JPS6058196B2 - 化合物半導体単結晶の引上方法および装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液体カプセル剤て覆われた原料融液から化合
物半導体単結晶を引上げる液体カプセル引上法、いわゆ
るＬＥＣ法の改良方法および装置に関する。

ＬＥＣ法によつて製造される化合物半導体には、砒化
ガリウム（ＧａＡｓ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）、燐化
インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、
アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）などの■−■族化合
物半導体やテルル化鉛（ＰｂＴｅ）、セレン化鉛（Ｐｂ
Ｓｅ）、テルル化錫（ＳｎＴｅ）などがある。

ＬＥＣ法の利点は封管を用いないで、比較的簡単な装置
により単結晶を引上げる事ができる点にあるが、反面化
合物半導体の化学当量比組成からのズレを制御すること
が困難な点が大きな欠点になつている。石英封管を用い
る水平式ブリッジマン法の蒸気圧制御法の考え方を導入
した二温度帯ＬＥＣ法（あるいは蒸気圧制御ＬＥＣ法：
例えば特許公報昭和５２−１２１５鰐明細書参照）が提
案されているが、装置がかなり複雑になるという欠点が
ある。また化合物の融点よりかなり低い温度での成長を
行なわせることにより、一定組成の溶液から引上げるＬ
ＥＣ法（特許公報昭和５２−３３４４号明細書参照）も
提案されているが、例えば■一Ｖ族化合物半導体の場合
には■族成分がかなり過剰の溶液からの成長に限られ、
化合物半導体の融点に近い組成範囲での化学当量比組成
からのズレを制御することは困難である。何故なら溶液
、例えばＧａ−ＧａＰ溶液の組成を一定に保つ為には単
結晶引上中に常に固定原料すなわちＧａＰを溶液に接触
せねばならず、化合物（ＧａＰ）の融点に近い組成範囲
では常にＧａＰを固定状態で供給することが困難である
からである。本発明は叙上の難点を解消したもので、化
合物半導体の融点に近い組成範囲で化合物半導体の化学
当量比組成からのズレを精密に制御しうる新規なＬＥＣ
法を提供するものである。

本発明の第１の発明（特許請求の範囲第１項記載の発明
）は、ＬＥＣ法において、液体カプセル剤で覆われた原
料融液を下部に細孔を有する融壁によつて成長用原料融
液と供給用原料融液に二分するとともに、成長用原料融
液のみに化合物半導体の構成成分の一方を添加すること
によつて、成長用原料融液の化学当量比組成からのズレ
ど供給用原料融液の化学当量比組成からのズレとを互い
に異ならしめたことを特徴とする化合物半導体単結晶の
引上方法を提供するものである。

ここに細孔はキャピラリー、狭い間隙、毛細管の集合等
でもよく最小断面の寸法としては化合物の構成成分の溶
質対流が無視できる程度のサイズすなわち、直径０．３
−２ｗ！ｎあるいはスリット形で幅０．３−２ｍが適当
である。例えば■−■族化合物半導体の一種である砒化
ガリウム（Ｇａ．Ａｓ）を例にとつて説明すると、成長
用原料融液の組成は原子パーセントでＧａ＝５５％〜４
５％、ＡＳ＝４５〜５５％に選ばれる。

そして供給用原料融液の組成は、成長用原料融液の初期
組成に対応してＧａ≧４５％〜５５％、Ａｓ≧５５％〜
４５％に選ばれる。これによつて単結晶成長が続く間成
長用原料融液の組成は初期組成で決るほぼ一定の組成に
保たれる。なお初期組成がＧａ＝Ａｓ≧５０％の場合に
は成長中の若干のＡｓの蒸発損失を考慮して、供給用原
料融液の組成をわずかにＡｓ過剰（たとえばＡｓ≧５１
％）に設定するとよい。又、ＧａＳｂのように異方性成
長の著しい化合物半導体では成長用原料融液の初期組成
は、Ｇａ＝４７．５〜４０％、Ｓｂ＝５２．５％〜６０
％に選ばれる。この場合には供給用原料融液の組成はや
はり初期組成に対応して、Ｇａ≧５２．５％〜６０％、
Ｓｂ≧４７．５％〜４０％に選ばれる。一般に■−■族
化合物半導体の場合に半絶縁性結晶や電気的に高純度の
結晶を成長させる場合には、成長用原料融液の組成がＶ
族過剰であることが好ましい。

これは■族原子空孔や■族元素を置換した■Ｖ（アクセ
プター）のような格子欠陥が減少し、■族原子空孔や■
族元素を置換したＶ■（深いドナー）のような格子欠陥
が有効になる為である。次に本発明の第２の発明（特許
請求の範囲第２項記載の発明）は、同じくＬＥＣ法にお
いて、原料融液と液体カプセル剤の間に、開口部に細孔
を有する隔壁を設けた皿状部材を浮べて原料融液を成長
用原料融液と供給用原料融液に二分するとともに、成長
用原料融液のみに化合物半導体の構成成分の一方を添加
することによつて、成長用原料融液の化学当量比組成か
らのズレど供給用原料融液の化学当量比組成からのズレ
とを互いに異ならしめ、かつ供給用原料融液の組成をほ
ぼ化学当量比組成にしたことを特徴とする化合物半導体
単結晶の引上方法を提供するものである。

この発明によれば、固化した単結晶の重量分に相当する
ほぼ化学当量比組成の供給用原料融液が、成長用原料融
液に補供されるため、容易に成長用原料融液の組成を初
期組成にほぼ等しく保つことができる。この第２の発明
において、特に■−■族化合物の場合には、成長用原料
融液の組成を■族過剰とすることが望ましい。又■族過
剰の成長用原料融液を生成するには、■族元素を蒸気の
状態で添加するとよい。次に本発明の第３の発明（特許
請求の範囲第５項記載の発明は、ＬＥＣ法単結晶引上装
置において、原料融液と液体カプセル剤の間に浮んで上
記液体カプセル剤および原料融液を二分するとともに、
開口部に細孔を有する隔壁を設けた皿状部材と、皿状部
材内の原料融液（成長用原料融液）のみに化合物半導体
の構成成分の一方を添加する装置とを設けたことを特徴
とする化合物半導体単結晶の引上装置を提供するもので
ある。

ここに細孔の断面の大きさとしてはやはり直径０．３〜
２ＴＩ＄ｔの孔（複数個）、あるいは幅０．３〜２ｗ！
ｎのスリット形の孔（１ケまたは複数個）が適当である
。原料融液のみならず、液体カプセル剤をも隔壁によつ
て二分することにより、たとえば供給用原料から発生し
た酸化物などいわゆるスカムが成長用原料融液に混入す
るのを防止する効果がある。

なお■−■族化合物半導体単結晶のＬＥＣ法による引上
装置において、■族成分を単結晶成長が行なわれる間、
原料融液全体に供給する装置は提案されている（公開特
許公報昭和４７−１１７１７号明細書参照）。しかしな
がら■族成分を原料融液全体に供給する為、前述の蒸気
圧制御ＬＥＣ法（特許公報５２−１２１５？明細書参照
）と同様に、原料融液の組成が、Ｖ族成分の蒸気圧変動
によつて変動するという欠点がある。例えばＧａＡＳの
場合Ａｓを供給する装置の温度が約２℃変動するとＡｓ
の蒸気圧は一気圧附近で約３５ｔ０ｒｒ（約０．０５気
圧）変動するが、これによつて原料融液の組成は約１％
変化してしまう。一般に高温高圧炉内では、高圧ガスの
熱対流があつて温度を精密に制御することは困難であり
、１０℃程度の変動も極めて生じ易い（原料融液の組成
は約４％も変化してしまう）ことを考えると、このよう
な蒸気圧による組成制御の方法は工業的な製造方法には
なり難い欠点がある。本発明の装置においては、Ｖ族成
分の供給は、成長用原料融液のみに対して行なわれ、単
結晶引上中は、■族成分の蒸気圧は制御されず、■族成
分の供給装置の役割は完了している。以下本発明を図面
を用いて実施例により詳細に説明する。

実施例１ 第１図は本発明の実施例に用いた改良形ＬＥＣ法単結晶
引上装置の略式断面図である。

図において、１は耐圧容器で常圧から必要に応じて１０
０気圧までの高圧窒素ガス又は高圧アルゴツガスなどを
満たすことができる。耐圧容器１内に石英るつぼ２とカ
ーボンるつぼ３、およびこれらを取り巻くカーボンヒー
ター４が設置され、るつぼ３は下部駆動軸５により上下
移動と回転運動が可能となつている。上部駆動軸６には
単結晶シート７が取り付けられ、やはり上下移動と回転
運動が可能となつている。この装置を用いて、ＧａＳｂ
単結晶を〈１００〉方向に引上げた実施例について説明
する。

石英るつぼ２内に原料融液を分離する為の内るつぼ１３
を収容した内るつぼ１３は石英、ＢＮ，．ＰＢＮ（熱分
解ＢＮ）、ＡｌＮなどで構成さぜ、底部に複数個の細孔
１４（直径０．３−２ＴＩｒ！ｎ）が設けられている。
１５は内るつぼの底壁である。

原料としてはＧａＳｂ多結晶１１３２．２７ｙと純度９
９．９９９９％のＧａ８７．７３ｙを用い、石英るつぼ
２と内るつぼ１３の間に収容した。又モル比で１対１の
ＫＣｌ／ＮａＣｌ共晶材料を内るつぼ１３の中に約５０
ｆ１内るつぼ１３と石英るつぼ２の間に約５０ｙ収容し
た。次に第２図に示す成分の供給装置内の空間２０にＳ
舅位置７３．６３ｙを収容した。

この装置は圧力シール（図示せず）された移動軸１８に
継ぎ手１９を介して接続されたストッパー１７を開ける
ことによつて添加口１６からＳｂ粒を添加することがで
きる。２１は蓋体、２２は補助ヒーターである（補助ヒ
ーターは本実施例では使用せず）。

乾燥窒素ガスを耐圧容器内に約１幌圧満たした後、カー
ボンヒーター４によりるつぼ２全体を７３０℃まで加熱
し、原料を溶融反応させた。ＧａＳｂは一般に酸化し易
く、従つて溶融時にスカムを発生し易いが、溶融した原
料はスカムのない状態で細孔１４より内るつぼ１３の内
側に流入し、成長用原料融液９を生成する。供給用原料
融液１０の上部にはスカムが残る結晶引上げに悪影響を
及ぼさない。又、液体カプセル剤の層８，１１が得られ
る。次にストッパー１７を開けて過剰のＳｂ粒を内るつ
ぼの内側の原料融液のみに添加する。こうして成長用原
料融液９の組成は原子パーセントでＧａ／Ｓｂ＝４５％
／５５％となり、又供給用原料融液の組成はＧａ／Ｓｂ
＝５４．８％／４５．２％になる。この時点で成分の供
給装置（第２図）はその役割を完了する。〈１００〉方
向に切り出した単結晶シート７を、上部駆動軸６を降下
させかつ融液の温度を叙々に低下させて調整し、成長用
原料融液に接触させて、シーデイングを行つた。

引上速度約７Ｗ１ｎ／時で良好な単結晶１２を成長させ
ることができた。成長部の最大直径は約５０ＷｒＩＬ程
度であつた。単結晶が成長するにつれて、内るつぼ内の
原料融液９の高さが減少し、かつ残液のＳｂの原子パー
セントが増加しようとするが、外側の供給用原料融液１
０が細孔１４を通して供給される。しかもこの供給用原
料融液１０の組成はＧａ／Ｓｂ＝５４．８％／４５．２
％に選んだため過剰のＳｂを相殺して、結果的に成長用
原料融液９の組成はほぼＧａ／Ｓｂ≧４５％／５５％の
一定組成に保たれる。この結果、供給用原料融液が残存
する限り、成長用原料融液の組成はほぼ一定に保たれて
、いわゆる組成的過冷却によるセル成長現象を引き起す
ことなく長尺のＧａＳｂ単結晶を成長させることができ
た。実施例２ 本実施例では内るつぼ１３をＳｉ３Ｎ４製の浮るつぼと
した。

底壁１５を小さくして、底壁に細孔を設けた。主るつぼ
２内に純度９９．９９９９％のＧａ５ＯＯｙと純度９９
．９９９９％のＳｂ８７３ｙを主るつぼ２の中に収容し
た。液体カプセル剤〆Ｃ１／ＮａＣｌを約１００ｙ収容
した。実施例１と同様に乾燥窒素ガスを約ｗ気圧満たし
た後、カーボンヒーターにより、るつぼ全体を７３０℃
まで加熱し、原料融液を生成した。

融液組成はこの状態でＧａ／Ｓｂ＝５０％／５０％であ
り、浮るつぼ（図示せず、後述の第３図２４参照）内に
は全体の約１１４の融液を流入した。次に第２図に示し
た成分供給装置に予じめ４９ｙ０）Ｓｂ粒を収容してお
いて、ストッパー１７を開けてＳｂ粒を内るつぼ内の成
長用原料融液内に添加した。こうして内るつぼ内にＧａ
／Ｓｂ＝４５％／５５％の成長用原料融液を収容した状
態で、Ｇａ／Ｓｂ＝５０％／５０％の供給用原料融液の
上に浮いて、いわゆる浮るつぼとして働く。次に実施例
１と同様にく１００〉単結晶シート７を降下させて〈１
００〉方向にＧａＳｂ単結晶を成長させた。

成長条件は実施例１と同様であつた。この場合には単結
晶が成長するにしたがつて、ちようど成長した分量だけ
のＧａＳｂ融液が、供給用原料融液から供給されるため
、成長用原料融液の組成は常に一定に保たれる。こうし
て実施例１と同様に長尺のＧａＳｂ＜１００〉単結晶を
成長させることができた。なおこの実施例では特にるつ
ぼの中心部より周辺部の温度を高くして、供給用原料融
液が固化しないように注意する必要があることを指摘し
ておく。

又成長用原料融液の組成はＶ族（Ｓｂ）過剰の場合につ
いて説明したが、■族（Ｇａ）過剰の場合に適用するこ
とも極めて容易である。実施例３ 本実施例ではＧａＳｂの代りにＧａＡｓに適用した場合
について述べる。

ＧａＡｓの場合は成長用原料融液の組成は原子パーセン
トでＧａ／Ａｓ＝５５％／４５％からＧａ／Ａｓ＝４５
％／５５％の間で精密に制御する必要がある。特にＧａ
＝４９〜４７％、Ｍ＝５１〜５３％すなわちＧａ／Ａｓ
＝（４９〜４７）％／（５１〜５３）％に選ぶと半絶縁
情ρＡＡｓ単結晶の成長に有利である。液体カプセル剤
としてはＫＣＩ／ＮａＣｌでなくＢ２Ｏ３を用いる。又
るつぼとしては熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）やＡｌＮが特
に好適である。第３図は本発明の実施例に用いた他の改
良形ＬＥＣ法単結晶引上装置の略式断面図である。第４
図は成分供給装置を中心に示した部分断面図である。図
において、１は耐圧容器で常圧から必要に応じて１叩気
圧まで高圧窒素ガス又は高圧アルゴンガスなどを満たす
ことができる。

耐圧容器１内にＰＢＮるつぼ３３とカーボンるつぼ３、
およびこれらを取巻くカーボンヒーター４が設置され、
るつほ３は下部駆動軸５により上下移動と回転運動が可
能となつている。上部駆動軸６には単結晶シート３５が
取り付けられ、やはり上下移動と回転運動が可能となつ
ている。この装置を用いて、Ｇａ，Ａｓ単結晶を〈１０
０〉方向に引上げた実施例について説明する。

予じめＰＢＮるつぼ内で合成された高純度ＧａＡｓ多結
晶１．５ｋｇを内径１０２朋のＰＢＮるつぼ３３内に収
容した。ＧａＡｓ多結晶の上に約１５０ｙの脱水したＢ
２Ｏ３ディスクをのせ、更にその上に浮るつぼとして働
く皿状部材２４を設置した。皿状部材はＰＢＮで作られ
ており、比重は２．２−２．５ｙ／ｃ！ｌなので、調整
するために比重約４．０ｙ／ａｌのＡｌ２Ｏ３の重し３
４を利用した。皿状部材２４は底壁２５に細孔２６が設
けられている。又３１は防堤として働く。乾燥窒素ガス
を耐圧容器内に約５気圧満たした後、カーボンヒーター
４によりるつぼ３３全体を約１２５０℃まて加熱し、原
料を溶融させた。

その結果原料の約１１６が皿状部材の内側に流入して成
長用原料融液３９を形成して、全体として供給用原料融
液４０の上に浮ぶ、皿状部材２４はＢ２Ｏ３の層３７，
３８と原料融液３９，４０の間に浮ぶ。次に予じめ純度
９９．９９９９％の砒素（Ａｓ）３２を約１７ｙ収容し
た。砒素の供給装置（第２図）の添加口２７を成長用原
料融液３９の中に浸積する。このとき空間２８には約５
気圧の窒素ガスが入つていて耐圧容器内の圧力とバラン
スしている。次に補助ヒーター３０によつて空間２８を
加熱し、６１０゜Ｃ以上とする。６５０℃位が適当であ
る。

Ａｓは，ＡＳ４蒸気となつて成長用原料融液内に溶け込
むが、最後に１気圧強のＡＳ４蒸気と４気圧弱の窒素ガ
スが空間２８に残る。しかしその量はＡｓ固体換算て約
０．３ｑに過ぎないので、収容したＡｓはほぼ成量成長
用原料融液に溶け込むと考えてよい。継ぎ手１９でつな
がつた移動軸１８を引上げて成分供給装置を融液から引
き離すと、第３図の状態になる。こうして、Ｇａ／，Ａ
ｓ≧４７％／５３％の成長用原料融液３９とＧａ／，Ａ
ｓ＝５０％／５０％の供給用原料融液４０が生成した。
く１００〉方向に切り出した単結晶シート３５を、上部
駆動軸６を降下させかつ融液の温度を徐々に低下させて
調整し、成長用原料融液に接触させて、シーデイングを
行つた。

この実施例でもるつぼの中心部より周辺部の温度を高く
して、供給用原料融液が固化しないように注意する必要
がある。引上速度８ｎｎ／時て良好な単結晶３６を成長
させることができた。

直径は約５０Ｔｗｔでプラスマイナス２７ｍに制御され
た。本実施例でも実施例２と同様に単結晶が成長するに
したがつて、ちようど成長した分量だけのＧａＡｓ融液
が、供給用原料融液から供給されるため、成長用原料融
液の組成はほぼ一定に保たれる。

成長結晶は先端から後端まで３００′Ｋで約２−３×１
０７ΩＣｍの比抵抗を示すことが分つた。

以上詳述した以外にも成長条件の改変は容易である。例
えば、成長用原料融液３９に第２図の装置を用いてＧａ
を添加することによつて、Ｇａ過剰の融液からＧａＡｓ
単結晶を成長させることができる。

又実施例３においては出発原料としてＧａＡｓ多結晶を
用いたが、純度９９．９９９９％のＧａ＜５Ａｓを原料
として、かつ合成時のＡｓの蒸発損失（〜１％）を見込
んでＧａ／Ａｓ＝４９．５％／５０．５％のモル比に秤
量して主るつぼ３３の中に収容して、圧力１気圧以上で
直接ＧａＡｓ融液を合成して、細孔２６を通して流入し
た原料融液３９の中にＡｓ添加装置（第４図）により過
剰Ａｓを添加することができる。この楊合にも原料の酸
化物によるスカムが隔壁２４，２５及び防堤３１により
、成長用原料融液３９内に混入するのを防止することが
できる。なお浮るつぼとして働く皿状部材２４（２５，
３１，３４と合せて構成）を上方に離しておいて、Ｇａ
Ａｓ融液の合成が終了してから融液４０上に降下浸漬さ
せてもよい。主るつぼ３３としてはＰＢＮの代りにＡｌ
Ｎ，Ａｌ２Ｏ３などを用いてもよい。あるいは石英（Ｓ
ｉＯ２）るつぼを用いても、原料から発生する酸素分に
よつてＳｉＯ２からのＳｉの汚染作用が抑制されるので
安価るつぼという点で効果がある。以上詳述したように
本発明は、ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，Ｇａ
Ｓｂのような■−■族化合物半導体やＰｂＴｅ，ＰｂＳ
ｅ，ＳｎＴｅなどのその他の化合物半導体の融点に近い
組成範囲で、化合物半導体の化学当量比組成からのズレ
を簡便に制御しうる新規なＬＥＣ法および装置を提供す
るものであり、特に次のような効果がある。

Ｉ複雑な装置（二温度帯ＬＥＣ装置など）を用いること
なく、化合物半導体の融点に近い組成範囲で、化合物半
導体の化学当量比組成からのズレを制御するとともに、
単結晶成長の間、成長用原料融液の組成をほぼ一定に保
つことができる。

■ 成長用原料融液の組成を、例えは■−Ｖ族化合物半
導体の場合、常にＶ族過剰に制御できるため、■■（ア
クセプター）のような格子欠陥が少く、■■（深いドナ
ー）を適量含ませた■一■族化合物半導体単結晶を成長
させることができる。

しかも結晶の先端から後端までほぼ均一な組成に制御で
きる。ＧａＡｓＩＣ用の直接選択イオン注入形デバイス
用の高純度半絶縁性基板として有用なアンドープＧａＡ
ｓ単結晶やクロム（Ｃｒ）を少量添加した低クロムＧａ
Ａｓ単結晶に特に有用である。

■ 不純物の均一ドープ法（公開特許公報昭和５６−１
０４７９６号明細書参照）と組み合せ、硼素（Ｂ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、シリコン（Ｓｉ）などを添加するこ
とにより、低転位化に最適の条件でＧａＡｓ単結晶を成
長させることができる為ＧａＡｌ＞ＩＣ用のみならず、
オプトエレクトロニクス用の、例えば光１Ｃ用基板やレ
ーザ用基板の製造にも好適である。又亜鉛（Ｚｎ）と硼
素（Ｂ）を二重に添加したＰ形の低転位Ｇａ，Ａｓの最
適成長にも適用できる。■ 異方性成長の著しいＧａＳ
ｂのような化合物半導体単結晶の最適の融液組成から成
長させることができるので、大型単結晶の収率が大幅に
向上する。

■ 融液組成を常に一定に保つことができるので、成長
方向のみならず、成長方向に垂直な面内での特性の均一
性が向上する。

■ 内るつぼ、浮るつぼに防堤１３，３１を設けること
により原料から発生した酸化物などのスカムが成長領域
に混入するのを防止することができるので、単結晶の収
率が大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図と第３図は本発明の実施例に用いた改良形ＬＥＣ
装置の略式断面図、第２図と第４図は化合物半導体の構
成成分の添加装置の説明図である。 図において、１は耐圧容器、２は石英るつぼ、３はカー
ボンるつぼ、４はヒーター、５，６は駆動軸、７，３５
はシート、８，１１，３７，３８は液体カプセル剤、９
，１０，３９，４０は原料融液、１２，３６は単結晶、
１３は内るつぼ、１４，２６は細孔、１５，２５は底壁
、１６，２７は添加口、１７はストッパー、１８は移動
軸、１９は継手、２０，２８は空間、２１，２９は蓋体
、２２，３０は補助ヒーター、２３はＳｂ粒、２４は皿
状部材、３１は防堤、３２は砒素、３３はＰＢＮるつぼ
、３４は重し、である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 液体カプセル剤で覆われた原料融液から化合物半導
   体単結晶を引上げるＬＥＣ法において、該原料融液を下
   部に細孔を有する融壁によつて成長用原料融液と供給用
   原料融液に二分するとともに、該成長用原料融液のみに
   化合物半導体の構成成分の一方を添加することによつて
   、成長用原料融液の化学当量比組成からのズレと供給用
   原料融液の化学当量比組成からのズレとを互いに異なら
   しめたことを特徴とする化合物半導体単結晶の引上方法
   。 ２ 液体カプセル剤で覆われた原料融液から化合物半導
   体単結晶を引上げるＬＥＣ法において、原料融液と液体
   カプセル剤の間に開口部に細孔を有する融壁を設けた皿
   状部材を浮べて該原料融液を成長用原料融液と供給用原
   料融液に二分するとともに、該成長用原料融液のみに化
   合物半導体の構成成分の一方を添加することによつて、
   成長用原料融液の化学当量比組成からのズレと供給用原
   料融液の化学当量比組成からのズレとを互いに異ならし
   め、かつ供給用原料融液の組成をほぼ化学当量比組成に
   したことを特徴とする化合物半導体単結晶の引上方法。 ３ 化合物がIII−Ｖ族化合物であり、成長用原料融液
   の組成がＶ族過剰である特許請求の範囲第２項記載の化
   合物半導体単結晶の引上方法。４ 成長用原料融液のみ
   に添加する化合物半導体の構成成分がＶ族元素であつて
   、かつ該Ｖ族元素が蒸気の状態で添加される特許請求の
   範囲第３項記載の化合物半導体単結晶の引上方法。 ５ 液体カプセル剤で覆われた原料融液から単結晶を引
   上げるＬＥＣ法単結晶引上装置において、原料融液と液
   体カプセル剤の間に浮んで上記液体カプセル剤および原
   料融液を二分するとともに開口部に細孔を有する融壁を
   設けた皿状部材と、該皿状部材内の原料融液のみに化合
   物半導体の構成成分の一方を添加する装置とを設けたこ
   とを特徴とする化合物半導体単結晶の引上装置。