JP5379724B2 - 低速電子線用蛍光体および蛍光表示装置 - Google Patents
低速電子線用蛍光体および蛍光表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5379724B2 JP5379724B2 JP2010046654A JP2010046654A JP5379724B2 JP 5379724 B2 JP5379724 B2 JP 5379724B2 JP 2010046654 A JP2010046654 A JP 2010046654A JP 2010046654 A JP2010046654 A JP 2010046654A JP 5379724 B2 JP5379724 B2 JP 5379724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- phosphor
- layer
- reference example
- luminance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/20—Luminescent screens characterised by the luminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/02—Details, e.g. electrode, gas filling, shape of vessel
- H01J63/04—Vessels provided with luminescent coatings; Selection of materials for the coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/18—Luminescent screens
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
SrTiO3:Prの初期輝度に関しては実用化レベルであるが、輝度劣化が激しく輝度寿命が短い問題がある。そのため、上記(2)の方法が提案されているが、従来のZnCdS系蛍光体と比較すると輝度寿命は向上しないという問題がある。さらに寿命を延ばすために蛍光体の表面に形成される金属酸化物層を厚くすると輝度が低下する問題がある。
上記(3)の方法の場合も輝度寿命改善のためには、錫化合物の付着量が多く必要であり、多く付着させると、輝度が低下する問題がある。
また、上記(4)の方法は、初期輝度は向上するが寿命が満足でない場合がある。
さらに、SrTiO3:PrやCaTiO3:Prは、上記金属酸化物層を形成することで、例えば80℃以上の高温に放置されたときの特性である、高温放置特性が低下するという問題がある。特に金属酸化物層を多くすると、高温放置特性が低下する。
上記酸化物(MO1)の層および上記酸化物(MO2)の層のいずれかが上記蛍光体本体の表面から第1層となり、残りの酸化物の層が第2層となり、最外層が上記酸化物(MO3)の層となることを特徴とする。
また、その酸化物(MO1)の付着量が蛍光体本体に対して200〜2000ppmであることを特徴とする。
また、3層の酸化物層の中で、1つの酸化物層がTiおよびWから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO3)の層であることを特徴とする。特に、この酸化物(MO3)の層が付着層の最外層であることを特徴とする。
また、酸化物(MO2)および酸化物(MO3)とが併用されることを特徴とし、その酸化物(MO2)および酸化物(MO3)の合計付着量が蛍光体本体に対して50〜3000ppmであることを特徴とする。
なお、本明細書において「低速電子線」は、特に断らない限り、蛍光表示装置に好適な10〜200V程度の電圧で加速されるものをいう。
また、金属酸化物層を設けると蛍光体の高温放置特性が悪くなる場合がある。これは、蛍光表示装置が高温に曝されることにより、装置内に付着していた水分や炭素などの残留ガスが浮遊し、それらガスの蛍光体表面への付着を金属酸化物層が促進させるためと考えられている。
化学式(1)で表される蛍光体本体は、CaTiO 3 を母体とする。
本発明において、CaTiO3というときは、特に明示する場合を除く他、Ca/Ti比が1である化学量論組成のものに限られず、その比が1よりも僅かに大きいあるいは僅かに小さい組成のものも含むものとする。例えば、その比が1.05〜0.95の範囲内のものも含まれる。
上記蛍光体の母体には、発光中心として機能するPrが必須の添加物として添加される。価数が+3または+4(特に、赤色発光の場合は+3)であるPrはイオン半径から考えてCaサイトを置換するものと考えられるが、Caの価数は+2であるからこの置換によって+の電荷が過剰になる。
化学式(1)において、Mは、Al、Ga、In、Mg、Zn、Li、Na、K、Gd、Y、およびLaから選ばれた少なくとも1つの元素である。これらの元素を添加することによって、Prの置換によって過剰になった電荷のバランスを取ることができる。例えば、Znはイオン半径から考えてTiサイトを置換するものと考えられるが、Tiの価数は+4、Znの価数は+2であるから、Prの置換によって過剰になった電荷のバランスを取ることができる。また、Liはイオン半径から考えてCaサイトを置換するものと考えられるが、Liの価数は+1であるから、この置換によってもPr置換で過剰になった電荷のバランスを取ることができる。このように、Mは、Prを安定して存在させることにより輝度を増加させることができる。
化学式(1)で表される好ましい蛍光体本体を例示すると、CaTiO3:Pr,Zn,Liが挙げられる。
複数の酸化物層の1つは、Gd、Pr、Y、Zn、Ta、およびSrから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO1)の層であり、他の1つはSi、Al、MoおよびSbから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO2)の層であり、さらに他の1つはTiおよびWから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO3)の層である。
酸化物(MO1)の層は、輝度増感層であり、蛍光体本体の初期輝度を向上させる。特に、Gd、Pr、Y、Zn、Ta、またはSrの酸化物が化学式(1)で表される蛍光体本体の初期輝度を向上させることができる。
特に母体となるチタン酸塩としてCaTiO3を用いたときに、初期輝度を向上させる効果が大きく、また、GdもしくはYの酸化物からなる輝度増感層の効果が大きいことが分かった。
初期輝度向上の理由は明らかではないが、輝度増感層により初期輝度が向上するのは、付着した元素と蛍光体の発光中心であるPrとの間に量子論的な共鳴が生じ、エネルギーが伝達され、増感効果が発生しているためと考えられる。
有機ガドリニウム化合物:富士化学株式会社製、ハウトフォームRD−Gd
有機プラセオジム化合物:株式会社高純度化学研究所製、Pr−O3 Pr2O3コート材料
有機イットリウム化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−YO1 YO1.5コート材料
有機亜鉛化合物:信越化学工業株式会社製、DMZ(ジメチル亜鉛)、DEZ(ジエチル亜鉛)
有機タンタル化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−TAO5 TaO2.5コート材料
有機チタン化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−TIO5 TiO2コート材料
有機珪素化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−SIO5 SiO2コート材料
有機アルミニウム化合物:富士化学株式会社製、ハウトフォームRD−Al
有機モリブデン化合物:富士化学株式会社製、ハウトフォームRD−Mo
有機アンチモン化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−SBO3 SbO1.5コート材料
有機セリウム化合物:富士化学株式会社製、ハウトフォームRD−Ce
有機タングステン化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−WO5 WO3コート材料
有機ジルコニウム化合物:株式会社高純度化学研究所製、SYM−ZRO4 ZrO2コート材料
金属酸化物の量は蛍光体本体に対し400ppm付着させた。得られた蛍光体を蛍光表示装置に実装し、アノード電圧50V、デューティー1/20の条件下で5時間のエージング処理後、初期輝度を測定した。初期輝度は、参考例1の初期輝度を100%として、その相対比較で示す。また、各々の蛍光体の初期輝度を100%とするときの輝度残存率(%)として表した輝度寿命を、1500時間点灯後の残存率として同時に示す。以下、初期輝度および輝度残存率は同様に表示する。点灯条件はアノード電圧26V、デューティー1/12で行なった。結果を表1に示す。
CaTiO3:Pr,Zn,Liに酸化物(MO1)の一例として酸化ガドリニウムを以下の方法で形成して、付着量と初期輝度との関係を測定した。
CaTiO3:Pr,Zn,Liで表される蛍光体を、有機ガドリニウム化合物をエタノールで希釈した溶液に浸漬して、その後エタノールを蒸発させることにより、蛍光体表面に、有機ガドリニウム化合物を付着させる。付着した有機ガドリニウム化合物を400℃〜600℃の熱処理により、酸化ガドリニウムに変え、酸化ガドリニウム層が表面に形成された蛍光体を得た。酸化ガドリニウムの量は蛍光体に対し、0〜2000ppmの間で変化させた。得られた蛍光体を蛍光表示装置に実装して初期輝度を測定した。点灯条件はアノード電圧26V、デューティー1/12で行なった。結果を図1に示す。
図1に示すように、酸化物(MO1)の付着量は、化学式(1)で表される蛍光体本体に対して、200〜2000ppm、好ましくは300〜1700ppm、さらに好ましくは400〜800ppmである。200ppm未満では輝度が向上せず、また、2000ppmをこえる場合においても輝度が低下を始める。上記例は酸化ガドリニウムを付着させた場合であるが、他の酸化物(MO1)でも同様の傾向を示す。
CaTiO3:Pr,Zn,Li蛍光体の表面に酸化物(MO2)の例として酸化珪素(参考例8)、酸化アルミニウム(参考例9)、酸化モリブデン(参考例10)、酸化アンチモン(参考例11)、酸化チタン(参考例13)、酸化タングステン(参考例14)、酸化ジルコニウム(参考例15)を上記参考例2の方法と同一の方法で、蛍光体に対し400ppm形成して、蛍光体の初期輝度および高温放置特性を測定した。また、酸化セリウム(参考例12)についても上記参考例2の方法と同一の方法で、蛍光体に対し400ppm形成して、蛍光体の初期輝度および高温放置特性を測定した。なお、参考例8〜参考例15に使用した有機金属化合物はエタノールに溶解した。
得られた蛍光体を蛍光表示装置に実装して初期輝度および寿命を上記参考例1〜7と同様にして測定した結果を表2に示す。また、85℃の温度雰囲気中に96時間放置後の輝度残存率を併せて示す。高温放置特性の輝度残存率は高温放置前の輝度を100%としたときの値である。
そのため、酸化物(MO3)は、付着層の最外層に形成することが好ましい。
保護層は単一の酸化物(MO2)または酸化物(MO3)でもよいが、酸化物(MO2)および酸化物(MO3)を併用することが好ましい。
SrTiO3:Pr,Alで表される蛍光体本体を、有機ガドリニウム化合物をエタノールで希釈した溶液に浸け、エタノールを蒸発させることにより、蛍光体表面に、有機ガドリニウム化合物を付着させる。付着した有機ガドリニウム化合物を400℃〜600℃の熱処理により、酸化ガドリニウムに変え、輝度増感層を得る。酸化ガドリニウムの量は蛍光体に対し、400ppm付着した。これを参考例17とする。
同様に、有機ガドリニウム化合物に代えて、有機珪素化合物を用いる以外は参考例17と同一の条件で蛍光体を得た。これを参考例18とする。
作製した蛍光体は蛍光表示装置に実装され、アノード電圧50V、デューティー1/20の条件下で5時間のエージング処理後、初期輝度を測定した。測定条件は、アノード電圧26V、デューティー1/12にて実施した。結果を表4に示す。なお、参考例16はSrTiO3:Pr,Al蛍光体本体の場合である。
また、SrTiO3を母体とする蛍光体においても、輝度増感効果の得られる酸化物層と寿命・高温放置特性改善効果のある酸化物層を形成することで、CaTiO3を母体とする蛍光体と同等の効果が得られる。同様に、母体となる蛍光体に上記化学式(1)で表される蛍光体を用いても、同等の効果が得られる。
酸化物層の積層順としては、重複しないことを条件にすれば、全部で12通りある。特に好ましい積層順としては、蛍光体表面より(i)酸化物(MO1)−酸化物(MO2)−酸化物(MO3)、(ii)酸化物(MO2)−酸化物(MO1)−酸化物(MO3)が挙げられる。
酸化物層の形成方法としては、(i)酸化物を形成できる液相状の化合物または、溶媒によって溶解し液相状態となる化合物を蛍光体本体の表面に付着させた後に熱処理により酸化物とする方法、(ii)酸化物を形成できる液相状の化合物を、予め用意した蛍光体ペーストと混合し、熱処理により蛍光体の表面に酸化物を付着させる方法、(iii)酸化物の粉体を溶媒に分散させた溶液を蛍光体本体の表面に付着させた後、溶液を除去する方法、(iV)酸化物の粉体を、予め用意した蛍光体ペーストと混合して、酸化物を蛍光体表面に付着させる方法等が挙げられる。
複数層の酸化物層はこれらの方法を組み合わせて用いることができる。
金属化合物の溶解に使用する有機溶剤は、乾燥処理によって容易に揮発させられるものが適宜用いられるが、例えば、メタノール、エタノール、テルピネオール、プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。熱処理は300〜1000℃の範囲で焼成される。好ましくは400〜600℃である。
蛍光体ペーストは、上記酸化物層を付着していない蛍光体、もしくは、上記[(i)もしくは(iii)]により酸化物層を付着した蛍光体を、所定のビヒクル中に分散して得ることができる。このペーストに上記(ii)もしくは(iV)により酸化物層を蛍光体表面に付着することができる。
蛍光表示装置1は、陽極基板7の表示面において複数の陽極5上にそれぞれ形成され、複数の酸化物層が付着された蛍光体層6を備え、真空空間内においてその蛍光体層6の上方に位置する陰極9から発生させられた電子をそれら蛍光体層6と陰極9との間に設けられた複数のグリッド電極8で制御してそれら複数の蛍光体層6を選択的に発光させる表示装置である。
なお、図2において、2はガラス基板であり、3はこのガラス基板上に形成された配線層であり、4は絶縁層であり、4aは配線層3と陽極電極5とを電気的に接続するスルーホールである。また、10はフェースガラス、11はスペーサガラスである。
参考例1で示したCaTiO3:Pr,Zn,Li蛍光体本体に第1の付着層として輝度増感効果のある酸化物(MO1)である酸化ガドリニウムを参考例2と同一の方法で400ppm付着させた。この蛍光体を、有機珪素化合物をエタノールで希釈した溶液に浸漬した後、エタノールを蒸発させることにより、蛍光体表面に有機珪素化合物を付着させる。付着した有機珪素化合物を400℃〜600℃の熱処理により、酸化珪素に変え第2の付着層を得る。酸化珪素の量は蛍光体本体に対し、200ppmで作製した。作製した蛍光体を、蛍光表示装置に実装し、評価した。点灯条件はアノード電圧26V、デューティー1/12で行なった。結果を表5に示す。なお、比較例1は上記参考例1と同一である。
表5に示す酸化物および付着量を用いる以外は参考実施例1と同様にして蛍光体を作製し、この蛍光体を用いて参考実施例1と同様にして蛍光表示装置に実装し、参考実施例1と同様に評価した。結果を表5に示す。なお、酸化物(MO1)の付着は参考例2、参考例4、参考例5、参考例6と同一の方法で行なった。また、第2の酸化物(MO2)または酸化セリウムの付着は参考例8〜参考例12と同一の方法で行なった。
参考例1で示したCaTiO3:Pr,Zn,Li蛍光体本体に第1の付着層として酸化物(MO2)を、第2の付着層として酸化物(MO1)を順に付着させる以外は参考実施例1と同じ方法で蛍光体を得た。なお、酸化珪素の量は蛍光体に対し400ppm、酸化ガドリニウムの量は蛍光体に対し400〜800ppmの範囲で変化させて作製した。作製した蛍光体を、蛍光表示装置に実装し、参考実施例1と同様に評価した。結果を図3および表6に示す。なお、図3には比較例1、参考例2、参考例8、参考実施例2の結果を同時に示す。
図3は、参考実施例23で作製した蛍光体の寿命特性を示した。付着層の形成順序が異なる参考実施例2とほぼ同等の寿命特性が得られた。
上記結果より、輝度増感層、および、保護層の形成順序は問わず、どちらかを先に形成してもよく、これら複数の付着層を形成することで、初期輝度および寿命特性の改善効果が得られる。
参考例1で示したCaTiO3:Pr,Zn,Li蛍光体本体に第1の付着層として輝度増感効果のある酸化ガドリニウムを400ppm、また、第2の付着層として保護効果のある酸化珪素を400ppm付着した蛍光体に、熱処理により酸化タングステンに変化する有機タングステン化合物を付着させる。付着した有機タングステン化合物を400〜600℃の熱処理により酸化タングステンに変え、第3の付着層(保護層)を得る。酸化タングステンの付着量は蛍光体本体に対し400ppmで作製した。
得られた蛍光体を用いて蛍光表示装置を作製し、得られた蛍光表示装置を、アノード電圧26V、デューティー1/12にて初期輝度、および85℃の温度雰囲気中に96時間放置後の輝度残存率を調べた。該輝度残存率は上記初期輝度を100%としたときの値である。その結果を図4および表7に示す。
表7に示す酸化物および付着量を用いる以外は実施例1と同様にして蛍光体を作製し、この蛍光体を用いて実施例1と同様にして蛍光表示装置に実装し、実施例1と同様に評価した。結果を表7に示す。なお、参考実施例2、参考実施例5、参考実施例11、参考実施例14、参考実施例23、および参考実施例28〜参考実施例31について測定した、85℃の温度雰囲気中に96時間放置後の輝度残存率を同時に示す。
例えば、実施例1の1500時間点灯後の輝度残存率を参考実施例1と同一の方法で測定した結果を図4に示す。比較例1の蛍光体本体のみの場合は、1500時間〜2000時間で輝度半減になるのに対し、実施例1は1500時間で80%以上という高い輝度残存率を示している。これは酸化珪素を付着した蛍光体(参考例8)の輝度残存率とほぼ同等であり、第3の付着保護層を設けても初期輝度および寿命特性に影響を与えないことが分かった。また第3の付着層(MO3)の付着量は、3000ppmになると初期輝度が低下をはじめる。これらの特性は、実施例4においても同様の傾向を示す。
次に、蛍光体本体に、酸化物(MO2)および酸化物(MO3)の保護層のみを付着させたときの実施例を示す。
参考例1で示したCaTiO3:Pr,Zn,Li蛍光体本体に第1の付着層として保護効果のある酸化珪素を400ppm付着した蛍光体に、熱処理により酸化タングステンに変化する有機タングステン化合物を付着させる。付着した有機タングステン化合物を400〜600℃の熱処理により酸化タングステンに変え、第2の付着層(保護層)を得る。
酸化タングステンの付着量は蛍光体本体に対し1000ppm(参考実施例26)、3000ppm(参考実施例27)で作製した。
得られた蛍光体を用いて蛍光表示装置を作製し、得られた蛍光表示装置を、アノード電圧26V、デューティー1/12にて初期輝度、および85℃の温度雰囲気中に96時間放置後の輝度残存率を調べた。その結果を表8に示す。
2 ガラス基板
3 配線層
4 絶縁層
5 陽極電極
6 蛍光体層
7 陽極基板
8 グリッド
9 陰極
10 フェースガラス
11 スペーサガラス
Claims (7)
- 下記化学式(1)で表される蛍光体本体に付着層が形成された低速電子線用蛍光体であって、
前記付着層が前記蛍光体本体の表面に積層された3層の酸化物層であり、
前記3層の酸化物層は、Gd、Pr、Y、Zn、Ta、およびSrから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO1)の層と、Si、Al、Mo、およびSbから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO2)の層と、TiおよびWから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物(MO3)の層とからなり、
前記酸化物(MO1)の層および前記酸化物(MO2)の層のいずれかが前記蛍光体本体の表面から第1層となり、残りの酸化物の層が第2層となり、最外層が前記酸化物(MO3)の層となることを特徴とする低速電子線用蛍光体。
- 前記化学式(1)におけるMがZn、Liであることを特徴とする請求項1記載の低速電子線用蛍光体。
- 前記酸化物(MO1)がGdおよびYから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の低速電子線用蛍光体。
- 前記酸化物(MO2)がSiおよびAlから選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の低速電子線用蛍光体。
- 前記酸化物(MO1)の付着量が前記蛍光体本体に対して200〜2000ppmであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の低速電子線用蛍光体。
- 前記酸化物(MO2)および前記酸化物(MO3)の合計付着量が前記蛍光体本体に対して50〜3000ppmであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載の低速電子線用蛍光体。
- 真空容器内に形成された低速電子線用蛍光体層に低速電子線を射突させて発光させる蛍光表示装置であって、
前記低速電子線用蛍光体層が請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載の低速電子線用蛍光体の層であることを特徴とする蛍光表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010046654A JP5379724B2 (ja) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示装置 |
US12/932,136 US8465676B2 (en) | 2010-03-03 | 2011-02-17 | Phosphor for low-voltage electron beam and vacuum fluorescent display apparatus |
CN201110050009.XA CN102191047B (zh) | 2010-03-03 | 2011-03-02 | 低速电子射线用荧光体及荧光显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010046654A JP5379724B2 (ja) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011178950A JP2011178950A (ja) | 2011-09-15 |
JP5379724B2 true JP5379724B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=44530739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010046654A Active JP5379724B2 (ja) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8465676B2 (ja) |
JP (1) | JP5379724B2 (ja) |
CN (1) | CN102191047B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6112531B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2017-04-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 赤色蓄光蛍光体及びその製造方法 |
WO2014040218A1 (zh) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 钛酸盐发光材料及其制备方法 |
JPWO2014208478A1 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 発光体材料、その製造方法、光学フィルム及び発光デバイス |
CN104745188B (zh) * | 2015-01-17 | 2017-06-16 | 东北大学 | 一种Sm3+为发光中心的钛酸镧红色荧光材料及其制备方法 |
CN104830334B (zh) * | 2015-04-26 | 2017-07-07 | 东北大学 | 一种镝掺杂蓝色荧光粉的制备方法及其应用 |
CN104861973B (zh) * | 2015-04-26 | 2017-01-25 | 东北大学 | 钛酸镧为基体适用于白光led的绿色荧光粉的制备方法及其应用 |
CN104861974B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-01-25 | 东北大学 | 烧绿石结构钛酸镧为基质的荧光化合物及制备方法和应用 |
CN104910909B (zh) * | 2015-06-15 | 2017-01-25 | 东北大学 | 铒掺杂钛酸镧的荧光化合物及其制备方法和应用 |
CN105131949B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-06-23 | 浙江大学 | 一种Al掺杂提高SrSnO3近红外发光强度的方法 |
CN105623659B (zh) * | 2016-01-25 | 2018-04-13 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种led用钛酸盐荧光粉的制备方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55131083A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-11 | Nec Corp | Luminescent material |
JPH0747732B2 (ja) * | 1987-12-05 | 1995-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 低速電子線励起螢光体 |
JP2729190B2 (ja) | 1994-09-16 | 1998-03-18 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体 |
JP2746186B2 (ja) * | 1995-04-12 | 1998-04-28 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体 |
JPH09255962A (ja) | 1996-03-26 | 1997-09-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 室炉式コークス炉の炉蓋 |
JP2904106B2 (ja) * | 1996-03-27 | 1999-06-14 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体 |
DE19626219A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Leuchtstoffzubereitung mit SiO¶2¶-Partikel-Beschichtung |
JP2001226670A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Toshiba Corp | 表示装置用蛍光体およびそれを用いた発光素子 |
JP2002373599A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Noritake Itron Corp | 低速電子線用蛍光体、その製造方法および蛍光表示管 |
JP2003041246A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Noritake Itron Corp | 蛍光体の製造方法および蛍光体 |
JP2003064356A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 蛍光体およびその製造方法 |
JP2004238549A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Noritake Itron Corp | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示管 |
US7071609B2 (en) * | 2003-05-12 | 2006-07-04 | Noritake Itron Corporation | Red phosphor for low-voltage electron beam |
JP2005281508A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Noritake Co Ltd | 蛍光体の製造方法 |
JP4217648B2 (ja) | 2004-03-30 | 2009-02-04 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 蛍光体および蛍光表示装置 |
JP2006299118A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Noritake Itron Corp | 低速電子線用蛍光体、その製造方法および蛍光表示管 |
JP2006335898A (ja) | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Noritake Co Ltd | 低速電子線用蛍光体、蛍光体ペースト、および蛍光表示装置 |
JP4515983B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2010-08-04 | ノリタケ伊勢電子株式会社 | 低速電子線用蛍光体 |
JP5090235B2 (ja) | 2008-03-31 | 2012-12-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 蛍光体および蛍光表示装置 |
JP5155746B2 (ja) | 2008-06-17 | 2013-03-06 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 蛍光体および蛍光表示装置 |
-
2010
- 2010-03-03 JP JP2010046654A patent/JP5379724B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-17 US US12/932,136 patent/US8465676B2/en active Active
- 2011-03-02 CN CN201110050009.XA patent/CN102191047B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011178950A (ja) | 2011-09-15 |
CN102191047B (zh) | 2014-09-10 |
US8465676B2 (en) | 2013-06-18 |
US20110215708A1 (en) | 2011-09-08 |
CN102191047A (zh) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5379724B2 (ja) | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示装置 | |
CN1086002C (zh) | 荧光体和荧光显示器 | |
US7525245B2 (en) | Electron beam excited fluorescence emitting device | |
US20100259466A1 (en) | Plasma display panel | |
EP3460859B1 (en) | Light emitting diode | |
KR100252409B1 (ko) | 형광체 | |
KR20060114387A (ko) | 전계 발광 형광체와 그의 제조 방법 및 전계 발광 소자 | |
JP4987168B2 (ja) | 表面処理蛍光体及び表面処理蛍光体の製造方法 | |
US5635048A (en) | Method for forming low-energy electron excited fluorescent screen | |
KR20060049518A (ko) | 멀티컬러 발광 형광 표시관 | |
JP3159109B2 (ja) | 蛍光体及び表示管 | |
JP2004238549A (ja) | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示管 | |
KR100988362B1 (ko) | 피디피용 저전압 보호막 재료 및 그 제조방법 | |
JP2007045926A (ja) | 蛍光体 | |
JP3732482B2 (ja) | 蛍光表示管 | |
JPWO2010010698A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2008069283A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2006219641A (ja) | 発光材料及び発光素子 | |
US20110175554A1 (en) | Plasma display panel | |
JP2001081459A (ja) | 酸化物蛍光体 | |
JP2017041564A (ja) | 発光電気化学素子及び該発光電気化学素子を有する発光装置 | |
CN102468098B (zh) | 荧光显示装置 | |
JP4272945B2 (ja) | 低速電子線用蛍光体および蛍光表示管 | |
Wu et al. | Annealed binary nanowires: an efficient creation of abundant oxygen deficient states | |
JPH0747733B2 (ja) | 青色発光蛍光体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5379724 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |