JPWO2019201353A5 - - Google Patents

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  1. 第1鉛フリー圧電材料のT/O相境界を調整し、具体的には、第1鉛フリー圧電材料に対して、その正方相Tと斜方晶相Oとの間のT/O相境界をドーピングにより室温付近、または、ドーピングにより材料の使用温度付近に調整し、前記使用温度付近は、-20℃~40℃程度、-20℃以下、又は40℃以上を含むステップS100と、
    C/T相境界とO/R相境界をさらに調整し、具体的には、さらにドーピングにより、常誘電性立方相Cと正方相Tとの間のC/T相境界、及び斜方晶相Oと菱面体晶相Rとの間のO/R相境界を調整して、C/T相境界とO/R相境界をT/O相境界へ接近させるステップS200と、
    第2鉛フリー圧電材料を取得し、具体的には、C/T相境界とO/R相境界がT/O相境界に接近する過程において、圧電定数d33、キュリー温度Tcの異なる複数種の第2鉛フリー圧電材料を取得するステップS300と、を含む鉛フリー圧電材料の取得方法。
  2. 前記ステップS200では、前記C/T相境界とO/R相境界がT/O相境界へ接近することは、さらに、
    C/T相境界、O/R相境界、及びT/O相境界が一点に集まる傾向を示す場合、又は
    C/T相境界、O/R相境界、及びT/O相境界が互いに接近であれば、明らかに一点に集まることも、暗黙的に一点に集まることもない場合を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. フリー圧電材料の成分の一般式は、(1-m-n)[(K0.5-yNa0.5+y0.96Li0.04Nb1-xSb]-m[(Bi0.5(Na1-z0.5ZrO]-nAZrO で示され、式中、0≦m≦0.02、0≦n≦0.1、0≦x≦0.07、0≦y≦0.1、z=0、1、AはCa、Mg、Baから選ばれる二価金属イオンのうちの1種又はこれらの組み合わせであることを特徴とするフリー圧電材料。
  4. 圧電定数d33の範囲が、190pC/N~670pC/Nである、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  5. キュリー温度Tcの範囲が、130℃~410℃である、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  6. キュリー温度Tcの範囲が290℃~410℃である場合、C/T相境界とT/O相境界との間の温度差が270℃~350℃であり、そのd33の範囲が、190pC/N~330pC/Nである、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  7. 前記鉛フリー圧電材料の成分は、
    0.99(K0.48Na0.520.96Li0.04NbO-0.01Bi0.50.5ZrO
    0.99(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.97Sb0.03-0.01Bi0.50.5ZrO、及び
    0.99(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.94Sb0.06-0.01Bi0.50.5ZrOのうちの1種である、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  8. Tcの範囲が200℃~290℃である場合、C/T相境界とT/O相境界との間の温度差が180℃~270℃であり、そのd33の範囲が310pC/N~460pC/Nである、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  9. 前記鉛フリー圧電材料の成分は、
    0.97(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.94Sb0.06-0.01Bi0.50.5ZrO-0.02CaZrO、及び
    0.96(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.94Sb0.06-0.01Bi0.50.5ZrO-0.03CaZrOのうちの1種である、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  10. Tcの範囲が130℃~200℃である場合、C/T相境界とT/O相境界との間の温度差が110℃~180℃であり、そのd33の範囲が460pC/N~670pC/Nである、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  11. 前記鉛フリー圧電材料の成分は、
    0.95(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.94Sb0.06-0.01Bi0.50.5ZrO-0.04CaZrO
    0.94(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.94Sb0.06-0.01Bi0.50.5ZrO-0.05CaZrO、及び
    0.935(K0.48Na0.520.96Li0.04Nb0.94Sb0.06-0.01Bi0.50.5ZrO-0.055CaZrOのうちの1種である、ことを特徴とする請求項に記載の鉛フリー圧電材料。
  12. フリー圧電材料の成分の一般式は、(1-x-y)BaTiO-x(Ba0.5Ca0.5)SnO-yBa(Mg1/3Nb2/3)O で示され、式中、0≦x≦0.2、0≦y≦0.1ある、ことを特徴とするフリー圧電材料。
  13. 圧電定数d33の範囲が300pC/N~1120pC/Nである、ことを特徴とする請求項12に記載の鉛フリー圧電材料。
  14. キュリー温度Tcの範囲が0℃~100℃である、ことを特徴とする請求項12に記載の鉛フリー圧電材料。
  15. 前記鉛フリー圧電材料の成分は、0.89BaTiO-0.11(Ba0.5Ca0.5)SnOである、ことを特徴とする請求項14に記載の鉛フリー圧電材料。
  16. 請求項3~15のいずれか1項に記載の鉛フリー圧電材料を製造するための鉛フリー圧電材料の製造プロセスであって、
    対応する化学一般式に従って、原料を選択して配合するステップT001と、
    従来の固相セラミック焼結プロセスを用いて前記鉛フリー圧電材料を製造するステップT002と、を含む鉛フリー圧電材料の製造プロセス。
  17. 前記原料は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、五酸化ニオブ、三酸化アンチモン、酸化ビスマス、ジルコニア、酸化マグネシウム、酸化スズ、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、及び炭酸バリウムから選ばれる、ことを特徴とする請求項16に記載の製造プロセス。
  18. 請求項3~15のいずれか1項に記載の鉛フリー圧電材料を用いたハード圧電セラミック又はソフト圧電セラミック。
  19. 請求項18に記載のハード圧電セラミックを用いる、ことを特徴とする高エネルギー変換器、電子素子、又は電子機器
  20. 請求項18に記載のソフト圧電セラミックを用いる、ことを特徴とするセンサ、電子素子、又は電子機器
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