JPH0234597A - 水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法 - Google Patents
水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法Info
- Publication number
- JPH0234597A JPH0234597A JP18650088A JP18650088A JPH0234597A JP H0234597 A JPH0234597 A JP H0234597A JP 18650088 A JP18650088 A JP 18650088A JP 18650088 A JP18650088 A JP 18650088A JP H0234597 A JPH0234597 A JP H0234597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- gaas
- single crystal
- boat
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分呵)
本発明はGaAs IC等の電子デバイスの基板に用い
るGaAs単結晶の成長方法に関するものである。
るGaAs単結晶の成長方法に関するものである。
(従来の技術)
従来の水平ブリッジマン法は、例えば特公昭52−19
192号公報に示されるように、通常石英を材料とした
ボートを用い、石英封管中で原料融液と平衡する蒸気圧
のAs圧を印加することによりAsの鯉離を防ぎ、液体
封止剤は使用しない。
192号公報に示されるように、通常石英を材料とした
ボートを用い、石英封管中で原料融液と平衡する蒸気圧
のAs圧を印加することによりAsの鯉離を防ぎ、液体
封止剤は使用しない。
又原料融液はあらかじめボート法により合成したGaA
s結晶を用いるか、あるいはGa及びAsをそれぞれ単
体で石英管内に封入し、合成反応を起こすことにより用
意される。
s結晶を用いるか、あるいはGa及びAsをそれぞれ単
体で石英管内に封入し、合成反応を起こすことにより用
意される。
(解決しようとする課m>
上述した従来の水平ブリッジマン法においては、石英封
止管内で、かつ石英ボートを用いて成長を行なうため、
シリコンが原料融液中に混入し、半絶縁性の結晶が得ら
れないという間選点がある。
止管内で、かつ石英ボートを用いて成長を行なうため、
シリコンが原料融液中に混入し、半絶縁性の結晶が得ら
れないという間選点がある。
しかも、ボート材料をPBNにしても、なおシリコンの
原料融液への混入は避けられない。
原料融液への混入は避けられない。
(課題を解決するための手段)
本発明は上述の問題点を解消した水平ブリッジマン法に
よるGaAs単結晶の成長方法を提供するもので、その
特徴は、原料にあらかじめLEC法で作成することによ
りカーボン不純物のC度を3×1O−5c鵠−1以上に
したGaAs結晶を用い、ボート材料にPBNを用い、
液体封止剤にB2O3を用い、上記PBNボート内に種
結晶及び前記原料の融液をチャージし、液体封止剤で覆
って結晶成長を行なうことにより、他には不純物をドー
プすることなく比抵抗IXIG’Ω・cs以上のGaA
s単結晶を成長させることにある。
よるGaAs単結晶の成長方法を提供するもので、その
特徴は、原料にあらかじめLEC法で作成することによ
りカーボン不純物のC度を3×1O−5c鵠−1以上に
したGaAs結晶を用い、ボート材料にPBNを用い、
液体封止剤にB2O3を用い、上記PBNボート内に種
結晶及び前記原料の融液をチャージし、液体封止剤で覆
って結晶成長を行なうことにより、他には不純物をドー
プすることなく比抵抗IXIG’Ω・cs以上のGaA
s単結晶を成長させることにある。
第1図は本発明のGaAs単結晶の成長方法の具体例の
断面をあられした説明図である。
断面をあられした説明図である。
図面に示すように、PBN材料で形成したボート(+)
内に、GaASM結晶(2)及び原料融液(3)を4−
+−ノし、B2O3より成る液体封止剤(4)で覆って
結晶を成長させる。上記原料としては、あらかじめLE
C法で作成することにより、カーボン不純物の濃度を3
X I O” am−’以上にしたGaAs結晶を用
いる。
内に、GaASM結晶(2)及び原料融液(3)を4−
+−ノし、B2O3より成る液体封止剤(4)で覆って
結晶を成長させる。上記原料としては、あらかじめLE
C法で作成することにより、カーボン不純物の濃度を3
X I O” am−’以上にしたGaAs結晶を用
いる。
(作用)
半絶縁性の結晶を得るためには、浅いドナーの濃度をN
5DN深いドナーの濃度をNDD N浅いアクセプター
の濃度をNSAとすると% Noo > N5A−NS
Dであり、かつ、NSA > NSDである必要がある
。アンドープのLEC法GaAs結晶では、深いドナー
をEL2と呼ばれる内因性欠陥、浅いアクセプターをカ
ーボンが演じて残留のアクセプターを含んで上記の関係
が成り立ち、半絶縁性のGaAs結晶が得られる。
5DN深いドナーの濃度をNDD N浅いアクセプター
の濃度をNSAとすると% Noo > N5A−NS
Dであり、かつ、NSA > NSDである必要がある
。アンドープのLEC法GaAs結晶では、深いドナー
をEL2と呼ばれる内因性欠陥、浅いアクセプターをカ
ーボンが演じて残留のアクセプターを含んで上記の関係
が成り立ち、半絶縁性のGaAs結晶が得られる。
これに対して、水平ブリッジマン法ではシリコンの混入
があること、及びカーボン濃度がLEC法に比して低い
ことから上記の関係が成り立たず、半絶縁性の結晶が得
られない。定量的には石英ボートを用いた水平ブリッジ
マン法では、結晶中のシリコン濃度は5×菫(14c會
−5以上、PBNボートを用いてもI X I O”
cm−”以上となる。一方、カーボン濃度はI X I
O” cm−”以下であり、即ち、NSA〈Nsoと
なって半絶縁性の結晶は得られない。
があること、及びカーボン濃度がLEC法に比して低い
ことから上記の関係が成り立たず、半絶縁性の結晶が得
られない。定量的には石英ボートを用いた水平ブリッジ
マン法では、結晶中のシリコン濃度は5×菫(14c會
−5以上、PBNボートを用いてもI X I O”
cm−”以上となる。一方、カーボン濃度はI X I
O” cm−”以下であり、即ち、NSA〈Nsoと
なって半絶縁性の結晶は得られない。
本発明の方法においては、シリコン濃度を1×10 ”
am−’以下にし、カーボン濃度をl X l O”
cm−’以上にすることによりNSA > NSD及
びNoo > N5A−Nsoの条件を満足させ、半絶
縁性のGaAs結晶を得るようにした。
am−’以下にし、カーボン濃度をl X l O”
cm−’以上にすることによりNSA > NSD及
びNoo > N5A−Nsoの条件を満足させ、半絶
縁性のGaAs結晶を得るようにした。
まずシリコンに関しては、ボートの材料にPBNを用い
、8203の液体封止剤で原料融液を覆うことにより濃
度をl X 101Sas”以下にすることができる。
、8203の液体封止剤で原料融液を覆うことにより濃
度をl X 101Sas”以下にすることができる。
液体封止剤は石英封管からのシリコンの混入を防ぐだけ
でなく、含有している酸素が融液中に存在するシリコン
と酸化反応を起こしシリコン濃度を低下させる効果があ
るからである。
でなく、含有している酸素が融液中に存在するシリコン
と酸化反応を起こしシリコン濃度を低下させる効果があ
るからである。
一方力−ボンに関しては、あらかじめLEC法で作成す
ることにより濃度を3X1G”c■°$以上にしたGa
As結晶を原料に用いることで、成長した結晶中の濃度
をI X 10” am−@以上にすることができる。
ることにより濃度を3X1G”c■°$以上にしたGa
As結晶を原料に用いることで、成長した結晶中の濃度
をI X 10” am−@以上にすることができる。
LEC法で得られるGaAs結晶中のカーボン濃度が水
平ブリッジマン法よりも高いのは、カーボンヒーターを
発生源として原料融液中にカーボンが混入するからであ
り、直接原料融液にカーボンをドープすることなく、カ
ーボン濃度を3XIO”cs”にすることができる。そ
して、結晶成長中に原料融液中のカーボンはシリコンと
同様に液体封止剤中の酸素と反応して減少するが、原料
融液中に3 X I O” cm−’以上存在していれ
ば成長した結晶中のカーボン濃度をI X I O”
cm−”以上にできる。
平ブリッジマン法よりも高いのは、カーボンヒーターを
発生源として原料融液中にカーボンが混入するからであ
り、直接原料融液にカーボンをドープすることなく、カ
ーボン濃度を3XIO”cs”にすることができる。そ
して、結晶成長中に原料融液中のカーボンはシリコンと
同様に液体封止剤中の酸素と反応して減少するが、原料
融液中に3 X I O” cm−’以上存在していれ
ば成長した結晶中のカーボン濃度をI X I O”
cm−”以上にできる。
このようにして、GaAs結晶中のシリコン濃度をカー
ボン濃度より低く押えることにより、 NSA> Ns
oの条件が満たされる。さらに、結晶中のEL2濃度は
ストイキオメトリ−近傍の原料融液から成長するかぎり
5 X I Qlscm−”以上であるので、仮にシリ
コン濃度及び残留アクセプター濃度がゼロになってもカ
ーボン濃度がEL2tH度を越えないかぎりNoo >
N5A−NSDの条件は維持され、半絶縁性のGaA
s結晶を得ることができる。
ボン濃度より低く押えることにより、 NSA> Ns
oの条件が満たされる。さらに、結晶中のEL2濃度は
ストイキオメトリ−近傍の原料融液から成長するかぎり
5 X I Qlscm−”以上であるので、仮にシリ
コン濃度及び残留アクセプター濃度がゼロになってもカ
ーボン濃度がEL2tH度を越えないかぎりNoo >
N5A−NSDの条件は維持され、半絶縁性のGaA
s結晶を得ることができる。
(実施例)
GaAs原料多結晶を作成するためにPBNるつぼにモ
ル比1:1で合計3kgz及び液体封止剤として820
3300 gをチャージし、Ar雰囲気中でカーボンヒ
ーターにより850℃まで加熱して直接合成反応を起こ
させ、さらに1250℃まで加熱して一旦GaAs融液
にした後、降温によりGaAs多結晶を作成した。この
ようにして得られた多結晶をスラィサーで適当な大きさ
に切断し原料多結晶とした。
ル比1:1で合計3kgz及び液体封止剤として820
3300 gをチャージし、Ar雰囲気中でカーボンヒ
ーターにより850℃まで加熱して直接合成反応を起こ
させ、さらに1250℃まで加熱して一旦GaAs融液
にした後、降温によりGaAs多結晶を作成した。この
ようにして得られた多結晶をスラィサーで適当な大きさ
に切断し原料多結晶とした。
この多結晶中のカーボン濃度をFTIR法で測定したと
ころ3〜5 X 10” cm−”であった。
ころ3〜5 X 10” cm−”であった。
PBNボートに、GaAs種結晶と上記GaAs原料多
結品3kgをチャージし、それを液体封止剤である82
031kgで覆い%AS結晶を入れた石英管内に封入し
た。ボートを種結晶のある部分を除いて+250°Cに
加熱して原料多結晶を溶融させた。As結晶を置いであ
る部分は610℃に設定し、石英管内を1気圧に保った
。石英管を傾けることにより原料融液を種結晶に接触さ
せ、シーディングを行なった後、ヒーターを水平方向に
2冒■/hの速度で移動させることにより結晶成長を行
なった。
結品3kgをチャージし、それを液体封止剤である82
031kgで覆い%AS結晶を入れた石英管内に封入し
た。ボートを種結晶のある部分を除いて+250°Cに
加熱して原料多結晶を溶融させた。As結晶を置いであ
る部分は610℃に設定し、石英管内を1気圧に保った
。石英管を傾けることにより原料融液を種結晶に接触さ
せ、シーディングを行なった後、ヒーターを水平方向に
2冒■/hの速度で移動させることにより結晶成長を行
なった。
得られたGaAs結品は、電気抵抗が2〜3XIG’Ω
・cmと半絶縁性を示し、転位密度4〜8 X I O
” c++−”と従来の水平ブリッジマン法で得られる
結晶とほぼ同等であった。又結晶中のカーボンの濃度は
1.2X 1.8X 10’ c箇−3シリコン濃度は
0.5〜0.8×10”am−’であった。
・cmと半絶縁性を示し、転位密度4〜8 X I O
” c++−”と従来の水平ブリッジマン法で得られる
結晶とほぼ同等であった。又結晶中のカーボンの濃度は
1.2X 1.8X 10’ c箇−3シリコン濃度は
0.5〜0.8×10”am−’であった。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明のGaAs単結晶の成長方
法によれば、水平ブリッジマン法でアンドープの半絶縁
性を得ることが可能になる。アンドープで半絶縁性が得
られるLEC法では、結晶中にI X I O’ am
””以上の転位が存在するが、本発明の水平ブリッジマ
ン法はLEC法よりも低温度勾配で結凰 品成長を行なうので、低乾密度の結晶が得られる。
法によれば、水平ブリッジマン法でアンドープの半絶縁
性を得ることが可能になる。アンドープで半絶縁性が得
られるLEC法では、結晶中にI X I O’ am
””以上の転位が存在するが、本発明の水平ブリッジマ
ン法はLEC法よりも低温度勾配で結凰 品成長を行なうので、低乾密度の結晶が得られる。
従って、本発明によりアンドープ半絶縁性の低乾位Ga
As結品を成長させることが可能とな番、GaAs L
SIを作成するのに適した基板を供給するこ・とができ
る。
As結品を成長させることが可能とな番、GaAs L
SIを作成するのに適した基板を供給するこ・とができ
る。
第1図は本発明の水平ブリッジマン法によりGaAs単
結晶の成長方法の具体例の断面をあられした説明図であ
る。 1・・・PBNボート、2・・・種結晶、3・・・原料
融液、4・・・液体封止剤。
結晶の成長方法の具体例の断面をあられした説明図であ
る。 1・・・PBNボート、2・・・種結晶、3・・・原料
融液、4・・・液体封止剤。
Claims (1)
- (1)原料にあらかじめLEC法で作成することにより
カーボン不純物の濃度を3×10^1^5cm^−^5
以上にしたGaAs結晶を用い、ボート材料にPBNを
用い、液体封止剤にB_2O_3を用い、上記PBNボ
ート内に種結晶及び前記原料の融液をチャージし、液体
封止剤で覆って結晶成長を行なうことにより、他には不
純物をドープすることなく比抵抗1×10^7Ω・cm
以上のGaAs単結晶を成長させることを特徴とする水
平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18650088A JPH0234597A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18650088A JPH0234597A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0234597A true JPH0234597A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16189579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18650088A Pending JPH0234597A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0234597A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0803593A1 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
EP0947609A2 (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal and compound semiconductor crystal |
US6045767A (en) * | 1997-11-21 | 2000-04-04 | American Xtal Technology | Charge for vertical boat growth process and use thereof |
US6896729B2 (en) * | 2001-07-05 | 2005-05-24 | Axt, Inc. | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control |
JP2005518327A (ja) * | 2002-02-26 | 2005-06-23 | キム,ヒュン−マン | リン酸カルシウムコロイド、ドット、アイランド、薄膜または、グラニュール、およびその調製 |
KR20180058732A (ko) | 2015-09-29 | 2018-06-01 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 기판, 구조체, 구조체의 제조 방법, 세포의 선별 방법, 세포의 제조 방법, 및 분비물의 생산 방법 |
KR20190091271A (ko) | 2016-12-07 | 2019-08-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 입자 포착 디바이스 |
EP3587628A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Hanergy New Material Technology Co., Ltd. | Reaction device for horizontal boat production method |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP18650088A patent/JPH0234597A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE39778E1 (en) * | 1996-04-26 | 2007-08-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
USRE41551E1 (en) * | 1996-04-26 | 2010-08-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
US6007622A (en) * | 1996-04-26 | 1999-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
EP0803593A1 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
EP1288342A3 (en) * | 1996-04-26 | 2009-01-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
US6045767A (en) * | 1997-11-21 | 2000-04-04 | American Xtal Technology | Charge for vertical boat growth process and use thereof |
EP0947609A3 (en) * | 1998-03-25 | 2002-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal and compound semiconductor crystal |
US6485563B2 (en) | 1998-03-25 | 2002-11-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
USRE40662E1 (en) * | 1998-03-25 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
EP0947609A2 (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal and compound semiconductor crystal |
USRE42279E1 (en) * | 1998-03-25 | 2011-04-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
US6896729B2 (en) * | 2001-07-05 | 2005-05-24 | Axt, Inc. | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control |
JP2012126644A (ja) * | 2001-07-05 | 2012-07-05 | Axt Inc | 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 |
JP2005518327A (ja) * | 2002-02-26 | 2005-06-23 | キム,ヒュン−マン | リン酸カルシウムコロイド、ドット、アイランド、薄膜または、グラニュール、およびその調製 |
KR20180058732A (ko) | 2015-09-29 | 2018-06-01 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 기판, 구조체, 구조체의 제조 방법, 세포의 선별 방법, 세포의 제조 방법, 및 분비물의 생산 방법 |
KR20190091271A (ko) | 2016-12-07 | 2019-08-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 입자 포착 디바이스 |
US11384331B2 (en) | 2016-12-07 | 2022-07-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Particle capture device |
EP3587628A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Hanergy New Material Technology Co., Ltd. | Reaction device for horizontal boat production method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5914440B2 (ja) | CaAs単結晶への硼素のド−ピング方法 | |
JPS58181799A (ja) | 硼素を添加したGaAs単結晶の製造方法 | |
JPH0234597A (ja) | 水平ブリッジマン法によるGaAs単結晶の成長方法 | |
JPH10167898A (ja) | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 | |
JPH11147785A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPS627695A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPS6355195A (ja) | 無機化合物単結晶の成長方法 | |
JPH02239195A (ja) | 半絶縁性3―5族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
KR950013003B1 (ko) | 갈륨비소 단결정 성장용 다결정 성장방법 | |
JPS6325297A (ja) | ド−ピングによる単結晶3−5半絶縁物質の製造方法 | |
JPS58167500A (ja) | ガリウム砒素単結晶の製造方法 | |
JPH08758B2 (ja) | クロムドープ半絶縁性ガリウム・ヒ素単結晶の製造方法 | |
JPS61197499A (ja) | 無機化合物単結晶の成長方法 | |
JPS6153186A (ja) | 抵抗加熱用ヒ−タ | |
JPS5912639B2 (ja) | 結晶成長法 | |
JPH01192793A (ja) | 液体封止引上法によるGaAs単結晶の製造方法 | |
JPH01215799A (ja) | 半絶縁性GaAs化合物半導体単結晶及びその製造方法 | |
JPS6389497A (ja) | 珪素添加ガリウム砒素単結晶の製造方法 | |
JPS616200A (ja) | GaAs,InAs等の結晶にSiをド−ピングする方法 | |
JP3021937B2 (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶の製造方法 | |
JPH0124760B2 (ja) | ||
JPH0772120B2 (ja) | Crドープ半絶縁性砒化ガリウム結晶の製造方法 | |
JPH0316994A (ja) | 化合物半導体単結晶成長方法 | |
JPH0615439B2 (ja) | ▲iii▼−▲v▼族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPS63176397A (ja) | 3−5族化合物半導体単結晶の製造方法 |