JPH06329492A - ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH06329492A JPH06329492A JP14281793A JP14281793A JPH06329492A JP H06329492 A JPH06329492 A JP H06329492A JP 14281793 A JP14281793 A JP 14281793A JP 14281793 A JP14281793 A JP 14281793A JP H06329492 A JPH06329492 A JP H06329492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- boat
- gaas
- concentration
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】低欠陥で低Ｃｒ濃度の半絶性ＧａＡｓ化合物半
導体結晶を安定して得る。 【構成】ＰＢＮボート１に２５ｇのＢ2 Ｏ3 （符号３）
を入れ、３００ｇのＧａ（符号２）と５０ｍｇのＣｒ
（符号４）をその上に置き、これをアンプル８の一端
に、他端には３５０ｇのＡｓ（符号６）を置く。ボート
１とＡｓ間にキャピラリー７を置きアンプル８を真空封
着しボート炉に入れ、約５０時間で種結晶５側から徐々
に固化させた。
導体結晶を安定して得る。 【構成】ＰＢＮボート１に２５ｇのＢ2 Ｏ3 （符号３）
を入れ、３００ｇのＧａ（符号２）と５０ｍｇのＣｒ
（符号４）をその上に置き、これをアンプル８の一端
に、他端には３５０ｇのＡｓ（符号６）を置く。ボート
１とＡｓ間にキャピラリー７を置きアンプル８を真空封
着しボート炉に入れ、約５０時間で種結晶５側から徐々
に固化させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ボート法によるＧａＡ
ｓ化合物半導体結晶の製造方法に関するものである。
ｓ化合物半導体結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石英製アンプル、ＰＢＮ製ボート、結晶
融液表面の封止剤であるＢ2 Ｏ3 を用いた、ボート法に
よる半絶縁性ＧａＡｓ化合物半導体単結晶の製造方法
は、主により低転位、低不純物を目的として、従来特開
昭６２−１７６９９８号、特開平１−１０３９８５号、
特開平３−９７６９５号等に提案されている。
融液表面の封止剤であるＢ2 Ｏ3 を用いた、ボート法に
よる半絶縁性ＧａＡｓ化合物半導体単結晶の製造方法
は、主により低転位、低不純物を目的として、従来特開
昭６２−１７６９９８号、特開平１−１０３９８５号、
特開平３−９７６９５号等に提案されている。
【０００３】特開平１−１０３９８５号においては、ボ
ート容器中の結晶融液表面の大部分をＢ2 Ｏ3 で覆い不
純物の混入を減らすというものであるが、ボートが石英
製の場合は、石英ボートからＳｉ不純物がＧａＡｓ結晶
中に混入する。これを電気的に補償するために、Ｃｒを
不純物として０．１ｗｔｐｐｍドープしなければ半絶縁
性とならず、低不純物という点で問題がある。
ート容器中の結晶融液表面の大部分をＢ2 Ｏ3 で覆い不
純物の混入を減らすというものであるが、ボートが石英
製の場合は、石英ボートからＳｉ不純物がＧａＡｓ結晶
中に混入する。これを電気的に補償するために、Ｃｒを
不純物として０．１ｗｔｐｐｍドープしなければ半絶縁
性とならず、低不純物という点で問題がある。
【０００４】このウエハは使用される用途がエピタキシ
ャル法によるデバイスに限られ、イオン注入用には使用
できない。また、石英ボートはＢ2 Ｏ3 と反応し、石英
ボートの劣化を早め結晶製造に支障をきたす危険性や、
この反応によりＳｉの混入が抑制できないという問題点
がある。
ャル法によるデバイスに限られ、イオン注入用には使用
できない。また、石英ボートはＢ2 Ｏ3 と反応し、石英
ボートの劣化を早め結晶製造に支障をきたす危険性や、
この反応によりＳｉの混入が抑制できないという問題点
がある。
【０００５】また、ＰＢＮボートの場合多少高抵抗化は
するものの、本発明者らの追試実験によると比抵抗＝１
０5 〜１０7 Ω・ｃｍとなりばらつきが非常に大きく、
また必ずしも全てが安定して半絶縁性とはならない。こ
の事情は特開平３−９７６９５号についても同様であ
る。
するものの、本発明者らの追試実験によると比抵抗＝１
０5 〜１０7 Ω・ｃｍとなりばらつきが非常に大きく、
また必ずしも全てが安定して半絶縁性とはならない。こ
の事情は特開平３−９７６９５号についても同様であ
る。
【０００６】さらに、追試実験において、Ｂ2 Ｏ3 は結
晶自由面側のみに留まらず、ボートと結晶との隙間にも
多少流れ込むことが明らかになった。こうしたＢ2 Ｏ3
が存在する部分と存在しない部分とにおいて、結晶とボ
ートとの熱応力の緩和の仕方が異なり、欠陥密度の増加
やリネージ欠陥が発生し易いという欠点が明らかになっ
た。
晶自由面側のみに留まらず、ボートと結晶との隙間にも
多少流れ込むことが明らかになった。こうしたＢ2 Ｏ3
が存在する部分と存在しない部分とにおいて、結晶とボ
ートとの熱応力の緩和の仕方が異なり、欠陥密度の増加
やリネージ欠陥が発生し易いという欠点が明らかになっ
た。
【０００７】特開昭６２−１７６９９８号においては、
石英製アンプルを用いＰＢＮ製ボートの表面をＢ2 Ｏ3
等でコーティングし、このＢ2 Ｏ3 が結晶に与える機械
的応力を減少させると同時に、Ｂ2 Ｏ3 より生じた酸素
により石英アンプルからのＳｉの混入を抑制させている
ことで、低転位、半絶縁結晶を得るというものである。
石英製アンプルを用いＰＢＮ製ボートの表面をＢ2 Ｏ3
等でコーティングし、このＢ2 Ｏ3 が結晶に与える機械
的応力を減少させると同時に、Ｂ2 Ｏ3 より生じた酸素
により石英アンプルからのＳｉの混入を抑制させている
ことで、低転位、半絶縁結晶を得るというものである。
【０００８】しかしこの提案では、Ｂ2 Ｏ3 が結晶とＰ
ＢＮボートとの間のみに存在するため、他の従来例に指
摘されているようにＧａＡｓ自由表面からのＳｉの混入
が抑えきれず、半絶縁（比抵抗＞１０7 Ω・ｃｍ）とい
うほどの高抵抗は安定して得られない。本発明者らの追
試実験によると、比抵抗＝１０3 〜１０6 Ω・ｃｍであ
った。
ＢＮボートとの間のみに存在するため、他の従来例に指
摘されているようにＧａＡｓ自由表面からのＳｉの混入
が抑えきれず、半絶縁（比抵抗＞１０7 Ω・ｃｍ）とい
うほどの高抵抗は安定して得られない。本発明者らの追
試実験によると、比抵抗＝１０3 〜１０6 Ω・ｃｍであ
った。
【０００９】また、従来より石英アンプルとボートを使
用する系で半絶縁性結晶を得るために、酸素をドープし
て不純物のＳｉを減らし、ドープするＣｒを少なくする
方法が提案されているが、この方法では少なくとも０．
１ｗｔｐｐｍ程度のＣｒをドープせざるを得ず、ウェハ
の用途はエピタキシャル法によるデバイスに限られ、イ
オン注入用には使用できない。
用する系で半絶縁性結晶を得るために、酸素をドープし
て不純物のＳｉを減らし、ドープするＣｒを少なくする
方法が提案されているが、この方法では少なくとも０．
１ｗｔｐｐｍ程度のＣｒをドープせざるを得ず、ウェハ
の用途はエピタキシャル法によるデバイスに限られ、イ
オン注入用には使用できない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた前述の問題点、すなわち低欠陥でしか
も低Ｃｒ濃度の半絶性ＧａＡｓ化合物半導体結晶が安定
して得られないということを解決しようというものであ
る。
技術が有していた前述の問題点、すなわち低欠陥でしか
も低Ｃｒ濃度の半絶性ＧａＡｓ化合物半導体結晶が安定
して得られないということを解決しようというものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、石英製アンプル、Ｐ
ＢＮ製ボート、封止剤としてのＢ2 Ｏ3 を用いたボート
法によるＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法におい
て、結晶中のＣｒ濃度の最低値が０．０１〜０．０５ｗ
ｔｐｐｍの範囲となるよう制御することを特徴とするＧ
ａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法を提供するものであ
る。
を解決すべくなされたものであり、石英製アンプル、Ｐ
ＢＮ製ボート、封止剤としてのＢ2 Ｏ3 を用いたボート
法によるＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法におい
て、結晶中のＣｒ濃度の最低値が０．０１〜０．０５ｗ
ｔｐｐｍの範囲となるよう制御することを特徴とするＧ
ａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法を提供するものであ
る。
【００１２】また本発明において、石英製アンプル、Ｐ
ＢＮ製ボート、封止剤としてのＢ2Ｏ3 を用いたボート
法によるＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法におい
て、前記Ｂ2 Ｏ3 が、ＧａＡｓ結晶とＰＢＮボートの隙
間を覆い、かつ溶融結晶の自由表面を厚み２ｍｍよりも
薄く覆う状態で結晶育成を行うことを特徴とする。
ＢＮ製ボート、封止剤としてのＢ2Ｏ3 を用いたボート
法によるＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法におい
て、前記Ｂ2 Ｏ3 が、ＧａＡｓ結晶とＰＢＮボートの隙
間を覆い、かつ溶融結晶の自由表面を厚み２ｍｍよりも
薄く覆う状態で結晶育成を行うことを特徴とする。
【００１３】ＰＢＮ製のボートの結晶載置用の棚部に種
結晶を置き、Ｂ2 Ｏ3 と、原料のＧａと、結晶中におい
て最低のＣｒ濃度が０．０１から０．０５ｗｔｐｐｍと
なる量のＣｒを以下の数１から求め、それぞれボート内
に入れる。
結晶を置き、Ｂ2 Ｏ3 と、原料のＧａと、結晶中におい
て最低のＣｒ濃度が０．０１から０．０５ｗｔｐｐｍと
なる量のＣｒを以下の数１から求め、それぞれボート内
に入れる。
【００１４】具体的には以下のようにようになる。ま
ず、結晶中において最低のＣｒ濃度分布を示す部分は、
ＣｒのＧａＡｓに対する偏析係数が１より小さいことか
ら、固化率の最も小さい種結晶の直後の位置である。さ
らに、この部分の結晶中のＣｒ濃度が０．０１〜０．０
５ｗｔｐｐｍとなる量のＣｒ（ｇ）は以下の数１から求
めることができる。
ず、結晶中において最低のＣｒ濃度分布を示す部分は、
ＣｒのＧａＡｓに対する偏析係数が１より小さいことか
ら、固化率の最も小さい種結晶の直後の位置である。さ
らに、この部分の結晶中のＣｒ濃度が０．０１〜０．０
５ｗｔｐｐｍとなる量のＣｒ（ｇ）は以下の数１から求
めることができる。
【００１５】
【数１】｛Ｃｒ量（ｇ）｝＝Ｘ（ｗｔｐｐｍ）×１０-6
×Ｗ（ｇ）／０．０００６４
×Ｗ（ｇ）／０．０００６４
【００１６】ここで、数１においてＸは所望の結晶中の
Ｃｒ濃度であり、０．０１〜０．０５で、Ｗは育成結晶
の重量（ｇ）で、０．０００６４はＣｒのＧａＡｓに対
する偏析係数である。
Ｃｒ濃度であり、０．０１〜０．０５で、Ｗは育成結晶
の重量（ｇ）で、０．０００６４はＣｒのＧａＡｓに対
する偏析係数である。
【００１７】次に、石英製アンプル内の一端に前記ＰＢ
Ｎボートを置き、他端には原料Ｇａとストイキオメトリ
ックな量よりも多いＡｓを置き、両者の間に拡散バリア
を設け真空封入する。
Ｎボートを置き、他端には原料Ｇａとストイキオメトリ
ックな量よりも多いＡｓを置き、両者の間に拡散バリア
を設け真空封入する。
【００１８】図２及び図３には、ボート内のＧａＡｓ結
晶１３とＢ2 Ｏ3 （符号１２）の量的関係を示してい
る。このときのＢ2 Ｏ3 の量はボート１１や結晶１３の
形状により経験的に決定されるものであり、定性的には
ＧａＡｓ結晶１３とＰＢＮボート１１間の隙間を覆う量
よりも多く、更にメルト自由表面を厚み２ｍｍで覆う量
よりも少ないＢ2 Ｏ3 の量と定義できる。なお、図２に
示す形状の６００ｇのＧａＡｓ結晶１３においては、Ｂ
2 Ｏ3 の量は１５ｇ以上４０ｇ以下である。
晶１３とＢ2 Ｏ3 （符号１２）の量的関係を示してい
る。このときのＢ2 Ｏ3 の量はボート１１や結晶１３の
形状により経験的に決定されるものであり、定性的には
ＧａＡｓ結晶１３とＰＢＮボート１１間の隙間を覆う量
よりも多く、更にメルト自由表面を厚み２ｍｍで覆う量
よりも少ないＢ2 Ｏ3 の量と定義できる。なお、図２に
示す形状の６００ｇのＧａＡｓ結晶１３においては、Ｂ
2 Ｏ3 の量は１５ｇ以上４０ｇ以下である。
【００１９】この量よりも少ない場合には、ＧａＡｓ結
晶１３とＰＢＮボート１１との隙間にＢ2 Ｏ3 は均一に
存在することができず、欠陥密度の増加やリネージ欠陥
等が発生し易くなる。また、この量よりも多いときに
は、次の結晶製造炉内での最初の工程であるＧａとＡｓ
からＧａＡｓ結晶１３を合成する際に、ＧａがＢ2 Ｏ3
に覆われてしまいＡｓとの接触がなされず、合成反応が
進まないという問題がある。
晶１３とＰＢＮボート１１との隙間にＢ2 Ｏ3 は均一に
存在することができず、欠陥密度の増加やリネージ欠陥
等が発生し易くなる。また、この量よりも多いときに
は、次の結晶製造炉内での最初の工程であるＧａとＡｓ
からＧａＡｓ結晶１３を合成する際に、ＧａがＢ2 Ｏ3
に覆われてしまいＡｓとの接触がなされず、合成反応が
進まないという問題がある。
【００２０】さらに、メルト自由表面を覆うＢ2 Ｏ3
は、必ずしも溶融結晶の自由表面全面を覆う必要はな
く、少なくとも自由表面全面の２０％以上を覆うのが好
ましい。２０％よりも小さいと結晶中に混入するＳｉの
量が多くなり、これを電気的に補償するためのＣｒを
０．０５ｗｔｐｐｍより多くドープしなければ半絶縁性
とならず、低不純物化という点で問題となる。
は、必ずしも溶融結晶の自由表面全面を覆う必要はな
く、少なくとも自由表面全面の２０％以上を覆うのが好
ましい。２０％よりも小さいと結晶中に混入するＳｉの
量が多くなり、これを電気的に補償するためのＣｒを
０．０５ｗｔｐｐｍより多くドープしなければ半絶縁性
とならず、低不純物化という点で問題となる。
【００２１】なお、合成の手間等を考えると好ましくな
いが、原料があらかじめ合成されたＧａＡｓポリ（多結
晶）原料でも良い。この場合は合成ができないという不
都合は生じないが、結晶製造中にＡｓ圧力を制御できな
いという不都合が生じ、結晶のストイキオメトリーを制
御することができず好ましくない。
いが、原料があらかじめ合成されたＧａＡｓポリ（多結
晶）原料でも良い。この場合は合成ができないという不
都合は生じないが、結晶製造中にＡｓ圧力を制御できな
いという不都合が生じ、結晶のストイキオメトリーを制
御することができず好ましくない。
【００２２】結晶製造炉内の前記アンプル内において、
ＧａとＡｓよりＧａＡｓの合成あるいは原料のＧａＡｓ
ポリ原料の融解によりＧａＡｓ融液を得た後、種結晶と
接触させ、徐々に固化させ単結晶を得る。この結晶は欠
陥の少ない良質の単結晶であり、比抵抗については１０
7 Ω・ｃｍより大きく半絶縁性結晶となっている。
ＧａとＡｓよりＧａＡｓの合成あるいは原料のＧａＡｓ
ポリ原料の融解によりＧａＡｓ融液を得た後、種結晶と
接触させ、徐々に固化させ単結晶を得る。この結晶は欠
陥の少ない良質の単結晶であり、比抵抗については１０
7 Ω・ｃｍより大きく半絶縁性結晶となっている。
【００２３】なお、本発明は石英製アンプルとＰＢＮボ
ート及びＢ2 Ｏ3 を用いるＧａＡｓ化合物半導体単結晶
及び多結晶の育成法全てに適応可能であり、水平ブリッ
ジマン法（ＨＢ法）、グラディエント・フリーズ法（Ｇ
Ｆ法）、ゾーンメルト法、垂直ブリッジマン法（ＶＢ
法）等に応用できることは言うまでもない。
ート及びＢ2 Ｏ3 を用いるＧａＡｓ化合物半導体単結晶
及び多結晶の育成法全てに適応可能であり、水平ブリッ
ジマン法（ＨＢ法）、グラディエント・フリーズ法（Ｇ
Ｆ法）、ゾーンメルト法、垂直ブリッジマン法（ＶＢ
法）等に応用できることは言うまでもない。
【００２４】
【作用】本発明において、ＰＢＮボートとＧａＡｓ結晶
との間に完全にＢ2 Ｏ3 が入るため、ＧａＡｓ結晶とＰ
ＢＮボートとの熱膨張率の差からくる機械的応力をＢ2
Ｏ3 が減少させることによって低欠陥を実現できる。一
方、ボートにＰＢＮ製のものを使用することにより、結
晶中へボートから電気的に活性な不純物が混入するのを
防いでいる。また、Ｂ2 Ｏ3 より生じる酸素が、結晶中
の不純物であるＳｉを結晶外部に取り除く働きをしてい
る。
との間に完全にＢ2 Ｏ3 が入るため、ＧａＡｓ結晶とＰ
ＢＮボートとの熱膨張率の差からくる機械的応力をＢ2
Ｏ3 が減少させることによって低欠陥を実現できる。一
方、ボートにＰＢＮ製のものを使用することにより、結
晶中へボートから電気的に活性な不純物が混入するのを
防いでいる。また、Ｂ2 Ｏ3 より生じる酸素が、結晶中
の不純物であるＳｉを結晶外部に取り除く働きをしてい
る。
【００２５】さらにＢ2 Ｏ3 を用いることで、Ｂ2 Ｏ3
が結晶の回りをとりまいて不純物が結晶中へ直接混入す
る危険性を著しく減らしている。これは、従来法が示す
酸素ドープ法のみの効果だけでは期待できない大きな効
果である。
が結晶の回りをとりまいて不純物が結晶中へ直接混入す
る危険性を著しく減らしている。これは、従来法が示す
酸素ドープ法のみの効果だけでは期待できない大きな効
果である。
【００２６】これらの効果により、従来の場合より結晶
中に取り込まれるＳｉの量が減り、これを補償して半絶
縁性を実現するためにドープする不純物のＣｒの量を減
らすことができる。
中に取り込まれるＳｉの量が減り、これを補償して半絶
縁性を実現するためにドープする不純物のＣｒの量を減
らすことができる。
【００２７】
【実施例】本発明の実施例を図１に示す。ＰＢＮ製ボー
ト１に２５ｇのＢ2 Ｏ3 （符号３）を入れ、さらに３０
０ｇのＧａ（符号２）と、５０ｍｇのドーパントとして
のＣｒ（符号４）をその上に置き、これをアンプル８の
一端（図中左側）に置き、他端（右側）には３５０ｇの
Ａｓ（符号６）を置き、ボート１とＡｓとの間に拡散バ
リアとしてキャピラリー７を置きアンプル８を真空封着
した。これを結晶成長用のボート炉に入れ、約５０時間
で種結晶５側から徐々に固化させ単結晶を得た。
ト１に２５ｇのＢ2 Ｏ3 （符号３）を入れ、さらに３０
０ｇのＧａ（符号２）と、５０ｍｇのドーパントとして
のＣｒ（符号４）をその上に置き、これをアンプル８の
一端（図中左側）に置き、他端（右側）には３５０ｇの
Ａｓ（符号６）を置き、ボート１とＡｓとの間に拡散バ
リアとしてキャピラリー７を置きアンプル８を真空封着
した。これを結晶成長用のボート炉に入れ、約５０時間
で種結晶５側から徐々に固化させ単結晶を得た。
【００２８】この結晶のＰＢＮボート１との接触面に
は、全面Ｂ2 Ｏ3 と接触していたことによる光沢がみら
れた。この結晶の種結晶付近のＣｒ濃度を分析したとこ
ろ、０．０５ｗｔｐｐｍであった。
は、全面Ｂ2 Ｏ3 と接触していたことによる光沢がみら
れた。この結晶の種結晶付近のＣｒ濃度を分析したとこ
ろ、０．０５ｗｔｐｐｍであった。
【００２９】この結晶より（１００）ウエハを切り出
し、ＫＯＨエッチングによりＥＰＤを調べたところ、平
均値７００個／ｃｍ2 であった。このウエハをホール測
定により比抵抗の値を調べたところ、３〜７ｘ１０7 Ω
・ｃｍであり半絶縁性を示した。
し、ＫＯＨエッチングによりＥＰＤを調べたところ、平
均値７００個／ｃｍ2 であった。このウエハをホール測
定により比抵抗の値を調べたところ、３〜７ｘ１０7 Ω
・ｃｍであり半絶縁性を示した。
【００３０】
【発明の効果】本発明によると、従来より低Ｃｒ濃度の
半絶縁性の結晶でしかも低転位密度の結晶を供給するこ
とができる。そのため、従来エピタキシャルの用途に限
られていたＣｒドープＧａＡｓウエハを、イオン注入用
ＧａＡｓウエハ用として使用できるようになり有益であ
る。
半絶縁性の結晶でしかも低転位密度の結晶を供給するこ
とができる。そのため、従来エピタキシャルの用途に限
られていたＣｒドープＧａＡｓウエハを、イオン注入用
ＧａＡｓウエハ用として使用できるようになり有益であ
る。
【図１】本発明をボート法に適用した一実施例を示し、
アンプル内の構成を模式的に表した側断面図である。
アンプル内の構成を模式的に表した側断面図である。
【図２】本発明によるＧａＡｓ結晶とＢ2 Ｏ3 の量的関
係を示し、ボート内側断面図である。
係を示し、ボート内側断面図である。
【図３】本発明によるＧａＡｓ結晶とＢ2 Ｏ3 の量的関
係を示し、ボート内断面図である。
係を示し、ボート内断面図である。
１：ＰＢＮボート ２：原料Ｇａ ３：Ｂ2 Ｏ3 ４：ドーパントのＣｒ ５：種結晶 ６：原料Ａｓ ７：キャピラリー ８：アンプル １１：ＰＢＮボート １２：Ｂ2 Ｏ3 １３：ＧａＡｓ結晶 １４：種結晶
Claims (2)
- 【請求項１】石英製アンプル、ＰＢＮ製ボート、封止剤
としてのＢ2 Ｏ3 を用いたボート法によるＧａＡｓ化合
物半導体結晶の製造方法において、結晶中のＣｒ濃度の
最低値が０．０１〜０．０５ｗｔｐｐｍの範囲となるよ
う制御することを特徴とするＧａＡｓ化合物半導体結晶
の製造方法。 - 【請求項２】石英製アンプル、ＰＢＮ製ボート、封止剤
としてのＢ2 Ｏ3 を用いたボート法によるＧａＡｓ化合
物半導体結晶の製造方法において、前記Ｂ2 Ｏ3 が、Ｇ
ａＡｓ結晶とＰＢＮボートの隙間を覆い、かつ溶融結晶
の自由表面を厚み２ｍｍよりも薄く覆う状態で結晶育成
を行うことを特徴とする請求項１記載のＧａＡｓ化合物
半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14281793A JPH06329492A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14281793A JPH06329492A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06329492A true JPH06329492A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=15324323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14281793A Pending JPH06329492A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06329492A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866390A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 有研光电新材料有限责任公司 | 一种磷化镓多晶体中掺锌方法 |
| CN104576332A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 宜兴市环洲微电子有限公司 | 一种用于镓扩散载镓源的镓源瓶 |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP14281793A patent/JPH06329492A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866390A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 有研光电新材料有限责任公司 | 一种磷化镓多晶体中掺锌方法 |
| CN104576332A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-29 | 宜兴市环洲微电子有限公司 | 一种用于镓扩散载镓源的镓源瓶 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5914440B2 (ja) | ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 | |
| CA2519885A1 (en) | Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them | |
| US20060260536A1 (en) | Vessel for growing a compound semiconductor single crystal, compound semiconductor single crystal, and process for fabricating the same | |
| JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JP2007106669A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JP2010059052A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法および装置 | |
| JP3806791B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH06329492A (ja) | ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPH10259100A (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| US5240685A (en) | Apparatus for growing a GaAs single crystal by pulling from GaAs melt | |
| JPH10218699A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| US6045767A (en) | Charge for vertical boat growth process and use thereof | |
| EP0355833B1 (en) | Method of producing compound semiconductor single crystal | |
| JPS627695A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3806793B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| KR100945668B1 (ko) | Ｖｇｆ법에 의한 갈륨비소 단결정 성장방법 | |
| JPH10212200A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| KR950013003B1 (ko) | 갈륨비소 단결정 성장용 다결정 성장방법 | |
| JP2781857B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2006160586A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2000327496A (ja) | ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JPH01215799A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ化合物半導体単結晶及びその製造方法 | |
| JPH06279198A (ja) | 半絶縁性ガリウム砒素化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2003335598A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JP2005047797A (ja) | ＩｎＰ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、及びそれらの製造方法 |