JPWO2021201094A5 - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020064912 | 2020-03-31 | ||
| JP2020064912 | 2020-03-31 | ||
| PCT/JP2021/013822 WO2021201094A1 (ja) | 2020-03-31 | 2021-03-31 | 半導体用処理液及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021201094A1 JPWO2021201094A1 (https=) | 2021-10-07 |
| JPWO2021201094A5 true JPWO2021201094A5 (https=) | 2022-12-15 |
| JP7627686B2 JP7627686B2 (ja) | 2025-02-06 |
Family
ID=77929020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022512617A Active JP7627686B2 (ja) | 2020-03-31 | 2021-03-31 | 半導体用処理液及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12509632B2 (https=) |
| JP (1) | JP7627686B2 (https=) |
| KR (1) | KR20220159387A (https=) |
| TW (1) | TWI901664B (https=) |
| WO (1) | WO2021201094A1 (https=) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12444617B2 (en) * | 2020-08-07 | 2025-10-14 | Tokuyama Corporation | Semiconductor wafer processing liquid containing hypobromite ions and PH buffering agent |
| US20240000084A1 (en) * | 2020-10-09 | 2024-01-04 | Acenet Inc. | Antipathogenic agent, antibacterial agent, antiviral agent, pathogen disposal device, antipathogenic agent production method, antibacterial treatment method, virus inactivation method, and pathogen disposal method |
| US20230121639A1 (en) * | 2021-10-20 | 2023-04-20 | Entegris, Inc. | Selective wet etch composition and method |
| JPWO2023190984A1 (https=) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ||
| KR20240078469A (ko) | 2022-11-24 | 2024-06-04 | 현대모비스 주식회사 | 3차원 입체 구조 전장 부품용 광경화성 점접착제 조성물 |
| CN116873867B (zh) * | 2023-09-08 | 2023-11-10 | 珙县华洁危险废物治理有限责任公司成都分公司 | 一种高纯溴素的无害化处理方法和无害化处理系统 |
| WO2025143006A1 (ja) * | 2023-12-28 | 2025-07-03 | 株式会社トクヤマ | 次亜臭素酸第四級アルキルアンモニウム溶液の製造方法及び半導体ウエハの処理方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4094110B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2008-06-04 | エルジー．フィリップス エルシーデー カンパニー，リミテッド | エッチング剤 |
| JP3765270B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2006-04-12 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 溶融めっき金属帯の製造方法および製造装置 |
| JP2003193272A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | モリブデンを主成分とする膜のエッチング方法 |
| US7939042B2 (en) * | 2002-05-06 | 2011-05-10 | Bromine Compounds Ltd. | Process for the preparation of concentrated solutions of stabilized hypobromites |
| JP2004031791A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Mitsubishi Chemicals Corp | タングステン合金のエッチング液及びエッチング方法 |
| JP4355201B2 (ja) | 2003-12-02 | 2009-10-28 | 関東化学株式会社 | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 |
| BRPI0418529A (pt) | 2004-02-11 | 2007-05-15 | Mallinckrodt Baker Inc | composições de limpeza para microeletrÈnicos contendo ácidos de halogênio oxigenados, sais e derivados dos mesmos |
| WO2011074601A1 (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 昭和電工株式会社 | ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法 |
| JP5544898B2 (ja) | 2010-01-25 | 2014-07-09 | 東ソー株式会社 | タングステンのエッチング液 |
| KR101891363B1 (ko) * | 2010-10-13 | 2018-08-24 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 티타늄 니트라이드 부식을 억제하기 위한 조성물 및 방법 |
| KR20140134283A (ko) | 2012-03-12 | 2014-11-21 | 가부시끼가이샤 제이씨유 | 선택적 에칭방법 |
| KR102069158B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR102405063B1 (ko) | 2014-06-30 | 2022-06-07 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 텅스텐 및 코발트 상용성을 갖는 에치후 잔류물을 제거하기 위한 수성 및 반-수성 세정제 |
| KR101576377B1 (ko) * | 2014-07-01 | 2015-12-11 | 현대다이모스(주) | 헤드레스트 리클라이닝 모듈 |
| US20170342304A1 (en) * | 2015-01-19 | 2017-11-30 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| CN107851660B (zh) * | 2015-07-09 | 2022-02-01 | 恩特格里斯公司 | 相对于锗选择性蚀刻硅锗的调配物 |
| CN111684570B (zh) | 2018-01-16 | 2024-02-27 | 株式会社德山 | 含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液 |
| KR102521227B1 (ko) | 2018-09-12 | 2023-04-13 | 후지필름 가부시키가이샤 | 약액, 기판의 처리 방법 |
| JP6874231B1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-05-19 | 株式会社トクヤマ | ＲｕＯ４ガスの発生抑制剤及びＲｕＯ４ガスの発生抑制方法 |
| JP7050184B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2022-04-07 | 株式会社トクヤマ | ルテニウムの半導体用処理液及びその製造方法 |
| KR102582791B1 (ko) * | 2020-02-25 | 2023-09-25 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 루테늄의 반도체용 처리액 |
| US12444617B2 (en) * | 2020-08-07 | 2025-10-14 | Tokuyama Corporation | Semiconductor wafer processing liquid containing hypobromite ions and PH buffering agent |
| JP7819114B2 (ja) * | 2020-11-26 | 2026-02-24 | 株式会社トクヤマ | 半導体ウェハの処理液及びその製造方法 |
| US20220328320A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-13 | Tokuyama Corporation | Semiconductor treatment liquid |
-
2021
- 2021-03-31 TW TW110111911A patent/TWI901664B/zh active
- 2021-03-31 KR KR1020227033690A patent/KR20220159387A/ko active Pending
- 2021-03-31 US US17/915,697 patent/US12509632B2/en active Active
- 2021-03-31 JP JP2022512617A patent/JP7627686B2/ja active Active
- 2021-03-31 WO PCT/JP2021/013822 patent/WO2021201094A1/ja not_active Ceased
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| JPWO2024075704A5 (https=) |