JPS59203793A - 半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法 - Google Patents
半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法Info
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- JPS59203793A JPS59203793A JP7889983A JP7889983A JPS59203793A JP S59203793 A JPS59203793 A JP S59203793A JP 7889983 A JP7889983 A JP 7889983A JP 7889983 A JP7889983 A JP 7889983A JP S59203793 A JPS59203793 A JP S59203793A
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- crystal
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は微量のクロム（Ｏｒ）を均一に分布した高品
質半絶縁性ガリウム砒素（ＧａＡｓ）単結−コ − 晶の製造方法に関する。
質半絶縁性ガリウム砒素（ＧａＡｓ）単結−コ − 晶の製造方法に関する。
■−ｖ族化合物の中でもＧα八へは電子移動度が大きく
、超高速集積回路、光−電子集積回路の素子用結晶基板
として、広く用いられつつある。このようにＧａＡｓが
注目を浴びているのは高品質のＧａＡｓは比抵抗が１０
’Ω・ｍ以上と高絶縁性になること、結晶内の欠陥が少
く、分布が均一であるものが得られること、大型ウェハ
ーの製造が容易であること等が挙げられる。このような
要求を満すＧαＡ８単結晶の製造方法とし・ＧａＡａ多
結晶を原料とするため、不純物主とし・てシリコン（８
１）が含まれ半絶縁性とするためのクロム（Ｏｒ）の添
加を必要としていた。このＯｒの添加濃度は５重量ｐｐ
ｍ以上ではＯｒの析出があり好ましくない。Ｏｒの添加
濃度が３〜５重量ｐｐｍ程度では成長した結晶の熱変成
に大−３＝ きな問題があり、更にＯｒの添加濃度を１〜２重量ｐｐ
ｍと低濃度としても未だに熱変成について問題が残り、
また結晶全体に亘ってＯｒを均一に分布制御することが
困難であった。
、超高速集積回路、光−電子集積回路の素子用結晶基板
として、広く用いられつつある。このようにＧａＡｓが
注目を浴びているのは高品質のＧａＡｓは比抵抗が１０
’Ω・ｍ以上と高絶縁性になること、結晶内の欠陥が少
く、分布が均一であるものが得られること、大型ウェハ
ーの製造が容易であること等が挙げられる。このような
要求を満すＧαＡ８単結晶の製造方法とし・ＧａＡａ多
結晶を原料とするため、不純物主とし・てシリコン（８
１）が含まれ半絶縁性とするためのクロム（Ｏｒ）の添
加を必要としていた。このＯｒの添加濃度は５重量ｐｐ
ｍ以上ではＯｒの析出があり好ましくない。Ｏｒの添加
濃度が３〜５重量ｐｐｍ程度では成長した結晶の熱変成
に大−３＝ きな問題があり、更にＯｒの添加濃度を１〜２重量ｐｐ
ｍと低濃度としても未だに熱変成について問題が残り、
また結晶全体に亘ってＯｒを均一に分布制御することが
困難であった。
一方、直接原料の合成を行う高圧封止ぢ１き上げ法はＯ
ｒの添加は不要であるが、結晶原料である龜とＡ８及び
液体封止剤である酸化ボロン（Ｂ。
ｒの添加は不要であるが、結晶原料である龜とＡ８及び
液体封止剤である酸化ボロン（Ｂ。
０３）を高圧下で加熱、合成するため、ルツボ内で溶融
している結晶原料融液は熱対流により極めて不安定な状
態となり、そのような状態で結晶成長操作を行っている
ため固液界面の形状が激しく変動し、生成する結晶には
融液の熱変動による成長縞やＧａＡ ａ特有の固有欠陥
ＥＬ２準位が基板に形成した欠陥は除くことができない
ため、電気特性、素子特性が均一である集積回路を再現
性良く製造することは困難であった。
している結晶原料融液は熱対流により極めて不安定な状
態となり、そのような状態で結晶成長操作を行っている
ため固液界面の形状が激しく変動し、生成する結晶には
融液の熱変動による成長縞やＧａＡ ａ特有の固有欠陥
ＥＬ２準位が基板に形成した欠陥は除くことができない
ため、電気特性、素子特性が均一である集積回路を再現
性良く製造することは困難であった。
この発明の目的は成長する結晶の品質を制御して高純度
、低欠陥でしかも熱安定性の良く電気抵抗Ｉ Ｘ １０
＠Ω・ｍ以上を有する半絶縁性ＧｔｔＡ、ｓ単結晶を再
現性良く製造する方法を提供することにある。
、低欠陥でしかも熱安定性の良く電気抵抗Ｉ Ｘ １０
＠Ω・ｍ以上を有する半絶縁性ＧｔｔＡ、ｓ単結晶を再
現性良く製造する方法を提供することにある。
このため、本発明による半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造
方法は高圧液体封止引き上げ法により単結晶を成長させ
る際にＯｒを低濃度含むＧαＡｇ融液を用い、融液の温
度変動幅が１℃以下となるような磁場を印加する。この
ように低濃度のＯｒを含んだＧα八へ融液に対して磁場
を印加しながら結晶成長を行うことにより、結晶原料融
液の対流は抑制され、固液界面が安定な状態で結晶成長
が行われるため、Ｃｒの含有量が微量にも拘らず成長す
る結晶に均一に分布し、抵抗値がｉｏ’Ω・副以上とな
り、ＧαＡ８固有の深い不純物レベルが低減して高品質
なＧａＡｓ単結晶が形成されること−タ − ＫＴｏの装置を第１図の概略図により説明すると、ｌは
高圧容器であって、この高圧容器／内にはその外周を炭
素材料等の支持部材ダで覆れたルツボ３を設け、このル
ツボ３を回転支持軸ヲにより回転且つ上下動できるよう
に支持し、ルツボ３の周囲には加熱炉コを設けて、ルツ
ボを所定の温度に加熱、維持する。ルツボ３の上部には
下端に種結晶りを取付けた引き上げ軸ｇを設け、この引
き上げ軸は回転すると共に上下動するように構成する。
方法は高圧液体封止引き上げ法により単結晶を成長させ
る際にＯｒを低濃度含むＧαＡｇ融液を用い、融液の温
度変動幅が１℃以下となるような磁場を印加する。この
ように低濃度のＯｒを含んだＧα八へ融液に対して磁場
を印加しながら結晶成長を行うことにより、結晶原料融
液の対流は抑制され、固液界面が安定な状態で結晶成長
が行われるため、Ｃｒの含有量が微量にも拘らず成長す
る結晶に均一に分布し、抵抗値がｉｏ’Ω・副以上とな
り、ＧαＡ８固有の深い不純物レベルが低減して高品質
なＧａＡｓ単結晶が形成されること−タ − ＫＴｏの装置を第１図の概略図により説明すると、ｌは
高圧容器であって、この高圧容器／内にはその外周を炭
素材料等の支持部材ダで覆れたルツボ３を設け、このル
ツボ３を回転支持軸ヲにより回転且つ上下動できるよう
に支持し、ルツボ３の周囲には加熱炉コを設けて、ルツ
ボを所定の温度に加熱、維持する。ルツボ３の上部には
下端に種結晶りを取付けた引き上げ軸ｇを設け、この引
き上げ軸は回転すると共に上下動するように構成する。
高圧容器ｌの外周には一対の磁界印加装置／／を設け、
ルツボ３内の結晶原料融液りに磁場Ｂが印加されるよう
にする。
ルツボ３内の結晶原料融液りに磁場Ｂが印加されるよう
にする。
上記の如き構成の装置において、ルツボ３には［有］、
Ａｓ及びＯｒをそれぞれ所定量入れ、更に液体封止剤と
してＢ、０３を入れた上、ルツボを高圧容器／内に設置
し、アルゴン、窒素等の不活性ガスにより容器内を加圧
し、加熱炉コにより結晶原料の溶融温度以上の温度で加
熱してルツボ内の結晶原料及び封止剤を溶融させる。
Ａｓ及びＯｒをそれぞれ所定量入れ、更に液体封止剤と
してＢ、０３を入れた上、ルツボを高圧容器／内に設置
し、アルゴン、窒素等の不活性ガスにより容器内を加圧
し、加熱炉コにより結晶原料の溶融温度以上の温度で加
熱してルツボ内の結晶原料及び封止剤を溶融させる。
Ｏｒの添加量は結晶原料融液中の不純物（主と＝ ６−
して８ｉ ）濃度により決定すべきで、従来の如く製の
ものを用いることによりＣｒの添加量を少くすることが
できる。更に結晶原料融液を後に説明するような低圧蒸
留精製処理することにより不純物濃度の低減化を計るこ
とができ、Ｏｒの添加量を減少させることができる。い
ずれの場合においても、形成した結晶のＯｒの含有量が
３ Ｘ １０”Ａｒ＋！ （０，０５重量ｐｐｒｎ ）
程度以下の値となるような添加量とすることにより、Ｏ
ｒの添加による結晶欠陥の発生は抑制することができる
ので、結晶原料融液の不純物濃度が上述の値よりも高い
場合は低くなるように調整して用いるのが望ましい。
ものを用いることによりＣｒの添加量を少くすることが
できる。更に結晶原料融液を後に説明するような低圧蒸
留精製処理することにより不純物濃度の低減化を計るこ
とができ、Ｏｒの添加量を減少させることができる。い
ずれの場合においても、形成した結晶のＯｒの含有量が
３ Ｘ １０”Ａｒ＋！ （０，０５重量ｐｐｒｎ ）
程度以下の値となるような添加量とすることにより、Ｏ
ｒの添加による結晶欠陥の発生は抑制することができる
ので、結晶原料融液の不純物濃度が上述の値よりも高い
場合は低くなるように調整して用いるのが望ましい。
ルツボ３内の原料が完全に溶融し、上部に液体封止剤と
してＢ、０３溶融層６が、下部にＧｃＬＡ８融液層りが
形成したら、引き上げ軸ｇを下降させ、＝ ７一 種結晶７をＧαＡ８融液層夕と接触させ、種結晶７を所
定の速度で回転させながら引き上げて０ａｋｓ結晶１０
を成長させるのであるが、容器内は２０〜３０気圧、約
１２６０℃であって、ルツボ内のＧＩＺＡＪＩ融液は熱
対流が激しく起っており、このような不そこでこの発明
においては、種結晶りをルツボ３内のＧ（ＥＡ ｓ融液
夕に接触した時点で、融液に対し、磁界印加装置／／に
より磁場を印加する。
してＢ、０３溶融層６が、下部にＧｃＬＡ８融液層りが
形成したら、引き上げ軸ｇを下降させ、＝ ７一 種結晶７をＧαＡ８融液層夕と接触させ、種結晶７を所
定の速度で回転させながら引き上げて０ａｋｓ結晶１０
を成長させるのであるが、容器内は２０〜３０気圧、約
１２６０℃であって、ルツボ内のＧＩＺＡＪＩ融液は熱
対流が激しく起っており、このような不そこでこの発明
においては、種結晶りをルツボ３内のＧ（ＥＡ ｓ融液
夕に接触した時点で、融液に対し、磁界印加装置／／に
より磁場を印加する。
印加する磁場の強さは結晶原料融液の固液界面近傍の温
度変動幅が１℃以下となるような値であって、具体的に
は結晶引き上げ装置の構成、規模により異なるが、１２
００ガウス程度以上の磁場の印加が必要であり、印加す
る磁場が大きくなればそれだけＧａＡ３融液中の熱対流
は抑制され、温度変動幅は小さくなり、効果が顕著とな
る。
度変動幅が１℃以下となるような値であって、具体的に
は結晶引き上げ装置の構成、規模により異なるが、１２
００ガウス程度以上の磁場の印加が必要であり、印加す
る磁場が大きくなればそれだけＧａＡ３融液中の熱対流
は抑制され、温度変動幅は小さくなり、効果が顕著とな
る。
このようにＧａＡ８融液に磁場を印加すると、Ｇａｐｓ
融液中に起っていた熱対流は抑制され、種結晶をＧａＡ
８融液に接触、引き上げて結晶成長を行うと、固液界面
は穏やかな状態となっているため、成長縞の発生もなく
、ＧａＡ３結晶特有の固有欠陥濃度が低減し、高品質の
結晶が成長する。
融液中に起っていた熱対流は抑制され、種結晶をＧａＡ
８融液に接触、引き上げて結晶成長を行うと、固液界面
は穏やかな状態となっているため、成長縞の発生もなく
、ＧａＡ３結晶特有の固有欠陥濃度が低減し、高品質の
結晶が成長する。
更に、これまで結晶内へのＯｒの取り込みが悪いため、
融液中の不純物量に対してはるかに多量のＯｒを添加し
た融液を用いて結晶成長を行っていたが、この発明にお
いては固液界面における対流が抑制されているため融液
中の不純物濃度α以上となり、単結晶の融液に対する同
化率を′０７以上としても、結晶の頭部から尾部までの
Ｏｒ、、の含有濃度は実質的に均一であって、抵抗値も
結晶全体に亘って１０８０・ｍ以上となる。
融液中の不純物量に対してはるかに多量のＯｒを添加し
た融液を用いて結晶成長を行っていたが、この発明にお
いては固液界面における対流が抑制されているため融液
中の不純物濃度α以上となり、単結晶の融液に対する同
化率を′０７以上としても、結晶の頭部から尾部までの
Ｏｒ、、の含有濃度は実質的に均一であって、抵抗値も
結晶全体に亘って１０８０・ｍ以上となる。
尚、ルツボ内の原料が完全に溶融して上部にＢ２Ｏ３溶
融液層が、下部にＧａｐｓ融液層が形成した時点で、高
圧容器内の温度をそのままにして圧力のみを２〜５気圧
に減圧する。その結果、 ９− ＧαＡ８融液層から多数の気泡が発生し、融液中を上昇
して容器内の気相中へ発散する。このとき融液内の水分
、不純物などは気泡に含まれ成るいは気泡に付着して除
去される。このようにＧａＡ３融液を結晶成長引き上げ
操作を行う前に低圧蒸溜精製処理を行うことにより融液
中の不純物の含有量が減少し、Ｏｒの添加量を減少する
ことができる。
融液層が、下部にＧａｐｓ融液層が形成した時点で、高
圧容器内の温度をそのままにして圧力のみを２〜５気圧
に減圧する。その結果、 ９− ＧαＡ８融液層から多数の気泡が発生し、融液中を上昇
して容器内の気相中へ発散する。このとき融液内の水分
、不純物などは気泡に含まれ成るいは気泡に付着して除
去される。このようにＧａＡ３融液を結晶成長引き上げ
操作を行う前に低圧蒸溜精製処理を行うことにより融液
中の不純物の含有量が減少し、Ｏｒの添加量を減少する
ことができる。
この発明によるＧαＡ８単結晶の製造方法は上述の説明
で明らかなように、従来法では１０８Ω・α以上の高抵
抗の結晶が形成しないような低濃度のＯｒを含んだＧａ
Ａ８融液に磁界を印加しながら引による影響は見られず
、超高速集積回路、光−電子集積回路の基板結晶として
信頼性の高いものを再現性良く供し得ることができる。
で明らかなように、従来法では１０８Ω・α以上の高抵
抗の結晶が形成しないような低濃度のＯｒを含んだＧａ
Ａ８融液に磁界を印加しながら引による影響は見られず
、超高速集積回路、光−電子集積回路の基板結晶として
信頼性の高いものを再現性良く供し得ることができる。
次にこの発明の実施例を述べる。
実施例１
１０−
第１図に示すような構造の単結晶製造装置において、内
径１００ｍｍ５深さ１００ ｎｕｎのパイロリテツク窒
化ボロン製ルツボに（Ｅａ ５００ ｆ 、 Ａｓ ６
００ ？、Ｏｒ ２８０ ｍｆ／、Ｂ２０３１８０ Ｆ
を入れ、高圧容器内に設置してアルゴンガスを圧入し約
５０気圧にした後、ルツボを１３００℃に加熱して、上
部にＢ２Ｏ３溶融液層が、下部にＧｃＬＡｓ融液層が形
成した時点で容器内の圧力を５気圧にして３０分間放置
した後２０気圧に加圧した。この低圧蒸溜精製を３回繰
返した後に再び２０気圧に加圧し、融液に１２５０ガウ
スの磁場を印加した。Ｇａ八へ融液内での熱変動幅は約
１５℃であったが、上記の磁場の印加によりｏ、ｉ℃以
下となった。次に、磁場を印加・した状態で種結晶をＧ
ａＡ８融液に接触させ、種結晶を１分間６回転の制合で
回転させながら１時間９ ｍｍの速よる不規則な成長縞
は見られず、極めて安定し−／／− た状態で結晶が成長していたことが示されていた。また
結晶の固化率は約０．７５であって、結晶の頭部から尾
部に亘ってＯｒの濃度は３ Ｘ １０”／ｃ４以下であ
り、抵抗値は１０’Ω・副以上であって、ウェハーにし
て８５０℃で加熱処理しても抵抗値の変化は殆ど見られ
なかった。結晶中のＧａＡ３固有の結晶欠陥ＥＬ、準位
が３ Ｘ １０”／ｃ／を以下であった。
径１００ｍｍ５深さ１００ ｎｕｎのパイロリテツク窒
化ボロン製ルツボに（Ｅａ ５００ ｆ 、 Ａｓ ６
００ ？、Ｏｒ ２８０ ｍｆ／、Ｂ２０３１８０ Ｆ
を入れ、高圧容器内に設置してアルゴンガスを圧入し約
５０気圧にした後、ルツボを１３００℃に加熱して、上
部にＢ２Ｏ３溶融液層が、下部にＧｃＬＡｓ融液層が形
成した時点で容器内の圧力を５気圧にして３０分間放置
した後２０気圧に加圧した。この低圧蒸溜精製を３回繰
返した後に再び２０気圧に加圧し、融液に１２５０ガウ
スの磁場を印加した。Ｇａ八へ融液内での熱変動幅は約
１５℃であったが、上記の磁場の印加によりｏ、ｉ℃以
下となった。次に、磁場を印加・した状態で種結晶をＧ
ａＡ８融液に接触させ、種結晶を１分間６回転の制合で
回転させながら１時間９ ｍｍの速よる不規則な成長縞
は見られず、極めて安定し−／／− た状態で結晶が成長していたことが示されていた。また
結晶の固化率は約０．７５であって、結晶の頭部から尾
部に亘ってＯｒの濃度は３ Ｘ １０”／ｃ４以下であ
り、抵抗値は１０’Ω・副以上であって、ウェハーにし
て８５０℃で加熱処理しても抵抗値の変化は殆ど見られ
なかった。結晶中のＧａＡ３固有の結晶欠陥ＥＬ、準位
が３ Ｘ １０”／ｃ／を以下であった。
実施例２
実施例１と同様な方法にて純度７Ｎの［有］とＭを用い
てＧαＡ８融液（Ｏｒ添加量２８０■）を形成した後に
低圧蒸溜精製を行わずに、１２５０ガウスの磁場を印加
して、結晶成長を行った。結晶成長条件は実施例１と同
じであって、結晶が約１５肺生成した時点で磁場の印加
のみを停止し、更に約１２胴生成した時点で再び１２５
０ガウスの磁場を印加して、長さ約５０ｍｍのＧａＡｓ
単結晶を得た。
てＧαＡ８融液（Ｏｒ添加量２８０■）を形成した後に
低圧蒸溜精製を行わずに、１２５０ガウスの磁場を印加
して、結晶成長を行った。結晶成長条件は実施例１と同
じであって、結晶が約１５肺生成した時点で磁場の印加
のみを停止し、更に約１２胴生成した時点で再び１２５
０ガウスの磁場を印加して、長さ約５０ｍｍのＧａＡｓ
単結晶を得た。
この結晶の成長方向の抵抗値及び固有欠陥濃度を測定し
た結果、第２図（４）、ａ３）に示すような結果が得ら
れた。即ち、磁場を印加した状態で止して生成した結晶
の抵抗値は５ Ｘ １０’〜ｓ ｘ ｔｏ’Ω＠副と低
くなり且つバラツキが見られた。一方、固有欠陥濃度は
第２図ＣＢ）に示すように磁場を印加した時の結晶の場
合３ Ｘ １０１ｆｉ以下であり、磁場の印加を停止し
た時の結晶の場合、５ Ｘ １０１６〜８ Ｘ １０”
と著しく高くなった。そして、磁場を掛けて作成した結
晶には熱変成は見られなかった。
た結果、第２図（４）、ａ３）に示すような結果が得ら
れた。即ち、磁場を印加した状態で止して生成した結晶
の抵抗値は５ Ｘ １０’〜ｓ ｘ ｔｏ’Ω＠副と低
くなり且つバラツキが見られた。一方、固有欠陥濃度は
第２図ＣＢ）に示すように磁場を印加した時の結晶の場
合３ Ｘ １０１ｆｉ以下であり、磁場の印加を停止し
た時の結晶の場合、５ Ｘ １０１６〜８ Ｘ １０”
と著しく高くなった。そして、磁場を掛けて作成した結
晶には熱変成は見られなかった。
第１図はこの発明を実施するための単結晶製造装置の一
例を示す概略断面図、第２図（４）、０３）は本発明の
方法によって得られたＧａＡｓ単結晶の抵抗値及び固有
欠陥濃度を示すグラフである。 ／・・・高圧容器、コ・・・加熱炉、３・・・ルツボ、
り・・・ＧαＡ８融液、６・・・Ｂ２０．溶融液、７・
・・種結晶、１０・・・ＧαＡ８結晶、ｌ／・・・磁場
印加装置。 第２図（Ａ） 特品へ長う同長で（ｍｍ）
例を示す概略断面図、第２図（４）、０３）は本発明の
方法によって得られたＧａＡｓ単結晶の抵抗値及び固有
欠陥濃度を示すグラフである。 ／・・・高圧容器、コ・・・加熱炉、３・・・ルツボ、
り・・・ＧαＡ８融液、６・・・Ｂ２０．溶融液、７・
・・種結晶、１０・・・ＧαＡ８結晶、ｌ／・・・磁場
印加装置。 第２図（Ａ） 特品へ長う同長で（ｍｍ）
Claims (1)
- （１） クロムを低濃度含むガリウム砒素融液に温（
２）高圧下で溶融したクロムを低濃度含むガリ： ラム
砒素融液を低圧下で維持して気泡による蒸溜精製を行い
、精製したガリウム砒素融液に温度変動幅が１℃以下と
なるような磁場を印加しながら結晶の引き上げにより結
晶成長を行うことを特徴とする半絶縁性ガリウム砒素単
結晶の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7889983A JPS59203793A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
| US06/571,091 US4637854A (en) | 1983-01-18 | 1984-01-16 | Method for producing GaAs single crystal |
| GB08401194A GB2136706B (en) | 1983-01-18 | 1984-01-17 | Liquid encapsulated crystal growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7889983A JPS59203793A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59203793A true JPS59203793A (ja) | 1984-11-17 |
| JPH0124760B2 JPH0124760B2 (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=13674664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7889983A Granted JPS59203793A (ja) | 1983-01-18 | 1983-05-07 | 半絶縁性ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59203793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286294A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-16 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123898A (en) * | 1981-01-20 | 1982-08-02 | Toshiba Corp | Preparation of semi-insulating gaas single crystal |
-
1983
- 1983-05-07 JP JP7889983A patent/JPS59203793A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123898A (en) * | 1981-01-20 | 1982-08-02 | Toshiba Corp | Preparation of semi-insulating gaas single crystal |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286294A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-16 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
| JPH0234915B2 (ja) * | 1985-06-07 | 1990-08-07 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0124760B2 (ja) | 1989-05-12 |
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