JPWO2017082112A1 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
SiO+2C=SiC+CO ・・・(1)
SiO+1/2・C=1/2・SiC+1/2・SiO2 ・・・(2)
5 シリコン融液
6 シリコン単結晶
10 チャンバー
10a メインチャンバー
10b プルチャンバー
10c ガス導入口
10d ガス排出口
10e 覗き窓
11 石英ルツボ
11a 石英ルツボの上端
12 サセプタ
13 回転シャフト
14 シャフト駆動機構
15 ヒータ(カーボンヒータ)
15a 上部ヒータ
15au 上部ヒータの上部
15al 上部ヒータの下部
15a1 上部ヒータの上端
15a2 上部ヒータの下端
15b 下部ヒータ
15b1 上部ヒータの上端
15b2 上部ヒータの下端
15z1 ヒータ15の上端
15z2 ヒータ15の下端
15zu ヒータの第1の部分(上側部分)
15zl ヒータの第2の部分(下側部分)
16 断熱材
17 熱遮蔽体
17a 熱遮蔽体の開口
18 ワイヤ
19 ワイヤ巻き取り機構
Claims (6)
- チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
カーボン製のヒータを用いて石英ルツボ内のシリコン原料を加熱してシリコン融液を生成する原料融解工程と、
前記原料融解工程により生成された前記シリコン融液から単結晶を引き上げる結晶引き上げ工程とを備え、
前記原料融解工程では、
少なくとも前記石英ルツボの上端よりも上方にある前記ヒータの第1の部分の最高表面温度を1500℃未満に維持して、前記シリコン原料を加熱することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記原料融解工程では、
前記石英ルツボの上端よりも下方にある前記ヒータの第2の部分の最高表面温度を1500℃以上に昇温して、前記シリコン原料を加熱する、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記ヒータは、上下方向にそれぞれ分割配置された上部ヒータと下部ヒータとを含み、
前記上部ヒータは前記第1の部分を含み、
前記下部ヒータは前記第2の部分を含む、請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記原料融解工程において、前記石英ルツボの上端は、前記上部ヒータの上端と下端との間であって前記上端よりも前記下端に近い位置に配置される、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記原料融解工程において、前記石英ルツボの上方から前記石英ルツボおよび前記ヒータが収容されたチャンバー内に不活性ガスを導入すると共に、前記石英ルツボの下方から前記チャンバー内の前記不活性ガスを排気する、請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記原料融解工程と前記結晶引き上げ工程とを交互に繰り返すことにより、同一の石英ルツボを用いて複数本のシリコン単結晶を製造するマルチプリング方法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
複数の原料融解工程の各々では、前記ヒータの前記第1の部分の最高表面温度を1500℃未満に維持して、前記シリコン原料を加熱する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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