JPWO2019225737A1 - 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024135205A JP2024153940A (ja) | 2018-05-25 | 2024-08-14 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018100363 | 2018-05-25 | ||
| JP2018100363 | 2018-05-25 | ||
| JP2018165248 | 2018-09-04 | ||
| JP2018165248 | 2018-09-04 | ||
| PCT/JP2019/020635 WO2019225737A1 (ja) | 2018-05-25 | 2019-05-24 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024135205A Division JP2024153940A (ja) | 2018-05-25 | 2024-08-14 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019225737A1 true JPWO2019225737A1 (ja) | 2021-06-10 |
| JPWO2019225737A5 JPWO2019225737A5 (https=) | 2022-05-30 |
Family
ID=68616158
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020520392A Pending JPWO2019225737A1 (ja) | 2018-05-25 | 2019-05-24 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024135205A Pending JP2024153940A (ja) | 2018-05-25 | 2024-08-14 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024135205A Pending JP2024153940A (ja) | 2018-05-25 | 2024-08-14 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US11550215B2 (https=) |
| JP (2) | JPWO2019225737A1 (https=) |
| KR (2) | KR102906466B1 (https=) |
| SG (1) | SG11202011373SA (https=) |
| TW (3) | TW202511858A (https=) |
| WO (1) | WO2019225737A1 (https=) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102906466B1 (ko) | 2018-05-25 | 2026-01-02 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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| JP7475154B2 (ja) * | 2020-02-13 | 2024-04-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| JP6929983B1 (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| TWI886224B (zh) * | 2020-03-17 | 2025-06-11 | 日商Hoya股份有限公司 | 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 |
| JP7679357B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2025-05-19 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7318607B2 (ja) * | 2020-07-28 | 2023-08-01 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
| WO2022050156A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Agc株式会社 | 反射型マスク、反射型マスクブランク、および反射型マスクの製造方法 |
| JP7525354B2 (ja) * | 2020-09-28 | 2024-07-30 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
| JP7380522B2 (ja) * | 2020-10-30 | 2023-11-15 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク |
| WO2022118762A1 (ja) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
| JP7612408B2 (ja) * | 2020-12-22 | 2025-01-14 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
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| JP2022123773A (ja) | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
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| TWI375114B (en) | 2004-10-22 | 2012-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof |
| JP5233321B2 (ja) | 2008-02-27 | 2013-07-10 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 |
| JP5282507B2 (ja) | 2008-09-25 | 2013-09-04 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法、ハーフトーン型euvマスクブランク及びパターン転写方法 |
| WO2014129527A1 (ja) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| JP6301127B2 (ja) | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6381921B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US9551924B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-01-24 | International Business Machines Corporation | Structure and method for fixing phase effects on EUV mask |
| JP6739960B2 (ja) | 2016-03-28 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| SG11202002853TA (en) | 2017-10-17 | 2020-05-28 | Hoya Corp | Substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
| KR102906466B1 (ko) | 2018-05-25 | 2026-01-02 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-05-24 KR KR1020207027466A patent/KR102906466B1/ko active Active
- 2019-05-24 SG SG11202011373SA patent/SG11202011373SA/en unknown
- 2019-05-24 US US17/056,676 patent/US11550215B2/en active Active
- 2019-05-24 TW TW113145212A patent/TW202511858A/zh unknown
- 2019-05-24 TW TW112128588A patent/TWI867651B/zh active
- 2019-05-24 JP JP2020520392A patent/JPWO2019225737A1/ja active Pending
- 2019-05-24 TW TW108118020A patent/TWI811369B/zh active
- 2019-05-24 WO PCT/JP2019/020635 patent/WO2019225737A1/ja not_active Ceased
- 2019-05-24 KR KR1020257043335A patent/KR20260003439A/ko active Pending
-
2022
- 2022-11-18 US US17/990,163 patent/US11815807B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-09 US US18/483,484 patent/US12105413B2/en active Active
-
2024
- 2024-08-07 US US18/797,169 patent/US20240393675A1/en active Pending
- 2024-08-14 JP JP2024135205A patent/JP2024153940A/ja active Pending
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| WO2016204051A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| KR20170021191A (ko) * | 2015-08-17 | 2017-02-27 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| JP2018031982A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240036458A1 (en) | 2024-02-01 |
| TW202004326A (zh) | 2020-01-16 |
| KR102906466B1 (ko) | 2026-01-02 |
| JP2024153940A (ja) | 2024-10-29 |
| US20240393675A1 (en) | 2024-11-28 |
| US11815807B2 (en) | 2023-11-14 |
| US12105413B2 (en) | 2024-10-01 |
| US20230087016A1 (en) | 2023-03-23 |
| US11550215B2 (en) | 2023-01-10 |
| WO2019225737A1 (ja) | 2019-11-28 |
| US20210223681A1 (en) | 2021-07-22 |
| TW202349105A (zh) | 2023-12-16 |
| KR20210013008A (ko) | 2021-02-03 |
| SG11202011373SA (en) | 2020-12-30 |
| TWI811369B (zh) | 2023-08-11 |
| TWI867651B (zh) | 2024-12-21 |
| KR20260003439A (ko) | 2026-01-06 |
| TW202511858A (zh) | 2025-03-16 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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|
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