)3를 사용하였다. 상기 각 원료의 소정량을 칭량한 후, 충분히 혼합하여 전기로로 1100∼1400℃에서 1∼6시간동아 소성하였다. 전기로의 분위기를 공기로 하였으나, 원료에 따라서는 N2등의 중성분위기 또는 H2를 1∼20% 포함하는 약 환원성 분위기라도 무방하다.
Pr 농도는 0.1∼2mol%의 범위가 양호하지만 본 실시예에서는 Al의 최적 첨가량을 결정하기 위하여 0.2mol%로 일정하게 하였다.
Al의 양은 SrTiO3모체에 대하여 0∼97mol%의 범위로 변화시켜 첨가시켰다. 상기한 방법에 의해 얻어진 형광체시료에 대한 각종 분석을 통해 각 구성원소를 측정하여 Al의 최적량을 구하였다. 표1은 상기 분석결과의 표이다.
이 표로부터 Al의 함유량은 Al첨가량(사입량)의 55∼56%이다.
또, Al첨가량을 증가시키면 모체의 Sr에 대한 Ti의 비율이 감소하게 된다.
이러한 것은 Al이 SrTiO모체의 Ti 사이트(site)를 치환하여 고용되어 있는 것으로 생각할 수 있다. 또, 제1a도에 도시한 X선 회절도에 의해서도 Al이 고용되어 있음이 나타나 있다. 즉, Al첨가량을 0∼80mol%로 변화시켜도 SrTiO의 메인피크는 Al첨가량이 0일때와 거의 변하지 않는다.
또, Al첨가량이 50mol%이하에서는 Al에 관계된 SrAlO나 AlO등의 피크가 나타나 있지 않기 때문에, Al은 SrTiO에 고용되어 있는 것으로 여겨진다.
Al첨가량이 70mol%를 초과하면, AlO나 SrAlO와 같은, Al에 관계된 부산물의 피크가 차츰 많아지게 된다.
제2도는 본 형광체의 분광반사율의 측정결과를 나타낸 것이다.
Al이 1mol%, 23mol%인 경우와 비교하기 위하여 Al이 0%인 경우를 나타내었다. Al이 조금이라도 들어있으면, Al이 0%인 반사 스펙트럼으로부터 단파측으로 시프트하여 광학특성이 변하지만, Al을 그 이상 증가시켜도 광학특성은 변하지 않음을 알 수 있다.
제3도는 본 발명 형광체의 발광스펙트럼도이다. Al의 첨가량을 9mol%, 33mol%, 50mol%, 60mol%로 변화시켜도 피크파장 617nm에 피크를 가지게되는 적색의 발광이며, 또, Al양이 변화하여도 스펙트럼의 형상이 거의 변화하지 않는다는 사실로부터 Al의 첨가량에 의해서 적생발광이 변하지 않음을 발견하였다.
제7도는 CE1 색도 도면이다.
본 발명의 형광체는 X=0.66, Y=0.35 이며, 종래의 적색용 형광체인 SnO형광체나 YO: Eu 형광체와 비교하더라도 보다 적색쪽에 위치하고 있고, 적색용 형광체로서의 색도도 우수하다.
제4도는 본 발명의 형광체를 형광표시관의 양극에 실장해두고, 발광개시전압과 Al첨가량의 관계를 측정한 결과값이다. 비교용으로서 종래의 적색발광형광체로 실용화되어 있는 YO: Eu 형광체의 발광개시전압을 나타내었다.
발광개시전압이란, 형광체를 실장한 형광표시관을 구동하여 형광체의 휘도가 1cd/㎡의 밝기를 나타내었을때의 양극전압으로 정의하고 있다. Al이 0%이면 발광하지 않으나, Al이 조금이라도 첨가되어 있으면 10V 이하에서 발광함을 나타내고 있다.
종래의 YO: Eu 형광체는 80V 이상의 발광개시전압을 가지며, 제5도에 도시한 바와 같이 전압 대 휘도특성을 보아도 본 발명의 형광체는 종래의 고저항 형광체에 비교하여 발광휘도의 점에서도 우수함이 발견되었다.
제6도는 본 발명 형광체의 Al 첨가량과 상대 휘도의 관계를 나타내는 그래프이다. SrTiO모체에 Pr을 0.1∼2mol% 첨가함과 동시에, Al을 0.01∼90mol% 첨가하였으나, 실용상 사용할 수 있는 휘도로서는 Al첨가량이 0.05∼80mol%의 범위이며, 휘도로서 양호한 범위는 상대휘도가 50%이상인 0.2∼70mol%, 가장 양호한 범위로서는 1∼50mol%이다.
또, Al이외에는 제1(b)도에 도시한 바와 같이 SrTiO: Pr에 Ga를 9mol% 첨가하여도 Ga가 0%의 경우와 메인피크는 거의 변화하지 않고, Al의 경우와 같은 결과가 얻어졌다. 그래서, Al의 대신에 Ga를 첨가하여 Al과 동일한 테스트를 행한 결과 Al과 동일한 결과가 얻어졌다. 다시 Al, Ga와 같은 3족인 In, Tl에서도 거의 동일한 결과를 얻을 수 있었다. 원료로서는 GaO, SrO 등의 산화물이나 Al(NO), Tl(NO)등의 초산염이나 염화물을 사용하는 것이 가능하다.
또 희토류 원소에 대해서는 Pr의 적색의 실시예를 예시하였으나, Pr 이외에 대해서는 Ge가 녹색∼청색, Eu가 적색, Tb, Er이 녹색, Tm이 청색을 얻을 수 있음 발견하였다. 희토류원소의 원료로서는 EuO, EuCl등의 희토류 원소의 산화물이나 염화물을 사용할 수 있다.
(효과)
ATiO(A는 알칼리 토류금속 Mg, Ca, Sr, Ba 중에서 선정된 1종의 원소)로 표시되는 모체에 희토류원소와, Al, Ga, In, Tl중에서 선정된 1종을 소정량 첨가시킨 형광체를 형성하였으므로 다음과 같은 효과를 가진다.
(1) 1kV 이하의 양극전압으로 각종 발광색의 저속전자선용 형광체가 얻어지는 효과가 있다.
(2) 특히 알칼리토류 금속에 Sr을 선정하고 Pr과 Al을 고용하여 생기는 SrTiO: Pr, Al 형광체는 종래의 적색용 형광체에 비해서 발광개시 전압이 10V로 낮고, 적색으로서의 색도도 우수한 형광체가 얻어진다.
(3) 본 발명의 형광체는 대체로 S성분을 포함하고 있지 않은 산화물 형광체이므로 종래의 칼라형광체에서 발생되는 황화물에 의한 음극의 오염이나 동일 형광표시관의 다른 산화물 형광체의 오염등의 문제점이 없다는 효과가 있다.
(4) 본 발명의 형광체에 Cd를 포함하고 있지 않으므로 공해문제도 발생되지 않는 우수한 효과도 가지고 있다.

Claims (11)

  1. 알칼리토류 금속과 Ti의 산화물로 이루어진 모체에 희토류원소 및 3족 원소를 첨가한 것을 특징으로 하는 형광체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알칼리토류 금속이 Mg, Sr, Ca, Ba 중에서 선정된 1종의 원소인 것을 특징으로 하는 형광체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 희토류원소가 Ce, Eu, Tb, Er, Tm, Pr 중에서 선정된 1종의 원소인 것을 특징으로 하는 형광체.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 희토류원소의 첨가량이 0.05∼5mol%인것을 특징으로 하는 형광체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 3족 원소가 Al, Ga, In, Tl중에서 선정된 1종의 원소인 것을 특징으로 하는 형광체.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 3족 원소의 첨가량이 0.05∼80mol%인 것을 특징으로 하는 형광체.
  7. 진공외위기내에 전자원과 이 전자원으로부터 방출되는 전자선의 충돌로 발광되는 형광체층을 가지고 있는 형광표시장치에 있어서, 상기 형광체층의 형광체는 알칼리 토류금속과 Ti의 산화물로 이루어진 모체에 희토류 원소 및 3족 원소가 첨가된 것인 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 알칼리 토류금속이 Mg, Sr, Ca, Ba 중에서 선정된 1종의 원소이고, 상기 희토류원소가 Ce, Pr, Eu, Tb, Er, Tm 중에서 선정된 1종이며, 상기 3족 원소가 Al, Ga, In, Tl중에서 선정된 1종인 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 희토류 원소의 첨가량이 0.05∼5mol%이고, 상기 3족 원소의 첨가량이 0.05∼80mol%인 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 전자원이 필라멘트 형상의 캐소드인 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 전자원이 전계방출형 음극(FEC)인 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
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