JPH10167898A - 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - Google Patents
半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法Info
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- JPH10167898A JPH10167898A JP33235696A JP33235696A JPH10167898A JP H10167898 A JPH10167898 A JP H10167898A JP 33235696 A JP33235696 A JP 33235696A JP 33235696 A JP33235696 A JP 33235696A JP H10167898 A JPH10167898 A JP H10167898A
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- crystal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＧＦ法及びＶＢ法により、結晶成長方向の
炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を得る。 【解決手段】 石英アンプル内に、ＧａＡｓ原料及びＢ
2 Ｏ3 を入れたるつぼと、蒸気圧制御用のＡｓと、Ｇａ
2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 よりなる群から選ばれた１または２
以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素より
なる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸
素供給源を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制
御しながら結晶成長を行う。 【効果】 育成結晶中の炭素濃度を制御しながら結晶育
成を行うことができ、炭素濃度の均一な半絶縁性ＧａＡ
ｓ単結晶が高歩留まりで得られる。
炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を得る。 【解決手段】 石英アンプル内に、ＧａＡｓ原料及びＢ
2 Ｏ3 を入れたるつぼと、蒸気圧制御用のＡｓと、Ｇａ
2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 よりなる群から選ばれた１または２
以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素より
なる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸
素供給源を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制
御しながら結晶成長を行う。 【効果】 育成結晶中の炭素濃度を制御しながら結晶育
成を行うことができ、炭素濃度の均一な半絶縁性ＧａＡ
ｓ単結晶が高歩留まりで得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶の製造方法に関し、例えばＧａＡｓの原料融液を
冷却して垂直方向に単結晶を成長させる垂直グラジェン
トフリージング（ＶＧＦ）法や垂直ブリッジマン（Ｖ
Ｂ）法に適用して有用な技術に関する。
単結晶の製造方法に関し、例えばＧａＡｓの原料融液を
冷却して垂直方向に単結晶を成長させる垂直グラジェン
トフリージング（ＶＧＦ）法や垂直ブリッジマン（Ｖ
Ｂ）法に適用して有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＧａＡｓ−ＦＥＴ（Field-Effect
Transistor ）やＧａＡｓ−ＩＣの製作には、半絶縁性
ＧａＡｓ単結晶よりなる基板が用いられる。
Transistor ）やＧａＡｓ−ＩＣの製作には、半絶縁性
ＧａＡｓ単結晶よりなる基板が用いられる。
【０００３】ＧａＡｓは、１．４eVの禁制帯幅を有し、
不純物を全く含んでいなければ真性キャリア濃度が１．
８×１０6 cm-3の半絶縁性となる。しかし、そのような
不純物を含まない半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を製造するの
は極めて困難であり、高純度化しても浅いドナー準位を
形成する珪素等のシャロードナーや浅いアクセプター準
位を形成する炭素等のシャローアクセプターが不純物と
してＧａＡｓ単結晶中に残存してしまう。従って、工業
的には、深いアクセプター準位を形成するクロム等のデ
ィープアクセプターや深いドナー準位を形成するＥＬ２
等のディープドナーによりそれぞれ結晶中のシャロード
ナーやシャローアクセプターを補償することによって半
絶縁性を得るようにしている。
不純物を全く含んでいなければ真性キャリア濃度が１．
８×１０6 cm-3の半絶縁性となる。しかし、そのような
不純物を含まない半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を製造するの
は極めて困難であり、高純度化しても浅いドナー準位を
形成する珪素等のシャロードナーや浅いアクセプター準
位を形成する炭素等のシャローアクセプターが不純物と
してＧａＡｓ単結晶中に残存してしまう。従って、工業
的には、深いアクセプター準位を形成するクロム等のデ
ィープアクセプターや深いドナー準位を形成するＥＬ２
等のディープドナーによりそれぞれ結晶中のシャロード
ナーやシャローアクセプターを補償することによって半
絶縁性を得るようにしている。
【０００４】このような半絶縁性のＧａＡｓは、水平ブ
リッジマン（ＨＢ）法や液体封止チョクラルスキー（Ｌ
ＥＣ）法により工業的に製造されている。
リッジマン（ＨＢ）法や液体封止チョクラルスキー（Ｌ
ＥＣ）法により工業的に製造されている。
【０００５】ＬＥＣ法には、高純度化し易く、半絶縁性
のＧａＡｓ単結晶を安定して得ることができるという長
所の他に、大口径で円形のウェハーが得られるという長
所がある。しかし、ＬＥＣ法では結晶育成中の結晶成長
方向の温度勾配が大きいため、ＦＥＴやＩＣを作製した
時の電気的な特性劣化を招く原因となる転位の密度が高
い他、得られたＧａＡｓ結晶は割れやすいという短所が
ある。
のＧａＡｓ単結晶を安定して得ることができるという長
所の他に、大口径で円形のウェハーが得られるという長
所がある。しかし、ＬＥＣ法では結晶育成中の結晶成長
方向の温度勾配が大きいため、ＦＥＴやＩＣを作製した
時の電気的な特性劣化を招く原因となる転位の密度が高
い他、得られたＧａＡｓ結晶は割れやすいという短所が
ある。
【０００６】一方、ＨＢ法には、結晶育成中の結晶成長
方向の温度勾配が小さいため、低転位密度の結晶が得ら
れるという長所がある反面、るつぼ（ボート）内で原料
融液を固化させるため大口径化が困難であり、またリネ
ージという転位の集積線が発生しやすく、さらにるつぼ
形状に依存した形状（かまぼこ形）のウェハーしか得ら
れないという短所がある。
方向の温度勾配が小さいため、低転位密度の結晶が得ら
れるという長所がある反面、るつぼ（ボート）内で原料
融液を固化させるため大口径化が困難であり、またリネ
ージという転位の集積線が発生しやすく、さらにるつぼ
形状に依存した形状（かまぼこ形）のウェハーしか得ら
れないという短所がある。
【０００７】以上のようなＨＢ法及びＬＥＣ法のそれぞ
れの短所を補い、それぞれの長所を活かした結晶製造方
法として、垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法
や垂直ブリッジマン（ＶＢ）法がある。これらＶＧＦ法
やＶＢ法によれば、有底円筒形のるつぼの使用により円
形のウェハーが得られる、結晶成長方向の温度勾配が小
さいため低転位密度化が容易である、さらに液体封止剤
（Ｂ2 Ｏ3 ）を使用すれば、石英アンプルからの珪素の
混入を防いでアンドープの半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を成
長させることができる、という利点が得られる。
れの短所を補い、それぞれの長所を活かした結晶製造方
法として、垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法
や垂直ブリッジマン（ＶＢ）法がある。これらＶＧＦ法
やＶＢ法によれば、有底円筒形のるつぼの使用により円
形のウェハーが得られる、結晶成長方向の温度勾配が小
さいため低転位密度化が容易である、さらに液体封止剤
（Ｂ2 Ｏ3 ）を使用すれば、石英アンプルからの珪素の
混入を防いでアンドープの半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を成
長させることができる、という利点が得られる。
【０００８】ＶＧＦ法によるＧａＡｓ単結晶の育成方法
には、るつぼに入れた原料及び添加物を加熱して石英ア
ンプル中で溶解し、それを所定の温度勾配下で徐々に冷
却して結晶を育成する方法と、石英アンプルのリザーバ
部にＡｓを入れてＡｓ圧の制御を行ないながら上記方法
と同様にして結晶育成を行う方法と、さらにＢ2 Ｏ3で
原料融液の表面を封止しながら上記２つの方法と同様に
して結晶育成を行う方法とがある。
には、るつぼに入れた原料及び添加物を加熱して石英ア
ンプル中で溶解し、それを所定の温度勾配下で徐々に冷
却して結晶を育成する方法と、石英アンプルのリザーバ
部にＡｓを入れてＡｓ圧の制御を行ないながら上記方法
と同様にして結晶育成を行う方法と、さらにＢ2 Ｏ3で
原料融液の表面を封止しながら上記２つの方法と同様に
して結晶育成を行う方法とがある。
【０００９】Ｂ2 Ｏ3 で封止しながらＬＥＣ法により結
晶育成を行う方法では、Ｂ2 Ｏ3 やその中の水分から酸
素が遊離し、その酸素と育成炉中のグラファイトとが反
応してＣＯ（一酸化炭素）ガスが生成され、そのＣＯガ
スがＢ2 Ｏ3 中に溶解し、原料融液中のＧａやＨ2 Ｏと
のバランスにより還元されＣ（炭素）となって原料融液
中に混入する、との報告がされている（6th Ｃonf.on
Ｓemi-insulating III-V Ｍaterials, Ｔoronto(1990)2
11-218 、Ｊournal of Ｃrystal Ｇrowth 134(1993)97
-104）。
晶育成を行う方法では、Ｂ2 Ｏ3 やその中の水分から酸
素が遊離し、その酸素と育成炉中のグラファイトとが反
応してＣＯ（一酸化炭素）ガスが生成され、そのＣＯガ
スがＢ2 Ｏ3 中に溶解し、原料融液中のＧａやＨ2 Ｏと
のバランスにより還元されＣ（炭素）となって原料融液
中に混入する、との報告がされている（6th Ｃonf.on
Ｓemi-insulating III-V Ｍaterials, Ｔoronto(1990)2
11-218 、Ｊournal of Ｃrystal Ｇrowth 134(1993)97
-104）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本来、炭素の偏析係数
が１．４であるため、育成結晶中の炭素濃度は減少する
傾向にあるが、Ｂ2 Ｏ3 で原料融液の表面を封止しなが
らＶＧＦ法やＶＢ法により石英アンプル中で結晶育成を
行った場合には、融液中の炭素は前記のようにＢ2 Ｏ3
中の水分と反応しＣＯガスとなるので炭素濃度はＢ2 Ｏ
3 中の水分濃度に大きく依存する。結晶育成が進むに連
れてＢ2 Ｏ3 中の水分の量が次第に減少していくので、
実際には、得られた結晶の種結晶側から単結晶の尾部に
かけて炭素濃度が増加する傾向にある。従って、結晶の
全域に亘って炭素濃度を一定に制御することは非常に困
難であり、得られた結晶は、その全域に亘って抵抗率が
一定にならず、ＦＥＴやＩＣ作製用の基板として用いる
ことはできないという問題点があった。また、Ｂ2 Ｏ3
中から発生した水分が、アンプル内の炭素と反応しＣＯ
ガスを発生させるが、その蒸発量はＢ2 Ｏ3 中の水分含
有量や温度に依存するので常に一定のＣＯ圧とするのは
困難であった。
が１．４であるため、育成結晶中の炭素濃度は減少する
傾向にあるが、Ｂ2 Ｏ3 で原料融液の表面を封止しなが
らＶＧＦ法やＶＢ法により石英アンプル中で結晶育成を
行った場合には、融液中の炭素は前記のようにＢ2 Ｏ3
中の水分と反応しＣＯガスとなるので炭素濃度はＢ2 Ｏ
3 中の水分濃度に大きく依存する。結晶育成が進むに連
れてＢ2 Ｏ3 中の水分の量が次第に減少していくので、
実際には、得られた結晶の種結晶側から単結晶の尾部に
かけて炭素濃度が増加する傾向にある。従って、結晶の
全域に亘って炭素濃度を一定に制御することは非常に困
難であり、得られた結晶は、その全域に亘って抵抗率が
一定にならず、ＦＥＴやＩＣ作製用の基板として用いる
ことはできないという問題点があった。また、Ｂ2 Ｏ3
中から発生した水分が、アンプル内の炭素と反応しＣＯ
ガスを発生させるが、その蒸発量はＢ2 Ｏ3 中の水分含
有量や温度に依存するので常に一定のＣＯ圧とするのは
困難であった。
【００１１】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、ＶＧＦ法及びＶＢ法により、結晶成長方
向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を得るこ
とを目的とする。
されたもので、ＶＧＦ法及びＶＢ法により、結晶成長方
向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を得るこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、石英アンプル中に、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａ
ｓ2 Ｏ3 や一酸化炭素、二酸化炭素などの酸素化合物よ
りなる酸素供給源を入れ、それによって結晶育成中に、
石英アンプル中のＣＯ圧を制御することを考えた。
に、本発明者らは、石英アンプル中に、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａ
ｓ2 Ｏ3 や一酸化炭素、二酸化炭素などの酸素化合物よ
りなる酸素供給源を入れ、それによって結晶育成中に、
石英アンプル中のＣＯ圧を制御することを考えた。
【００１３】本発明は、上記着眼に基づきなされたもの
で、気密容器内に、少なくともＧａＡｓ原料を入れたる
つぼと、酸素化合物よりなる酸素供給源とを封入した
後、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して前記原料
をヒータにより加熱融解し、原料融液を所定の温度勾配
下で徐々に冷却して固化させることによりＧａＡｓ単結
晶を成長させるようにしたものである。
で、気密容器内に、少なくともＧａＡｓ原料を入れたる
つぼと、酸素化合物よりなる酸素供給源とを封入した
後、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して前記原料
をヒータにより加熱融解し、原料融液を所定の温度勾配
下で徐々に冷却して固化させることによりＧａＡｓ単結
晶を成長させるようにしたものである。
【００１４】この発明において、前記るつぼ内に、Ｇａ
Ａｓ原料とともにＢ2 Ｏ3 等の封止剤を入れるようにし
てもよい。
Ａｓ原料とともにＢ2 Ｏ3 等の封止剤を入れるようにし
てもよい。
【００１５】また、前記酸素化合物は、加熱により前記
気密容器内の炭素含有物質と反応してＣＯ圧を発生する
に十分な酸素を解離することができる酸素化合物であ
り、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 よりなる群から選ばれた１
または２以上の化合物、あるいは一酸化炭素、二酸化炭
素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物であ
ってもよい。
気密容器内の炭素含有物質と反応してＣＯ圧を発生する
に十分な酸素を解離することができる酸素化合物であ
り、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 よりなる群から選ばれた１
または２以上の化合物、あるいは一酸化炭素、二酸化炭
素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物であ
ってもよい。
【００１６】上記発明によれば、結晶育成中、石英アン
プル中のＣＯガス濃度が一定に制御される。また、Ｂ2
Ｏ3 を用いることにより、育成結晶中に双晶が発生した
り、育成結晶が多結晶化したりするのを防ぐことができ
るので、単結晶化率が低下するのを防ぐことができる。
プル中のＣＯガス濃度が一定に制御される。また、Ｂ2
Ｏ3 を用いることにより、育成結晶中に双晶が発生した
り、育成結晶が多結晶化したりするのを防ぐことができ
るので、単結晶化率が低下するのを防ぐことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、本発明者らは、Ｂ2 Ｏ3 で
封止しながら結晶育成を行う場合、酸素と炭素とから生
成されたＣＯガスがＢ2 Ｏ3 中に溶解し、それが還元さ
れてＣが原料融液中に混入するとの上記報告に基づき、
熱力学的な計算を行った。その計算内容について説明す
る。
封止しながら結晶育成を行う場合、酸素と炭素とから生
成されたＣＯガスがＢ2 Ｏ3 中に溶解し、それが還元さ
れてＣが原料融液中に混入するとの上記報告に基づき、
熱力学的な計算を行った。その計算内容について説明す
る。
【００１８】原料のチャージ時は、系内には、酸素供給
源である例えばＡｓ2 Ｏ3 （固体）、Ｈ2 Ｏを含んだＢ
2 Ｏ3 （固体）、ＧａＡｓ（固体）、Ａｓ（固体）、Ｃ
（固体）以外はないと考える。系内の昇温によって、反
応 Ａｓ2 Ｏ3 → １／２Ａｓ4 Ｏ6 → ２ＡｓＯ＋１
／２Ｏ2 が進行する。発生したＡｓ4 Ｏ6 やＡｓＯやＯ2 は炭素
と反応し、ＣＯガスまたはＣＯ2 ガスを発生するが、Ｇ
ａＡｓの融点（１２３８℃）では殆どがＣＯガスである
と考えてよいので、 Ａｓ4 Ｏ6 ＋６Ｃ → ２Ａｓ2 ＋６ＣＯ ＡｓＯ＋Ｃ → １／２Ａｓ2 ＋ＣＯ Ｏ2 ＋Ｃ → ２ＣＯ となる。
源である例えばＡｓ2 Ｏ3 （固体）、Ｈ2 Ｏを含んだＢ
2 Ｏ3 （固体）、ＧａＡｓ（固体）、Ａｓ（固体）、Ｃ
（固体）以外はないと考える。系内の昇温によって、反
応 Ａｓ2 Ｏ3 → １／２Ａｓ4 Ｏ6 → ２ＡｓＯ＋１
／２Ｏ2 が進行する。発生したＡｓ4 Ｏ6 やＡｓＯやＯ2 は炭素
と反応し、ＣＯガスまたはＣＯ2 ガスを発生するが、Ｇ
ａＡｓの融点（１２３８℃）では殆どがＣＯガスである
と考えてよいので、 Ａｓ4 Ｏ6 ＋６Ｃ → ２Ａｓ2 ＋６ＣＯ ＡｓＯ＋Ｃ → １／２Ａｓ2 ＋ＣＯ Ｏ2 ＋Ｃ → ２ＣＯ となる。
【００１９】ここで、Ｂ2 Ｏ3 中から蒸発したＨ2 Ｏ
が、炭素と反応しＣＯガスを発生することが考えれる
が、Ｈ2 Ｏの蒸発は徐々に生じるので、Ｂ2 Ｏ3 中から
蒸発したＨ2 Ｏと炭素により発生したＣＯガスの圧力
は、Ａｓ2 Ｏ3 により発生したＣＯガスよりも小さい圧
力と考えられる。従って、ＧａＡｓが融解した時点での
初期のＣＯ圧はＡｓ2 Ｏ3 量に依存すると考えられる
が、以下の計算によって、Ａｓ2 Ｏ3 により発生するＣ
ＯガスとＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発によって発生するＣ
Ｏガスとの関係を求めた。
が、炭素と反応しＣＯガスを発生することが考えれる
が、Ｈ2 Ｏの蒸発は徐々に生じるので、Ｂ2 Ｏ3 中から
蒸発したＨ2 Ｏと炭素により発生したＣＯガスの圧力
は、Ａｓ2 Ｏ3 により発生したＣＯガスよりも小さい圧
力と考えられる。従って、ＧａＡｓが融解した時点での
初期のＣＯ圧はＡｓ2 Ｏ3 量に依存すると考えられる
が、以下の計算によって、Ａｓ2 Ｏ3 により発生するＣ
ＯガスとＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発によって発生するＣ
Ｏガスとの関係を求めた。
【００２０】次の（１）式の反応において、Ｂ2 Ｏ3 か
ら蒸発するＨ2 Ｏの量をｘモル、酸素供給源であるＡｓ
2 Ｏ3 等により生成されるＣＯの量をｙモル、Ｈ2 Ｏと
Ｃの反応によって生成されるＨ2 及びＣＯの量をそれぞ
れｘαモルとする。なお、αは、平衡時のＨ2 Ｏのモル
数を初期のＨ2 Ｏのモル数で割った値である。
ら蒸発するＨ2 Ｏの量をｘモル、酸素供給源であるＡｓ
2 Ｏ3 等により生成されるＣＯの量をｙモル、Ｈ2 Ｏと
Ｃの反応によって生成されるＨ2 及びＣＯの量をそれぞ
れｘαモルとする。なお、αは、平衡時のＨ2 Ｏのモル
数を初期のＨ2 Ｏのモル数で割った値である。
【００２１】
【数１】 Ｈ2 Ｏ、Ｈ2 及びＣＯのそれぞれについて、初期及び平
衡時のモル数は表１のようになる。
衡時のモル数は表１のようになる。
【００２２】
【表１】 Ｈ2 Ｏ、Ｈ2 及びＣＯのそれぞれについて、平衡状態に
おける分圧ＰH 2 O 、ＰH 2 及びＰCOは、全圧をＰとす
ると、次の（２）式で表される。
おける分圧ＰH 2 O 、ＰH 2 及びＰCOは、全圧をＰとす
ると、次の（２）式で表される。
【００２３】
【数２】 平衡定数をＫとすると、平衡時には次の（３）式が成立
する。
する。
【００２４】
【数３】 従って、（３）式に（２）式を代入すると、次の（４）
式が得られる。
式が得られる。
【００２５】
【数４】 気体の状態方程式より、全圧Ｐは次の（５）式より求め
られる。
られる。
【００２６】
【数５】 （４）式に（５）式を代入すると、次の（６）式のよう
にαの２次式が得られる。
にαの２次式が得られる。
【００２７】
【数６】 （６）式をαについて解くと、次の（７）式が得られ
る。
る。
【００２８】
【数７】 ここで、温度Ｔを１５００Ｋ（ケルビン）、容積Ｖを１
リットル、平衡定数を６１２、Ｂ2 Ｏ3 を４０ｇ、Ｂ2
Ｏ3 中のＨ2 Ｏ量を９０ppm とし、Ｂ2 Ｏ3 からＨ2 Ｏ
が全量蒸発すると、０．０００２モルのＨ2 Ｏが蒸発す
ることになる。これらの数値と上記（７）式に基づき、
初期のＣＯ圧値をパラメータとして、Ｂ2 Ｏ3 中のＨ2
Ｏの蒸発量とＨ2 Ｏ圧、Ｈ2 圧及びＣＯ圧との関係を求
めた。その結果をそれぞれ図２、図３及び図４に示す。
リットル、平衡定数を６１２、Ｂ2 Ｏ3 を４０ｇ、Ｂ2
Ｏ3 中のＨ2 Ｏ量を９０ppm とし、Ｂ2 Ｏ3 からＨ2 Ｏ
が全量蒸発すると、０．０００２モルのＨ2 Ｏが蒸発す
ることになる。これらの数値と上記（７）式に基づき、
初期のＣＯ圧値をパラメータとして、Ｂ2 Ｏ3 中のＨ2
Ｏの蒸発量とＨ2 Ｏ圧、Ｈ2 圧及びＣＯ圧との関係を求
めた。その結果をそれぞれ図２、図３及び図４に示す。
【００２９】図４より、Ｂ2 Ｏ3 中の水分の蒸発量によ
らず、石英アンプル内のＣＯ圧を略一定に制御すること
ができることがわかる。そして、そのＣＯ圧の値は、Ｃ
Ｏ圧の初期値に依存していることがわかる。つまり、Ｃ
Ｏ圧の初期値は、酸素供給源であるＡｓ2 Ｏ3 等のチャ
ージ量によって決まり、初期のＣＯ圧が育成中も維持さ
れる。従って、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶を得ることができる。
らず、石英アンプル内のＣＯ圧を略一定に制御すること
ができることがわかる。そして、そのＣＯ圧の値は、Ｃ
Ｏ圧の初期値に依存していることがわかる。つまり、Ｃ
Ｏ圧の初期値は、酸素供給源であるＡｓ2 Ｏ3 等のチャ
ージ量によって決まり、初期のＣＯ圧が育成中も維持さ
れる。従って、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶を得ることができる。
【００３０】次に、本発明の好適な実施形態について説
明する。図１には、本発明をＶＧＦ法に適用した際に使
用される結晶成長炉の概略が示されている。
明する。図１には、本発明をＶＧＦ法に適用した際に使
用される結晶成長炉の概略が示されている。
【００３１】本発明に係る単結晶製造方法では、図１に
示すように、結晶育成部１ａ、蒸気圧制御部（砒素だ
め）１ｂ、酸素供給源設置部１ｃ及び封止用キャップ１
ｄからなる気密容器（石英アンプル）１を使用し、該気
密容器１内でＧａＡｓ単結晶の育成を行う。
示すように、結晶育成部１ａ、蒸気圧制御部（砒素だ
め）１ｂ、酸素供給源設置部１ｃ及び封止用キャップ１
ｄからなる気密容器（石英アンプル）１を使用し、該気
密容器１内でＧａＡｓ単結晶の育成を行う。
【００３２】使用する縦型加熱炉のヒータ２は、少なく
とも結晶育成部加熱用ヒータ２ａ、種結晶部加熱用ヒー
タ２ｂ及び蒸気圧制御部加熱用ヒータ２ｄを有する円筒
状の多段構成のものである。図１に示す炉では、酸素供
給源設置部加熱用ヒータ２ｃが設けられており、酸素供
給源設置部１ｃの温度を独立して制御することができる
ようになっている。
とも結晶育成部加熱用ヒータ２ａ、種結晶部加熱用ヒー
タ２ｂ及び蒸気圧制御部加熱用ヒータ２ｄを有する円筒
状の多段構成のものである。図１に示す炉では、酸素供
給源設置部加熱用ヒータ２ｃが設けられており、酸素供
給源設置部１ｃの温度を独立して制御することができる
ようになっている。
【００３３】結晶育成を行うにあたっては、まず、るつ
ぼ３の種結晶設置部３ａ内に種結晶４を入れ、るつぼ３
内にＧａＡｓ原料５と封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）６を入れる。
また、気密容器１の蒸気圧制御部１ｂ内に蒸気圧制御用
の砒素７を入れるとともに、酸素供給源設置部１ｃに酸
素化合物（Ａｓ2 Ｏ3 等）よりなる酸素供給源８を置
く。さらに、気密容器１の結晶育成部１ａ内の例えばグ
ラファイト製のサセプタ９上にるつぼ３を設置し、気密
容器１内を真空排気してキャップ１ｄにより封止する。
ぼ３の種結晶設置部３ａ内に種結晶４を入れ、るつぼ３
内にＧａＡｓ原料５と封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）６を入れる。
また、気密容器１の蒸気圧制御部１ｂ内に蒸気圧制御用
の砒素７を入れるとともに、酸素供給源設置部１ｃに酸
素化合物（Ａｓ2 Ｏ3 等）よりなる酸素供給源８を置
く。さらに、気密容器１の結晶育成部１ａ内の例えばグ
ラファイト製のサセプタ９上にるつぼ３を設置し、気密
容器１内を真空排気してキャップ１ｄにより封止する。
【００３４】その気密容器１を縦型加熱炉の所定位置に
設置し、ヒータ２により加熱して原料５及び封止剤６を
融解させる。各ヒータ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの出力を
調整して、種結晶４側から原料融液５の上方に向かって
徐々に高温となるような所定の温度勾配を維持しつつ徐
々に原料融液５を下部から融点以下の温度に冷却するこ
とにより単結晶１０を上方に向かって成長させる。その
際、蒸気圧制御部加熱用ヒータ２ｄの出力調整によりＡ
ｓの蒸気圧制御を行う。
設置し、ヒータ２により加熱して原料５及び封止剤６を
融解させる。各ヒータ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの出力を
調整して、種結晶４側から原料融液５の上方に向かって
徐々に高温となるような所定の温度勾配を維持しつつ徐
々に原料融液５を下部から融点以下の温度に冷却するこ
とにより単結晶１０を上方に向かって成長させる。その
際、蒸気圧制御部加熱用ヒータ２ｄの出力調整によりＡ
ｓの蒸気圧制御を行う。
【００３５】上記実施形態によれば、気密容器１内に、
ＧａＡｓ原料５及びＢ2 Ｏ3 ６を入れたるつぼ並びに蒸
気圧制御用のＡｓとともに、Ａｓ2 Ｏ3 等の酸素供給源
８を封入することにより、気密容器１中のＣＯガス濃度
を制御しながら結晶成長を行うようにしたので、育成結
晶中の炭素濃度を制御しながら結晶育成を行うことがで
き、炭素濃度の均一な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶が高歩留
まりで得られる。
ＧａＡｓ原料５及びＢ2 Ｏ3 ６を入れたるつぼ並びに蒸
気圧制御用のＡｓとともに、Ａｓ2 Ｏ3 等の酸素供給源
８を封入することにより、気密容器１中のＣＯガス濃度
を制御しながら結晶成長を行うようにしたので、育成結
晶中の炭素濃度を制御しながら結晶育成を行うことがで
き、炭素濃度の均一な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶が高歩留
まりで得られる。
【００３６】なお、酸素供給源は、加熱により前記気密
容器内の炭素含有物質（例えばグラファイト製のサセプ
タ９）と反応して、ＧａＡｓ単結晶中の目標Ｃ濃度を達
成できるＣＯ圧を発生するに十分な酸素を解離すること
ができる酸素化合物であり、Ａｓ2 Ｏ3 に限らず、Ｇａ
2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 よりなる群から選ばれた１または２
以上の化合物、あるいは一酸化炭素、二酸化炭素よりな
る群から選ばれた１または２以上の化合物であってもよ
い。すなわち、容易に酸素を解離し易く、かつ育成結晶
に混入してもＧａＡｓ単結晶の結晶性及び電気的な特性
に悪影響を及ぼさないような材料であれば、いかなるも
のでもよい。特に、ＧａＡｓの構成元素であるＧａ2 Ｏ
3 、Ａｓ2 Ｏ3 が好ましい。
容器内の炭素含有物質（例えばグラファイト製のサセプ
タ９）と反応して、ＧａＡｓ単結晶中の目標Ｃ濃度を達
成できるＣＯ圧を発生するに十分な酸素を解離すること
ができる酸素化合物であり、Ａｓ2 Ｏ3 に限らず、Ｇａ
2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 よりなる群から選ばれた１または２
以上の化合物、あるいは一酸化炭素、二酸化炭素よりな
る群から選ばれた１または２以上の化合物であってもよ
い。すなわち、容易に酸素を解離し易く、かつ育成結晶
に混入してもＧａＡｓ単結晶の結晶性及び電気的な特性
に悪影響を及ぼさないような材料であれば、いかなるも
のでもよい。特に、ＧａＡｓの構成元素であるＧａ2 Ｏ
3 、Ａｓ2 Ｏ3 が好ましい。
【００３７】上記実施の形態においては本発明をＶＧＦ
法に適用した場合について説明したが、本発明はＶＢ法
にも適用可能である。
法に適用した場合について説明したが、本発明はＶＢ法
にも適用可能である。
【００３８】
（実施例）直径約３インチで厚さ３mmのｐＢＮ製るつぼ
の種結晶設置部に種結晶を入れ、さらにるつぼ内に約３
kgのＧａＡｓ多結晶と４０ｇのＢ2 Ｏ3 （含有水分量：
９０ppm ）を入れた。続いて、石英アンプルの蒸気圧制
御部に２ｇのＡｓを入れるとともに、酸素供給源設置部
にＡｓ2 Ｏ3 を２８．２ｇチャージした。そして、原料
及び封止剤を入れたるつぼを石英アンプル内のサセプタ
上に設置した後、石英アンプルをキャップにより真空封
止した。その真空封止した気密容器を４段ヒータ構成の
縦型加熱炉内に設置した。なお、酸素供給源設置部を特
別に設けずに、Ａｓ2 Ｏ3 をるつぼの傍に置いてもよ
い。また、高圧炉を用いる場合は、原料としてＧａＡｓ
多結晶を用いるかわりに、るつぼにＧａとＡｓを入れて
それらを直接合成させるようにしてもよい。
の種結晶設置部に種結晶を入れ、さらにるつぼ内に約３
kgのＧａＡｓ多結晶と４０ｇのＢ2 Ｏ3 （含有水分量：
９０ppm ）を入れた。続いて、石英アンプルの蒸気圧制
御部に２ｇのＡｓを入れるとともに、酸素供給源設置部
にＡｓ2 Ｏ3 を２８．２ｇチャージした。そして、原料
及び封止剤を入れたるつぼを石英アンプル内のサセプタ
上に設置した後、石英アンプルをキャップにより真空封
止した。その真空封止した気密容器を４段ヒータ構成の
縦型加熱炉内に設置した。なお、酸素供給源設置部を特
別に設けずに、Ａｓ2 Ｏ3 をるつぼの傍に置いてもよ
い。また、高圧炉を用いる場合は、原料としてＧａＡｓ
多結晶を用いるかわりに、るつぼにＧａとＡｓを入れて
それらを直接合成させるようにしてもよい。
【００３９】結晶育成部加熱用ヒータ及び種結晶部加熱
用ヒータにより、種結晶の上端と原料が１２３８℃〜１
２５５℃の温度となるようにるつぼを加熱して原料及び
封止剤を融解させるとともに、蒸気圧制御部加熱用ヒー
タにより蒸気圧制御部を６０５℃となるように加熱し
た。
用ヒータにより、種結晶の上端と原料が１２３８℃〜１
２５５℃の温度となるようにるつぼを加熱して原料及び
封止剤を融解させるとともに、蒸気圧制御部加熱用ヒー
タにより蒸気圧制御部を６０５℃となるように加熱し
た。
【００４０】この状態で、結晶の育成速度が毎時２mmと
なるように加熱炉の設定温度を連続的に下げて結晶の育
成を開始した。結晶育成中、蒸気圧制御部の温度が一定
になるように保持するようにヒータの出力を制御した。
なるように加熱炉の設定温度を連続的に下げて結晶の育
成を開始した。結晶育成中、蒸気圧制御部の温度が一定
になるように保持するようにヒータの出力を制御した。
【００４１】結晶育成開始から約３０時間経過した時点
で原料融液はすべて固化した。その後、加熱炉全体を毎
時１００℃の降温速度で冷却し、室温近くまで冷えた時
点で加熱炉内から気密容器を取り出し、その気密容器を
壊して結晶を取り出した。
で原料融液はすべて固化した。その後、加熱炉全体を毎
時１００℃の降温速度で冷却し、室温近くまで冷えた時
点で加熱炉内から気密容器を取り出し、その気密容器を
壊して結晶を取り出した。
【００４２】得られた結晶は直径約３インチで全長約１
２cmのＧａＡｓ単結晶であり、その結晶性を調べたとこ
ろ双晶や多結晶は全く発生していなかった。この単結晶
インゴットを切断して転位密度を調べたところ、結晶の
どの領域においても転位密度は２０００cm-2以下であっ
た。また、得られた結晶の炭素濃度は結晶全域で約１×
１０16cm-3であった。さらに、抵抗率は３．２×１０8
Ωcm〜４．０×１０8Ωcmであった。
２cmのＧａＡｓ単結晶であり、その結晶性を調べたとこ
ろ双晶や多結晶は全く発生していなかった。この単結晶
インゴットを切断して転位密度を調べたところ、結晶の
どの領域においても転位密度は２０００cm-2以下であっ
た。また、得られた結晶の炭素濃度は結晶全域で約１×
１０16cm-3であった。さらに、抵抗率は３．２×１０8
Ωcm〜４．０×１０8Ωcmであった。
【００４３】上記実施例と同一の条件でＧａＡｓの単結
晶成長を１０回行ったところ、１０回とも炭素濃度が略
（１±０．１）×１０16cm-3であり、抵抗率が３．０×
１０8 Ωcm〜４．０×１０8 ΩcmのＧａＡｓ単結晶が得
られた。
晶成長を１０回行ったところ、１０回とも炭素濃度が略
（１±０．１）×１０16cm-3であり、抵抗率が３．０×
１０8 Ωcm〜４．０×１０8 ΩcmのＧａＡｓ単結晶が得
られた。
【００４４】（比較例１）気密容器内にＡｓ2 Ｏ3 をチ
ャージしない以外は、上記実施例と同じ条件でＧａＡｓ
単結晶の育成を行った。
ャージしない以外は、上記実施例と同じ条件でＧａＡｓ
単結晶の育成を行った。
【００４５】得られた結晶は直径約３インチで全長約１
２cmのＧａＡｓ単結晶であり、その結晶性を調べたとこ
ろ双晶や多結晶は全く発生していなかった。この単結晶
インゴットを切断して転位密度を調べたところ、結晶の
どの領域においても転位密度は、２０００cm-3以下であ
った。また、得られた結晶の炭素濃度は結晶全域で約
０．５×１０16cm-3〜１．５×１０16cm-3であった。さ
らに、抵抗率は１．０×１０8 Ωcm〜５．０×１０8 Ω
cmであった。
２cmのＧａＡｓ単結晶であり、その結晶性を調べたとこ
ろ双晶や多結晶は全く発生していなかった。この単結晶
インゴットを切断して転位密度を調べたところ、結晶の
どの領域においても転位密度は、２０００cm-3以下であ
った。また、得られた結晶の炭素濃度は結晶全域で約
０．５×１０16cm-3〜１．５×１０16cm-3であった。さ
らに、抵抗率は１．０×１０8 Ωcm〜５．０×１０8 Ω
cmであった。
【００４６】この比較例１と同一の条件でＧａＡｓの単
結晶成長を１０回行ったところ、１０回とも炭素濃度が
約０．５×１０16cm-3〜１．５×１０16cm-3であり、抵
抗率が１．０×１０8 Ωcm〜５．０×１０8 ΩcmのＧａ
Ａｓ単結晶が得られた。
結晶成長を１０回行ったところ、１０回とも炭素濃度が
約０．５×１０16cm-3〜１．５×１０16cm-3であり、抵
抗率が１．０×１０8 Ωcm〜５．０×１０8 ΩcmのＧａ
Ａｓ単結晶が得られた。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、気密容器内に、少なく
ともＧａＡｓ原料を入れたるつぼと、酸素化合物よりな
る酸素供給源とを封入した後、その気密容器を縦型の加
熱炉内に設置して前記原料をヒータにより加熱融解し、
原料融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却して固化させ
ることによりＧａＡｓ単結晶を成長させるようにしたた
め、結晶育成中の気密容器内のＣＯガス濃度を制御する
ことができるので、育成結晶中の炭素濃度を制御しなが
ら結晶育成を行うことができ、炭素濃度の均一な半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶を高歩留まりで得ることができる。
ともＧａＡｓ原料を入れたるつぼと、酸素化合物よりな
る酸素供給源とを封入した後、その気密容器を縦型の加
熱炉内に設置して前記原料をヒータにより加熱融解し、
原料融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却して固化させ
ることによりＧａＡｓ単結晶を成長させるようにしたた
め、結晶育成中の気密容器内のＣＯガス濃度を制御する
ことができるので、育成結晶中の炭素濃度を制御しなが
ら結晶育成を行うことができ、炭素濃度の均一な半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶を高歩留まりで得ることができる。
【図１】本発明をＶＧＦ法に適用した際に使用される結
晶成長炉の概略図である。
晶成長炉の概略図である。
【図２】本発明者らの行った熱力学的な計算結果に基づ
くＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発量とＨ2 Ｏ圧との関係を表
す特性図である。
くＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発量とＨ2 Ｏ圧との関係を表
す特性図である。
【図３】本発明者らの行った熱力学的な計算結果に基づ
くＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発量とＨ2 圧との関係を表す
特性図である。
くＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発量とＨ2 圧との関係を表す
特性図である。
【図４】本発明者らの行った熱力学的な計算結果に基づ
くＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発量とＣＯ圧との関係を表す
特性図である。
くＢ2 Ｏ3 中のＨ2 Ｏの蒸発量とＣＯ圧との関係を表す
特性図である。
１ 気密容器 １ｃ 酸素供給源設置部 ２ ヒータ ３ るつぼ ５ ＧａＡｓ原料 ６ Ｂ2 Ｏ3 （封止剤） ８ Ａｓ2 Ｏ3 （酸素供給源） １０ ＧａＡｓ単結晶
Claims (6)
- 【請求項１】 気密容器内に、少なくともＧａＡｓ原料
を入れたるつぼと、酸素化合物よりなる酸素供給源とを
封入した後、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して
前記原料をヒータにより加熱融解し、原料融液を所定の
温度勾配下で徐々に冷却して固化させることによりＧａ
Ａｓ単結晶を成長させることを特徴とする半絶縁性Ｇａ
Ａｓ単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記るつぼ内に、ＧａＡｓ原料とともに
封止剤を入れることを特徴とする請求項１記載の半絶縁
性ＧａＡｓ単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記封止剤は、Ｂ2 Ｏ3 であることを特
徴とする請求項２記載の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造
方法。 - 【請求項４】 前記酸素化合物は、加熱により前記気密
容器内の炭素含有物質と反応してＣＯ圧を発生するに十
分な酸素を解離することができる酸素化合物であること
を特徴とする請求項１、２または３記載の半絶縁性Ｇａ
Ａｓ単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 前記酸素化合物は、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｓ2
Ｏ3 よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物で
あることを特徴とする請求項４記載の半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶の製造方法。 - 【請求項６】 前記酸素化合物は、二酸化炭素、一酸化
炭素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物で
あることを特徴とする請求項４記載の半絶縁性ＧａＡｓ
単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33235696A JP4120016B2 (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33235696A JP4120016B2 (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006289021A Division JP2007106669A (ja) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167898A true JPH10167898A (ja) | 1998-06-23 |
| JP4120016B2 JP4120016B2 (ja) | 2008-07-16 |
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|---|---|---|---|
| JP33235696A Expired - Fee Related JP4120016B2 (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
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| JP (1) | JP4120016B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010091386A (ko) * | 2000-03-15 | 2001-10-23 | 오명환 | ＶＧＦ법에 의한 ＧａＡｓ 단결정 성장시 단결정 확보를위한 Ａｓ 증기압 제어방법 |
| EP1456866A2 (en) * | 2001-07-05 | 2004-09-15 | Axt, Inc. | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control |
| JP2005314139A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| USRE40662E1 (en) | 1998-03-25 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
| JP2009149519A (ja) * | 2009-04-03 | 2009-07-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| CN108060454A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-22 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种vgf法制备砷化镓晶体的装置及方法 |
| CN110629289A (zh) * | 2019-11-01 | 2019-12-31 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 |
| CN113235162A (zh) * | 2017-07-04 | 2021-08-10 | 住友电气工业株式会社 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
| WO2023221667A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2010059052A (ja) * | 2009-10-23 | 2010-03-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法および装置 |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP33235696A patent/JP4120016B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20010091386A (ko) * | 2000-03-15 | 2001-10-23 | 오명환 | ＶＧＦ법에 의한 ＧａＡｓ 단결정 성장시 단결정 확보를위한 Ａｓ 증기압 제어방법 |
| KR100966182B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2010-06-25 | 에이엑스티 인코포레이티드 | 반도체결정들을 강성 지지물로 탄소도핑과 저항률제어 및 열경사도제어에 의해 성장시키기 위한 방법 및 장치 |
| JP2012126644A (ja) * | 2001-07-05 | 2012-07-05 | Axt Inc | 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 |
| EP1456866A4 (en) * | 2001-07-05 | 2008-08-20 | Axt Inc | METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTALS USING RIGID CARBON DOPING MEDIUM, RESISTIVITY REGULATION AND TEMPERATURE GRADIENT |
| JP2009051728A (ja) * | 2001-07-05 | 2009-03-12 | Axt Inc | 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 |
| US6896729B2 (en) | 2001-07-05 | 2005-05-24 | Axt, Inc. | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control |
| CN102797032A (zh) * | 2001-07-05 | 2012-11-28 | Axt公司 | 具有坚固支撑、碳掺杂、电阻率控制和热梯度控制的半导体晶体生长的方法和装置 |
| EP1456866A2 (en) * | 2001-07-05 | 2004-09-15 | Axt, Inc. | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control |
| EP2444531A3 (en) * | 2001-07-05 | 2012-10-31 | Axt, Inc. | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support and with carbon doping |
| JP2005314139A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JP2009149519A (ja) * | 2009-04-03 | 2009-07-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| CN113235162A (zh) * | 2017-07-04 | 2021-08-10 | 住友电气工业株式会社 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
| CN113235162B (zh) * | 2017-07-04 | 2024-06-04 | 住友电气工业株式会社 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
| CN108060454A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-22 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种vgf法制备砷化镓晶体的装置及方法 |
| CN110629289A (zh) * | 2019-11-01 | 2019-12-31 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 |
| CN110629289B (zh) * | 2019-11-01 | 2021-02-23 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 |
| WO2023221667A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040304 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040518 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
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| A521 | Written amendment |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080401 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080414 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110509 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110509 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120509 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130509 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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