JPWO2019225737A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102906466B1 (ko) 2018-05-25 2026-01-02 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7250511B2 (ja) * 2018-12-27 2023-04-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7475154B2 (ja) * 2020-02-13 2024-04-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法
JP6929983B1 (ja) * 2020-03-10 2021-09-01 Hoya株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体デバイスの製造方法
TWI886224B (zh) * 2020-03-17 2025-06-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7679357B2 (ja) * 2020-03-30 2025-05-19 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7318607B2 (ja) * 2020-07-28 2023-08-01 Ａｇｃ株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
WO2022050156A1 (ja) * 2020-09-04 2022-03-10 Ａｇｃ株式会社 反射型マスク、反射型マスクブランク、および反射型マスクの製造方法
JP7525354B2 (ja) * 2020-09-28 2024-07-30 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP7380522B2 (ja) * 2020-10-30 2023-11-15 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク
WO2022118762A1 (ja) * 2020-12-03 2022-06-09 Ａｇｃ株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
JP7612408B2 (ja) * 2020-12-22 2025-01-14 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
KR102848045B1 (ko) * 2021-01-27 2025-08-21 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
KR102850171B1 (ko) * 2021-06-15 2025-08-25 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
US11940725B2 (en) * 2021-01-27 2024-03-26 S&S Tech Co., Ltd. Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography
JP2022123773A (ja) 2021-02-12 2022-08-24 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
KR102882817B1 (ko) * 2021-06-15 2025-11-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
KR102837249B1 (ko) * 2021-02-25 2025-07-22 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
JP7295215B2 (ja) * 2021-02-25 2023-06-20 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
KR102850182B1 (ko) * 2021-06-15 2025-08-25 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
US12181790B2 (en) * 2021-03-03 2024-12-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Reflective mask blank and reflective mask
JP7315123B1 (ja) 2021-08-27 2023-07-26 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
CN118302719A (zh) * 2021-11-24 2024-07-05 凸版光掩模有限公司 反射型光掩模坯以及反射型光掩模
KR20250153856A (ko) * 2021-12-13 2025-10-27 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법
DE102022202803B4 (de) 2022-03-22 2025-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur
DE102022210492B4 (de) 2022-10-04 2025-11-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur
CN118922779A (zh) * 2022-03-29 2024-11-08 凸版光掩模有限公司 反射型光掩模坯以及反射型光掩模
JP7367901B1 (ja) 2022-04-28 2023-10-24 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク、反射型マスクの製造方法
KR102851718B1 (ko) 2022-10-13 2025-09-02 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0131192B1 (en) 1992-04-22 1998-04-14 Toshiba Corp Exposed mask, fabrication method of exposed mask substrate and patterning method based on exposed mask
JP3339716B2 (ja) * 1992-07-17 2002-10-28 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法
JP3417798B2 (ja) 1997-05-19 2003-06-16 株式会社東芝 露光用マスク
JP2004207593A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
TWI375114B (en) 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
JP4405585B2 (ja) * 2004-10-22 2010-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4881633B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 凸版印刷株式会社 クロムレス位相シフトマスク用フォトマスクブランク、クロムレス位相シフトマスク、及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法
JP5233321B2 (ja) 2008-02-27 2013-07-10 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法
KR20110050427A (ko) * 2008-07-14 2011-05-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖマスクブランクス用基板
JP5282507B2 (ja) 2008-09-25 2013-09-04 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法
WO2010061828A1 (ja) * 2008-11-26 2010-06-03 Hoya株式会社 マスクブランク用基板
JP5766393B2 (ja) * 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP2011065113A (ja) * 2009-09-21 2011-03-31 Toshiba Corp 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2011211083A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Hoya Corp マスクブランクス、パターン形成方法及びモールドの製造方法
JP5685951B2 (ja) * 2011-01-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 反射型マスク、およびその製造方法
WO2014129527A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP6381921B2 (ja) * 2014-01-30 2018-08-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP6499440B2 (ja) 2014-12-24 2019-04-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
SG11201710317RA (en) * 2015-06-17 2018-01-30 Hoya Corp Substrate with electrically conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device
TWI623805B (zh) * 2015-08-17 2018-05-11 S&S Tech Co., Ltd. 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩
JP6739960B2 (ja) 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP6855190B2 (ja) * 2016-08-26 2021-04-07 Hoya株式会社 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法
SG11202002853TA (en) 2017-10-17 2020-05-28 Hoya Corp Substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device
KR102906466B1 (ko) 2018-05-25 2026-01-02 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법

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