JPH06239699A - 化合物半導体多結晶およびその合成方法 - Google Patents
化合物半導体多結晶およびその合成方法Info
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- JPH06239699A JPH06239699A JP2673193A JP2673193A JPH06239699A JP H06239699 A JPH06239699 A JP H06239699A JP 2673193 A JP2673193 A JP 2673193A JP 2673193 A JP2673193 A JP 2673193A JP H06239699 A JPH06239699 A JP H06239699A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 アンプルの一端に原料のIII族元素を載せた
ボートを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止
し、このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボート
を局部的にさらに高い温度に加熱してボート内でIII族
元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応
させ、徐々に上記高温部を相対移動させながらIII−Ｖ
族化合物半導体多結晶を合成する多結晶合成方法におい
て、合成初期においては上記アンプルの相対移動を合成
中期に比べて低速で行なうようにした。 【効果】 アンプルとヒータとを相対移動させたときに
温度のピーク位置がずれるのを防止することができ、こ
れによってＶ族元素の供給を合成速度に合致させること
ができ、始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成
がストイキオメトリーである多結晶を合成することがで
きる。
ボートを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止
し、このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボート
を局部的にさらに高い温度に加熱してボート内でIII族
元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応
させ、徐々に上記高温部を相対移動させながらIII−Ｖ
族化合物半導体多結晶を合成する多結晶合成方法におい
て、合成初期においては上記アンプルの相対移動を合成
中期に比べて低速で行なうようにした。 【効果】 アンプルとヒータとを相対移動させたときに
温度のピーク位置がずれるのを防止することができ、こ
れによってＶ族元素の供給を合成速度に合致させること
ができ、始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成
がストイキオメトリーである多結晶を合成することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体多結晶の合
成技術に関し、例えばＩｎＰ多結晶を合成する場合に利
用して効果のある技術に関する。
成技術に関し、例えばＩｎＰ多結晶を合成する場合に利
用して効果のある技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体デバイスの材料とし
て使用されるＩｎＰは、原料のＩｎ（インジウム）とＰ
（リン）を直接反応させて単結晶を成長させることが困
難であるため、まず多結晶を合成してこの合成多結晶を
用いてＬＥＣ法等により単結晶を成長させることが行な
われている。上記ＩｎＰ多結晶の合成方法の一つに、図
１に示すような合成装置を用いて行なう方法がある。
て使用されるＩｎＰは、原料のＩｎ（インジウム）とＰ
（リン）を直接反応させて単結晶を成長させることが困
難であるため、まず多結晶を合成してこの合成多結晶を
用いてＬＥＣ法等により単結晶を成長させることが行な
われている。上記ＩｎＰ多結晶の合成方法の一つに、図
１に示すような合成装置を用いて行なう方法がある。
【０００３】この合成方法は、一端に原料となるインジ
ウムの入ったボート２を、また他端にリン塊３を載置し
て真空封入した石英製アンプル１を合成炉（ヒータ）４
内に設置し、ヒータ４により図２に示すごとくボート側
が８００℃、リン塊側が５４０℃となり、その中間に１
１００℃のような温度ピークを有する温度分布を形成
し、アンプル１とヒータ４とを相対移動させてボート内
のインジウムにリン蒸気を供給して反応させ、ボートの
一端から他端に向けて徐々にＩｎＰ単結晶を成長させて
行くというものである。なお、図１において、５は対流
によるアンプル内の温度の均一化を防止して温度変化の
急峻な図２のごとき温度分布を形成し易くするための遮
熱体である。
ウムの入ったボート２を、また他端にリン塊３を載置し
て真空封入した石英製アンプル１を合成炉（ヒータ）４
内に設置し、ヒータ４により図２に示すごとくボート側
が８００℃、リン塊側が５４０℃となり、その中間に１
１００℃のような温度ピークを有する温度分布を形成
し、アンプル１とヒータ４とを相対移動させてボート内
のインジウムにリン蒸気を供給して反応させ、ボートの
一端から他端に向けて徐々にＩｎＰ単結晶を成長させて
行くというものである。なお、図１において、５は対流
によるアンプル内の温度の均一化を防止して温度変化の
急峻な図２のごとき温度分布を形成し易くするための遮
熱体である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の多結晶合成法にあっては、固化率の低いときの合成
部分すなわち最初に結晶化した部分の組成（Ｉｎ／Ｐ
比）がストイキオメトリー（化学量論比）から外れ、イ
ンジウムの比率が高いインジウム・リッチの状態になり
易い。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になることもあった。このようなインジウム・リッチの
部分を含む多結晶を原料として単結晶を成長させると、
マイクロツイン（あるいはラメラツイン）と呼ばれる欠
陥が生じ、良質の単結晶が得られなくなるため、従来イ
ンジウム・リッチである合成多結晶の始端部や終端部は
カットせざるを得なかった。そのため、原料の無駄が多
くなり、生産性が低下するという問題点があることが明
かになった。
来の多結晶合成法にあっては、固化率の低いときの合成
部分すなわち最初に結晶化した部分の組成（Ｉｎ／Ｐ
比）がストイキオメトリー（化学量論比）から外れ、イ
ンジウムの比率が高いインジウム・リッチの状態になり
易い。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になることもあった。このようなインジウム・リッチの
部分を含む多結晶を原料として単結晶を成長させると、
マイクロツイン（あるいはラメラツイン）と呼ばれる欠
陥が生じ、良質の単結晶が得られなくなるため、従来イ
ンジウム・リッチである合成多結晶の始端部や終端部は
カットせざるを得なかった。そのため、原料の無駄が多
くなり、生産性が低下するという問題点があることが明
かになった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
問題点に着目してなされたもので、その目的とするとこ
ろは、アンプルの一端に原料のIII族元素を載せたボー
トを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、
このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボートを局
部的にさらに高い温度に加熱してボート内でIII族元素
と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応さ
せ、徐々に上記高温部を相対移動させながら多結晶を合
成する多結晶合成方法において、始端部から終端部まで
広い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるII
I−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することができる多
結晶合成方法を提供することにある。
問題点に着目してなされたもので、その目的とするとこ
ろは、アンプルの一端に原料のIII族元素を載せたボー
トを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、
このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボートを局
部的にさらに高い温度に加熱してボート内でIII族元素
と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応さ
せ、徐々に上記高温部を相対移動させながら多結晶を合
成する多結晶合成方法において、始端部から終端部まで
広い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるII
I−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することができる多
結晶合成方法を提供することにある。
【０００６】本発明者らは、まず合成ＩｎＰ多結晶の始
端部がインジウム・リッチになる原因について解析、考
察を行なった。その結果、上記従来方法ではアンプルと
ヒータとを相対移動させているが、そのとき温度のピー
ク位置がアンプルの移動方向と逆の方向へ移動している
ことを見出した。図３に、本発明者らが行なった実験に
より得られたアンプルの移動量と温度のピーク位置のず
れとの関係を示す。ただし、この実験はアンプルをヒー
タに対して等速度で移動させたときのものである。
端部がインジウム・リッチになる原因について解析、考
察を行なった。その結果、上記従来方法ではアンプルと
ヒータとを相対移動させているが、そのとき温度のピー
ク位置がアンプルの移動方向と逆の方向へ移動している
ことを見出した。図３に、本発明者らが行なった実験に
より得られたアンプルの移動量と温度のピーク位置のず
れとの関係を示す。ただし、この実験はアンプルをヒー
タに対して等速度で移動させたときのものである。
【０００７】上記のように温度のピーク位置がアンプル
の移動方向と逆の方向へ移動すると、アンプルとヒータ
との相対的な移動速度が速くなるため、リンの供給が合
成速度に追い付かなくなってしまい、その結果、合成多
結晶の始端部がインジウム・リッチになるとの結論に達
した。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になるのは、合成の末期時にはリン原料塊が当初よりも
小さくなっているため、リンの昇華量が減少するためで
あると考えた。なお、上記のように温度のピーク位置が
移動する理由は、アンプル内の熱容量はインジウムの入
っているボート側の方がリン側よりも大きくなっている
ため、熱容量の大きなボートが温度のピーク位置側に近
づくことによってピーク位置がボート側へずれるためで
あると考えられる。
の移動方向と逆の方向へ移動すると、アンプルとヒータ
との相対的な移動速度が速くなるため、リンの供給が合
成速度に追い付かなくなってしまい、その結果、合成多
結晶の始端部がインジウム・リッチになるとの結論に達
した。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になるのは、合成の末期時にはリン原料塊が当初よりも
小さくなっているため、リンの昇華量が減少するためで
あると考えた。なお、上記のように温度のピーク位置が
移動する理由は、アンプル内の熱容量はインジウムの入
っているボート側の方がリン側よりも大きくなっている
ため、熱容量の大きなボートが温度のピーク位置側に近
づくことによってピーク位置がボート側へずれるためで
あると考えられる。
【０００８】そこで、本発明者らは合成開始初期および
合成終了時のアンプルとヒータとの相対的な移動速度を
遅くすれば、温度のピーク位置がずれるのを防止して合
成多結晶の始端部や終端部がインジウム・リッチになる
のを回避することができるのではないかと考え、種々の
実験を行なった。その結果、上記移動速度の制御により
始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成がストイ
キオメトリーである多結晶を合成することができること
を見出した。この発明は、上記のような知見に基づいて
なされたもので、合成された多結晶インゴットの固化率
０〜８５％、条件によっては固化率０〜９５％の範囲に
わたって、その結晶組成比III族元素／（III族元素＋Ｖ
族元素）が、０．５０００±０．０００１以内にあるII
I−Ｖ族化合物半導体多結晶を提供する。ここで、固化
率８５〜１００％の部分を除いたのは、固化率が高くな
ると偏析によって次第に不純物がIII族元素融液中に濃
縮されて、結晶終端部で不純物濃度が高い多結晶が合成
されてしまうためである。
合成終了時のアンプルとヒータとの相対的な移動速度を
遅くすれば、温度のピーク位置がずれるのを防止して合
成多結晶の始端部や終端部がインジウム・リッチになる
のを回避することができるのではないかと考え、種々の
実験を行なった。その結果、上記移動速度の制御により
始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成がストイ
キオメトリーである多結晶を合成することができること
を見出した。この発明は、上記のような知見に基づいて
なされたもので、合成された多結晶インゴットの固化率
０〜８５％、条件によっては固化率０〜９５％の範囲に
わたって、その結晶組成比III族元素／（III族元素＋Ｖ
族元素）が、０．５０００±０．０００１以内にあるII
I−Ｖ族化合物半導体多結晶を提供する。ここで、固化
率８５〜１００％の部分を除いたのは、固化率が高くな
ると偏析によって次第に不純物がIII族元素融液中に濃
縮されて、結晶終端部で不純物濃度が高い多結晶が合成
されてしまうためである。
【０００９】また、この発明は、固化率０〜８５％の範
囲にわたって組成比が０．５０００±０．０００１以内
にあるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成するため、
アンプルの一端に原料のIII族元素を載せたボートを、
また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、このア
ンプル全体を加熱するとともに、上記ボートを局部的に
さらに高い温度に加熱してボート内でIII族元素と上記
Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応させ、徐々
に上記高温部を相対移動させながらIII−Ｖ族化合物半
導体多結晶を合成する多結晶合成方法において、合成初
期においては上記アンプルの相対移動を合成中期に比べ
て低速で行なうようにした。さらに、固化率０〜９５％
の範囲にわたって組成比が０．５０００±０．０００１
以内にあるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成するた
め、合成末期における上記アンプルの相対移動も合成中
期に比べて低速で行なうようにした。
囲にわたって組成比が０．５０００±０．０００１以内
にあるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成するため、
アンプルの一端に原料のIII族元素を載せたボートを、
また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、このア
ンプル全体を加熱するとともに、上記ボートを局部的に
さらに高い温度に加熱してボート内でIII族元素と上記
Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応させ、徐々
に上記高温部を相対移動させながらIII−Ｖ族化合物半
導体多結晶を合成する多結晶合成方法において、合成初
期においては上記アンプルの相対移動を合成中期に比べ
て低速で行なうようにした。さらに、固化率０〜９５％
の範囲にわたって組成比が０．５０００±０．０００１
以内にあるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成するた
め、合成末期における上記アンプルの相対移動も合成中
期に比べて低速で行なうようにした。
【００１０】
【作用】上記した手段によれば、アンプルとヒータとを
相対移動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防
止することができ、これによってＶ族元素の供給を合成
速度に合致させることができ、始端部から終端部まで広
い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成可能な合成方法を提供
するという上記目的を達成することができる。また、合
成末期における上記アンプルの相対移動も合成中期に比
べて低速に変更すれば、Ｖ族元素の塊が次第に小さくな
ってもボート側に供給されるＶ族元素の量が減少するの
を防止することができ、さらに広い範囲にわたって組成
がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族化合物半導体多
結晶を合成することができる。
相対移動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防
止することができ、これによってＶ族元素の供給を合成
速度に合致させることができ、始端部から終端部まで広
い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成可能な合成方法を提供
するという上記目的を達成することができる。また、合
成末期における上記アンプルの相対移動も合成中期に比
べて低速に変更すれば、Ｖ族元素の塊が次第に小さくな
ってもボート側に供給されるＶ族元素の量が減少するの
を防止することができ、さらに広い範囲にわたって組成
がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族化合物半導体多
結晶を合成することができる。
【００１１】
（実施例１）図３に示されているような内径７５ｍｍ、
外径８０ｍｍの円筒状石英製アンプル１を合成用容器と
して用意し、このアンプル１の一端に重量１．１５ｋｇ
の赤リンインゴット３を入れ、またアンプル１の他端に
は３．９ｋｇのインジウムを載せた長さ４５０ｍｍのｐ
ＢＮ製ボート２を載置した。また、アンプル１の中央上
記原料間には、複数の石英製円板が等間隔で保持されて
なる遮熱体５を入れてアンプル１内の対流を防止できる
ようにして、アンプル１の開放端に石英製のキャップを
被せ、真空ポンプでアンプル１内を１×１０-6Torrにし
てからキャップとアンプル１との間をバーナーを用いて
真空封止した。
外径８０ｍｍの円筒状石英製アンプル１を合成用容器と
して用意し、このアンプル１の一端に重量１．１５ｋｇ
の赤リンインゴット３を入れ、またアンプル１の他端に
は３．９ｋｇのインジウムを載せた長さ４５０ｍｍのｐ
ＢＮ製ボート２を載置した。また、アンプル１の中央上
記原料間には、複数の石英製円板が等間隔で保持されて
なる遮熱体５を入れてアンプル１内の対流を防止できる
ようにして、アンプル１の開放端に石英製のキャップを
被せ、真空ポンプでアンプル１内を１×１０-6Torrにし
てからキャップとアンプル１との間をバーナーを用いて
真空封止した。
【００１２】次に、上記アンプル１を合成炉（ヒータ）
４内に設置し、全体を室温から５４０℃まで２．５時間
かけて昇温した後、図２の温度分布を形成して１時間保
持した。それから、まずアンプル１を図１において右方
向へ４ｍｍ／時の速さで７．５時間（３０ｍｍ）移動さ
せた後、アンプル１の移動速度を１０ｍｍ／時の速さに
上げて、ＩｎＰ多結晶の合成を行なった。この実施例で
は、アンプルの移動を開始してから１５ｍｍ移動したと
ころで、多結晶が成長し始めた。
４内に設置し、全体を室温から５４０℃まで２．５時間
かけて昇温した後、図２の温度分布を形成して１時間保
持した。それから、まずアンプル１を図１において右方
向へ４ｍｍ／時の速さで７．５時間（３０ｍｍ）移動さ
せた後、アンプル１の移動速度を１０ｍｍ／時の速さに
上げて、ＩｎＰ多結晶の合成を行なった。この実施例で
は、アンプルの移動を開始してから１５ｍｍ移動したと
ころで、多結晶が成長し始めた。
【００１３】（実施例２）実施例１と同一の装置と同一
の条件で、ＩｎＰ多結晶の合成を行ない、アンプルが３
５０ｍｍ移動したところで、アンプル１の移動速度を６
ｍｍ／時の速さに下げた。 （比較例）実施例１と同一の装置と同一の条件で、アン
プル１の移動速度を合成中ずっと１０ｍｍ／時の一定速
さに保ってＩｎＰ多結晶の合成を行なった。
の条件で、ＩｎＰ多結晶の合成を行ない、アンプルが３
５０ｍｍ移動したところで、アンプル１の移動速度を６
ｍｍ／時の速さに下げた。 （比較例）実施例１と同一の装置と同一の条件で、アン
プル１の移動速度を合成中ずっと１０ｍｍ／時の一定速
さに保ってＩｎＰ多結晶の合成を行なった。
【００１４】実施例１と２および比較例で得られた合成
ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを測定したところ、
図４に示すような結果が得られた。図４において、□印
は実施例１で得られた合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／
ＩｎＰを例えば結晶インゴットの成長方向に沿ってプロ
ットしたもの、○印は比較例で得られた合成ＩｎＰ多結
晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを多結晶インゴットの成長方向
に沿ってプロットしたものである。
ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを測定したところ、
図４に示すような結果が得られた。図４において、□印
は実施例１で得られた合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／
ＩｎＰを例えば結晶インゴットの成長方向に沿ってプロ
ットしたもの、○印は比較例で得られた合成ＩｎＰ多結
晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを多結晶インゴットの成長方向
に沿ってプロットしたものである。
【００１５】これより、比較例で得られた合成ＩｎＰ多
結晶インゴットの組成比Ｉｎ／ＩｎＰは、結晶の始端部
と終端部でそれぞれストイキオメトリーから大きくイン
ジウム・リッチ側にずれているのに対し、実施例１で得
られた合成ＩｎＰ多結晶インゴットは、始端部から３４
０ｍｍ（固化率０〜８５％）までずっと、組成比Ｉｎ／
ＩｎＰが、０．５０００±０．０００１以内にあること
が分かった。実施例２で得られた合成ＩｎＰ多結晶イン
ゴットは、結晶の終端部でも組成比Ｉｎ／ＩｎＰが、図
４に■印で示すように０．５０００±０．０００１以内
にあることが分かった。なお、上記実施例では、一例と
して本発明をＩｎＰ多結晶の合成に適用した場合につい
て説明したが、この発明はそれに限定されるものでな
く、ＧａＰ多結晶等のIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を
合成する場合に適用することができる。
結晶インゴットの組成比Ｉｎ／ＩｎＰは、結晶の始端部
と終端部でそれぞれストイキオメトリーから大きくイン
ジウム・リッチ側にずれているのに対し、実施例１で得
られた合成ＩｎＰ多結晶インゴットは、始端部から３４
０ｍｍ（固化率０〜８５％）までずっと、組成比Ｉｎ／
ＩｎＰが、０．５０００±０．０００１以内にあること
が分かった。実施例２で得られた合成ＩｎＰ多結晶イン
ゴットは、結晶の終端部でも組成比Ｉｎ／ＩｎＰが、図
４に■印で示すように０．５０００±０．０００１以内
にあることが分かった。なお、上記実施例では、一例と
して本発明をＩｎＰ多結晶の合成に適用した場合につい
て説明したが、この発明はそれに限定されるものでな
く、ＧａＰ多結晶等のIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を
合成する場合に適用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、アンプ
ルの一端に原料のIII族元素を載せたボートを、また他
端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、このアンプル
全体を加熱するとともに、上記ボートを局部的にさらに
高い温度に加熱してボート内でIII族元素と上記Ｖ族元
素から発生したＶ族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記
高温部を相対移動させながらIII−Ｖ族化合物半導体多
結晶を合成する多結晶合成方法において、合成初期にお
いては上記アンプルの相対移動を合成中期に比べて低速
で行なうようにしたので、アンプルとヒータとを相対移
動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防止する
ことができ、これによってＶ族元素の供給を合成速度に
合致させることができ、始端部から終端部まで広い範囲
にわたって組成がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族
化合物半導体多結晶を合成することができる。その結
果、原料の無駄が少なくなり、生産性が向上する。ま
た、合成末期における上記アンプルの相対移動も合成中
期に比べて低速に変化させた場合には、Ｖ族元素の塊が
次第に小さくなってもボート側に供給されるＶ族元素の
量が減少するのを防止することができ、さらに広い範囲
にわたって組成がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族
化合物半導体多結晶を合成することができるという効果
がある。
ルの一端に原料のIII族元素を載せたボートを、また他
端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、このアンプル
全体を加熱するとともに、上記ボートを局部的にさらに
高い温度に加熱してボート内でIII族元素と上記Ｖ族元
素から発生したＶ族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記
高温部を相対移動させながらIII−Ｖ族化合物半導体多
結晶を合成する多結晶合成方法において、合成初期にお
いては上記アンプルの相対移動を合成中期に比べて低速
で行なうようにしたので、アンプルとヒータとを相対移
動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防止する
ことができ、これによってＶ族元素の供給を合成速度に
合致させることができ、始端部から終端部まで広い範囲
にわたって組成がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族
化合物半導体多結晶を合成することができる。その結
果、原料の無駄が少なくなり、生産性が向上する。ま
た、合成末期における上記アンプルの相対移動も合成中
期に比べて低速に変化させた場合には、Ｖ族元素の塊が
次第に小さくなってもボート側に供給されるＶ族元素の
量が減少するのを防止することができ、さらに広い範囲
にわたって組成がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族
化合物半導体多結晶を合成することができるという効果
がある。
【図１】ＩｎＰ多結晶の合成炉の一例を示す断面図、
【図２】ＩｎＰ多結晶の合成炉の温度分布の一例を示す
図、
図、
【図３】アンプルの相対移動速度を合成中ずっと一定速
さに保った場合のアンプルの移動量と温度のピーク位置
のずれとの関係を示すグラフ、
さに保った場合のアンプルの移動量と温度のピーク位置
のずれとの関係を示すグラフ、
【図４】実施例１と２および比較例で得られた合成Ｉｎ
Ｐ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰの測定結果を示すグラフ
である。
Ｐ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰの測定結果を示すグラフ
である。
１ アンプル ２ ボート ３ リン塊（赤リンインゴット） ４ ヒータ（合成炉） ５ 遮熱板
Claims (4)
- 【請求項１】 合成された多結晶インゴットの固化率０
〜８５％の範囲にわたって、その結晶組成比III族元素
／（III族元素＋Ｖ族元素）が、０．５０００±０．０
００１以内にあることを特徴とする化合物半導体多結
晶。 - 【請求項２】 合成された多結晶インゴットの固化率０
〜９５％の範囲にわたって、その結晶組成比III族元素
／（III族元素＋Ｖ族元素）が、０．５０００±０．０
００１以内にあることを特徴とする化合物半導体多結
晶。 - 【請求項３】 アンプルの一端に原料のIII族元素を載
せたボートを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空
封止し、このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボ
ートを局部的にさらに高い温度に加熱してボート内でII
I族元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを
反応させ、徐々に上記高温部を相対移動させながらIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成する多結晶合成方法に
おいて、合成初期においては上記アンプルの相対移動を
合成中期に比べて低速で行なうようにしたことを特徴と
する化合物半導体多結晶の合成方法。 - 【請求項４】 合成末期における上記アンプルの相対移
動も合成中期に比べて低速で行なうようにしたことを特
徴とする請求項３記載の化合物半導体多結晶の合成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2673193A JPH06239699A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 化合物半導体多結晶およびその合成方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2673193A JPH06239699A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 化合物半導体多結晶およびその合成方法 |
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|---|---|---|---|
| JP36905198A Division JP3443766B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 化合物半導体多結晶の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06239699A true JPH06239699A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12201462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2673193A Pending JPH06239699A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 化合物半導体多結晶およびその合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06239699A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2722420A2 (en) | 2012-10-22 | 2014-04-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Equipment and method for producing a compound polycrystal, and method for growing a compound single crystal |
| CN108193275A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-22 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP2673193A patent/JPH06239699A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2722420A2 (en) | 2012-10-22 | 2014-04-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Equipment and method for producing a compound polycrystal, and method for growing a compound single crystal |
| CN108193275A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-22 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法 |
| CN108193275B (zh) * | 2017-12-14 | 2019-09-10 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法 |
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