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유기주석 옥사이드 하이드록사이드 패터닝 조성물, 전구체 및 패터닝
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인프리아 코포레이션 |
사전패터닝된 리소그래피 템플레이트, 상기 템플레이트를 이용한 방사선 패터닝에 기초한 방법 및 상기 템플레이트를 형성하기 위한 방법
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KR102328436B1
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レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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KR102610448B1
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금속 함유 레지스트로부터의 에지 비드 영역의 금속 잔류물 저감방법
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レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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感放射線性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法
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JP6904302B2
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レジスト材料及びパターン形成方法
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レジスト材料及びパターン形成方法
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信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
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信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
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극단 자외선 또는 전자선 리소그래피용 금속 함유막 형성 조성물, 극단 자외선 또는 전자선 리소그래피용 금속 함유막 및 패턴 형성 방법
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感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
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富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法
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KR102404436B1
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후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
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2017-08-31 |
2021-08-03 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
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重合性単量体、重合体、レジスト材料、及びパターン形成方法
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2017-09-15 |
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富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
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(zh)
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2017-09-20 |
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感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法及電子器件的製造方法
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JP6937834B2
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2017-09-20 |
2021-09-22 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
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JP6866866B2
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信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
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JP7010195B2
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2022-01-26 |
信越化学工業株式会社 |
パターン形成方法
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JPWO2019123842A1
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2017-12-22 |
2020-12-03 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト膜付きマスクブランクス、フォトマスクの製造方法、電子デバイスの製造方法
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JP6988760B2
(ja)
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2017-12-27 |
2022-01-05 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
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KR102476090B1
(ko)
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2018-02-28 |
2022-12-09 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
|
|
KR102361263B1
(ko)
|
2018-02-28 |
2022-02-14 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물용 수지의 제조 방법, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
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CN111788525B
(zh)
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2018-02-28 |
2023-08-08 |
富士胶片株式会社 |
感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、树脂
|
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WO2019172054A1
(ja)
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2018-03-08 |
2019-09-12 |
Jsr株式会社 |
感放射線性樹脂組成物及びその製造方法並びにレジストパターン形成方法
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KR20200122354A
(ko)
|
2018-03-26 |
2020-10-27 |
후지필름 가부시키가이샤 |
감광성 수지 조성물과 그 제조 방법, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
|
|
JP7185684B2
(ja)
|
2018-03-27 |
2022-12-07 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
|
|
WO2019187803A1
(ja)
|
2018-03-30 |
2019-10-03 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
|
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EP3779596A4
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2018-03-30 |
2021-07-07 |
FUJIFILM Corporation |
NEGATIVE LIGHT SENSITIVE COMPOSITION FOR EUV LIGHT, METHOD OF PATTERN SHAPING AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE
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|
JP6973265B2
(ja)
|
2018-04-20 |
2021-11-24 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|