JP5417965B2 - 単結晶成長方法 - Google Patents
単結晶成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5417965B2 JP5417965B2 JP2009103314A JP2009103314A JP5417965B2 JP 5417965 B2 JP5417965 B2 JP 5417965B2 JP 2009103314 A JP2009103314 A JP 2009103314A JP 2009103314 A JP2009103314 A JP 2009103314A JP 5417965 B2 JP5417965 B2 JP 5417965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- defect
- raw material
- carbon heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 217
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 84
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 74
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 44
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 43
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Grown−in欠陥とは、単結晶の成長時に結晶成長速度(結晶引上げ速度)Vが比較的高速の場合、空孔型の点欠陥が集合したボイド起因の赤外線散乱体欠陥またはCOP(Crystal Originated Particle)などをいう。このように結晶成長速度Vが比較的高速の場合、Grown−in欠陥が単結晶の直径方向の全域に高密度に存在する。これらのボイド起因の欠陥が存在する領域は、V(Vacancy)領域と称されている。
したがって、例えば単結晶の引上げ中にV/Gの制御と単結晶の直径制御とを行う場合、それぞれの制御に基づき、互いに異なる条件で引上げ速度の変更を行いたくても、どちらか一方の制御だけしか行えず、その結果、単結晶引上げ中に単結晶の直径が大きく変動したり、欠陥領域などの結晶品質が所望領域から外れてしまい、歩留まりの著しい低下を招いていた。
ここで、Gc>Geのときの引上速度に対応させた欠陥分布の一例を図12に示す。この条件での欠陥分布は、シリコンウェーハの中心部にI領域が存在し、OSFリングの外側にV領域が存在するものとなる。一方、Gc<Geのときの引上速度に対応させた欠陥分布の一例を図13に示す。この条件での欠陥分布は、シリコンウェーハの中心部にV領域、OSFリングの外側にI領域というものとなる。
「前記原料融液の液面より0.5×LGの分だけ上方となる高さ位置から、前記液面より下方へ1.5×LGの高さ位置までの範囲」とは、原料融液の液面から上方へ0.5×LGの高さ位置を温度分布のピークの上限値とし、原料融液の液面から下方へ1.5×LGの高さ位置をそのピークの下限値とすることを意味している。すなわち、この上限値を基準に下限値を考えた場合、下限値はこの上限値より下方へ2.0×LGの高さ位置となる。
カーボンヒータの温度分布のピークが、原料融液の液面から上方へ0.5×LGを超えれば、石英ルツボが熱変形して単結晶成長ができなくなる。カーボンヒータの温度分布のピークの好ましい範囲は、原料融液の液面を上限値とし、この液面より下方へ1.5×LGの高さ位置を下限値とした範囲である。この範囲であれば、ルツボを熱変形させることなく原料融液の上部を高温加熱し、ルツボの底部の温度が従来に比べて下がり、融液内に溶解する酸素量が低減されて単結晶に取り込まれる酸素濃度を下げることができる。
カーボンヒータとは、カーボンからなる抵抗加熱式の円筒形状のヒータで、電気抵抗は、抵抗体(カーボン)の厚さ、すなわち断面積に反比例し、発熱量は抵抗値に比例する。カーボンヒータは、その上部が下部より薄肉化されているので、カーボンヒータの上部の発熱量はその下部の発熱量より大きくなる。
「カーボンヒータの厚さ」とは、カーボンヒータの直径方向の厚さ(幅)である。
カーボンヒータの上部の厚さは、その下部の厚さより薄ければ任意である。例えば、カーボンヒータの下部の厚さの30〜70%である。30%未満では、カーボンヒータの強度が低下し、カーボンヒータのハンドリング時に破損しやすい。また、70%を超えれば、ヒータ上部の発熱量が低下して酸素濃度が高まり、さらに所望の欠陥分布が得られない。カーボンヒータの好ましい上部の厚さは、その下部の厚さの30〜60%である。この範囲であれば、カーボンヒータの強度低下が発生することなく所望の単結晶の欠陥分布、酸素濃度が得られる。
結晶中心部の温度勾配Gcと結晶周辺部の温度勾配Geとは、単結晶温度が1300℃以上の高温部分における温度勾配である。
結晶中心部の温度勾配Gcと前記結晶周辺部の温度勾配Geとの差ΔGが0.3℃/mmを超えれば、単結晶の直径方向の欠陥分布が不均一となり、無欠陥領域の成長速度の許容範囲が小さくなる。ΔGの好ましい値は、0.25℃/mm以下である。
ここでいう無欠陥領域とは、COPおよびL/DLが検出されない領域を意味する。
カーボンヒータの温度分布のピークが、原料融液の液面を上限値とし、この液面より下方へ1.5×LGの高さ位置を下限値とした範囲であれば、ルツボを熱変形させることなく原料融液の上部を高温加熱し、ルツボの底部の温度が従来に比べて下がり、融液内に溶解する酸素量が低減されて単結晶に取り込まれる酸素濃度を下げることができる。
また、熱遮蔽板の下端と原料融液の液面との距離をLGとし、カーボンヒータの温度分布のピークが、原料融液の液面から0.5×LGの分だけ上方となる高さ位置から、この液面より下方へ1.5×LGの高さ位置までの範囲となるように、カーボンヒータの上部と下部との厚さを調整する。これにより、ルツボの変形もなく融液上部を加熱し、ルツボの底部の温度が下がり、融液内に溶解する酸素量が低減されて単結晶に取り込まれる酸素濃度が低下する。
結晶成長装置10は、中空円筒形状のチャンバ11を備えている。チャンバ11は、メインチャンバ12と、メインチャンバ12上に連設固定され、メインチャンバ12より小径なプルチャンバ13とからなる。メインチャンバ12内の中心部には、ルツボ14が、回転および昇降が可能な支持軸(ペディスタル)15の上に固定されている。ルツボ14は、内側の石英ルツボ16と外側の黒鉛ルツボ17とを組み合わせた二重構造である。
ルツボ14の中心線上には、支持軸15と同一軸心で回転および昇降が可能な引き上げ軸(ワイヤでも可能)15がプルチャンバ13を通って吊設されている。引き上げ軸15の下端には、種結晶Cが装着されている。
図1において、21は引き上げ軸15のウインチ、22は引き上げ軸15の水平旋回器である。また、Pはカーボンヒータ18の温度分布のピーク許容領域である。
ルツボ14内に結晶用シリコン原料360kgおよび不純物としてのボロンを、シリコン単結晶Sの比抵抗値が0.02Ω・cmとなる分量だけ投入する。このとき、チャンバ11内を25Torrに減圧し、100L/minの窒素ガスを含むアルゴンガスを導入する。このとき、ルツボ14の回転速度は0.1rpm、引き上げ軸15の回転速度は8rpm、シリコン単結晶Sの引き上げ速度は、結晶引き上げ長さに応じて0.4mm/min以上0.7mm/minとする(図3のグラフ)。また、熱遮蔽板20の下端と原料融液23の液面23aとの距離LGは65cm、カーボンヒータ18の温度分布のピークの許容範囲は97.5cmとする。ただし、カーボンヒータ18は、使用により劣化して薄肉となる。そのため、引き上げバッチ間で熱遮蔽板20の下端とシリコン溶融液23の液面23aとの距離を調整する。
それから、引き上げ軸15の下端に装着された種結晶Cをシリコン溶融液23に浸漬し、ルツボ14および引き上げ軸15を互いに逆方向へ回転させつつ、引き上げ軸15を軸方向に引き上げ、種結晶Cの下方にシリコン単結晶Sを成長させる。これにより、窒素元素が1×1014atoms/cm3、ボロン添加による比抵抗値が0.02Ω・cmで、胴部の直径が300mmのシリコン単結晶(インゴット)Sが徐々に引き上げられる。
カーボンヒータ18の上部18bはその下部18aに比べて薄肉で、かつ電気抵抗が大きく、その発熱量も高い。これにより、引上げ速度Vを一定の値にしてシリコン単結晶Sを引上げても、V/Gcを所望の欠陥領域のシリコン単結晶Sが育成できるように、容易に制御することができる。しかも、シリコン単結晶Sの各結晶部位の平均引上げ速度が一定の値となれば、シリコン単結晶Sの直径を高精度化するため、各結晶部位における平均引上げ速度に対して、所定範囲内でVを変動させることができる。
このように、結晶育成中にV/Gcを、酸素濃度が11×1017atoms/cc以下で、シリコン単結晶Sの欠陥領域が直径方向の全面で無欠陥領域となるように制御することで、FPDやCOPなどのボイド起因の欠陥も、またLSEPD、LFPDなどの転位ループ起因の欠陥も存在しない高品質のシリコン単結晶Sを高生産性、高歩留まりで製造することができる。
また、カーボンヒータの上部長さL2/全長L1が0.5で、カーボンヒータの上部厚さt2/下部厚さt1が1の従来条件で引き上げられたシリコン単結晶の胴部の欠陥分布の状態を図9に示す。また、その結晶部位と酸素濃度との関係を図10のグラフに示す。これらの図およびグラフから明らかなように、従来条件の場合に比べて、この発明の条件でシリコン単結晶を引き上げた場合の方が、酸素濃度が低い良質なシリコン単結晶を多量に育成することができる。
14 ルツボ、
16 石英ルツボ、
17 カーボンルツボ
18 カーボンヒータ、
18a 下部、
18b 上部、
20 熱遮蔽板、
23 シリコン溶融液(原料融液)、
23a 液面、
S シリコン単結晶(単結晶)。
Claims (4)
- チャンバー内に設けられ、内部に投入された原料を溶融して原料融液が形成されるルツボと、
前記ルツボの壁部と同心円状に配置されたカーボンヒータと、
その下端が前記原料融液の液面に対向配置された円形の熱遮蔽板と、を有する結晶成長装置を用い、チョクラルスキー法によって、前記原料融液から単結晶を引き上げる単結晶製造方法において、
前記単結晶を引き上げる際、該単結晶の直胴部を成長させるときの引上げ速度をV(mm/min)、結晶中心部の固液界面近傍の結晶温度勾配をGc(℃/mm)、結晶周辺部の固液界面近傍の結晶温度勾配をGe(℃/mm)で表したとき、下部より上部の方が薄肉なカーボンヒータを使用し、前記結晶中心部の温度勾配Gcと前記結晶周辺部の温度勾配Geとの差ΔG=|(Gc−Ge)|が0.3℃/mm以下となるように前記原料融液および前記単結晶を加熱するとともに、所望の欠陥領域を有する前記単結晶が引き上げ可能なように引上げ速度Vを制御し、
前記熱遮蔽板の下端と、前記原料融液の液面との距離をLGとし、
前記カーボンヒータの温度分布における温度のピークが、前記原料融液の液面より0.5×LGの分だけ上方となる高さ位置から、前記液面より下方へ1.5×LGの高さ位置までの範囲となるように、前記カーボンヒータの上部と下部との厚さを調整し、
前記単結晶の引き上げバッチ間で、前記LGを調整する単結晶製造方法。 - 前記ΔGを、前記単結晶の欠陥領域が直径方向の全面にわたって無欠陥領域となるように制御する請求項1に記載の単結晶製造方法。
- 前記ΔGを、酸素濃度が11×1017atoms/cc以下で、かつ前記単結晶の欠陥領域が直径方向の全面にわって無欠陥領域となるように制御する請求項1に記載の単結晶製造方法。
- 前記カーボンヒータの温度分布のピークが、前記原料融液の液面の高さ位置から、前記液面より下方へ1.5×LGの高さ位置までの範囲となるように、前記カーボンヒータの上部と下部との厚さを調整する請求項1〜請求項3のうちいずれか1項に記載の単結晶製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009103314A JP5417965B2 (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | 単結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009103314A JP5417965B2 (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | 単結晶成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010254487A JP2010254487A (ja) | 2010-11-11 |
JP5417965B2 true JP5417965B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=43315874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009103314A Active JP5417965B2 (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | 単結晶成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5417965B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108350603A (zh) * | 2015-11-13 | 2018-07-31 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103160913A (zh) * | 2011-12-18 | 2013-06-19 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法 |
JP5978724B2 (ja) * | 2012-04-06 | 2016-08-24 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
CN110923807B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-08 | 宁晋晶兴电子材料有限公司 | 提高单晶硅品质的热场及方法 |
CN115044966B (zh) * | 2022-05-26 | 2024-02-09 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种加热器及其工作方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4739478Y1 (ja) * | 1967-08-25 | 1972-11-29 | ||
JPS4910883A (ja) * | 1972-05-31 | 1974-01-30 | ||
JPS6153186A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Nec Corp | 抵抗加熱用ヒ−タ |
JPS62223090A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上装置 |
JP3099403B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-10-16 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 |
JPH0543385A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-02-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Si単結晶引上炉用炭素ヒーター |
JP2570348Y2 (ja) * | 1991-11-28 | 1998-05-06 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶成長装置 |
JPH0660080B2 (ja) * | 1992-05-29 | 1994-08-10 | ソニー株式会社 | 単結晶成長装置 |
JPH0710682A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | Toshiba Corp | 単結晶の引上方法及びその製造装置 |
JP4016471B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-12-05 | 株式会社Sumco | 結晶育成方法 |
JP3788116B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2006-06-21 | 株式会社Sumco | 単結晶成長用多機能ヒーターおよび単結晶引上装置 |
JP2005015312A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶 |
JP2005015313A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶 |
-
2009
- 2009-04-21 JP JP2009103314A patent/JP5417965B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108350603A (zh) * | 2015-11-13 | 2018-07-31 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
CN108350603B (zh) * | 2015-11-13 | 2020-11-13 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010254487A (ja) | 2010-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW522456B (en) | Silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same | |
JP4814207B2 (ja) | シリコン半導体ウェハを製造する方法及び装置 | |
JP2010100474A (ja) | シリコン単結晶引上げ水平磁場の最適化方法およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP5417965B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
JP5283543B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JPH10101482A (ja) | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 | |
JP2019206451A (ja) | シリコン単結晶の製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ及びシリコン単結晶基板 | |
WO2004061166A1 (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
JP2005162599A (ja) | 均一なベイカンシ欠陥を有するシリコン単結晶インゴット、シリコンウエハ、シリコン単結晶インゴットの製造装置、及びシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
JP3601328B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびこの方法で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ | |
JP4193610B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP2005015312A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
JP4151474B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
JP2005015313A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
JP4457584B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
CN109415842B (zh) | 单晶硅的制造方法 | |
JP5223513B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP5489064B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP2007284324A (ja) | 半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP5617812B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハ、エピタキシャルウエーハ、及びそれらの製造方法 | |
JP2005015287A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | |
JP2005015290A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
JP2001261482A (ja) | 単結晶育成方法 | |
JP4218460B2 (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 | |
JP2007210820A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131022 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5417965 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |