JPS58217496A - 化合物半導体単結晶の引上方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液体カプセル剤で覆われた原料融液から化合物
半導体単結晶を引上ける液体カプセル引上法、いわゆる
Ｌ　Ｉｉ　Ｃ法の改良方法および装置に関する。

Ｌ　Ｉ’、　Ｃ法によって製造される化合物半導体には
、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）　、燐化ガリウム（Ｇａｐ
）、燐化インジウム（ＩｎＰ）　、砒、化インジウム（
ＩｎＡｓ）、アンチモン化ガリウム（Ｇａｒｂ）などの
ｉｔ　−ｖ族化合物半導体やテルル化鉛（ＰｂＴｅ）　
、セレン化鉛（円）ｓｅ）　、７−　ル／ｌ／化錫’　
（Ｓｎ’ｒｅ）などがある。ＬＥＣ法の利点は封管を用
いないで、比較的簡単な装置により単結晶を引上げる□
・事ができる点にあるが、反面化合物半導体の化学当量
比組成からのズレを制御することが困難な点が大・きな
欠点になっている。石英封管を用いる水平式ブリッジマ
ン法の蒸気圧制御法の考え方を導入した二温度州：　Ｌ
　Ｊ、：　Ｃ法（あるいは蒸気圧制御ＬＥＣ法：例えば
特許公報昭和５２−１２１５２号明細書参照）が提案さ
れているか、装置かかなり複雑になるという欠点がある
。

また化合物の融点よりかなり低い温度での成長を行なわ
せることにより、一定組成の溶液から引」二げるＬＥＣ
法（特許公報昭和５２−３３４４号明細書参照）も提案
されているが、例えばｍ−■族化合物半導体の場合には
ｍ族成分がかなり過剰の溶液からの成長に限られ、化合
物半導体の融点に近い組成範囲での化学当量比組成から
のズレを制御することは困難である。何故なら溶液、例
えばＧａ　−Ｇａ　Ｐ溶液の組成を一定に保つ為には単
結晶引上中に常に固体原料すなわちＧａｌ’を溶液に接
触せねばならず、化合物（ＧａＰ）の融点に近い組成範
囲では常にＧａＰを固体状態で供給することが困難であ
るからである。

本発明は斜上の難点を解消したもので、化合物半導体の
融点に近い組成範囲で化合物半導体の化学当量比組成か
らのズレを精密に制御しうる新規なＬ　Ｅ　Ｃ７４（を
提供するものである。

本発明の第１の発明（特許請求の範囲第（１）項記載の
発明）は、ＬＥＣ法において、液′体カプセル剤で覆わ
れた原料融液を下部に細孔を有する隔壁によって成長用
原料融液と供給用原料融液に二分するとともに、成長用
原料融液のみに化合物半導体の構成成分の一方を添加す
ることによって、成長用原料融液の化学当量比組成から
のズレと供給用原料融液の化学当量比組成からのズレと
を互いに異ならしめたことを特徴とする化合物半導体単
結晶の引上方法を提供するものである。ここに細孔はキ
ャピラＩＪ−１狭い間隙、毛細管の集合等でもよく最小
断面の寸法としては化合物の構成成分の溶質対流が無視
できる程度のサイズすなわち、直径０．３−２　ｗｔｂ
あるい゛はスリット形で幅０．３−２履が適当で、ある
。

例えば■−■族化合物半導体の一種である砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）を例にとって説明すると、成長川原・料融
液の組成は原子パーセントでＧａ　＝、５５％〜４５％
、Ａｓ−４５〜５５％に選ばれる。そして供給用原料融
液の組成は、成長用原料融液の初期組成に対応してＧａ
１４５％〜５５％、Ａｓ言５５％〜４５％に選ばれる。

これによって単結晶成長が続く間成長用原料融液の組成
は初期組成で決るほぼ一定の組成に保たれる。なお初期
組成がＧａ　＝　Ａｓ　字５Ｑ％の場合には成長中の若
干のＡｓの蒸発損失を考慮して、供給用原料融液の組成
をわずかにＡｓ過剰（たとえばＡｓ’；５］％）に設定
するとよい。又、Ｇａｒｂのように異方性成長の著しい
化合物半導体では成長用原料融液の初期組成は、Ｇａ　
＝　４７．５〜４０％、Ｓｂ　＝　５２．５％〜６０％
に選ばれる。この場合には供給用原料融液の組成はやは
り初期組誠に対応して、Ｇａ　言５２．５％〜６０％、
Ｓｔ）　ン’４７’、５％〜４０％に選ばれる。

一般にＩ−Ｖ族化合物半導体す場合に半絶縁性結晶や電
気的に高純度の結晶を成長させる場合には、成長用原料
融液の組成がＶ族過剰であ・ることか好ましい。これは
Ｖ族原子空孔や■族元素を置換したＩＩＩＶ　　（アク
セプター）のような格子欠陥か減少し、１１１族原子空
孔や■族元素を置換したｖ■（深いドナー）のような格
子欠陥が有効になる為である。

次に本発明の第２の発明（特許請求の範囲第（２）項記
載の発明）は、同じ（ＬＥＣ法において、原料融液と液
体カプセル剤の間に、開口部に細孔を有する隔壁を設け
た皿状部材を浮へて原料融液を成長用原料融液と供給用
原料融液に二分するとともに、成長用原料融液のみに化
合物半導体の構成成分の一方を添加することによって、
成長用原料融液の化学当量比組成からのズレと供給用原
料融液の化学当量比組成からのズレとを互いに異ならし
め、かつ供給用原料融液の組成をほぼ化学当量比組成に
したことを特徴とする化合物半導体単結晶の引上方法を
提供するものである。この発明によれば、固化した単結
晶の重量分に相当するほぼ化学当量比組成の供給用原料
融液か、成長用原料融液に補供されるため、容易に成長
用原料融液の組成を初期組成にほぼ等しく保つことがで
きる。

この第２の発明において、特・に■−■族化合物の場合
には、成長用原料融液の組成を■族過剰とすることか望
ましい。又■俟過剰の成長用原料融液を生成するには、
■族元素を蒸気の状態で添加するとよい。

次に本発明の第３の発明（特許請求の範囲第（５）項記
載の発明は、ＬＥＣ法単結晶引上装置において、原料融
液と液体カプセル剤の間に浮んで上記液体カプセル剤お
よび原料融液を二分するとともに、開口部に細孔を有す
る隔壁を設けた皿状部材と、皿状部材内の原料融液（成
長用原料融液）のみに化合物半導体の構成成分の一方を
添加する装置とを設けたことを特徴とする化合物半導体
単結晶の引上装置を提供するものである。ここに細孔の
断面の大きさとしてはやはり直径０．３〜２鵡の孔（複
数個）、あるいは幅０．３〜２鵡のスリット形の孔（１
ケまたは複数個）が適当である。

原料融液のみならず、液体カプセル剤をも隔壁によって
二分することにより、たとえば供給用原料から発生した
酸化物などいわゆるスカムが成長用原料融液に混入する
のを防止する効果がある。

なおＩｌｌ　−Ｖ族化合物半導体単結晶のＬ　Ｐ、　Ｃ
法による引」二装置において、Ｖ族成分を単結晶成長が
行なわれる間、原料融液全体に供給する装置は提案され
ている（公開特許公報昭和４７Ｌ１１７１．７号明細書
参照）。しかしながら■族成分を原料融液全体に供給す
る為、前述の蒸気圧制御ＬＥＣ法（特許公報５２−１２
１５２号明細書参照）と同様に、原料融液の組成が、Ｖ
族成分の蒸気圧変動によって変動するという欠点がある
。例えばＧａＡｓの場合Ａｓを供給する装置の温度が約
２℃変動するとＡｓの蒸気圧は一気圧附近で約３５１ｏ
ｒｒ　（約０．０５気圧）変動するが、これによって原
料融液の組成は約１％変化してしまう。一般に高温高圧
炉内では、高圧ガスの熱対流かあって温度を精密に制御
することは困難であり１．１０℃程度の変動も極めて生
じ易い（原料融液の゛組成は約４％も変化してしまう）
ことを考えると、このような蒸気圧による廂↓成制御の
方法は工業的な製造方法にはなり難い欠点かある。本発
明の装置においては、Ｖ族成分の供給は、成長用原料融
液の・みに対して行なわれ、単結晶引上中は、■族成分
の蒸気圧は制御されず、Ｖ族成分の供給装置の役割は完
了している。

以下本発明を図面を用いて実施例により詳細に説明する
。

実施例１ 第１図は本発明の実施例に用いた改良形Ｌ　Ｅ　Ｃ法単
結晶引上装置の略式断面図である。図において、１は耐
圧容器で常圧から必要に応じて１００気圧までの高圧窒
素ガス又は高圧アルゴンガスなどを満たすことができる
。耐圧容器１内に石英るつは２とカーボンるつぼ３、お
よびこれらを取り巻くカーボンヒーター４が設置され、
るつぼ３は下部駆動軸５により上下移動と回転運動が５
工能となっている。上部駆動軸６には単結晶シード７か
取り付けられ、やはり上下移動と回転運動が可能となっ
ている。

この装置を用いて、ＧａＳｂ単結晶を≦１００〉方向に
引上げた実施例について説明する。石英るつぼ２内に原
料融液を分離する為の内るつぼ１３を収容した内るつぼ
１３は石英、ＢＮ、ＰＢＮ（熱分解１３Ｎ）、Ａ７　Ｎ
　　なζ′で梠成され、底部に複数個の細孔１４（的径
帆３−２１Ｂ）が設けられている。１５は内るつは１３
の底壁である。原料としてはＧａＳｂ多結晶１１３２．
２７　ｇと純度９９．９９９９％の’Ｇａ　８７．７．
：１を用い、石英るつは２と内るつぼ１３の間に収容し
た。又モル比で１対１のＫＣ１！／　ＮａＣ／　共晶材
料を内るつは１３の中に約５０ｇ、内るつは１３と石英
るつぼ２の間に約５０９収容した。

次に第２図に示す成分の供給装置内の空間２０にｓｂ粒
１７３．６３１１を収容した。この装置は圧力シール（
図示せず）された移動軸１８に継キ手１９を介して接続
されたストッパー１７を開けることによって添加口１６
からｓｂ粒を添加することができる。２Ｊは蓋体、２２
は補助ヒーターである（補助ヒーターは本実施例では使
用せず）。

乾燥窒素ガスを耐圧゛容器内に約１０気圧満たした後、
カーボ、ンヒーター４によりるつぼ２全体を７３０℃ま
で加熱し、原料を溶融反応させた。Ｇａｒｂは一般に酸
化し易く、従って溶融時に゛スカムを発生し易いが、溶
融した原料は・スカムのない状態で細孔１４より内るつ
は１３の内側に流入し、成長用原料融液９を生成する。

供給用原料融液１０　（７）　■−’ｒＭｓにはスカム
が残るが結晶用」二けに悪影響を及はさない。又液体カ
プセル剤の層８．１１か得られる。次にストッパー１７
を開けて過剰のｓｂ粒を内るつほの内側の原料融液のみ
に添加する。

こうして成長用原料融液９の組成は原子パーセントでＧ
ａ　／　Ｓｂ　＝４５％７５５％となり、又供給用原料
融液の組成はＧａ　／　Ｓｂ　＝　５４．８％／４５．
２％になる。この時点て成分の供給装置（第２図）はそ
の役割を完了する。

＜　１００　＞方向に切り出した単結晶シード７を、上
部駆動軸６を降下させかつ融液の温度を徐々に低下させ
て調整し、成長用原料融液に接触させて、シーディング
を行った。引上速度約７跋／時で良好な単結晶１２を成
長させることができた。成長部の最大直径は約５０騙程
度であった。

単結晶が成長するにつれて、内るつは内の原料融液９の
高さが減少し、かつ残液のｓｂの原子パーセントが増加
しようとするが、外側の供給用原料融液１０が細孔１４
を通して供給される。しかもこの供給用原料融液１０の
組成はＧａ　／　Ｓｔ３　＝　５４，８％／４５．２％
に選んだため過剰のｓｂを相殺して、結果的に成長用原
料融液９の組成はほぼＧａ／、５ｂ）４５％１５５％の
一定組成に保たれる。この結果、供給用原料融液が残存
する限り、成長用原料融液の組成はほぼ一定に保たれて
、いわゆる組成的過冷却によるセル成長現象を引き起ず
ことなく長尺のＧａＳｂ単結晶を成長させることができ
た。

実施例２ 本実施例では内るつぼ１３をＳｉ３Ｎ４製の浮るつほと
した。底壁１５を小さくして、底壁に細孔を設けた。主
るつぼ２内に純度９９．９９９９％のＧａ５００１７と
純度９９．９９９９％のＳｂ　８７３　Ｆ　　を主るつ
ぼ２の中に収容した。液体カプセル剤ＫＣ／　／　Ｎａ
Ｃｊ７を約１００ｆ収容した。

実施例１と同様に乾燥窒素ガスを約１０気圧満たした後
、カーボンヒーターにより、るっは全体を７３０℃まで
加熱し、原料融液を生成した。融液組成はこの状態でＧ
ａ　／　Ｓｂ　＝　５Ｑ％７５０％であり、浮るつぼ（
図示せず、後述の第３図２４参照）内には全体の約１７
４の融液が流入した。法に第２図に示した成分供給装置
に予じめ４９９のｓｂ粒を収容しておいて、ストッパー
１７を開けてｓｂ２＞を内るつぼ内の成長用原料融液内
に添加した。こうして内るつぼ内にＧａ　／　５１）　
−４５％１５５％の成長用原料融液を収容した状態で、
Ｇａ　／　Ｓｂ　＝　５Ｑ％１５０％の供給用原料融液
の上に浮いて、いわゆる浮るつほとして働く。

次に実施例１と同様に＜　ｉｏｏ　＞単結晶シード７を
降下させて＜　１００　＞方向にＧａＳｂ単結晶を成長
させた。成長条件は実施例１と同様であった。この場合
には単結晶が成長するにしたがって、ちょうど成長した
分量だけのＧａｒｂ融液が、供給用原料融液から供給さ
れるため、成長用原料融液の組成は常に一定に保たれる
。こうして実施例１と同様に長尺のＧａｒｂ　（１００
＞単結晶を成長させることができた。

なおこの実施例では特にるつぼの中心部より周辺部の温
度を高くして、供給用原料融液が固化しないように注意
する必要があることを指摘しておく。又成長用原料融液
の組成は■族（Ｓ　ｌ））過剰の場合について説明した
が、ＩＩＩ　ｊｌＡ　（Ｇａ）過剰の場合に適用するこ
とも極めて容易である。

実施例３ 本実施例ではＧａｒｂの代りにＧａＡｓに適用した場合
について述べる。ＧａＡｓの場合は成長用原料融液の組
成は原子パーセントでＧａ　／　Ａｓ　＝　５５％／４
５％からＧａ　／　Ａｓ　＝　４５％１５５％の間で精
密に制御する必要がある。特にＧａ−４９〜４７％、Ａ
ｓ−５１〜５３％すなわちＧａ　／　Ａｓ　＝　（４９
〜４７　）”％／（５１〜５３）％に選ぶと半絶縁性Ｇ
ａＡｓ単結晶の成長に有利である。液体カプセル剤とし
てはＫＣ／　／　ＮａＣ１てな（８２０３を用いる。又
るっぽとしては熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）やＡＩ！Ｎが
゛特に好適である。

第３図は本発明の実施例に用いた他の改良形ＬＥ　Ｃ法
単結、晶引上装置の略式断面図である。第４図は成分供
給装置を中心に示した部分断面図である。

図において、１は耐圧容器で常圧がら必要に応じて１０
０気圧まで高圧窒素ガス又は１２７Ｊ圧アルゴンガスな
どを満たすことができる。耐圧容器１内にＰＢＮるつは
３３とカーボンるつぼ３、およびこれらを取巻くカーボ
ンヒーター４が設置され、るつぼ３は下部駆動軸５によ
り上下移動と回転運動か可能となっている。上部駆動軸
６には単結晶シード３５か取り付けられ、やはり上下移
動と回転運動が可能となっている。

この装置を用いて、ＧａＡｓ単結晶を＜　１００　＞方
向に引上げた実施例について説明する。予じめＰＢＮる
つぼ内で合成された高純度ＧａＡｓ多結晶１．５にりを
内径１０２賜の１ｍ　Ｂ　Ｎるつは３３内に収容した。

ＧａＡｓ多結晶の上に約１５０ｆの脱水したＢ２Ｏ３デ
ィスクをのせ、更にその上に浮るつほとして働く皿状部
材２４を設置した。皿状部材はＰＢＮて作られており、
比重は２．２−２．５９／ｃｒｌなので、調整するため
に比重的４．０ｇ／ｃＴｉＩのＡｌ：ｚＯ３の重し３４
を利用した。皿状部材２４は底壁２５に細孔２６が設け
られている。又３１は防堤として働く。

乾燥窒素ガスを耐圧容器内に約５気圧満たした後、カー
ボンヒーター４によりるつは３３全体を約１２５０℃ま
で加熱し、原料を溶融させた。その結果原料の約１７６
か皿状部材の内側に流入して成長用原料融液３９を形成
して、全体として供給用原料融液４０の上に浮ぶ、皿状
部材２４はＢ２Ｏ３の層３７　、３８と原料融液３９．
４０の間に浮ぶ。

次に予じめ純度９９．９９９９％の砒素（Ａｓ）　３２
を約１７ｇ収容した。砒素の供給装置（第２図）の添加
口２７を成長用原料融液３９の中に浸漬する。このとき
空間２８には約５気圧の窒素ガスが入っていて耐圧容器
内の圧力とバランスしている。次に補助ヒーター３０に
よって空間２８を加熱し、６１０℃す、上とする。６５
０℃位が適当である。ＡｓはＡＳ４蒸気となって成長用
原料融液内に溶は込むか、最後に１気圧強のＡＳ４蒸気
と４気圧弱の窒素ガスが空間２８に残る。しかしその量
はＡｓ固体換算で約帆３ｆに過きないので、収容したＡ
ｓはほぼ全量成長用原料融液に溶は込むと考えてよい。

継き手１９でつながった移動軸１８を引上げて成分供給
装置を融液から引き離すと、第３図の状態に−なる。こ
うして、Ｇａ　／　Ａｓ　ン４７％１５３％の成長用原
料融液３９とＧａ／ＡＳ＝５０％１５０％の供給用原料
融液４０か生成した。

＜　１００　＞方向に切り出した単結晶シード３５を、
上部駆動軸６を降下させかつ融液の７Ａａ度を徐々に低
下させて調整し、成長用原料融液に接触させて、シーデ
ィングを行った。この実施例でもるっほの中心部より周
辺部の温度を高くシテ、供給用原料融液が固化しないよ
うに注意する必要がある。

引上速度８鵡／時で良好な単結晶３６を成長させること
ができた。直径は約５０ＭＪＬでプラスマイナス２鶴に
制御された。

本実施例でも実施例２と同様に単結［相］が成長するに
したかって、ちょうど成長した分量だけのＧａＡｓ融液
が、供給用原料融液から供給されるため、成長用原料融
液の組成はほぼ一定に保たれる。

成長結晶は先端から後端まで３００’にで約２−３×１
０７０確の比抵抗を示すことが分った。

以上詳述した以外にも成長条件の改変は容易である。

例えば、成長用原料融液３９に第２図の装置を用いてＧ
ａを添加することによって、Ｇａ過剰の融液からＧａＡ
　ｓ単結晶を成長させることかできる。

又実施例３においては出発原料としてＧａＡ　ｓ多結晶
を用いたが、純度９９．９９９９％のＧａとＡｓを原料
として、かつ合成時のＡｓの蒸発損失（２１％）を見込
んでＧａ　／　Ａｓ　＝　４９．５％／　５０．５％ノ
モル比に秤量して主るつぼ３３の中に収容して、圧力６
０気圧以上で直接ＧａＡｓ融液を合成して、細孔２６を
通して流入した原料融液３９の中にＡｓ添加装置（第４
図）により過剰Ａｓを添加することができる。

この場合にも原料の酸化物によるスカムが隔ＩＪＩ２４
゜２５及び防堤３１により、成長用原料融液３９内に混
入するのを防止することができる。

なお浮るつぼとして働く皿状部材２４　（２５，３１。

３４と合せて構成）を上方に離しておいて、Ｇ、ａＡｓ
融液の合成が終了してから融液４０上に降下浸漬させて
もよい。主るつぼ３３としてはＰＢＮの代りにＡ　Ｉ！
Ｎ　、　Ａ／ｚＯ：ｉ　　などを用いてもよい。あるい
は石＆　（ＳｉＯｚ）るつぼを用いても・、原料から発
生する酸素分によってＳ　ｉＯｚからのＳｉの汚染作用
が抑制されるので安価るつぼという点で効果かある。

以上詳述したように本発明は、ＧａＡｓ　、　Ｇａ１）
、ＩｎＰ　、　　ＩｎＡｓ　１Ｇａｒｂのような＋ｎ　
−ｖ化合物半導体やＰｂ−ｒｅ　、　［’ｂＳｅ　、　
Ｓｎｌ’ｅ　　などのその他の化合物半導体の融点に近
い組成範囲で、化合物半導体の化学当量比組成からのズ
レを簡便に制御しうる新規なＬＥＣ法および装置を提供
するものであり、特に次のような効果がある。

１）　複雑な装置（二温度帯ＬＥＣ装置など）を用いる
ことなく、化合物半導体の融点に近い組成範囲で、化合
物半導体の化学当量比組成からのズレを制御するととも
に、単結晶成長の間、成長用原料融液の組成をほぼ一定
に保つことができる。

ｌ）　成長用原料融液の組成を、例えば■−■化合物半
導体の場合、常に■族過剰に制御できるため、Ｉｖ（ア
クセプター）のような格子欠陥が少く、ＶＢ　　（深い
ドナー）を適量含ませた■−■化合物半導体単結晶を成
長させる〜。

ことができる。しかも結晶の先端から後端までほぼ均一
な組成に制御できる。

ＧａＡｓ　　ｌ　Ｃ用の直接選択イオン注入形デバイス
用の高純度半絶縁性基板として有用なアンドープＧａＡ
ｓ単結晶やクロム（Ｃｒ）を少＆＋Ｇ添加した低クロム
ＧａＡｓ単結晶に特に有用である。

ＩＩＩ）　　不純物の均一ドープ法（公開特許公報昭和
５６−１０４７９６号明細書参照）と組み合せ、硼素（
Ｂ）、インジウム（Ｉｎ）　、シリコン（Ｓｉ）なとを
添加することにより、低転位化に最適の条件でＧａＡｓ
単結晶を成長させることかできる為ＧａＡｓ　Ｉ　Ｃ用
のみならず、オプトエレクトロニクス用の、例えば光Ｉ
ｃ用基板やレーザ用基板の製造（こも好適である。又亜
鉛（Ｚｎ　）と硼素（Ｂ）′を二重に添加したＰ形の低
転位ＧａＡｓの最適成長にも適用できる。

１■）゛異方性成長の著しいＧａＳｂのような化合物半
導体単結晶を最適の融液組成から成長させることができ
るので、大型単結晶の収率か大幅に向上する。

■）　融液組成を常に一定に保つことができるので、成
長方向のみならず、成長方向に垂面な面内での特性の均
一性が向上する。

ｖＩ）　　内るつぼ、浮るつぼに防堤（１３、３１）を
設けることにより原料から発生した酸化物などのスカム
が成長領域に混入するのを防止することかできるので、
単結晶の収率か大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図と第３図は本発明の実施例に用いた改良形ＬＥＣ
装置の略式断面図、第２図と第４図は化合物半導体の構
成成分の添加装置の説明図である。 図において、１は耐圧容器、２は石英るつは、３は力〜
ボンるつぼ、４はヒーター、５．６’は駆動軸、７．３
５はシード、８　、１１．３７．３８は液体カプセル剤
、９　、１’０．３９．４０は原料融液、１２　、３６
は単結晶、１３は内るつぼ、１４　、２６は細孔、１５
　’＋　２５は底壁、１６　、２７は添加口、１７はス
トッパー、１８は移動軸、１９は継手、２０　、２８は
空間、２１　、２９は蓋体、２２．３０は補助ヒーター
、２３はＳｌ）粒、２４は皿状部側、３１は防堤、３２
は砒素、３３はＰ　Ｂ　Ｎるつは、３４は重し、である
。 発　　明　　者　　　　　　　　宮　　澤　　信太部赤
　　井　　慎　　− 松　　本　　和　　久 特許出願人　　日本電信電話公社 住友電気工業株式会社 ＝４８３−

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）液体カプセル剤で覆われた原料融液から化合物半
   導体単結晶を引」二けるＬＥＣ法において、該原料融液
   を下部に細孔を有する隔壁によって成長用原料融液と供
   給用原料融液に二分すると七もに、該成長用原料融液の
   みに化合物半導体の構成成分の一方を添加することによ
   って、成長用原料融液の化学当量比組成からのズレと供
   給用原料融液の化学当量比組成からのズレとを互７いに
   異ならしめたことを特徴とする化合物半導体単結晶の引
   上方法。
2. （２）液体カプセル剤で覆われた原料融液から化合物半
   導体単結晶を引上げるＬＥ’Ｃ法において、原料融液と
   液体カプセル剤の間に開口部に細孔を有する隔壁を設け
   た皿状部材を浮べて該原料融液を成長用原料融液と供給
   用原料融液に二分するとともに、該成長用原料融液のみ
   に化合物半導体の構成成分の一方を添加することによっ
   て、成長用原料融液の化学当量比組成からのズレと供給
   用原料融液の化学当量比組成からのズレとを互いに異な
   らしめ、かつ供給用原料融液の組成をほぼ化学当量比組
   成にしたことを特徴とする化合物半導体単結晶の引上方
   法。
3. （３）化合物がｌ−Ｖ族化合物であり、成長用原料融液
   の組成か■族過剰である特許請求の範囲第（２）項記載
   の化合物半導体単結晶の引上方法。
4. （４）成長用原料融液のみに添加する化合物半導体の構
   成成分がＶ族元素であって、かつ該Ｖ族元素が蒸気の状
   態で添加される特許請求の範囲第（３）項記載の化合物
   半導体単結晶の引上方法。
5. （５）液体カプセル剤で覆われた原料融液から単結晶を
   引上げるＬＥＣ法単結晶引上装置において、原料融液と
   液体カプセル剤の間に浮んで上記液体カプセル剤および
   原料融液を二分するとともに開口部に細孔を有する隔壁
   を設けた皿状部祠と、該皿状部側内の原料融液のみに化
   合物半導体の構成成分の一方を添加する装置とを設けた
   ことを特徴とする化合物半１．　導体単結晶の引上装置
   。