TW202511858A - 反射型光罩基底及反射型光罩 - Google Patents

反射型光罩基底及反射型光罩 Download PDF

Info

Publication number
TW202511858A
TW202511858A TW113145212A TW113145212A TW202511858A TW 202511858 A TW202511858 A TW 202511858A TW 113145212 A TW113145212 A TW 113145212A TW 113145212 A TW113145212 A TW 113145212A TW 202511858 A TW202511858 A TW 202511858A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
layer
phase shift
reflective mask
reflective
Prior art date
Application number
TW113145212A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Inventor
池邊洋平
笑喜勉
Original Assignee
日商Hoya股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Hoya股份有限公司 filed Critical 日商Hoya股份有限公司
Publication of TW202511858A publication Critical patent/TW202511858A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24Reflection masks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
TW113145212A 2018-05-25 2019-05-24 反射型光罩基底及反射型光罩 TW202511858A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018100363 2018-05-25
JP2018-100363 2018-05-25
JP2018-165248 2018-09-04
JP2018165248 2018-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202511858A true TW202511858A (zh) 2025-03-16

Family

ID=68616158

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW113145212A TW202511858A (zh) 2018-05-25 2019-05-24 反射型光罩基底及反射型光罩
TW112128588A TWI867651B (zh) 2018-05-25 2019-05-24 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
TW108118020A TWI811369B (zh) 2018-05-25 2019-05-24 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半導體裝置之製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112128588A TWI867651B (zh) 2018-05-25 2019-05-24 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
TW108118020A TWI811369B (zh) 2018-05-25 2019-05-24 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半導體裝置之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (4) US11550215B2 (https=)
JP (2) JPWO2019225737A1 (https=)
KR (2) KR102906466B1 (https=)
SG (1) SG11202011373SA (https=)
TW (3) TW202511858A (https=)
WO (1) WO2019225737A1 (https=)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102906466B1 (ko) 2018-05-25 2026-01-02 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7250511B2 (ja) * 2018-12-27 2023-04-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7475154B2 (ja) * 2020-02-13 2024-04-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法
JP6929983B1 (ja) * 2020-03-10 2021-09-01 Hoya株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体デバイスの製造方法
TWI886224B (zh) * 2020-03-17 2025-06-11 日商Hoya股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7679357B2 (ja) * 2020-03-30 2025-05-19 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP7318607B2 (ja) * 2020-07-28 2023-08-01 Agc株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
WO2022050156A1 (ja) * 2020-09-04 2022-03-10 Agc株式会社 反射型マスク、反射型マスクブランク、および反射型マスクの製造方法
JP7525354B2 (ja) * 2020-09-28 2024-07-30 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
JP7380522B2 (ja) * 2020-10-30 2023-11-15 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク
WO2022118762A1 (ja) * 2020-12-03 2022-06-09 Agc株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
JP7612408B2 (ja) * 2020-12-22 2025-01-14 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
KR102848045B1 (ko) * 2021-01-27 2025-08-21 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
KR102850171B1 (ko) * 2021-06-15 2025-08-25 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
US11940725B2 (en) * 2021-01-27 2024-03-26 S&S Tech Co., Ltd. Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography
JP2022123773A (ja) 2021-02-12 2022-08-24 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
KR102882817B1 (ko) * 2021-06-15 2025-11-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
KR102837249B1 (ko) * 2021-02-25 2025-07-22 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
JP7295215B2 (ja) * 2021-02-25 2023-06-20 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
KR102850182B1 (ko) * 2021-06-15 2025-08-25 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크
US12181790B2 (en) * 2021-03-03 2024-12-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Reflective mask blank and reflective mask
JP7315123B1 (ja) 2021-08-27 2023-07-26 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
CN118302719A (zh) * 2021-11-24 2024-07-05 凸版光掩模有限公司 反射型光掩模坯以及反射型光掩模
KR20250153856A (ko) * 2021-12-13 2025-10-27 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법
DE102022202803B4 (de) 2022-03-22 2025-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur
DE102022210492B4 (de) 2022-10-04 2025-11-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur
CN118922779A (zh) * 2022-03-29 2024-11-08 凸版光掩模有限公司 反射型光掩模坯以及反射型光掩模
JP7367901B1 (ja) 2022-04-28 2023-10-24 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク、反射型マスクの製造方法
KR102851718B1 (ko) 2022-10-13 2025-09-02 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0131192B1 (en) 1992-04-22 1998-04-14 Toshiba Corp Exposed mask, fabrication method of exposed mask substrate and patterning method based on exposed mask
JP3339716B2 (ja) * 1992-07-17 2002-10-28 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法
JP3417798B2 (ja) 1997-05-19 2003-06-16 株式会社東芝 露光用マスク
JP2004207593A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
TWI375114B (en) 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
JP4405585B2 (ja) * 2004-10-22 2010-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4881633B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 凸版印刷株式会社 クロムレス位相シフトマスク用フォトマスクブランク、クロムレス位相シフトマスク、及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法
JP5233321B2 (ja) 2008-02-27 2013-07-10 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法
KR20110050427A (ko) * 2008-07-14 2011-05-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 euv 리소그래피용 반사형 마스크
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Euvマスクブランクス用基板
JP5282507B2 (ja) 2008-09-25 2013-09-04 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法、ハーフトーン型euvマスクブランク及びパターン転写方法
WO2010061828A1 (ja) * 2008-11-26 2010-06-03 Hoya株式会社 マスクブランク用基板
JP5766393B2 (ja) * 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP2011065113A (ja) * 2009-09-21 2011-03-31 Toshiba Corp 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2011211083A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Hoya Corp マスクブランクス、パターン形成方法及びモールドの製造方法
JP5685951B2 (ja) * 2011-01-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 反射型マスク、およびその製造方法
WO2014129527A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP6381921B2 (ja) * 2014-01-30 2018-08-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP6499440B2 (ja) 2014-12-24 2019-04-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
SG11201710317RA (en) * 2015-06-17 2018-01-30 Hoya Corp Substrate with electrically conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device
TWI623805B (zh) * 2015-08-17 2018-05-11 S&S Tech Co., Ltd. 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩
JP6739960B2 (ja) 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP6855190B2 (ja) * 2016-08-26 2021-04-07 Hoya株式会社 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法
SG11202002853TA (en) 2017-10-17 2020-05-28 Hoya Corp Substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device
KR102906466B1 (ko) 2018-05-25 2026-01-02 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019225737A1 (ja) 2021-06-10
US20240036458A1 (en) 2024-02-01
TW202004326A (zh) 2020-01-16
KR102906466B1 (ko) 2026-01-02
JP2024153940A (ja) 2024-10-29
US20240393675A1 (en) 2024-11-28
US11815807B2 (en) 2023-11-14
US12105413B2 (en) 2024-10-01
US20230087016A1 (en) 2023-03-23
US11550215B2 (en) 2023-01-10
WO2019225737A1 (ja) 2019-11-28
US20210223681A1 (en) 2021-07-22
TW202349105A (zh) 2023-12-16
KR20210013008A (ko) 2021-02-03
SG11202011373SA (en) 2020-12-30
TWI811369B (zh) 2023-08-11
TWI867651B (zh) 2024-12-21
KR20260003439A (ko) 2026-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI867651B (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
TWI886825B (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩與半導體裝置之製造方法
JP7193344B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
TWI881058B (zh) 反射型光罩基底及反射型光罩、與半導體裝置之製造方法
JP7268211B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
WO2020184473A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TWI910140B (zh) 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
JP2021148928A (ja) 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
TWI899337B (zh) 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法