JP2008024580A - AlxGa1−xN結晶の成長方法およびAlxGa1−xN結晶基板 - Google Patents
AlxGa1−xN結晶の成長方法およびAlxGa1−xN結晶基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008024580A JP2008024580A JP2007130383A JP2007130383A JP2008024580A JP 2008024580 A JP2008024580 A JP 2008024580A JP 2007130383 A JP2007130383 A JP 2007130383A JP 2007130383 A JP2007130383 A JP 2007130383A JP 2008024580 A JP2008024580 A JP 2008024580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- growth
- dislocation density
- pit
- growing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 270
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 35
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 7
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】気相法による結晶成長の際に、AlxGa1-xN結晶(0<x≦1)10の主成長平面11に複数のファセット12を有するピット10pを少なくとも1つ形成する。ピット10pでは、その底部Pから主成長平面11に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部10rが存在するので、ピット10pが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1-xN結晶10を成長させることにより、AlxGa1-xN結晶10の転位を低減することができる。
【選択図】図1
Description
図1〜3を参照して、本発明にかかるAlxGa1-xN結晶の成長方法は、気相法によるAlxGa1-xN結晶(0<x≦1)の成長方法であって、結晶成長の際、AlxGa1-xN結晶10の主成長平面11に複数のファセット12を有するピット10pを少なくとも1つ形成し、ピット10pが少なくとも1つ存在している状態でAlxGa1-xN結晶10を成長させることにより、AlxGa1-xN結晶10の転位を低減することを特徴とする。
y=A・exp(k・x) (1)
において傾き係数kが−20<k<−4であるとき、より好ましく転位密度の低減とクラックおよび内部応力の低減とが行なわれた。ここで、式(1)においてAは切片係数を示す。
本実施形態にかかるAlxGa1-xN結晶基板(0<x≦1)は、図3および図4を参照して、実施形態1の成長方法で得られたAlxGa1-xN結晶10,20の表面13,23を加工することにより得られるものであり、平坦な主面31を有する。かかるAlxGa1-xN結晶基板30は、実施形態1の成長方法により得られた転位が著しく低減された結晶性の高いAlxGa1-xN結晶10,20から得られるものであり、半導体デバイスの基板として好ましく用いることができる。
図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として1インチ(2.54cm)径のSiC基板を配置し、下部にAlyGa1-yN原料1としてAlN粉末を配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧900hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1-yN原料1(AlN粉末)側の温度を2100℃、下地基板9(SiC基板)側の温度が2000℃になるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、30時間AlN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から1時間後までは5sccm、1時間後から20時間後までにかけて流量を徐々に減少させて、20時間後以降は0.05sccm流した。
坩堝52のAlyGa1-yN原料1(AlN粉末)側の温度を2100℃、下地基板9(SiC基板)側の温度が2000℃とし、反応容器51内の坩堝52に不純物含有ガスであるCO2ガスを流さなかったこと以外は、実施例1と同様にして、AlN結晶を成長させた。得られたAlN結晶は、1インチ径(2.54cm径)×厚さ5mmであり、XRD法により単結晶であることが確認された。
図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として実施例1で得られた1インチ径(2.54cm径)のAlN結晶を研磨後配置し、下部にAlyGa1-yN原料1としてAlN粉末を配置した。ここで、AlN結晶は、複数の六角錘状のピットが形成されている主成長面上に第2のAlN結晶が成長するように配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧2000hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1-yN原料1(AlN粉末)側の温度を2100℃、下地基板9(AlN結晶)側の温度が2000℃になるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、15時間第2のAlN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から終了まで0.01sccm流した。
図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として1インチ(2.54cm)径のSiC基板を配置し、下部にAlyGa1-yN原料1としてAlN粉末とGaN粉末とを7:3のmol比で混合した状態で配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧900hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1-yN原料1(AlN粉末およびGaN粉末)側の温度を2100℃、下地基板9(SiC基板)側の温度が2000℃になるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、30時間AlxGa1-xN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から1時間後までは3.5sccm、1時間後から20時間後までにかけて流量を徐々に減少させて、20時間後以降は0.035sccm流した。
坩堝52のAlyGa1-yN原料1(AlN粉末およびGaN粉末)側の温度を2100℃、下地基板9(SiC基板)側の温度が2000℃とし、反応容器51内の坩堝52に不純物含有ガスであるCO2ガスを流さなかったこと以外は、実施例2と同様にして、AlxGa1-xN結晶を成長させた。得られたAlN結晶は、1インチ径(2.54cm径)×厚さ3mmであり、XRD法により単結晶であることが確認され、XPS法により化学組成がAl0.8Ga0.2Nであることが確認された。
図5を参照して、WC製の坩堝52の上部に下地基板9として実施例3で得られた1インチ径(2.54cm径)のAl0.8Ga0.2N結晶を配置し、下部にAlyGa1-yN原料1としてAlN粉末とGaN粉末とを7:3のmol比で混合した状態で配置した。ここで、Al0.8Ga0.2N結晶は、複数の六角錘状のピットが形成されている主成長面上に第2のAlxGa1-xN結晶が成長するように配置した。次いで、反応容器51に、ガス分圧2000hPa、流量200sccmのN2ガスを流しながら、坩堝52のAlyGa1-yN原料1(AlN粉末およびGaN粉末)側の温度を2200℃、下地基板9(Al0.8Ga0.2N結晶)側の温度が2100℃になるように高周波加熱コイル55を用いて坩堝52を加熱して、15時間第2のAlxGa1-xN結晶を成長させた。反応容器51内の坩堝52に、不純物含有ガスとしてCO2ガスを、結晶成長開始から終了まで0.01sccm流した。
Claims (11)
- 気相法によるAlxGa1-xN結晶(0<x≦1)の成長方法であって、
結晶成長の際、前記AlxGa1-xN結晶の主成長平面に複数のファセットを有するピットを少なくとも1つ形成し、前記ピットが少なくとも1つ存在している状態で前記AlxGa1-xN結晶を成長させることにより、
前記AlxGa1-xN結晶の転位を低減することを特徴とするAlxGa1-xN結晶の成長方法。 - 前記ピットの底部から前記主成長平面に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部が存在する請求項1に記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。
- 前記線状転位集中部の密度が105cm-2以下である請求項2に記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。
- 前記ピットは、前記結晶成長の雰囲気中に不純物を含めることにより形成されることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。
- 前記不純物がIVb族元素の少なくとも1つである請求項4に記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。
- 前記気相法は、昇華法である請求項1から請求項5までのいずれかに記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。
- 結晶成長後において、前記主成長平面の総面積に対する前記ピットの開口面の総面積の割合が30%以上であること特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかに記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。
- 前記結晶成長後における前記主成長平面の総面積に対する前記ピットの開口面の総面積の割合が30%以上である前記AlxGa1-xN結晶の結晶表面上に、
第2のAlxGa1-xN結晶を成長させて、結晶成長後における前記第2のAlxGa1-xN結晶の主成長平面の総面積に対するピット開口面の総面積の割合を30%未満とすることを特徴とする請求項7に記載のAlxGa1-xN結晶の成長方法。 - 請求項7または請求項8の成長方法で得られたAlxGa1-xN結晶の表面を加工することにより得られる平坦な主面を有するAlxGa1-xN結晶基板。
- AlxGa1-xN結晶(0<x≦1)の基板であって、
線状転位集中部を中心とする高転位密度部と、転位密度が2×106cm-2未満の低転位密度部とを含み、
主面における前記低転位密度部の面積は、前記主面の総面積の30%以上であるAlxGa1-xN結晶基板。 - AlxGa1-xN結晶(0<x≦1)の基板であって、
線状転位集中部を中心とする高転位密度部と、転位密度が2×106cm-2未満の低転位密度部とを含み、
前記高転位密度部は前記低転位密度部の第1部分および第2部分に挟まれ、
前記第1部分の結晶方位と前記第2部分の結晶方位の最大のずれ角が50arcsec以下であるAlxGa1-xN結晶基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007130383A JP5045232B2 (ja) | 2006-06-20 | 2007-05-16 | AlxGa1−xN結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006170302 | 2006-06-20 | ||
JP2006170302 | 2006-06-20 | ||
JP2007130383A JP5045232B2 (ja) | 2006-06-20 | 2007-05-16 | AlxGa1−xN結晶の成長方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011231769A Division JP2012067005A (ja) | 2006-06-20 | 2011-10-21 | AlxGa1−xN結晶の成長方法およびAlxGa1−xN結晶基板 |
JP2012092147A Division JP2012140328A (ja) | 2006-06-20 | 2012-04-13 | AlxGa1−xN結晶基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008024580A true JP2008024580A (ja) | 2008-02-07 |
JP5045232B2 JP5045232B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=39115599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007130383A Expired - Fee Related JP5045232B2 (ja) | 2006-06-20 | 2007-05-16 | AlxGa1−xN結晶の成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5045232B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010008037A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | 住友電気工業株式会社 | AlGaNバルク結晶の製造方法およびAlGaN基板の製造方法 |
WO2010082574A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 |
WO2010084863A1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶 |
JP2016520992A (ja) * | 2013-03-14 | 2016-07-14 | ヘクサテック,インコーポレイテッド | 窒化アルミニウム単結晶基板を組込んだパワー半導体デバイス |
JP2016132606A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2017109891A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 株式会社豊田中央研究所 | 化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8293012B2 (en) * | 2006-06-20 | 2012-10-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for growing AlxGa1-xN crystal, and AlxGa1-xN crystal substrate |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102307A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 |
JP2003124128A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
JP2003277196A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス |
JP2005502193A (ja) * | 2001-09-05 | 2005-01-20 | クリー インコーポレイテッド | 独立(Al、Ga、In)Nおよびそれを形成するための分割方法 |
-
2007
- 2007-05-16 JP JP2007130383A patent/JP5045232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102307A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 |
JP2005502193A (ja) * | 2001-09-05 | 2005-01-20 | クリー インコーポレイテッド | 独立(Al、Ga、In)Nおよびそれを形成するための分割方法 |
JP2003124128A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
JP2003277196A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010008037A1 (ja) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | 住友電気工業株式会社 | AlGaNバルク結晶の製造方法およびAlGaN基板の製造方法 |
JP2010042981A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlGaNバルク結晶の製造方法およびAlGaN基板の製造方法 |
WO2010082574A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 |
WO2010084863A1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶 |
EP2383373A1 (en) * | 2009-01-23 | 2011-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for producing nitride semiconductor crystal, method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor crystal |
EP2383373A4 (en) * | 2009-01-23 | 2013-10-09 | Sumitomo Electric Industries | NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL MANUFACTURING METHOD, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL |
US8613802B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-12-24 | Sumitomo Electric Industies, Ltd. | Nitride semiconductor crystal manufacturing apparatus, nitride semiconductor crystal manufacturing method, and nitride semiconductor crystal |
JP2016520992A (ja) * | 2013-03-14 | 2016-07-14 | ヘクサテック,インコーポレイテッド | 窒化アルミニウム単結晶基板を組込んだパワー半導体デバイス |
JP2016132606A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体基板、及び、iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP2017109891A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 株式会社豊田中央研究所 | 化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5045232B2 (ja) | 2012-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014196242A (ja) | AlxGa1−xN結晶基板 | |
EP2059946B1 (en) | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture | |
JP5045232B2 (ja) | AlxGa1−xN結晶の成長方法 | |
US7621999B2 (en) | Method and apparatus for AlGan vapor phase growth | |
WO2016140074A1 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法 | |
US20060108573A1 (en) | Single crystalline gallium nitride thick film having reduced bending deformation | |
JP2012012259A (ja) | 窒化物結晶およびその製造方法 | |
US9290861B2 (en) | Group 13 nitride crystal with stepped surface | |
WO2010007867A1 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶 | |
JP2007217227A (ja) | GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および半導体デバイス | |
JP2007314357A (ja) | 窒化物半導体結晶とその製造方法 | |
JP2007119325A (ja) | Iii族窒化物結晶およびその成長方法 | |
Bockowski | Bulk growth of gallium nitride: challenges and difficulties | |
JP5303941B2 (ja) | AlxGa1−xN単結晶の成長方法 | |
Bickermann et al. | Vapor transport growth of wide bandgap materials | |
CN100415946C (zh) | 外延衬底及其制造方法 | |
JP2008230868A (ja) | 窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶基板 | |
JP2004284869A (ja) | 窒化物単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
US7892513B2 (en) | Group III nitride crystal and method of its growth | |
JPH0987086A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP5883912B2 (ja) | 窒化物結晶およびその製造方法 | |
US20100101486A1 (en) | Substrate for epitaxial growth and method for producing nitride compound semiconductor single crystal | |
Miyanaga et al. | Method for growing Al x Ga 1-x N crystal, and Al x Ga 1-x N crystal substrate | |
Miyanaga et al. | Al x Ga 1-x N crystal substrate | |
JP2016172692A (ja) | 窒化物結晶およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120619 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120702 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5045232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |