JPWO2021095401A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 低温焼結セラミック材料を含む絶縁層に配線が設けられてなる回路基板であって、
   前記配線には、上面視で面積０．０１５ｍｍ ^２ 以上であるサーマルビアが含まれており、
   前記サーマルビアは、端面がテーパー形状であるテーパー導体が複数層積層されてなり、
   前記テーパー導体のそれぞれの端面が、前記絶縁層に接しており、
   前記テーパー導体の断面におけるテーパー長さが２０μｍ以上であることを特徴とする回路基板。
2. 前記テーパー導体が、金属と前記絶縁層を構成する前記低温焼結セラミック材料とを含み、前記テーパー導体に占める前記低温焼結セラミック材料の重量割合が５０％以下である請求項１に記載の回路基板。
3. 前記テーパー導体に占める前記低温焼結セラミック材料の重量割合が１０％以上である、請求項２に記載の回路基板。
4. 前記テーパー導体のそれぞれの端面と接している前記絶縁層に、前記テーパー導体を構成する金属材料が前記絶縁層内に拡散した拡散部分が存在する請求項１～３のいずれかに記載の回路基板。
5. 前記サーマルビアの厚さが５０μｍ以上である請求項１～４のいずれかに記載の回路基板。
6. 低温焼結セラミック材料を含むセラミックグリーンシートに、上面径と底面径が異なり上面径の面積が０．０１５ｍｍ ^２ 以上となる貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔に金属を含む導体ペーストを充填してビア導体を形成する工程と、
   前記ビア導体を形成したセラミックグリーンシートを、前記ビア導体の位置が重なるように複数枚積層して積層体を作製する工程と、
   前記積層体を焼成する工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
7. 前記積層体を焼成する工程では、前記積層体を加圧して焼成する加圧焼成を行う、請求項６に記載の回路基板の製造方法。
8. 焼成温度が１０００℃以下である請求項６又は７に記載の回路基板の製造方法。
9. 前記導体ペーストが、金属と、セラミックグリーンシートに含まれる前記低温焼結セラミック材料とを含み、前記金属と前記低温焼結セラミック材料の合計重量に対する前記低温焼結セラミック材料の重量割合が５０％以下である請求項６～８のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
10. 前記金属と前記低温焼結セラミック材料の合計重量に対する前記低温焼結セラミック材料の重量割合が１０％以上である、請求項９に記載の回路基板の製造方法。
11. 前記貫通孔の形成は、上面径と底面径が異なるパンチによるパンチング、又は、上面径と底面径が異なるようにしたレーザーパンチャーにより行う請求項６～１０のいずれかに記載の回路基板の製造方法。