KR0162530B1 - 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 - Google Patents

Abstract

플라즈마 처리장치는 유전체 플레이트창을 구비하여 고밀도 플라즈마를 유지하는 반응용기, 상기 유전체 창에 근접하여 반응용기의 외부에 설치되는 나선형 코일, 유전체 플레이트에 대면하여 반응 용기내에 설치되어 처리되는 웨이퍼를 탑제하는 하부 전극으로 구성된다.

제 1 고주파 전류가 코일에 공급되고, 코일과 유전체 플레이트 창간의 거리를 가변하는 기구 및 하부전극에 공급되는 제 2 고주파 전압이 제공된다.

유전체 플레이트창을 주변부 보다 중심부를 두껍게 함으로써 플라즈마 이온전류밀도의 균일성 및 에칭속도가 우수하다. 또한, 플라즈마의 균일성 및 에칭속도는 반응용기의 중심축에 코일축이 대칭으로 되는것에 의해 발생하는 유도전계에 의해 달성된다.

에칭 프로파일 및 물질 에칭 선택비는 코일의 축방향을 이동시켜서 제어된다.

Description

반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법

제1a도는 유전체 창 형상을 반응용기 중앙부에서 두껍게, 주변부를 얇게, 하부를 블록하게한 본 발명의 제 1 의 실시예.

제1b도는 본 발명의 제 2 실시예의 나선형 코일을 나타낸 개략도.

제2a도는 나선형 코일에 RF 전압을 인가하는 것에 의해 발생한 자계의 방향을 화살표로 나타낸 개략도.

제2b도는 나선형 코일에 RF 전압을 인가하여 발생된 자계의 방향을 화살표로 나타낸 개략도.

제3도는 3 가지 형태의 유전체 창 형상에 대한 3 개의 다른 이온 전류밀도 분포의 비교.

제4a도는 n + - 형 폴리 실리콘 에칭에 대한 에칭비의 의존성 및 유전체 창 형상에 대한 균일성을 도시한 도면.

제4b도는 WSi₂에칭에 대한 에칭비의 의존성 및 유전체 창 형상에 대한 균일성을 도시한 도면.

제5a도는 상부로 블록한 형상의 유전체 플레이트로서 평탄한 코일을 사용한 경우를 도시한 도면.

제5b도는 상부로 블록한 형상의 유전체 플레이트로서 유전체 상부의 표면을 따라 코일을 배치한 경우를 도시한 도면.

제5c도는 돔형의 유전체 플레이트로서 유전체 상부의 표면을 따라 코일을 배치한 경우를 도시한 도면.

제6a도는 나선형 코일이 유전체 플레이트창의 주평면측에 평행으로 이동하는 것을 도시한 본 발명의 제 3 실시예를 도시한 단면 개략도.

제6b도는 본 발명의 제 3 실시예를 나타낸 평면도.

제7도는 코일의 나선방향 배치에 대한 에칭 균일성의 의존도를 도시한 도면.

제8a도는 코일이 전기적으로 접속된 두개의 코일의 조합으로 결합된 코일의 형상이 축대칭인 코일을 도시한 본 발명의 제 4 실시예를 도시한 도면.

제8b도는 전기적으로 접속된 4 개의 나선코일의 조합으로 결합된 코일의 형상이 축대칭인 코일을 도시한 본 발명의 다른 제 4 실시예를 도시한 도면.

제9도는 코일의 형상이 반응용기로 부터 떨어져 블록부를 갖는 유전체 플레이트창이 배치되어 축대칭으로 결합됨을 도시한 본 발명의 제 5 실시예를 도시한 도면.

제10도 코일이 축방향으로 이동가능한 본 발명의 제 6 실시예를 도시한 도면.

제11a도는 코일의 축방향 배치시 플리실리콘의 에칭속도 및 에칭 균일성을 도시한 도면.

제11b도는 코일의 축방향 배치시 SiO₂의 에칭속도 및 에칭 균일성을 도시한 도면.

제12도는 코일과 유전체 창간의 거리를 가변할때 두개의 다른 경사각에 따른 폴리실리콘의 식각 프로파일.

제13도는 관련기술의 예를 도시한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반응용기 2 : 나선형 코일

3, 11 : RF 전원 4, 16, 17, 18 : 유전체 창

7 : 웨이퍼 8 : 하부 전극

14 : 자계 15 : 유도전계

본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.

반도체 장치의 고집적화와 함께 웨이퍼에 대해 이방성 에칭을 수행할 수 있는 드라이에칭 (dry etching) 장치가 널리 사용되고 있다.

예컨대, 플라즈마를 사용하는 드라이 에칭장치에 있어서는 반응용기내의 플라즈마내내에서 생성된 중성 래디컬 (radical) 과 이온과의 복합적인 작용에 의해 에칭을 수행하고 있다. 플라즈마내의 이온은 반응용기내의 전계의 작용에 의해 웨이퍼에 입사된다.

그 밖의 이온은 중성개스분자와의 충돌에 의해 산란하여 운동방향이 변화된다. 이런이유 때문에 이온이 웨이퍼에 대해 수직으로 입사되어 측면에칭이 발생하여 마스크와의 높은 변환차가 생긴다.

반응용기의 압력을 저하시키는 것에 의해 중성분자의 수를 감소시켜 이온과 중성개스 분자와의 충돌을 경감시키는 것이 고려되었지만, 이 경우에 생성된 플라즈마자체의 밀도가 저하하기 때문에 하부와의 선택성이 문제가 된다. 따라서, 고밀도 플라즈마원을 사용하여 저압력 영역에서 충분한 밀도의 플라즈마를 생성가능한 플라즈마 처리장치가 제안되었다.

이러한 플라즈마 발생장치의 일례로서 일본국 특개평 JPUPA 6-84811 호 공보에 기재된 플라즈마 처리장치가 있다.

이 장치의 구조는 제13도에 도시한다.

이 장치는 평탄하게 형성된 측면부를 갖는 코일 (45) 에 RF 전류를 흐르게 하는것에 의해 반응용기 (52) 내부에서 유전체 플레이트 (54) 를 통해 유전체 플레이트에 평행한 방향의 자계를 발생시켜 발생된 자계의 시간변화에 의해 전자유도보다는 유도전계를 생성시켜 그 유도전계보다 저압, 고밀도의 플라즈마를 생성한다.

또한, 이 장치에서는 반응용기 (52) 내에 배치된 유전체 플레이트에 대향하는 전극에 웨이퍼를 장착하고 이 전극에 바이어스를 인가하는 것으로 웨이퍼에 입사하는 이온 에너지를 제어한다. 코일 (45) 의 직경은 발생하는 자계의 강도를 균일화 하기위해 중앙부에 비해 단부가 작게되어 있다.

상술한 플라즈마 발생장치에 있어서, 플라즈마 생성에 사용하는 코일이 처리되는 웨이퍼가 배치되는 반응용기의 중심에 대해 축대칭 아니다.

따라서, 생성되는 플라즈마의 밀도도 축대칭이 아니며, 균일한 플라즈마를 기대할 수 없다.

생성된 플라즈마의 균일성은 에칭속도의 균일성에 영향을 미치기 때문에 에칭상 중요한 파라미터의 하나인 에칭속도의 균일화를 기대할 수 없다.

이 균일화의 방법은 최근의 웨이퍼의 대구경화에 추세에 부응하도록 간단하게 하는것이 중요하다.

또한, 종래의 플라즈마 처리장치에서는, 선택비, 에칭형상을 제어하기 위해서는 에칭조건을 변형시킬 필요가 있었다.

본 발명의 목적은 웨이퍼의 대구경화에 대응할 수 있는 간단한 방법으로 저압, 고밀도 플라즈마원을 갖는 플라즈마 및 에칭속도의 균일화가 가능한 플라즈마 처리장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 본 발명의 플라즈마 처리장치를 사용하여 에칭조건을 변화시키지 않고 선택비, 형상을 제어할 수 있는 플라즈마 처리 방법을 제공하는데 있다.

저압, 고밀도 플라즈마를 생성하기 위한 본 발명에 따른 장치는 용기의 상부에 유전체 재료로 구성된 플레이트를 가지며 다른 부분이 전기적으로 접지된 반응용기와, 반응용기외부의 유전체 플레이트상부면에 근접하여 배치된 나선형 코일과, 상기 나선형 코일에 고주파 전류를 공급하기 위한 RF 전원과, 상기 RF 전원과 나선형 코일의 동조수단과, 상기 반응용기내에 다수의 개스를 도입하는 수단과, 처리개스의 압력을 제어하는 수단과, 상기 반응용기내의 하부에 웨이퍼가 장착되는 하부전극과, 상기 유전체 플레이트와 하부전극간 거리를 가변하는 기구 및 상기 하부전극에 고주파 전압을 인가하는 수단으로 구성된다. 균일한 플라즈마와 균일한 에칭비는 유전체 플레이트의 두께를 반응용기 중앙부를 두껍게, 주변부를 얇게 만들므로서 달성된다.

또한, 코일에 RF 전류를 공급함으로써 생성되는 유도전계를 반응용기의 중심에 축대칭이 되도록 함으로써 플라즈마 및 에칭비의 균일화가 달성된다.

상기 플라즈마 발생장치에서는 코일의 위치를 코일의 축방향으로 이동하도록 하여 에칭형상 및 선택비를 제어한다.

본 발명의 상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부한 도면을 참조하여 설명한 다음의 설명에 의해 명백해질 것이다.

제1도는 본 발명의 플라즈마 처리장치의 제 1 실시예를 도시한다.

이하에서, 플라즈마 생성방법 및 에칭방법을 상세히 설명한다.

반응용기 (1) 내에 예컨대, 6 인치의 직경을 갖는 반도체 웨이퍼 (7) 가 장착되어 처리된다. 웨이퍼 (7) 와 유전체 플레이트 창 (4) 간의 간격을 조절하고 처리개스를 개스링 (9) 로 부터 반응용기 (1) 내로 도입한후, 반응용기 (1) 내의 압력을 예컨대, 수 mm 로 조정한다. 이러한 상태에서 유전체 플레이트 창 (4) 의 상부에 배치되어 있는 나선형 코일 (2) 에 제1도에는 기재되어 있지않는 매칭 (matching) 회로를 통해서 예컨대, 13,56 MHZ 의 RF 전원 (3) 을 인가한다.

이러한 배치에 의해, 각각 제2a도 및 제2b도에 도시한 바와같이 반응용기 (1) 내에 변동자계 (14) 가 발생하고, 이 변동자계 (14) 에 의해 전자유도로 부터 유도전계 (15) 가 발생한다.

이 유도전계 (15) 에 의해 반응용기 (1) 내의 전자가 운동하여 충돌을 반복함으로써 플라즈마를 발생시킨다. 이때 생성된 플라즈마는 상기 완전한 유도결합 성분뿐만 아니라 코일 (2) 과 플라즈마가 직접 결합하는 용량 결합성분도 포함한다.

웨이퍼 (7) 는 생성된 플라즈마에 의해 에칭처리된다.

본 발명의 플라즈마 처리 장치에서는 웨이퍼 (7) 가 장착되는 하부전극 (8) 에 바이어스를 RF 전원 (11) 에 의해 인가하여 웨이퍼 (7) 표면에서의 이온의 운동에너지를 제어한다.

먼저, 플라즈마의 균일화에 대해 유전체 플레이트의 형상이 미치는 영향을 조사하기 위해 반응용기 (1) 의 나선방향에서 이온 전류밀도의 분포를 유전체창의 형상을 변경하면서 측정하였다.

균일한 두께를 갖는 유전체 창 (16), 중심부분이 두꺼운 유전체 창 (17), 두꺼운 부분의 폭을 넓게한 유전체 창 (18) 을 비교하여 측정결과를 제3도에 도시하였다.

유전체창의 두께가 두꺼운 유전체 창 (16) 에서는 중앙 부분에서 전류밀도가 크고, 균일성은 6 인치 직경에서 ± 15% 로 낮았다. 이는 나선형 코일 (2) 의 형상이 등간격으로 반응용기 (1) 의 중심에 까지 감겨있기 때문에 코일 (2) 에 의해 생성된 유도전계의 크기가 중앙부분에서 증가하기 때문이다.

이 중앙부분의 유도전계의 크기를 억제하기 위해 중앙부분을 두껍게한 유전체 창 (17) 에서는 균일성이 ± 5% 로 향상되고, 또한 두꺼운 부분을 넓게한 유전체 (18) 에서는 균일성이 ± 3% 까지 향상되었다.

에칭에 있어 중요한 것은 실제 에칭속도의 균일성이므로, 상술한 유전체 창 (16, 17 및 18) 을 사용하여 폴리실리콘 및 WSi₂의 에칭속도 (19.21) 를 측정한 결과를 제4a와 제4b에 도시하였다.

도면에서 도시한 바와같이, 각각 폴리실리콘 및 WSi₂의 에칭속도의 균일성은 플라즈마의 균일화에 대응하고, 폴리실리콘에 대한 에칭속도의 균일성 (19) 은 ± 10% 에서 ± 4% 까지, WSi₂에 대한 에칭속도의 균일성은 ± 7% 에서 ± 2.5% 로 향상되었다.

플라즈마 밀도 및 에칭속도의 균일화에는 8 인치의 직경에 8 회 감긴 나선형 코일형상에 대해 유전체 플레이트 직경의 0.2 ∼ 0.5 배의 직경으로, 두꺼운 부분의 두께는 2 ∼ 5 배로 하는것이 최적이었다.

제5a도, 5b도 및 5c도는 본 발명의 제 2 실시예를 도시한 것으로서, 유전체 플레이트는 평탄 - 블록형 또는 반응용기로 부터 떨어져 상부로 블록한 돔 형상을 갖는다.

제5a도는 상부로 블록한 형상의 유전체 플레이트에 대해 평탄한 코일을 사용한 경우를 도시한다.

제5b도는 상부로 블록한 형상의 유전체 플레이트에 대해 유전체 플레이트상부의 표면을 따라 코일을 배치한 경우를 도시한다.

제5c도는 상부로 블록한 유전체 플레이트의 상부의 표면을 따라 코일을 배치한 경우를 도시한다.

상부로 블록한 형상의 유전체 플레이트 및 반응용기로 부터 떨어져 배치하는 것에 의해 유지가 용이하고 유전체 플레이트 창과 웨이퍼간의 거리가 일정하게 유지된다.

물론, 플라즈마 및 에칭속도의 균일화에 대해서는 상술한 반응용기 내측으로 블록형상의 유전체 플레이트와 동등한 효과가 있다.

제6a도 및 제6b도는 에칭속도의 분포를 보다 균일하게 하기위한 본 발명의 제 3 실시예를 도시한다.

이 실시예에서, 나선형 코일 (2) 은 유전체 플레이트의 평탄 표면에 평행한 방향으로 또는 그의 제어기구에 의해 반응용기 (1) 의 나선 방향으로 모터 (23) 에 의해 효과적으로 이동할 수 있도록 만들어 진다.

나선형 코일 (2) 의 형상은 중심에 대해 축대칭이 아니기 때문에 에칭속도의 분포가 웨이퍼 중앙에 대해 대칭이 아니다. 따라서 코일이 발생하는 대부분의 변화는 시스템에서 방사상 방향 (25) 으로 ± 1 cm 이동시켜 폴리실리콘 및 WSi₂의 에칭속도의 균일성을 측정하였다.

그 결과는 제7도에 도시하였다.

이와같이 코일 (2) 을 반응용기 (1) 의 방사상 방향으로 이동하는 것은 에칭속도의 균일화에 대하여 유효하다는 것은 명확하고 최적 코일의 위치는 코일의 무게중심의 위치와 반응용기의 중심을 일치시키는데 있다.

상기 실시예가 축대칭이 아닌 코일을 적용하였지만 제8a도 및 제8b도는 중심에 대해 코일이 축대칭이 되도록한 다수의 코일이 포함됨을 도시한다.

제8a도 및 제8b에서, 2 개와 4 개의 코일이 각각 반응용기의 축에서 서로 축대칭 형상의 형태로 전기 접속된다.

다른 실시예에 따르면, 플라즈마는 1 개의 코일을 이용하여 생성되고, 동일한 플라즈마 밀도가 보다 짧은 길이의 코일에 의해 얻어진다.

축대칭을 이루는 다수의 코일을 조합함으로써, 제 3 실시예와 동일한 효과가 얻어진다.

코일길이의 감소는 코일의 전기저항을 감소시키고, 코일에 인가되는 전압을 수 KV 에서 수백 KV 로 감소시킬 것이다.

이에의해, 플라즈마의 용량 결합성분이 줄어들어 유전체 플레이트의 스퍼터링 (sputtering) 이 감소하여 스퍼터된 (석영의 경우 Si, SiO₂또는 O₂, 알루미나 세라믹의 경우 Al 또는 Al₂O₃) 에 기인하는 오염물질을 최소화시킨다.

본 발명의 제 5 실시예는 제9도에 도시한다.

유전체 플레이트 창은 반응용기 (1) 의 외측에 설치되고 반응용기로 부터 떨어져 상부로 블록한 측면에 설치되어 위치한다.

축대칭 코일은 이 유전체 플레이트의 상부 표면을 따라 설치된다.

이러한 배치를 적용함으로써, 유전체 플레이트의 평탄 측면이 용기의 내부 부분을 구성하여 용기의 보수유지를 용이하게 한다.

또한, 중심부분이 주변부보다 두껍고, 코일이 반응용기의 중심에 대해 축대칭이므로 플라즈마 및 에칭속도의 균일화가 달성된다.

제10도는 본 발명의 제 6 실시예를 도시한 것으로서, 코일은 모터 (23) 와 제어장치 (24) 를 사용함으로써 축 방향으로 이동할 수 있다.

이 경우, 코일과 유전체 플레이트 창간의 거리가 에칭조건을 변화시키는 것과 같이 각 에칭단계를 위해 변화될 수 있다.

코일과 유전체 창간의 거리를 변화시킴으로써 플라즈마내의 유도결합성분과 용량 결합 성분이 변화되어질 수 있다.

제11a도는 코일과 유전체 창 사이의 거리를 변화시켰을때 관찰된 폴리실리콘의 에칭 및 에칭속도의 균일성을 도시한다.

제11b도는 코일과 유전체 창 사이의 거리를 변화시켰을때 관찰된 SiO₂의 에칭속도 및 폴리실리콘대 SiO₂의 에칭선택성을 도시한다.

선택성은 동일한 에칭조건과는 다른 조건을 사용하여 폴리실리콘의 에칭속도를 변화시키지 않고 50 에서 140 까지 가변이 가능하며, 처리마진이 확대된다.

제12도는 코일과 유전체 창간의 거리가 변화되었을때 관찰된 폴리실리콘의 식각된 측면을 나타낸 두장의 SEM (secouel - ardy electronmicroscope) 사진을 도시한다.

하부그림은 관찰된 샘플의 층 구조를 나타내는 개략도이다. 이 결과로 부터 경사각 (측벽과 저부면에 의해 만들어지는 각도) 은 80 내지 90°임을 알 수 있다.

따라서, 에칭 프로파일은 주 에칭단계 및 오버 - 에칭 단계동안 코일과 유전체창간의 거리를 조절하여 제어될 수 있다.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 사용함으로써, 플라즈마 이온 전류밀도의 균일성이 ± 15% 내지 ± 3% 까지 개선되고 폴리실리콘에 대한 에칭속도의 균일성이 ±10% 내지 ± 4% 까지 개선되며 WSi₂에 대한 에속도의 균일성이 ± 5% 내지 ± 10% 까지 개선되었다.

또한, 폴리실리콘 대 SiO₂의 에칭선택성이 60 내지 140 까지 가변될 수 있고, 코일의 축 위치보다는 에칭조건을 변화시키지 않고, 경사각이 80°내지 90°까지 가변될 수 있다.

한편, 본 발명은 어떤 바람직한 실시예와 관련시켜 기술하였으며, 본 발명의 방식에 의해 포함되는 주요한 과제가 이러한 실시예에 의해 제한되지 않음을 이해할 수 있을 것이다.

예컨대, 반응용기는 원통형상을 갖는 것으로 가정하지만 원통형의 구조가 아닐수도 있다.

또한, 유전체 플레이트창은 석영 또는 알루미나 세라믹 이외의 재료일 수도 있다.

본 발명의 주요과제는 모든 대안을 포함하도록 의도된 것이며 변형과 동일함이 다음의 클레임의 사상과 범위내에 포함될 수 있다.

Claims (14)

1. 플라즈마가 생성되는 반응용기로서, 상기 반응용기는 내, 외부 주면에 유전체 플레이트를 구비하며, 상기 내부 주표면은 상기 용기의 내부에 대면하고 상기 용기는 상기 유전체 플레이트를 제외하고 전기적으로 접지되는 반응용기와, 상기 반응용기의 외부와 상기 외부 주표면에 인접하여 배치된 나선형 코일과, 상기 코일에 제 1 고주파 전기전류를 공급하는 고주파 전원과, 상기 고주파 전원과 코일을 전자기적으로 매칭시키는 동조기구와, 상기 진공반응용기에 다수의 처리개스를 도입하는 하나이상의 주입구와, 상기 처리개스의 압력을 조절하는 압력제어기와, 상기 유전체 플레이트로부터 떨어져 배치되고 상기 반응용기내에 넣어져 처리되는 웨이퍼를 탑제하는 하부 전극과, 상기 유전체 플레이트와 상기 하부 전극간의 거리를 변화시키는 기구와, 상기 하부전극에 접속되는 제 2 고주파 전원 공급원을 포함하는 플라즈마 장치에 있어서, 상기 유전체 플레이트는 중심부의 두께가 주변부보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 유전체 플레이트는 일정한 제 1 두께를 갖는 중심부와 일정한 제 2 두께를 갖는 주변부를 구비하며, 상기 유전체 플레이트의 중심부는 상기 유전체 플레이트 폭의 0.2 내지 0.4 배의 폭을 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께의 2 내지 5 배인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 유전체 플레이트는 상기 용기의 내부로 대면하는 블록한 측면을 갖는 평탄 - 블록 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
4. 제2항에 있어서, 상기 유전체 플레이트는 상기 용기로 부터 떨어져 대면하는 블록한 측면을 갖는 평탄 - 블록 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
5. 제2항에 있어서, 상기 유전체 플레이트는 상기 용기로 부터 떨어져 대면하는 블록한 측면을 갖는 평탄 - 블록 형상이며, 상기 나선형 코일은 상기 블록한 측면에 부합하는 블록한 형상인 것은 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 유전체 플레이트는 상기 용기로 부터 떨어져 대면하는 블록한 측면을 갖는 돔형 평탄 - 블록형상이며, 상기 유전체 플레이트의 중심부는 주변부보다 2 내지 4 배 두껍고, 상기 나선형 코일은 상기 유전체 플레이트의 블록한 측면에 부합하는 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 유전체 플레이트에 평행으로 4 cm 의 범위내에서 상기 코일을 이동시키는 기구와, 상기 이동기구에 의해 코일의 운동범위를 조절하는 컴퓨터 제어기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 코일의 무게중심은 상기 반응용기의 중심축선과 일치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 코일과 상기 유전체 플레이트간의 거리를 상기 코일에 수직으로 0 내지 15 cm 까지 가변시키는 기구와, 상기 가변기구에 의해 코일의 이동범위를 조절하는 컴퓨터 제어기구를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 코일은 축대칭을 형성하도록 서로 접속된 다수의 나선형 코일로 끼워 맞추어져 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 코일은 두개의 나선형 코일로 구성되고, 상기 두개의 나선형 코일은 상기 코일의 중심부에서 서로 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
12. 제10항에 있어서, 상기 코일은 4 개의 나선형 코일로 구성되며, 상기 4 개의 코일은 상기 코일의 중심에서 서로 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
13. 제9항에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용하는 플라즈마 처리장치은 폴리실리콘대 SiO₂의 에칭 속도비를 변화시키고 또한 상기 코일과 유전체 플레이트간의 거리만을 변화시키는 것에 의해 처리개스의 조성비를 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
14. 제9항에 따른 플라즈마 처리장치를 이용하는 플라즈마 처리방법이 식각 구조의 측벽과 저부에 만들어지는 각도를 가변하는 한편 상기 코일과 유전체 플레이트간의 거리만을 가변시켜 처리개스의 일정한 조성비를 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.