KR102528687B1 - 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102528687B1
KR102528687B1 KR1020160114330A KR20160114330A KR102528687B1 KR 102528687 B1 KR102528687 B1 KR 102528687B1 KR 1020160114330 A KR1020160114330 A KR 1020160114330A KR 20160114330 A KR20160114330 A KR 20160114330A KR 102528687 B1 KR102528687 B1 KR 102528687B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fan
layer
electromagnetic bandgap
patch
bandgap structure
Prior art date
Application number
KR1020160114330A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180027133A (ko
Inventor
이홍렬
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020160114330A priority Critical patent/KR102528687B1/ko
Priority to US15/453,607 priority patent/US10237969B2/en
Publication of KR20180027133A publication Critical patent/KR20180027133A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102528687B1 publication Critical patent/KR102528687B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2005—Electromagnetic photonic bandgaps [EPB], or photonic bandgaps [PBG]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0236—Electromagnetic band-gap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/006—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/006—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces
    • H01Q15/008—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces said selective devices having Sievenpipers' mushroom elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09218—Conductive traces
    • H05K2201/09263—Meander
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929—Conductive planes
    • H05K2201/09309—Core having two or more power planes; Capacitive laminate of two power planes

Abstract

전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 전자기 밴드갭 구조물은, 접지층, 상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고, 상기 접지층과 대면하는 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층, 그리고 상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하는 전원층을 포함하며, 상기 패치와 상기 전원층은 비아를 통하여 전기적으로 연결된다.

Description

전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법{ELECTROMAGNETIC BANDGAP STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 전자기 밴드갭(Electromagnetic Bandgap, EBG) 구조에 관한 것으로, 특히 혼성 신호를 사용하는 인쇄회로기판에서 전원 및 접지 사이에 존재하는 광대역 노이즈 전달을 차단하는 전자기 밴드갭 구조에 관한 것이다.
최근, 멀티미디어 기기를 비롯한 정보통신 기기들은 핸드헬드(hand held) 기능이 요구되면서 소형 경량화 및 집적화되는 추세이다. 이를 위하여 내장 회로의 소형화 및 집적화 설계가 이루어지고 있고, 정보통신 기기의 디지털 회로와 아날로그 및 RF 회로가 하나의 기판에 구현된다.
다양한 정보통신 기능을 갖는 모듈들을 하나의 기기에 집약함으로 인하여, 다양한 주파수 대역이 동시에 동작된다. 또한 보다 빠르고 많은 정보를 제공하기 위하여, 광대역 통신을 위한 반송 주파수 대역이 수 GHz부터 수십 GHz 대역으로 높아지고 있다. 이러한 높은 주파수 영역에서 동작하는 디지털 회로는 광대역에 이르는 동시 스위칭 잡음(simultaneous switching noise, SSN)을 발생시킨다.
혼성 신호를 사용하는 멀티미디어 기기들은 디지털 회로와 RF/아날로그 회로가 서로 공유되는 전원-접지면을 사용한다. 전원-접지면은 하나의 평행 평판 도파관(parallel plate waveguide, PPW)처럼 동작하며, 평행 평판 도파관 모드인 TEM 공진 모드를 형성하게 되고, 회로의 소형화로 인하여 TEM 공진 모드 주파수가 수 GHz까지 증가한다.
따라서, 디지털 회로에서 발생된 동시 스위칭 잡음(SSN)은 전원-접지면으로 연결된 비아(via) 등을 통하여 전원-접지면까지 이르게 되고, 전원-접지면에서 형성된 TEM 공진 모드에 의해 전원-접지면을 따라 이동하여, 다른 회로로 잡음을 전파하거나 인쇄회로 기판의 종단에서 방사(radiation)되어 RF 회로에 영향을 주게 된다.
이로 인하여, 아날로그 회로 등의 오동작으로 전원품질의 열화가 발생하거나 전원 마진이 감소하게 된다. 또한, 디지털 신호의 파형을 왜곡시켜 신호 품질을 저하시키며, RF 회로로 여기된 잡음에 의하여 통신 성능이 저하되는 문제가 발생한다.
광대역 잡음을 차단하기 위해서는 MHz 대역에서 GHz 대역에 이르는 광대역 노이즈 차단 장치가 필요하다. 일반적으로 수백 MHz까지의 잡음을 없애기 위해서 감결합 커패시터(decoupling capacitor)를 전원면과 접지면 사이에 사용하여 기생되는 인덕턴스 성분을 제거한다.
그러나 PCB 보드에 실장(populate)하는 문제와 비용 증가의 문제가 발생하고, 감결합 커패시터 자체가 가지는 기생 인덕턴스 성분이 주파수가 높아지게 되면 다른 병렬 공진 주파수를 유발할 수 있다는 문제가 있다. 또한, 고속 디지털 시스템에서 문제가 되는 GHz 주파수 성분을 갖는 잡음을 억제할 수 없다는 단점이 있다.
이러한 감결합 커패시터의 기생 인덕턴스 성분을 줄이기 위해서 전원면과 접지면 사이에 높은 유전율을 갖는 얇은 유전체 기판을 사용하여 정전 용량을 키움으로써 전원-접지면 사이의 임피던스를 크게 하여 잡음을 억제하는 방법이 있다. 그러나 유전체 기판을 사용하여 잡음을 억제하는 방법은 추가적인 제작 공정과 비용 문제로 인하여 사용이 제한적이다.
최근에는 RF 회로에서 표면 전류를 억제하기 위해 개발한 전자기 밴드갭 (Electromagnetic Bandgap, EBG) 구조를 응용한 방법을 주로 사용하고 있다. 하지만, 일반적인 EBG 구조는 낮은 주파수 영역의 SSN을 억제하기 위해서 EBG 구조의 크기를 키워야 하지만 멀티미디어 기기의 크기가 작아지고 있기 때문에 인쇄회로 기판의 크기 또한 작아지므로 EBG 구조의 크기를 키우는 데에는 한계가 있으며, 오히려 크기가 더 작아져서 전원-접지면 사이에 생기는 공진 주파수를 더 높게 하는 결과가 발생된다.
따라서, 수백 MHz 이상 또는 수 GHz 이하에서 발생되는 공진 주파수는 더 낮은 주파수 영역으로 내리고 수 GHz에서 수십 GHz 사이에서 발생되는 공진 주파수는 더 높은 주파수 영역으로 높임으로써 억제 대역을 넓히는 광대역 공진 억제 EBG 구조에 관한 기술 개발이 필요하다.
한국 등록 특허 제10-0848848호, 2008년 07월 28일 공개(명칭: 전자기 밴드갭 구조물, 이를 포함하는 인쇄회로기판과 그 제조방법)
본 발명의 목적은 전원-접지면에서의 광대역 동시 스위칭 잡음(SSN)을 억제하기 위하여, 낮은 공진 억제 시작 주파수 및 광대역 공진 억제 특성을 만족하는 전자기 밴드갭 구조물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 디지털 신호와 아날로그 신호 및 RF 신호가 혼재된 시스템을 소형화할 수 있도록 하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 전원-접지간 잡음을 광대역으로 차단함으로써, 안정적으로 동작할 수 있도록 하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 잡음 차단 주파수 영역이 협대역인 머쉬룸 형태의 전자기 밴드갭 구조의 한계를 극복하여, 광대역 SSN이 생성되는 멀티미디어 기기에 적용할 수 있는 전자기 밴드갭 구조를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 접지층, 상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고, 상기 접지층과 대면하는 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층, 그리고 상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하는 전원층을 포함하며, 상기 패치와 상기 전원층은 비아를 통하여 전기적으로 연결된다.
이때, 상기 전원층은, 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태일 수 있다.
이때, 상기 전원층의 상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은, 미앤더(meander) 구조일 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 부채꼴 영역들은, 상기 비아의 위치가 상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심일 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은, 상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태일 수 있다.
이때, 상기 비아는, 하나 이상의 상기 패치와 상기 전원층을 수직적으로 연결할 수 있다.
이때, 상기 패치는 사각형 형태이고, 상기 패치의 중심은 상기 비아의 위치에 상응할 수 있다.
이때, 상기 전원층은, 4개의 부채꼴 영역들이 상기 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태일 수 있다.
이때, 각각의 상기 부채꼴 영역들은, 중심각이 상기 패치의 꼭짓점에 상응하는 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물을 포함하는 인쇄 회로 기판은, 접지층, 상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고, 상기 접지층과 대면하는 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층, 그리고 상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하는 전원층을 포함하며, 상기 패치와 상기 전원층은, 비아를 통하여 전기적으로 연결된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법은, 접지층을 형성하는 단계, 상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고 상기 접지층과 대면하도록, 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층을 형성하는 단계, 상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하도록 전원층을 형성하는 단계, 그리고 상기 패치와 상기 전원층을 전기적으로 연결하기 위한 비아를 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 전원층은, 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태일 수 있다.
이때, 상기 전원층의 상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은, 미앤더(meander) 구조일 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 부채꼴 영역들은, 상기 비아의 위치가 상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심일 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은, 상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태일 수 있다.
이때, 상기 비아는, 하나 이상의 상기 패치와 상기 전원층을 수직적으로 연결될 수 있다.
이때, 상기 패치는 사각형 형태이고, 상기 패치의 중심은 상기 비아의 위치에 상응할 수 있다.
이때, 상기 전원층은, 4개의 부채꼴 영역들이 상기 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태일 수 있다.
이때, 각각의 상기 부채꼴 영역들은, 중심각이 상기 패치의 꼭짓점에 상응하는 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 전원-접지면에서의 광대역 동시 스위칭 잡음(SSN)을 억제하기 위하여, 낮은 공진 억제 시작 주파수 및 광대역 공진 억제 특성을 만족하는 전자기 밴드갭 구조물을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 디지털 신호와 아날로그 신호 및 RF 신호가 혼재된 시스템을 소형화할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 전원-접지간 잡음을 광대역으로 차단함으로써, 안정적으로 동작할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 잡음 차단 주파수 영역이 협대역인 머쉬룸 형태의 전자기 밴드갭 구조의 한계를 극복하여, 광대역 SSN이 생성되는 멀티미디어 기기에 적용할 수 있는 전자기 밴드갭 구조를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 배열 구조를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 노이즈 감쇠 특성을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명을 설명함에 있어 전체적인 이해를 용이하게 하기 위하여 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
디지털 회로, 아날로그 회로 및 RF 회로를 사용하는 시스템에서, 부품 동작을 위한 전원을 공급하기 위하여 전원분배회로(Power Distribution Network, PDN)가 사용된다. 전원분배회로(PDN)에서 전원층 또는 접지층과 비아로 연결된 패치구조가 유전체를 사이에 두고 대면한다.
전원층 또는 접지층과 비아로 연결된 패치는 그 구조로 인해 정전 용량 및 유도 용량이 형성되며, 이로 인하여 LC 공진 형태가 된다. 그리고 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 주기적으로 배치되어 전자기 밴드갭 구조를 구현한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 구성을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)은 접지층(110), 중간층, 전원층(150)으로 구성된다. 이때, 중간층은 접지층(110)의 상부에 적층된 제1 유전체(120)를 사이에 두고 접지층(110)과 대면하는 패치(130)를 포함한다. 여기서 패치(130)는 금속 패치일 수 있다.
그리고 전원층(150)은 패치(130)의 상부에 적층된 제2 유전체(140)를 사이에 두고, 중간층과 대면한다. 또한, 전자기 밴드갭 구조물(100)은 비아(160)를 포함하며, 비아(160)는 금속 재질로, 중간층의 패치(130)와 전원층(150)을 전기적으로 연결할 수 있다.
전원층(150)은 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태일 수 있으며, 전원층(150)의 부채꼴 영역들 각각은 미앤더(meander) 구조일 수 있다. 그리고 복수 개의 부채꼴 영역들은 원의 중심에 상응하는 위치에서 상호 연결된 형태일 수 있다. 이때, 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심은 전원층(150)의 중심과 동일한 위치일 수 있다.
그리고 비아(160)는 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에 위치할 수 있으며, 복수 개의 부채꼴 영역들은 비아(160)를 통하여 상호 연결될 수 있다. 또한, 비아(160)는 패치(130)와 전원층(150)을 수직적으로 연결하며, 패치(130)와 전원층(150)은 비아(160)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
설명의 편의상 도 1에는 중간층에 하나의 패치(130)가 형성된 것으로 도시하였으나 이에 한정하지 않고, 중간층은 하나 이상의 패치(130)를 포함할 수 있다. 이때, 패치(130)는 사각형 형태, 특히 정사각형 형태일 수 있으며, 패치(130)는 패치(130)의 중심이 비아(160)의 위치에 상응하도록 형성될 수 있다.
그리고 중간층이 복수 개의 패치(130)들을 포함하는 경우, 복수 개의 패치(130)들은 비아(160)를 통하여 전원층(150)과 수직적으로 연결될 수 있으며, 이를 통하여 전원층(150)과 복수 개의 패치(130)들은 비아(160)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
접지층(110)과 패치(130) 사이의 제1 유전층(120)에는 정전 용량이 형성된다. 또한, 비아(160)를 통하여 전기적으로 연결된 패치(130)와 전원층(150)의 경로에는 유도 용량(inductance)이 형성된다. 이를 통하여, LC 공진 회로를 구현하여 특정 주파수 대역에서 표면 전류를 억제할 수 있는 전자기 밴드갭 구조물이 형성될 수 있다.
그리고 전자기 밴드갭 구조물의 공진 억제 주파수 및 공진 억제 대역은 전원층과 패치 또는 접지층과 패치 사이의 정전 용량을 조절하거나, 전원층-비아-패치의 경로에서 형성되는 유도 용량의 크기를 조절하여 결정할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 평면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 전자기 밴드갭 구조물(100)의 패치(130)는 사각형으로, 특히 정사각형 형태일 수 있다. 그리고 전원층(150)은 패치(130)의 상부에 형성된 제2 유전체(140)를 사이에 두고 패치(130)와 대면하며, 전원층(150)은 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태일 수 있다. 이때, 부채꼴 영역들 각각은 전원층(150)의 중심으로부터 부채꼴 형태로 뻗어나가는 형상일 수 있다.
여기서, 전원층(150)이 부채꼴 영역이 상호 연결된 형태라는 것은 전원층(150)의 전원선의 형태가 부채꼴들이 상호 연결된 형태라는 것을 의미할 수 있다. 또한, 전원층(150)은 전원선의 경로의 길이를 증가시키기 위하여 미앤더(meander) 구조로 형성될 수 있다.
특히, 부채꼴 영역의 개수가 4개인 경우, 전원층(150)은 도 2에 도시한 바와 같이 형성될 수 있다. 4개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심은 비아(160)의 위치일 수 있다. 그리고 4개의 부채꼴 영역들은 비아(160)의 위치인 원의 중심에서 상호 연결된 형태일 수 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 4개의 부채꼴 영역들 각각은 중심각이 패치(130)의 꼭짓점에 상응하는 방향을 향하도록 배치되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 2와 같이 패치(130)의 꼭짓점들이 1시 반 방향, 4시 반 방향, 7시 반 방향 및 10시 반 방향에 형성된 경우, 4개의 부채꼴 영역들 각각은 중심각이 1시 반 방향, 4시 반 방향, 7시 반 방향 및 10시 반 방향을 향하도록 배치될 수 있다.
이때, 4개의 부채꼴 영역들 각각의 중심각의 크기는 동일할 수 있으며, 부채꼴 영역들의 형상 및 크기가 동일할 수 있다. 그리고 부채꼴 영역들 각각은 등 간격의 미앤더 구조로 형성될 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 중심각이 1시 반 방향인 부채꼴 영역은 3시 방향에서 12시 방향으로 전원선이 배치되고, 기 설정된 길이만큼 12시 방향으로 전원선이 배치되며, 다시 12시 방향에서 3시 방향으로 전원선이 배치될 수 있다. 그리고 3시 방향으로 기 설정된 길이만큼 전원선이 배치된 후 상기의 과정을 반복하여 수행하여 미앤더 구조의 부채꼴 영역이 형성될 수 있다.
이때, 기 설정된 길이는 전원층(150)의 부채꼴 영역들에 동일하게 설정된 값일 수 있으며, 이를 통하여 등간격으로 배치된 미앤더 구조로 전원선이 배치될 수 있다.
각각의 부채꼴 영역들은 동일한 반지름에 상응하는 부채꼴 형상으로 전원선이 배치되어 형성될 수 있으며, 이때 반지름은 패치(130)의 변의 길이의 1/2보다 작은 값일 수 있다.
그리고 각각의 부채꼴 영역들은 도 2에 도시된 바와 같이, 반지름의 길이만큼 미앤더 구조로 전원선이 배치된 후, 각각 12시 방향, 3시 방향, 6시 방향, 9시 방향으로 전원선을 길게 배치하여 형성될 수 있다.
이때, 12시 방향, 3시 방향, 6시 방향 및 9시 방향으로 길게 배치된 부채꼴 형상의 말단 전원선들은 전자기 밴드갭 구조의 배열 구조에서 다른 전자기 밴드갭 구조물과 상호 연결될 수 있다. 복수 개의 전자기 밴드갭 구조물들 각각을 단위 셀로 하는 배열 구조에 대한 설명은 후술할 도 4를 통하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)은 접지층을 형성하는 단계(S310), 중간층을 형성하는 단계(S320) 및 전원층을 형성하는 단계(S330)를 통하여 제조된다.
S320 단계에서 중간층은, 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고 접지층과 대면 되도록 형성된다. 그리고 중간층은 하나 이상의 패치를 포함하며, 패치는 제1 유전층에 적층되어 형성된다.
여기서, 패치는 금속 패치일 수 있으며, 전원층과 비아로 연결되어 전기적으로 접속된다. 또한 패치의 형태는 사각형 형태일 수 있으며 특히 정사각형 형태일 수 있다.
S320 단계에서 중간층에 형성됨에 따라, 접지층과 패치 사이에는 정전 용량(capacitance)이 형성된다. 이때, 정전 용량의 크기는 대면하는 금속판인 접지층 및 패치의 면적과 제1 유전층에 충전된 유전체의 유전율에 비례하고, 접지층 및 패치 사이의 간격에 반비례하게 결정될 수 있다.
패치의 상부에는 제2 유전체가 적층되고, S330 단계에서 전원층은 제2 유전체의 상부에 적층되어 형성된다. 이때, 비아는 제1 유전층 상부에 적층된 패치와 제2 유전층 상부에 적층된 전원층을 전기적으로 연결한다. 그리고 전원층과 비아 및 패치의 경로를 따라 유도 용량(inductance)이 형성된다.
이하에서는 도 4를 통하여 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조의 배열 구조에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 배열 구조를 나타낸 평면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 전자기 밴드갭 구조의 배열 구조는 도 1의 전자기 밴드갭 구조물(100)을 단위 셀로 하여, 각각의 부채꼴 형상의 말단 전원선이 상호 연결되도록 배치될 수 있다.
전원-접지면에 형성되는 전자기 밴드갭 구조는 기본적으로 주기적인 패턴이 형성되어야 한다. 따라서, 도 1의 전자기 밴드갭 구조물(100)을 기본 셀로 정의하고, 도 4에 도시한 바와 같이 주기적인 패턴으로 구현할 수 있다.
도 4는 전자기 밴드갭 구조물의 3x3 배열 구조를 나타낸 것이다. 설명의 편의상, 전자기 밴드갭 구조물의 배열 구조가 3x3으로 배치되는 것으로 설명하였으나 이에 한정하지 않고 다양한 배열로 설계 변경하여 배치될 수 있다.
이와 같이, 주기적인 LC 공진 회로를 구현함으로써, 특정 주파수 대역에서 매우 높은 임피던스의 구현이 가능하다. 이를 통하여 도체 도면을 통해 전파되는 표면 전류의 흐름을 억제함으로써, 전자기 밴드갭(EBG)를 구현할 수 있다.
이때 도 1에 도시된, 미앤더 구조의 복수개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태의 전원층은 유효 공간에서의 유효 파장을 크게 할 수 있으므로, 작은 크기에서도 저속파(slow wave)를 구현할 수 있으며, 공진 억제 시작 주파수를 낮은 주파수 영역으로 설정할 수 있다. 또한, 단위 셀의 크기를 작게 설정할 수 있으므로, 동시에 공진 억제 대역을 광대역으로 구현할 수 있다.
이하에서는 도 5를 통하여 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 노이즈 감쇠 특성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 노이즈 감쇠 특성을 시뮬레이션 한 결과를 나타낸 도면이다.
노이즈 감쇠 특성 시뮬레이션에 사용된 전자기 밴드갭의 구조물은, 본원 발명의 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)과 종래 기술에 따른 머시룸(mushroom) 형태의 전자기 밴드갭 구조물이며, 3x3 배열 구조의 전자기 밴드갭으로 모의 실험을 진행하였다. 여기서, 머시룸(mushroom) 형태의 전자기 밴드갭 구조물은 1999년 UCLA 대학에서 제한된 전자기 밴드갭이다.
본 발명의 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)과 종래 기술에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 단위 셀 크기는 모두 동일하고, 유전체의 재질도 동일하다. 모의 실험을 위하여 사용된 전자기 밴드갭 구조물의 단위 셀의 넓이는 7mm, 패치의 넓이는 6.9mm, 제1 유전층의 높이는 0.1mm, 제1 유전층의 재질은 FR-4, 제2 유전층의 높이는 0.1mm, 제2 유전층의 재질은 FR-4, 비아 직경은 0.3mm 이다.
모의 실험 결과, 종래 기술에 따른 노이즈 감쇠 특성(510) 및 전자기 밴드갭 구조물의 노이즈 감쇠 특성(520)은 도 5와 같다. 도 5에서 x축은 주파수를 의마하고, y축은 삽입손실(insertion loss, S21)을 의미한다.
도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)은 종래 기술인 머쉬룸 형태의 전자기 밴드갭 구조물에 비하여 광대역의 노이즈 차단 대역폭을 형성할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)은 종래 기술에 비하여 노이즈 차단 시작 주파수를 약 2GHz 이상 낮출 수 있다.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조는 종래의 기술에 비하여 광대역 공진 억제를 구현할 수 있으며, 공진 억제 시작 주파수를 낮게 설정할 수 있다. 이를 통하여 본 발명의 일실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 소형화 구현이 가능하며, 디지털 신호, 아날로그 및 RF 신호가 혼재된 시스템의 신뢰성을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 소형화 구현을 통하여 제품의 경쟁력을 향상시킬 수도 있다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법은 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
100: 전자기 밴드갭 구조물
110: 접지층
120: 제1 유전층
130: 패치
140: 제2 유전층
150: 전원층
510: 종래 기술에 따른 노이즈 감쇠 특성
520: 전자기 밴드갭 구조물의 노이즈 감쇠 특성

Claims (19)

  1. 접지층,
    상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고, 상기 접지층과 대면하는 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층, 그리고
    상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하는 전원층을 포함하며,
    상기 패치와 상기 전원층은,
    비아를 통하여 전기적으로 연결되고,
    상기 전원층은 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태이고,
    각각의 부채꼴 영역들의 반지름은 상기 패치의 변의 길이의 1/2 보다 작은 값을 가지며,
    상기 각각의 부채꼴 영역의 말단은 다른 전자기 밴드갭 구조물과 상호 연결되도록 12시 방향, 3시 방향, 6시 방향 및 9시 방향 중 적어도 하나의 방향으로 길게 배치되어 형성된 것인 전자기 밴드갭 구조물.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전원층의 상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은,
    미앤더(meander) 구조인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수 개의 부채꼴 영역들은,
    상기 비아의 위치가 상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은,
    상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 비아는,
    하나 이상의 상기 패치와 상기 전원층을 수직적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 패치는 사각형 형태이고,
    상기 패치의 중심은 상기 비아의 위치에 상응하는 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전원층은,
    4개의 부채꼴 영역들이 상기 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  9. 제8항에 있어서,
    각각의 상기 부채꼴 영역들은,
    중심각이 상기 패치의 꼭짓점에 상응하는 방향을 향하도록 배치된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
  10. 전자기 밴드갭 구조물을 포함하는 인쇄 회로 기판에 있어서,
    접지층,
    상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고, 상기 접지층과 대면하는 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층, 그리고
    상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하는 전원층을 포함하며,
    상기 패치와 상기 전원층은,
    비아를 통하여 전기적으로 연결되고,
    상기 전원층은 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태이고,
    각각의 부채꼴 영역들의 반지름은 상기 패치의 변의 길이의 1/2 보다 작은 값을 가지며,
    상기 각각의 부채꼴 영역의 말단은 다른 전자기 밴드갭 구조물과 상호 연결되도록 12시 방향, 3시 방향, 6시 방향 및 9시 방향 중 적어도 하나의 방향으로 길게 배치되어 형성된 것인 전자기 밴드갭 구조물을 포함하는 인쇄 회로 기판.
  11. 접지층을 형성하는 단계,
    상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전체를 사이에 두고 상기 접지층과 대면하도록, 하나 이상의 패치를 포함하는 중간층을 형성하는 단계,
    상기 패치의 상부에 적층된 제2 유전체를 사이에 두고, 상기 중간층과 대면하도록 전원층을 형성하는 단계, 그리고
    상기 패치와 상기 전원층을 전기적으로 연결하기 위한 비아를 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 전원층은 복수 개의 부채꼴 영역들이 상호 연결된 형태이고,
    각각의 부채꼴 영역들의 반지름은 상기 패치의 변의 길이의 1/2 보다 작은 값을 가지며,
    상기 각각의 부채꼴 영역의 말단은 다른 전자기 밴드갭 구조물과 상호 연결되도록 12시 방향, 3시 방향, 6시 방향 및 9시 방향 중 적어도 하나의 방향으로 길게 배치되어 형성된 것인 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 전원층의 상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은,
    미앤더(meander) 구조인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수 개의 부채꼴 영역들은,
    상기 비아의 위치가 상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 복수 개의 부채꼴 영역들 각각은,
    상기 복수 개의 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 비아는,
    하나 이상의 상기 패치와 상기 전원층을 수직적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 패치는 사각형 형태이고,
    상기 패치의 중심은 상기 비아의 위치에 상응하는 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 전원층은,
    4개의 부채꼴 영역들이 상기 부채꼴 영역들에 상응하는 원의 중심에서 상호 연결된 형태인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    각각의 상기 부채꼴 영역들은,
    중심각이 상기 패치의 꼭짓점에 상응하는 방향을 향하도록 배치된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법.
KR1020160114330A 2016-09-06 2016-09-06 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법 KR102528687B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160114330A KR102528687B1 (ko) 2016-09-06 2016-09-06 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법
US15/453,607 US10237969B2 (en) 2016-09-06 2017-03-08 Electromagnetic bandgap structure and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160114330A KR102528687B1 (ko) 2016-09-06 2016-09-06 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180027133A KR20180027133A (ko) 2018-03-14
KR102528687B1 true KR102528687B1 (ko) 2023-05-08

Family

ID=61281051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160114330A KR102528687B1 (ko) 2016-09-06 2016-09-06 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10237969B2 (ko)
KR (1) KR102528687B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109630580B (zh) * 2019-01-31 2020-06-02 西安建筑科技大学 一种具有中低频减振特性的弹性超材料轮盘结构
CN110112576B (zh) * 2019-05-30 2021-06-04 华东交通大学 一种双频多层电磁带隙结构
CN110769592B (zh) * 2019-11-06 2021-07-30 苏州浪潮智能科技有限公司 一种印刷电路板及其设计方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080314630A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electromagnetic bandgap structure and printed circuit board

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2770753B2 (ja) * 1994-09-16 1998-07-02 日本電気株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6262495B1 (en) 1998-03-30 2001-07-17 The Regents Of The University Of California Circuit and method for eliminating surface currents on metals
US6522217B1 (en) * 1999-12-01 2003-02-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tunable high temperature superconducting filter
US6650299B2 (en) * 2000-07-18 2003-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Antenna apparatus
WO2003105273A2 (en) * 2002-06-10 2003-12-18 Hrl Laboratories, Llc Low profile, dual polarized/pattern antenna
US7215007B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Wemtec, Inc. Circuit and method for suppression of electromagnetic coupling and switching noise in multilayer printed circuit boards
US20050205292A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Etenna Corporation. Circuit and method for broadband switching noise suppression in multilayer printed circuit boards using localized lattice structures
TW200818451A (en) * 2006-06-02 2008-04-16 Renesas Tech Corp Semiconductor device
WO2008054324A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-08 Agency For Science, Technology And Research Double-stacked ebg structure
JP4755209B2 (ja) * 2007-02-01 2011-08-24 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板
KR100851076B1 (ko) * 2007-04-30 2008-08-12 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR100851065B1 (ko) * 2007-04-30 2008-08-12 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR100851075B1 (ko) * 2007-04-30 2008-08-12 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR100838244B1 (ko) * 2007-06-22 2008-06-17 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR100838246B1 (ko) * 2007-06-22 2008-06-17 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물이 구비된 인쇄회로기판
KR100848848B1 (ko) * 2007-07-12 2008-07-28 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물, 이를 포함하는 인쇄회로기판과 그제조방법
KR100920824B1 (ko) * 2007-09-14 2009-10-08 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 전자기 밴드갭 구조물의 제조방법
KR100913363B1 (ko) * 2007-09-18 2009-08-20 삼성전기주식회사 멀티 비아를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물 및인쇄회로기판
KR100879375B1 (ko) * 2007-09-28 2009-01-20 삼성전기주식회사 캐비티 캐패시터가 내장된 인쇄회로기판
KR100867150B1 (ko) * 2007-09-28 2008-11-06 삼성전기주식회사 칩 캐패시터가 내장된 인쇄회로기판 및 칩 캐패시터의 내장방법
KR100957548B1 (ko) 2007-12-17 2010-05-11 한국전자통신연구원 전자파 저지대를 구비한 안테나 장치
JP5550100B2 (ja) * 2007-12-26 2014-07-16 日本電気株式会社 電磁バンドギャップ素子及びそれを用いたアンテナ並びにフィルタ
US8164006B2 (en) * 2008-03-19 2012-04-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electromagnetic bandgap structure and printed circuit board
WO2009131140A1 (ja) * 2008-04-22 2009-10-29 日本電気株式会社 電磁バンドギャップ構造及びその製造方法、フィルタ素子、フィルタ素子内蔵プリント基板
JP5380919B2 (ja) * 2008-06-24 2014-01-08 日本電気株式会社 導波路構造およびプリント配線板
KR100956689B1 (ko) * 2008-06-27 2010-05-10 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR100999550B1 (ko) * 2008-10-08 2010-12-08 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물
KR100960155B1 (ko) 2008-10-31 2010-05-28 충남대학교산학협력단 코니컬 방사패턴을 갖는 ｃ 형상의 미앤더 라인 ｒｆｉｄ 태그 안테나
KR100999518B1 (ko) * 2008-11-26 2010-12-08 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 회로 기판
KR101018785B1 (ko) * 2008-11-28 2011-03-03 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 회로 기판
KR101018796B1 (ko) * 2008-12-02 2011-03-03 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 회로 기판
KR101018807B1 (ko) * 2008-12-02 2011-03-03 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 회로 기판
KR101176800B1 (ko) * 2008-12-23 2012-08-27 한국전자통신연구원 노이즈 억제 및 신호 특성 개선을 위한 전자파 억제 구조물의 배치 구조
JP5326649B2 (ja) * 2009-02-24 2013-10-30 日本電気株式会社 アンテナ、アレイアンテナ、プリント基板、及びそれを用いた電子装置
KR101038234B1 (ko) * 2009-02-24 2011-06-01 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조를 이용한 ｅｍｉ 노이즈 저감 기판
US8711055B2 (en) * 2009-06-24 2014-04-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board including electromagnetic bandgap structure
KR101007288B1 (ko) * 2009-07-29 2011-01-13 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 전자제품
KR101147651B1 (ko) 2009-11-12 2012-05-23 연세대학교 산학협력단 전원면의 잡음을 억제하기 위한 전원면 구조
KR101044789B1 (ko) * 2010-01-04 2011-06-29 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 회로 기판
WO2011111313A1 (ja) * 2010-03-08 2011-09-15 日本電気株式会社 電子装置、配線基板およびノイズ遮蔽方法
US9000306B2 (en) * 2010-06-02 2015-04-07 Nec Corporation Interconnect board and electronic apparatus
KR20110134200A (ko) * 2010-06-08 2011-12-14 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물을 포함하는 ｅｍｉ 노이즈 차폐 기판
CN103222346B (zh) * 2010-08-30 2016-03-23 日本电气株式会社 互连衬底和电子设备
WO2012042711A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 日本電気株式会社 配線基板及び電子装置
US8749322B2 (en) * 2011-09-02 2014-06-10 National Taiwan University Multilayer circuit board structure and circuitry thereof
KR20140102462A (ko) * 2013-02-14 2014-08-22 한국전자통신연구원 전자기 밴드갭 구조물 및 상기 전자기 밴드갭 구조물의 제조 방법
TW201438331A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 堆疊式電磁能隙結構
TWI524586B (zh) * 2013-08-09 2016-03-01 創意電子股份有限公司 具備平面電磁能隙共振結構的電路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080314630A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electromagnetic bandgap structure and printed circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180027133A (ko) 2018-03-14
US10237969B2 (en) 2019-03-19
US20180070441A1 (en) 2018-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8159413B2 (en) Double-stacked EBG structure
US8633866B2 (en) Frequency-selective surface (FSS) structures
US8976077B2 (en) Widebrand adaptable artificial impedance surface
US6943650B2 (en) Electromagnetic band gap microwave filter
US20030142036A1 (en) Multiband or broadband frequency selective surface
US7973619B2 (en) Electro-magnetic bandgap structure
US7741929B2 (en) Miniature quadrature hybrid
US9093734B2 (en) Miniature radio frequency directional coupler for cellular applications
KR102528687B1 (ko) 전자기 밴드갭 구조물 및 그 제조 방법
WO2011152054A1 (ja) 配線基板及び電子装置
KR101159470B1 (ko) 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
US8558120B2 (en) Multilayer board for suppressing unwanted electromagnetic waves and noise
CN110085955B (zh) 超宽带isgw带通滤波器
US9231291B2 (en) Electromagnetic bandgap structure and method for manufacturing electromagnetic bandgap structure
US8242377B2 (en) Printed circuit board having electromagnetic bandgap structure
KR20190057568A (ko) 노이즈를 억제하는 전자기 밴드갭 구조물
Zhang Novel dual‐band compact his and its application of reducing array in‐band RCS
Choi et al. Noise reduction and design methodology in mixed-signal systems with alternating impedance electromagnetic bandgap (AI-EBG) structure
US9474150B2 (en) Transmission line filter with tunable capacitor
KR20170023669A (ko) 결함접지구조를 갖는 다층 기판 마이크로스트립 전송선로 및 이를 이용한 무선회로 장치
US10079415B2 (en) Structure and wiring substrate
Bansode et al. Simultaneous switching noise reduction in high speed circuits
CN100592570C (zh) 可调谐微波装置
WO2003047030A1 (en) Multiband or broadband frequency selective surface
JP2009224566A (ja) 回路、半導体回路

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right