JPWO2023054263A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2023054263A5 JPWO2023054263A5 JP2023551471A JP2023551471A JPWO2023054263A5 JP WO2023054263 A5 JPWO2023054263 A5 JP WO2023054263A5 JP 2023551471 A JP2023551471 A JP 2023551471A JP 2023551471 A JP2023551471 A JP 2023551471A JP WO2023054263 A5 JPWO2023054263 A5 JP WO2023054263A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide single
- single crystal
- region
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021160607 | 2021-09-30 | ||
| PCT/JP2022/035722 WO2023054263A1 (ja) | 2021-09-30 | 2022-09-26 | 炭化ケイ素単結晶ウエハ、炭化ケイ素単結晶インゴット及び炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023054263A1 JPWO2023054263A1 (https=) | 2023-04-06 |
| JPWO2023054263A5 true JPWO2023054263A5 (https=) | 2024-06-21 |
Family
ID=85782662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023551471A Pending JPWO2023054263A1 (https=) | 2021-09-30 | 2022-09-26 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12325935B2 (https=) |
| EP (1) | EP4411029A4 (https=) |
| JP (1) | JPWO2023054263A1 (https=) |
| KR (1) | KR20240072094A (https=) |
| CN (1) | CN118043504A (https=) |
| WO (1) | WO2023054263A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4411030A4 (en) * | 2021-09-30 | 2025-10-08 | Central Glass Co Ltd | SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE INGOT |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2923260B2 (ja) | 1997-03-19 | 1999-07-26 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶引上装置、高純度黒鉛材料及びその製造方法 |
| JP4853449B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-01-11 | 住友金属工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶ウエハ及びSiC半導体デバイス |
| EP2245217A1 (en) | 2007-12-12 | 2010-11-03 | Dow Corning Corporation | Method to manufacture large uniform ingots of silicon carbide by sublimation/condensation processes |
| JP4469396B2 (ja) | 2008-01-15 | 2010-05-26 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ |
| JP5803519B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-11-04 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法及び製造装置 |
| WO2014034080A1 (ja) | 2012-08-26 | 2014-03-06 | 国立大学法人名古屋大学 | 3C-SiC単結晶およびその製造方法 |
| JP6238249B2 (ja) | 2013-05-20 | 2017-11-29 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 |
| JP6152981B2 (ja) | 2013-08-02 | 2017-06-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶 |
| KR102160863B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2020-09-28 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 탄화규소 단결정 웨이퍼 |
| JP6090287B2 (ja) | 2014-10-31 | 2017-03-08 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
| WO2017047536A1 (ja) | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造装置、SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶材 |
| JP6595897B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2019-10-23 | 東洋炭素株式会社 | 液相エピタキシャル成長方法及び単結晶SiCの製造方法 |
| JP6200018B2 (ja) | 2016-03-15 | 2017-09-20 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハ |
| US20170321345A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Ii-Vi Incorporated | Large Diameter Silicon Carbide Single Crystals and Apparatus and Method of Manufacture Thereof |
| JP6845418B2 (ja) | 2017-01-13 | 2021-03-17 | セントラル硝子株式会社 | 炭化ケイ素単結晶ウェハ、インゴット及びその製造方法 |
| JP2018188330A (ja) * | 2017-05-02 | 2018-11-29 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶基板の製造方法 |
| JP6758491B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2020-09-23 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| JP7415224B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-01-17 | 株式会社アイシン | 移動装置 |
| CN112779603A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-11 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用 |
| EP4411030A4 (en) * | 2021-09-30 | 2025-10-08 | Central Glass Co Ltd | SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE INGOT |
| JP2023127894A (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-14 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
-
2022
- 2022-09-26 US US18/683,013 patent/US12325935B2/en active Active
- 2022-09-26 WO PCT/JP2022/035722 patent/WO2023054263A1/ja not_active Ceased
- 2022-09-26 KR KR1020237045444A patent/KR20240072094A/ko active Pending
- 2022-09-26 CN CN202280066171.7A patent/CN118043504A/zh active Pending
- 2022-09-26 JP JP2023551471A patent/JPWO2023054263A1/ja active Pending
- 2022-09-26 EP EP22876130.0A patent/EP4411029A4/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101353277B1 (ko) | C-플레인 단결정 사파이어 재료의 형성 방법 | |
| JP5517930B2 (ja) | ゆがみ及び反りの少ないSiC基質の製造 | |
| TWI767309B (zh) | 碳化矽晶錠之製造方法以及製造碳化矽晶錠之系統 | |
| CN113322510A (zh) | SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 | |
| JP2014196242A (ja) | AlxGa1−xN結晶基板 | |
| CN113622018B (zh) | 一种物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法 | |
| JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
| JP4603386B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| US3194691A (en) | Method of manufacturing rod-shaped crystals of semi-conductor material | |
| KR20110137749A (ko) | 사파이어 시드 및 그 제조방법과 사파이어 단결정의 제조방법 | |
| JPWO2023054263A5 (https=) | ||
| JP2008024580A (ja) | AlxGa1−xN結晶の成長方法およびAlxGa1−xN結晶基板 | |
| JP7394332B2 (ja) | 鉄ガリウム合金の単結晶インゴットの育成方法およびその加工方法、鉄ガリウム合金の単結晶インゴット | |
| JPH11349392A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JP2003286024A (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材 | |
| CN104246024A (zh) | 生长晶锭的方法和晶锭 | |
| JP4184622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| JPWO2023054264A5 (https=) | ||
| Taishi et al. | Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent | |
| JPH11274537A (ja) | 大粒径多結晶シリコンの製造法 | |
| JPH04187585A (ja) | 結晶成長装置 | |
| Tsuge et al. | Growth of high quality 4H-SiC crystals in controlled temperature distributions of seed crystals | |
| JPH0449185Y2 (https=) | ||
| JPS62197398A (ja) | 単結晶の引上方法 | |
| JP2773441B2 (ja) | GaAs単結晶の製造方法 |