JPS6153186A - 抵抗加熱用ヒ−タ - Google Patents
抵抗加熱用ヒ−タInfo
- Publication number
- JPS6153186A JPS6153186A JP17547084A JP17547084A JPS6153186A JP S6153186 A JPS6153186 A JP S6153186A JP 17547084 A JP17547084 A JP 17547084A JP 17547084 A JP17547084 A JP 17547084A JP S6153186 A JPS6153186 A JP S6153186A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- resistance heating
- opening
- thickness
- crucible
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高圧液体封止法により砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）、燐化ガリウム（Ｉｎｋ）等の化合物半導体結晶成長
に用いられる抵抗加熱用ヒータに関するものである。
）、燐化ガリウム（Ｉｎｋ）等の化合物半導体結晶成長
に用いられる抵抗加熱用ヒータに関するものである。
（従来の技術）
一般に化合物半導体材料のＧａＡｓ 、 ＧａＰ 、
Ｉ ｎＰ等の融点において蒸気圧の高い物質を含む原料
を引上法で結晶成長する場合、高圧液体封止法（Ｌｉ−
ｇｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｃｚｏｃｈｒ
ａｌｓｋｉ 、以後ＩＪＣ法と呼ぶ）が用いられる。Ｌ
ＥＣ法によって（ｊａＡｓ。
Ｉ ｎＰ等の融点において蒸気圧の高い物質を含む原料
を引上法で結晶成長する場合、高圧液体封止法（Ｌｉ−
ｇｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｃｚｏｃｈｒ
ａｌｓｋｉ 、以後ＩＪＣ法と呼ぶ）が用いられる。Ｌ
ＥＣ法によって（ｊａＡｓ。
Ｇａｐ、ＩｎＰ等の融点において解離圧の高い換装を成
長する場合、不活性ガスを加圧雰囲気とし、酸化硼素（
ＢｚＯａ）を封止剤として用いる。
長する場合、不活性ガスを加圧雰囲気とし、酸化硼素（
ＢｚＯａ）を封止剤として用いる。
半導体デバイスに用いられる結晶例えばＧａＡｓ１Ｇａ
Ｐ、ＩｎＰ等は直径の大型化が進み単結晶の品質向上、
工程上の歩留り向上のためにも均一な直径をした結晶が
要求される。特に、ＧａＡｓにおいては、高速デバイス
用として半絶縁性基板で低欠陥、および均一性の高い優
れた品質のものが要求されている。このため、従来から
Ｇ ａ Ａ ｓ結晶成長方法は高周波訴導加熱と抵抗加
熱があるが一般的には抵抗加熱式が用いられている。
Ｐ、ＩｎＰ等は直径の大型化が進み単結晶の品質向上、
工程上の歩留り向上のためにも均一な直径をした結晶が
要求される。特に、ＧａＡｓにおいては、高速デバイス
用として半絶縁性基板で低欠陥、および均一性の高い優
れた品質のものが要求されている。このため、従来から
Ｇ ａ Ａ ｓ結晶成長方法は高周波訴導加熱と抵抗加
熱があるが一般的には抵抗加熱式が用いられている。
従来の抵抗加熱用ヒータは、第２図に示すように、加熱
部１０の厚さは均一で６關であった。このヒータでは開
口部より下部の温度が高くなる。
部１０の厚さは均一で６關であった。このヒータでは開
口部より下部の温度が高くなる。
そのために封止済のＢ、０３が軟化して坩堝表面をａう
まで長い時間を要した。ＢｚＯ３Ｃ軟化温度４５０℃）
の軟化速度は温度に依存し高温はど短時間で軟化する。
まで長い時間を要した。ＢｚＯ３Ｃ軟化温度４５０℃）
の軟化速度は温度に依存し高温はど短時間で軟化する。
しかしＡｓの蒸気圧は高温はど急激に増加するためＢ２
Ｏ３が完全に軟化しないうちにＡｓの加熱温度が高くな
りＡｓが先に蒸発してしまう場合が多い。Ｇ ａ Ａ
ｓ直接合成が行なわれる前に相蟲量のＡｓが蒸発して失
われると融液の組成比が大幅にずれこのような融液から
結晶成長した場合、多結晶に成長しやすく極端に単結晶
化率が低下してしまう欠点をもっている。この事情は他
のＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等の引上げ成長でも同様で
ある。
Ｏ３が完全に軟化しないうちにＡｓの加熱温度が高くな
りＡｓが先に蒸発してしまう場合が多い。Ｇ ａ Ａ
ｓ直接合成が行なわれる前に相蟲量のＡｓが蒸発して失
われると融液の組成比が大幅にずれこのような融液から
結晶成長した場合、多結晶に成長しやすく極端に単結晶
化率が低下してしまう欠点をもっている。この事情は他
のＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等の引上げ成長でも同様で
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
このように、従来の抵抗加熱用ヒータでは底部が上部よ
りもはやく高温になるため均一な組成の化合物半導体が
得についという欠点があった。
りもはやく高温になるため均一な組成の化合物半導体が
得についという欠点があった。
本発明の目的は化合物半導体結晶の精製に際し、融液の
組成ずれが少なくなる抵抗加熱ヒータを抵供することで
ある。
組成ずれが少なくなる抵抗加熱ヒータを抵供することで
ある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば高圧液体封止法に用いる抵抗加熱ヒータ
の厚さを開口部より全長の丁まではそれよ）下部の厚さ
のＴにした抵抗加熱用ヒータを得る。
の厚さを開口部より全長の丁まではそれよ）下部の厚さ
のＴにした抵抗加熱用ヒータを得る。
（作用）
本発明は上述の構成をとることにより従来技術の問題点
を解決した。すなわち、坩堝の中にＧａＡｓ原料を合成
するに必要なＧａＡｓを当量比１：１に秤量したＧａと
Ａｓの上に封止剤のＢ２Ｏ３をのせ、坩堝を本発明にか
かる抵抗加熱ヒータ内に納め、このヒータに電流を通す
と開口部の肉厚を薄くしたしたこと罠よって他の部分よ
り温度上昇が早く封止剤のＢ２Ｏ３の軟化時間が早くな
る。このためＡｓの蒸発量がおさえられ、組成の均一な
化合物中ｄキ・体を高収率で得られる。
を解決した。すなわち、坩堝の中にＧａＡｓ原料を合成
するに必要なＧａＡｓを当量比１：１に秤量したＧａと
Ａｓの上に封止剤のＢ２Ｏ３をのせ、坩堝を本発明にか
かる抵抗加熱ヒータ内に納め、このヒータに電流を通す
と開口部の肉厚を薄くしたしたこと罠よって他の部分よ
り温度上昇が早く封止剤のＢ２Ｏ３の軟化時間が早くな
る。このためＡｓの蒸発量がおさえられ、組成の均一な
化合物中ｄキ・体を高収率で得られる。
（実施例）
以下本発明を図面を参照してより詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
Ｇａ５とＡｓ３を坩堝４の中に入れ、Ｇａ５とＡｓ３の
上にＢ２０３１をのせ、坩堝４をサセプター２をテセプ
ター支持台６上に挿入し、サセプター２を加熱ヒータ７
内に設置する。高圧装置内を不活性ガスで加圧しながら
サセプター２を加熱していく。加熱ヒータ７の開口部か
らＴまでの肉厚をそれより底部の厚さのＴにしであるの
で、ヒータ７の開口部の温度上昇が早くなる。このため
にＢ２０３１の軟化が早（Ａｓ３の蒸発するまえに坩堝
４の表面を覆ってしまうのでＧａ５とＡｓ３が合成する
まえにＡｓ３が蒸発する量をきわめて少くできる。
上にＢ２０３１をのせ、坩堝４をサセプター２をテセプ
ター支持台６上に挿入し、サセプター２を加熱ヒータ７
内に設置する。高圧装置内を不活性ガスで加圧しながら
サセプター２を加熱していく。加熱ヒータ７の開口部か
らＴまでの肉厚をそれより底部の厚さのＴにしであるの
で、ヒータ７の開口部の温度上昇が早くなる。このため
にＢ２０３１の軟化が早（Ａｓ３の蒸発するまえに坩堝
４の表面を覆ってしまうのでＧａ５とＡｓ３が合成する
まえにＡｓ３が蒸発する量をきわめて少くできる。
Ｂ２０３１が完全に軟化し坩堝４の表面を封止したのち
、不活性ガスを７０気圧まで加圧し、丈セブター２温贋
を上昇でせて化学話論的組成比を保ったＧａＡｓ原料液
が合成される。
、不活性ガスを７０気圧まで加圧し、丈セブター２温贋
を上昇でせて化学話論的組成比を保ったＧａＡｓ原料液
が合成される。
（発明の効果）
本発明のように加熱ヒータの開口部より了までのヒータ
ーの肉厚をそれよシ下部のヒーターの肉厚のＴにするこ
とによ’）、Ｂ２Ｏ３の加熱を促進し軟化を早めること
ができ、従来のものを用いたときよシ得られる化合物半
導体の組成ずれが緩和され単結晶化率が向上すると共に
成長結晶の品質も向上した。
ーの肉厚をそれよシ下部のヒーターの肉厚のＴにするこ
とによ’）、Ｂ２Ｏ３の加熱を促進し軟化を早めること
ができ、従来のものを用いたときよシ得られる化合物半
導体の組成ずれが緩和され単結晶化率が向上すると共に
成長結晶の品質も向上した。
本発明においてはＧａＡｓ結晶成長を例にとったがＩ
ｎ Ａ ｓ等の結晶成長を行なっても同じ効果が得られ
たことは言うまでもない。
ｎ Ａ ｓ等の結晶成長を行なっても同じ効果が得られ
たことは言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例による加熱ヒータの部分切断
斜視図である。 第２図は従来の加熱ヒータの断面図である。 ｌ・・・・・・酸化硼素、２・・・・・・サセプター、
３・・・・・・砒素、４・・・・・・坩堝、５・・・・
・・ガリウム、６・・・・・・サセプター支持台、１ｏ
・・・・・・従来のヒータ。
斜視図である。 第２図は従来の加熱ヒータの断面図である。 ｌ・・・・・・酸化硼素、２・・・・・・サセプター、
３・・・・・・砒素、４・・・・・・坩堝、５・・・・
・・ガリウム、６・・・・・・サセプター支持台、１ｏ
・・・・・・従来のヒータ。
Claims (1)
- 高圧結晶引上装置内に設置する加熱用ヒータにおいて、
該加熱用ヒータの開口部より全長の１／３までの厚さを
それより下部のヒータの厚さの１／２にしたことを特徴
とする抵抗加熱用ヒータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17547084A JPS6153186A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 抵抗加熱用ヒ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17547084A JPS6153186A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 抵抗加熱用ヒ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153186A true JPS6153186A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=15996618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17547084A Pending JPS6153186A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 抵抗加熱用ヒ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153186A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62223090A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上装置 |
| JP2010254487A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Sumco Corp | 単結晶成長方法 |
| TWI622672B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半導體科技有限公司 | 新型加熱器及單晶提拉爐熱場結構 |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17547084A patent/JPS6153186A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62223090A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上装置 |
| JP2010254487A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Sumco Corp | 単結晶成長方法 |
| TWI622672B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半導體科技有限公司 | 新型加熱器及單晶提拉爐熱場結構 |
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