JP2003335598A - 化合物半導体単結晶の製造装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造装置Info
- Publication number
- JP2003335598A JP2003335598A JP2002143144A JP2002143144A JP2003335598A JP 2003335598 A JP2003335598 A JP 2003335598A JP 2002143144 A JP2002143144 A JP 2002143144A JP 2002143144 A JP2002143144 A JP 2002143144A JP 2003335598 A JP2003335598 A JP 2003335598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- compound semiconductor
- single crystal
- reinforcing pedestal
- semiconductor single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＧＦ法またはＶＢ法で使用されるＰＢＮ製
のルツボの機械的強度不足を簡便な構造で補強して、化
合物半導体融液の重量荷重を支持でき、ルツボの破損を
防止しつつ、ルツボ上部の側面部分を通る熱伝導を抑制
できる化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。 【解決手段】 化合物半導体５を装入して融液とする大
径のルツボ上部１ａ、種子結晶３を装入する小径のルツ
ボ下端部１ｃ、および、ルツボ上部１ａとルツボ下端部
１ｃとを連結するテーパ状のルツボ下部１ｂからなる熱
分解窒化ホウ素製のルツボ１と、ルツボ下部１ｂの外壁
に密着して装着する補強台座２と、該補強台座２に接し
て支持する突起６を備えた透明または半透明の石英ガラ
ス製アンプル管７とを有する。さらに、前記補強台座２
の材質が、熱分解窒化ホウ素であることが望ましい。
のルツボの機械的強度不足を簡便な構造で補強して、化
合物半導体融液の重量荷重を支持でき、ルツボの破損を
防止しつつ、ルツボ上部の側面部分を通る熱伝導を抑制
できる化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。 【解決手段】 化合物半導体５を装入して融液とする大
径のルツボ上部１ａ、種子結晶３を装入する小径のルツ
ボ下端部１ｃ、および、ルツボ上部１ａとルツボ下端部
１ｃとを連結するテーパ状のルツボ下部１ｂからなる熱
分解窒化ホウ素製のルツボ１と、ルツボ下部１ｂの外壁
に密着して装着する補強台座２と、該補強台座２に接し
て支持する突起６を備えた透明または半透明の石英ガラ
ス製アンプル管７とを有する。さらに、前記補強台座２
の材質が、熱分解窒化ホウ素であることが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直温度勾配法
（以下、ＶＧＦ法）または垂直ブリッジマン法（以下、
ＶＢ法）により、化合物半導体単結晶を製造する装置に
関し、特に、ＧａＡｓ単結晶を育成する装置に関する。
（以下、ＶＧＦ法）または垂直ブリッジマン法（以下、
ＶＢ法）により、化合物半導体単結晶を製造する装置に
関し、特に、ＧａＡｓ単結晶を育成する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外光および可視光の受発光素子、なら
びに高周波電子素子の基板として、ＧａＡｓ単結晶が広
く用いられている。該ＧａＡｓ単結晶を製造する方法と
して、ＶＧＦ法およびＶＢ法がある。
びに高周波電子素子の基板として、ＧａＡｓ単結晶が広
く用いられている。該ＧａＡｓ単結晶を製造する方法と
して、ＶＧＦ法およびＶＢ法がある。
【０００３】ＶＧＦ法またはＶＢ法においては、ルツボ
内に種子結晶、化合物半導体、および封止剤を設置す
る。
内に種子結晶、化合物半導体、および封止剤を設置す
る。
【０００４】ルツボは、化合物半導体を装入して融液と
する大径のルツボ上部、種子結晶を装入する小径のルツ
ボ下端部、および、ルツボ上部とルツボ下端部とを連結
するテーパ状のルツボ下部からなる。ルツボ上部および
ルツボ下端部は円筒状で、ルツボは全体として、ルツボ
上部の上方が開口する容器状である。ルツボの材質とし
ては、石英または熱分解窒化ホウ素（以下ＰＢＮ）が一
般に用いられる。
する大径のルツボ上部、種子結晶を装入する小径のルツ
ボ下端部、および、ルツボ上部とルツボ下端部とを連結
するテーパ状のルツボ下部からなる。ルツボ上部および
ルツボ下端部は円筒状で、ルツボは全体として、ルツボ
上部の上方が開口する容器状である。ルツボの材質とし
ては、石英または熱分解窒化ホウ素（以下ＰＢＮ）が一
般に用いられる。
【０００５】ＧａＡｓ単結晶の製造においては、ルツボ
内にＧａＡｓ種子結晶、ＧａＡｓ多結晶（またはＧａと
Ａｓ）、および封止剤を設置し、ルツボを石英アンプル
管内に封入するか、あるいはルツボを圧力容器内に設置
して、圧力容器内を不活性ガスで加圧する。封止剤とし
ては、酸化ホウ素（以下Ｂ2Ｏ3）が一般に用いられる。
内にＧａＡｓ種子結晶、ＧａＡｓ多結晶（またはＧａと
Ａｓ）、および封止剤を設置し、ルツボを石英アンプル
管内に封入するか、あるいはルツボを圧力容器内に設置
して、圧力容器内を不活性ガスで加圧する。封止剤とし
ては、酸化ホウ素（以下Ｂ2Ｏ3）が一般に用いられる。
【０００６】その後、ルツボ上部をＧａＡｓの融点以上
に、ルツボ下部をＧａＡｓの融点以下に加熱してＧａＡ
ｓ融液を作り、ルツボ下端部に設置した種子結晶とＧａ
Ａｓ融液を、ルツボ下部で接触させてから、全体の温度
を下げるか、またはルツボを低温度側へ移動させてＧａ
Ａｓ単結晶を得る。
に、ルツボ下部をＧａＡｓの融点以下に加熱してＧａＡ
ｓ融液を作り、ルツボ下端部に設置した種子結晶とＧａ
Ａｓ融液を、ルツボ下部で接触させてから、全体の温度
を下げるか、またはルツボを低温度側へ移動させてＧａ
Ａｓ単結晶を得る。
【０００７】ルツボ材質として石英を用いた場合には、
ＧａＡｓ融液中にケイ素が混入するのに対して、ＰＢＮ
製のルツボを用いた場合には、電気的に活性な不純物の
混入が少ないので、育成する単結晶の比抵抗やキャリア
濃度を制御しやすい利点がある。そのため、化合物半導
体の単結晶を製造する方法として、ＰＢＮ製のルツボを
用いた育成が広く普及している。
ＧａＡｓ融液中にケイ素が混入するのに対して、ＰＢＮ
製のルツボを用いた場合には、電気的に活性な不純物の
混入が少ないので、育成する単結晶の比抵抗やキャリア
濃度を制御しやすい利点がある。そのため、化合物半導
体の単結晶を製造する方法として、ＰＢＮ製のルツボを
用いた育成が広く普及している。
【０００８】ＰＢＮ製のルツボで単結晶を育成する場合
には、ルツボの外壁全体に密着する形状の保持容器にル
ツボを収納して、石英アンプル管内に封入するか、ある
いは圧力容器内に設置するのが一般的である。これは、
ＰＢＮ製のルツボの厚さが最大でも１ｍｍ程度しかな
く、かつ、ルツボの材質であるＰＢＮ自体の機械的強度
が十分に高くはないため、工業的に製造される規模の化
合物半導体融液の重量荷重を、ルツボだけでは支持でき
ずに、ルツボを破損することがあるためである。
には、ルツボの外壁全体に密着する形状の保持容器にル
ツボを収納して、石英アンプル管内に封入するか、ある
いは圧力容器内に設置するのが一般的である。これは、
ＰＢＮ製のルツボの厚さが最大でも１ｍｍ程度しかな
く、かつ、ルツボの材質であるＰＢＮ自体の機械的強度
が十分に高くはないため、工業的に製造される規模の化
合物半導体融液の重量荷重を、ルツボだけでは支持でき
ずに、ルツボを破損することがあるためである。
【０００９】従って、ルツボの外壁全体と密着する形状
の保持容器にルツボを収納することで、化合物半導体融
液の重量荷重を保持容器が支持することになり、ルツボ
を破損することがなくなる。この効果を得るために、Ｖ
ＧＦ法またはＶＢ法では、ＰＢＮ製のルツボと保持容器
の組み合わせを用いた育成が広く行われている。
の保持容器にルツボを収納することで、化合物半導体融
液の重量荷重を保持容器が支持することになり、ルツボ
を破損することがなくなる。この効果を得るために、Ｖ
ＧＦ法またはＶＢ法では、ＰＢＮ製のルツボと保持容器
の組み合わせを用いた育成が広く行われている。
【００１０】しかし、このようにしてＰＢＮ製のルツボ
を保持容器に収納すると、ルツボの外壁全体を保持容器
が密着して覆ってしまうため、化合物半導体融液から外
部へ、ルツボ上部の側面部分を通る熱伝導は促進される
ことになる。この結果として、ルツボ上部の側面に近い
化合物半導体融液が過度に冷却されやすくなり、その部
分から異常な固化が始まり、単結晶が得られなくなるこ
とがある。
を保持容器に収納すると、ルツボの外壁全体を保持容器
が密着して覆ってしまうため、化合物半導体融液から外
部へ、ルツボ上部の側面部分を通る熱伝導は促進される
ことになる。この結果として、ルツボ上部の側面に近い
化合物半導体融液が過度に冷却されやすくなり、その部
分から異常な固化が始まり、単結晶が得られなくなるこ
とがある。
【００１１】このような異常な固化を生じさせないため
に、育成装置内の縦方向・横方向の温度分布を変更し
て、ＰＢＮ製のルツボ上部の側面を通した熱伝導を抑制
することが一般に行われている。しかし、育成装置内の
温度分布は育成装置自体の特性に依存するため、変更に
は限界があった。
に、育成装置内の縦方向・横方向の温度分布を変更し
て、ＰＢＮ製のルツボ上部の側面を通した熱伝導を抑制
することが一般に行われている。しかし、育成装置内の
温度分布は育成装置自体の特性に依存するため、変更に
は限界があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ＶＧ
Ｆ法またはＶＢ法で使用されるＰＢＮ製のルツボの機械
的強度不足を簡便な構造で補強して、化合物半導体融液
の重量荷重を支持でき、ルツボの破損を防止しつつ、ル
ツボ上部の側面部分を通る熱伝導を抑制できる化合物半
導体単結晶の製造装置を提供することにある。
Ｆ法またはＶＢ法で使用されるＰＢＮ製のルツボの機械
的強度不足を簡便な構造で補強して、化合物半導体融液
の重量荷重を支持でき、ルツボの破損を防止しつつ、ル
ツボ上部の側面部分を通る熱伝導を抑制できる化合物半
導体単結晶の製造装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、垂直温度勾配
法または垂直ブリッジマン法により、化合物半導体単結
晶を製造する装置において、化合物半導体を装入して融
液とする大径のルツボ上部、種子結晶を装入する小径の
ルツボ下端部、および、ルツボ上部とルツボ下端部とを
連結するテーパ状のルツボ下部からなる熱分解窒化ホウ
素製のルツボと、ルツボ下部の外壁に密着して装着する
補強台座と、該補強台座に接して支持する突起を備えた
透明または半透明の石英ガラス製アンプル管とを有す
る。突起は、該補強台座に点状接触あるいは線状接触
（ここにいう点状および線状は、ある程度の幅を有す
る）が好ましい。
法または垂直ブリッジマン法により、化合物半導体単結
晶を製造する装置において、化合物半導体を装入して融
液とする大径のルツボ上部、種子結晶を装入する小径の
ルツボ下端部、および、ルツボ上部とルツボ下端部とを
連結するテーパ状のルツボ下部からなる熱分解窒化ホウ
素製のルツボと、ルツボ下部の外壁に密着して装着する
補強台座と、該補強台座に接して支持する突起を備えた
透明または半透明の石英ガラス製アンプル管とを有す
る。突起は、該補強台座に点状接触あるいは線状接触
（ここにいう点状および線状は、ある程度の幅を有す
る）が好ましい。
【００１４】さらに、前記補強台座の材質が、前記点状
接触または線状接触による応力集中に耐える材質、例え
ば、熱分解窒化ホウ素であることが望ましい。
接触または線状接触による応力集中に耐える材質、例え
ば、熱分解窒化ホウ素であることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明を、図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の化合物半導体単結晶の製造装置の
一実施例で使用するアンプル管の内部を示す概略断面図
である。
る。図１は、本発明の化合物半導体単結晶の製造装置の
一実施例で使用するアンプル管の内部を示す概略断面図
である。
【００１６】ルツボ１は、化合物半導体５を装入して融
液とする大径のルツボ上部１ａ、種子結晶３を装入する
小径のルツボ下端部１ｃ、および、ルツボ上部１ａとル
ツボ下端部１ｃとを連結するテーパ状のルツボ下部１ｂ
からなり、ＰＢＮ製である。さらに、該ルツボ下部１ｂ
に密着して装着するＰＢＮ製の補強台座２と、該補強台
座２に接して支持する突起６を備えた透明または半透明
の石英ガラス製アンプル管７とを有する。
液とする大径のルツボ上部１ａ、種子結晶３を装入する
小径のルツボ下端部１ｃ、および、ルツボ上部１ａとル
ツボ下端部１ｃとを連結するテーパ状のルツボ下部１ｂ
からなり、ＰＢＮ製である。さらに、該ルツボ下部１ｂ
に密着して装着するＰＢＮ製の補強台座２と、該補強台
座２に接して支持する突起６を備えた透明または半透明
の石英ガラス製アンプル管７とを有する。
【００１７】ＧａＡｓ単結晶の製造においては、ルツボ
下端部１ｃの中にＧａＡｓの種子結晶３と、その上部に
Ｂ2Ｏ3封止剤４と、原料となるＧａＡｓ結晶ブロック５
を配置する。さらに、補強台座２を、ルツボ下部１ｂの
外壁に密着して装着し、全体をアンプル管７の中に封入
する。その後の結晶育成方法は、従来のＶＧＦ法または
ＶＢ法と同様に行う。
下端部１ｃの中にＧａＡｓの種子結晶３と、その上部に
Ｂ2Ｏ3封止剤４と、原料となるＧａＡｓ結晶ブロック５
を配置する。さらに、補強台座２を、ルツボ下部１ｂの
外壁に密着して装着し、全体をアンプル管７の中に封入
する。その後の結晶育成方法は、従来のＶＧＦ法または
ＶＢ法と同様に行う。
【００１８】ルツボ下部１ｂに補強台座２を密着させる
ことにより、半導体融液の重量荷重を支持するだけの機
械的強度を得ることができる。また、石英ガラス製アン
プル管７との接触部分を、接触面積の小さい（点状接触
または線状接触の）突起６とすることで、熱伝導を最小
限に抑えることができ、さらに、アンプル管７の材質を
透明または半透明の石英ガラスとすることで、ルツボ１
を高温に加熱するヒーター（図示せず）からの熱の遮蔽
も最小限に抑えられる。これらにより、ルツボ１の破損
を防止できると同時に、ルツボ上部１ａの側面部分を通
る熱伝導を抑制できるため、化合物半導体融液の異常な
固化を防止し、良質な半導体結晶を得ることができる。
なお、接触面積が小さいことで、突起との接触箇所にル
ツボおよび内容物の質量による応力集中が起きるので、
前記補強台座２は、これに耐える材質のものとする。
ことにより、半導体融液の重量荷重を支持するだけの機
械的強度を得ることができる。また、石英ガラス製アン
プル管７との接触部分を、接触面積の小さい（点状接触
または線状接触の）突起６とすることで、熱伝導を最小
限に抑えることができ、さらに、アンプル管７の材質を
透明または半透明の石英ガラスとすることで、ルツボ１
を高温に加熱するヒーター（図示せず）からの熱の遮蔽
も最小限に抑えられる。これらにより、ルツボ１の破損
を防止できると同時に、ルツボ上部１ａの側面部分を通
る熱伝導を抑制できるため、化合物半導体融液の異常な
固化を防止し、良質な半導体結晶を得ることができる。
なお、接触面積が小さいことで、突起との接触箇所にル
ツボおよび内容物の質量による応力集中が起きるので、
前記補強台座２は、これに耐える材質のものとする。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を比較例とともに述
べる。
べる。
【００２０】（実施例１）図１を参照して、本実施例を
説明する。
説明する。
【００２１】ＰＢＮ製のルツボ１は、ルツボ上部１ａを
直径約８０ｍｍ、高さ約２００ｍｍとし、ルツボ下部１
ｂをテーパー状とし、ルツボ下端部１ｃを直径約６ｍ
ｍ、高さ約４０ｍｍとした。補強台座２は、ルツボ下部
１ｂの外壁に密着する形状であり、ＰＢＮ製である。
直径約８０ｍｍ、高さ約２００ｍｍとし、ルツボ下部１
ｂをテーパー状とし、ルツボ下端部１ｃを直径約６ｍ
ｍ、高さ約４０ｍｍとした。補強台座２は、ルツボ下部
１ｂの外壁に密着する形状であり、ＰＢＮ製である。
【００２２】該ルツボ１に、ＧａＡｓ種子結晶３と、Ｇ
ａＡｓ原料結晶５を３ｋｇと、Ｂ2Ｏ3封止剤４を１６ｇ
と、ドーパントのＳｉとを収納し、補強台座２をルツボ
下部１ｂの外壁に密着させて装着し、突起６を備えた透
明石英ガラス製の石英アンプル管７に真空封入した。そ
の後は、従来のＶＧＦ法と同様にして、Ｓｉドープｎ型
ＧａＡｓ単結晶を育成した。突起６の形状は、およそ半
球状あるいはおよそ円錐状であった。
ａＡｓ原料結晶５を３ｋｇと、Ｂ2Ｏ3封止剤４を１６ｇ
と、ドーパントのＳｉとを収納し、補強台座２をルツボ
下部１ｂの外壁に密着させて装着し、突起６を備えた透
明石英ガラス製の石英アンプル管７に真空封入した。そ
の後は、従来のＶＧＦ法と同様にして、Ｓｉドープｎ型
ＧａＡｓ単結晶を育成した。突起６の形状は、およそ半
球状あるいはおよそ円錐状であった。
【００２３】５回の単結晶成長において、融液の重量荷
重によりルツボが破損するようなことが無く、融液の異
常固化により多結晶が発生することも無かった。
重によりルツボが破損するようなことが無く、融液の異
常固化により多結晶が発生することも無かった。
【００２４】（比較例１）補強台座２を装着しなかった
こと、および突起６の無い透明石英ガラス製のアンプル
管を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、Ｓｉ
ドープｎ型ＧａＡｓ単結晶を育成した。
こと、および突起６の無い透明石英ガラス製のアンプル
管を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、Ｓｉ
ドープｎ型ＧａＡｓ単結晶を育成した。
【００２５】５回の単結晶育成において、ルツボの破損
が２回、発生し、融液の異常固化による多結晶が３回、
発生し、単結晶を得ることはできなかった。
が２回、発生し、融液の異常固化による多結晶が３回、
発生し、単結晶を得ることはできなかった。
【００２６】（従来例１）補強台座２を装着しなかった
こと、突起６の無い透明石英ガラス製のアンプル管を使
用したこと、および従来と同様に、ルツボの外壁全体と
密着する保持容器を使用したこと以外は、実施例１と同
様にして、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ単結晶を育成した。
保持容器は、グラファイト製である。
こと、突起６の無い透明石英ガラス製のアンプル管を使
用したこと、および従来と同様に、ルツボの外壁全体と
密着する保持容器を使用したこと以外は、実施例１と同
様にして、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ単結晶を育成した。
保持容器は、グラファイト製である。
【００２７】３回の単結晶育成において、融液の異常固
化による多結晶が３回、発生した。
化による多結晶が３回、発生した。
【００２８】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の化合
物半導体単結晶の製造装置は、従来、使用していたルツ
ボの外壁全体と密着する保持容器を使用する場合と、同
等の機械的強度が得られて、ルツボとアンプル管との接
触部分が最小限で、さらに、アンプル管の材質が透明ま
たは半透明の石英ガラスであるから、ヒーターからの熱
の遮蔽を最小限に抑えることができる。
物半導体単結晶の製造装置は、従来、使用していたルツ
ボの外壁全体と密着する保持容器を使用する場合と、同
等の機械的強度が得られて、ルツボとアンプル管との接
触部分が最小限で、さらに、アンプル管の材質が透明ま
たは半透明の石英ガラスであるから、ヒーターからの熱
の遮蔽を最小限に抑えることができる。
【００２９】従って、化合物半導体融液の重量荷重を確
実に支持しつつ、ルツボの側面部分の熱伝導を抑制でき
るため、ルツボの破損や、ルツボ中の融液の異常な固化
を防止することができる。
実に支持しつつ、ルツボの側面部分の熱伝導を抑制でき
るため、ルツボの破損や、ルツボ中の融液の異常な固化
を防止することができる。
【図１】 本発明の化合物半導体単結晶の製造装置の一
実施例で使用するアンプル管の内部を示す概略断面図で
ある。
実施例で使用するアンプル管の内部を示す概略断面図で
ある。
１ ＰＢＮ製のルツボ
２ 補強台座
３ 種子結晶
４ Ｂ2Ｏ3封止剤
５ 化合物半導体
６ 突起
７ 石英アンプル管
Claims (3)
- 【請求項１】 垂直温度勾配法または垂直ブリッジマン
法により、化合物半導体単結晶を製造する装置におい
て、化合物半導体を装入して融液とする大径のルツボ上
部、種子結晶を装入する小径のルツボ下端部、および、
ルツボ上部とルツボ下端部とを連結するテーパ状のルツ
ボ下部からなる熱分解窒化ホウ素製のルツボと、ルツボ
下部の外壁に密着して装着する補強台座と、該補強台座
に接して支持する突起を備えた透明または半透明の石英
ガラス製アンプル管とを有することを特徴とする化合物
半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項２】 前記補強台座の材質が、熱分解窒化ホウ
素であることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導
体単結晶の製造装置。 - 【請求項３】 熱分解窒化ホウ素製のルツボを、透明ま
たは半透明の石英ガラス製アンプル管の中に支持して、
単結晶育成を行う垂直温度勾配法または垂直ブリッジマ
ン法による化合物半導体単結晶の製造装置において、前
記ルツボとアンプル管の間に補強台座を介在させ、前記
補強台座を点状接触または線状接触で石英ガラス製アン
プル管内に支持するようにしたことを特徴とする化合物
半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143144A JP2003335598A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143144A JP2003335598A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003335598A true JP2003335598A (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=29703242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002143144A Pending JP2003335598A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003335598A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102140689A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 |
| CN104109906A (zh) * | 2009-01-09 | 2014-10-22 | 住友电气工业株式会社 | 单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002143144A patent/JP2003335598A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104109906A (zh) * | 2009-01-09 | 2014-10-22 | 住友电气工业株式会社 | 单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 |
| CN102140689A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8506706B2 (en) | Systems, methods and substrates of monocrystalline germanium crystal growth | |
| CA2452542C (en) | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control | |
| CN102272359B (zh) | 单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 | |
| JP2010260747A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
| JP2003335598A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JP5637778B2 (ja) | ガリウム砒素化合物半導体多結晶の製造方法 | |
| JP3567662B2 (ja) | 単結晶成長方法及びその装置 | |
| JP2690419B2 (ja) | 単結晶の育成方法及びその装置 | |
| JP2004099390A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶 | |
| JP2001080987A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法 | |
| JP2004203721A (ja) | 単結晶成長装置および成長方法 | |
| JP3159030B2 (ja) | 単結晶成長方法およびその装置 | |
| CN106283176B (zh) | 一种iii-v族半导体晶体的生长装置及生长方法 | |
| JPH03193689A (ja) | 化合物半導体の結晶製造方法 | |
| US20190352800A1 (en) | Gallium-arsenide-based compound semiconductor crystal and wafer group | |
| JP2004026577A (ja) | 化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶成長方法 | |
| JPH11189499A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| Capper et al. | Growert | |
| JP2005132717A (ja) | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 | |
| JPH0867593A (ja) | 単結晶の成長方法 | |
| JPS58199796A (ja) | 液体封止結晶引上げ装置 | |
| JP2005314175A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 | |
| JP2000327496A (ja) | ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JPH06329492A (ja) | ＧａＡｓ化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2009067620A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法及びその製造装置 |