JPS6046076B2 - 化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造方法Info
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- JPS6046076B2 JPS6046076B2 JP20601482A JP20601482A JPS6046076B2 JP S6046076 B2 JPS6046076 B2 JP S6046076B2 JP 20601482 A JP20601482 A JP 20601482A JP 20601482 A JP20601482 A JP 20601482A JP S6046076 B2 JPS6046076 B2 JP S6046076B2
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- Japan
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- gaas
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- melt
- single crystal
- crystal plate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は揮発性成分てあるＶ族を一成分とする■−Ｖ
族化合物半導体単結晶の組成すれを最小限に防いで、高
品質な■−Ｖ族単結晶を製造する方法に関するものであ
る。
族化合物半導体単結晶の組成すれを最小限に防いで、高
品質な■−Ｖ族単結晶を製造する方法に関するものであ
る。
（従来技術）
ＧａＡｓに代表される■−Ｖ族化合物半導体単結晶は
、電子パイス応用として極めて重要てあり、特に半絶縁
性（比抵抗１００Ωｃｍ以上）単結晶の製造に関して、
いくつかの方法が提案されている。
、電子パイス応用として極めて重要てあり、特に半絶縁
性（比抵抗１００Ωｃｍ以上）単結晶の製造に関して、
いくつかの方法が提案されている。
この中でも、Ｃｒイオンのような深い準位を形成する不
純物を故意に添加しなくとも、例えはパイロリテイツク
ＢＮ（ＰＢＮ）るつぼを用い、このるつほ内に原料であ
る■族（Ｇａ）とＶ族（Ａｓ）を化学量論比に秤量した
ものを入れ、ゆつくりと昇温して約１２５０℃迄加熱し
て溶融合成したＧａＡｓ融液は不純物濃度が１０″５ｃ
ｗＬ−゜以下に抑えられ、この融液から液体封止引上げ
法（ＬｉｑｕｉｄＥｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄＣ２（）ｃ
ｈｒａｌｓｋｉ；ＬＥＣ）で引上げ生成されたＧａＡｓ
単結晶は半絶縁性となる。
純物を故意に添加しなくとも、例えはパイロリテイツク
ＢＮ（ＰＢＮ）るつぼを用い、このるつほ内に原料であ
る■族（Ｇａ）とＶ族（Ａｓ）を化学量論比に秤量した
ものを入れ、ゆつくりと昇温して約１２５０℃迄加熱し
て溶融合成したＧａＡｓ融液は不純物濃度が１０″５ｃ
ｗＬ−゜以下に抑えられ、この融液から液体封止引上げ
法（ＬｉｑｕｉｄＥｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄＣ２（）ｃ
ｈｒａｌｓｋｉ；ＬＥＣ）で引上げ生成されたＧａＡｓ
単結晶は半絶縁性となる。
これは一般に直接合成アンドープ半絶縁性ＧａＡｓ結晶
と称される。しかしながら、るつぼ内に装入したＧａ（
５Ａｓとを昇温してＧａＡｓを合成する際、固体のＡｓ
は６１０℃て約１気圧、８２０℃て約３５気圧の蒸気圧
があるために昇温合成の際に多量のＭが揮発して、融液
のＧａとＡｓとの化学的組成比がすれて”しまう。この
揮発を抑えるために、合成用の炉は不活性ガスにより３
０〜１囲気圧の高圧力にするが、それでもＡｓの離散は
防げない。この為に、合成用るつぼを石英封じ形にする
ことが実施されている（例えばＪ、Ｃ、Ｂｒｉｃｅ｜Ｔ
ｈｅＧｒ０ｎｔｈ０ｆＣｒｙｓｔａ１ｓｆｒ０ｍｔｈｅ
Ｍｅ１を｜Ｎ０ｒｔｈ−Ｈ（）１１ａｎｄＰｕｂ１、１
９６５、ｐ１４５〜１４６）が、装置が複雑になるのみ
ならず、大形の単結晶を取得することが難しいなどの欠
点がある。また、これらの文献には、ＧａとＡｓとを直
接合成することについては言及さＪれていない。 （発
明の目的） 本発明は、これらの欠点を解決するために、ＧａとＭ
とを溶融合成する際にＭの離散を極力抑えることを目的
とするものである。
と称される。しかしながら、るつぼ内に装入したＧａ（
５Ａｓとを昇温してＧａＡｓを合成する際、固体のＡｓ
は６１０℃て約１気圧、８２０℃て約３５気圧の蒸気圧
があるために昇温合成の際に多量のＭが揮発して、融液
のＧａとＡｓとの化学的組成比がすれて”しまう。この
揮発を抑えるために、合成用の炉は不活性ガスにより３
０〜１囲気圧の高圧力にするが、それでもＡｓの離散は
防げない。この為に、合成用るつぼを石英封じ形にする
ことが実施されている（例えばＪ、Ｃ、Ｂｒｉｃｅ｜Ｔ
ｈｅＧｒ０ｎｔｈ０ｆＣｒｙｓｔａ１ｓｆｒ０ｍｔｈｅ
Ｍｅ１を｜Ｎ０ｒｔｈ−Ｈ（）１１ａｎｄＰｕｂ１、１
９６５、ｐ１４５〜１４６）が、装置が複雑になるのみ
ならず、大形の単結晶を取得することが難しいなどの欠
点がある。また、これらの文献には、ＧａとＡｓとを直
接合成することについては言及さＪれていない。 （発
明の目的） 本発明は、これらの欠点を解決するために、ＧａとＭ
とを溶融合成する際にＭの離散を極力抑えることを目的
とするものである。
・（発明の構成）
前記の目的を達成するため、本発明は■−Ｖ族化合物
半導体単結晶を液体封止引上げ法で製造する結晶製造に
おいて、■−■族化合物の構成元素を素原料として用い
て化合物半導体融液を合成する場合、該融液と同一元素
からなる結晶板を、るつほ内の素原料混合物と液体封止
剤との間に挿入して加熱合成することを特徴とする化合
物半導体結晶の製造方法を発明の要旨とするものである
。
半導体単結晶を液体封止引上げ法で製造する結晶製造に
おいて、■−■族化合物の構成元素を素原料として用い
て化合物半導体融液を合成する場合、該融液と同一元素
からなる結晶板を、るつほ内の素原料混合物と液体封止
剤との間に挿入して加熱合成することを特徴とする化合
物半導体結晶の製造方法を発明の要旨とするものである
。
換言すれば本発明は、ＧａとＧａＡｓとが接している領
域でのＭはＧａ−Ａｓの結合が優先的に生じてＧａＡｓ
となる効果を促進させるために高純度のＧａＡｓ結晶板
をるつぼに挿入することを特徴とするものてある。次に
本発明の実施例を添付図面について説明する。
域でのＭはＧａ−Ａｓの結合が優先的に生じてＧａＡｓ
となる効果を促進させるために高純度のＧａＡｓ結晶板
をるつぼに挿入することを特徴とするものてある。次に
本発明の実施例を添付図面について説明する。
なお、実施例は一つの例示であつて、本発明の精神を逸
脱しない範囲内で、種々の変更あるいは改良を行いうる
ことは言うまでもない。先ず、本発明に至つた直接合成
時でのＡｓの離散について説明する。
脱しない範囲内で、種々の変更あるいは改良を行いうる
ことは言うまでもない。先ず、本発明に至つた直接合成
時でのＡｓの離散について説明する。
第１図は原料充填の図で、図において１はＧａ（Ｇａの
融点は２９．７゜Ｃであるが、ここでは液体状態で示し
てある）、２は固体Ｍｌ３は液体封止剤のＢ２Ｏ３、４
はＰＢＮるつぼである。これを約３０ｋ９／Ｃ７ｎのＡ
ｒガス圧力下て溶融合成する。なお第１図，第４図及び
第６図において、加熱用ヒータ及び圧力チャンバ容器は
省略されている。第２図は合成過程の温度プログラムの
一例で、ＩはＢ２Ｏ３３の軟化過程、■はＡｓの溶解過
程で約８２０′Ｃで液体となる。■は液体Ｇａと溶融Ａ
ｓとが反応してＧａＡｓ結晶が形成されるＧａ．Ａｓ合
成過程、■がＧａＡｓ（７）溶融過程で融点１２３８゜
Ｃ以上に保たれる。第３図は、第２図の合成過程におけ
るＡｓの減少量を第２図の各過程で求めた結果を示す。
ここて注目することは■のＡｓ溶解過程においてＡｓの
減少量が著るしいことで、約７時間の溶融合成過程にお
いて２％のＡｓ減少量のうち約９０％が、この■の段階
て支配されている。本発明は、この溶融合成における■
の段階でのＭ減少を極力抑えるために提案されたもので
、以下図面をもつて詳細に説明する。第４図は本発明に
よる原料充填図であり、１はＧａ（第１図と同様）、２
は固体Ｍｌ３は液体封止剤Ｂ２Ｏ３、４はＰＢＮるつぼ
、５は高純度ＧａＡｓ単結晶板である。
融点は２９．７゜Ｃであるが、ここでは液体状態で示し
てある）、２は固体Ｍｌ３は液体封止剤のＢ２Ｏ３、４
はＰＢＮるつぼである。これを約３０ｋ９／Ｃ７ｎのＡ
ｒガス圧力下て溶融合成する。なお第１図，第４図及び
第６図において、加熱用ヒータ及び圧力チャンバ容器は
省略されている。第２図は合成過程の温度プログラムの
一例で、ＩはＢ２Ｏ３３の軟化過程、■はＡｓの溶解過
程で約８２０′Ｃで液体となる。■は液体Ｇａと溶融Ａ
ｓとが反応してＧａＡｓ結晶が形成されるＧａ．Ａｓ合
成過程、■がＧａＡｓ（７）溶融過程で融点１２３８゜
Ｃ以上に保たれる。第３図は、第２図の合成過程におけ
るＡｓの減少量を第２図の各過程で求めた結果を示す。
ここて注目することは■のＡｓ溶解過程においてＡｓの
減少量が著るしいことで、約７時間の溶融合成過程にお
いて２％のＡｓ減少量のうち約９０％が、この■の段階
て支配されている。本発明は、この溶融合成における■
の段階でのＭ減少を極力抑えるために提案されたもので
、以下図面をもつて詳細に説明する。第４図は本発明に
よる原料充填図であり、１はＧａ（第１図と同様）、２
は固体Ｍｌ３は液体封止剤Ｂ２Ｏ３、４はＰＢＮるつぼ
、５は高純度ＧａＡｓ単結晶板である。
ここで、５の高純度ＰａＡｓ単結晶板をＧａ液１と液体
封止剤３の間に置くことが本発明の第一の特徴である。
ここで本発明の原理について第５図，第６図を用いて説
明する。第５図は大気圧下でのＧａ−Ａｓ二元系相平衡
図である。第６図ａ−ｇは第４図に示した原料充填状態
の加熱過程での変化を示している。第２図に示した合成
過程に従つて全体を昇温していくと、約３００′ＣでＢ
２Ｏ３軟化しはじじめて高粘性のガラス状になつて、第
６図ｇに示すようにＧａＡｓ単結晶板５とるつぼ４の空
隙をうめる。約６００℃はＢ２Ｏ３の軟化が進み、完全
にスキ間をう・める。これと同時に原料のＭの揮発も進
行するとともに、ＧａＡｓ単結晶板底部と原料のＧａｌ
の接触面６では、例えば６００てＧａＡｓ−Ｇａの固溶
体、すなわち第５図の相平衡図上でみると固体ＧａＡｓ
と液伸Ｃａが共存する状態となる。このときＧａＡｓ単
結晶板上部は本来の融点（１２３８℃）以下であるので
溶融しないから、Ｇａ融液／Ｇａ−ＧａＡｓ固液共存域
（図中６）／ＧａＡｓ単結晶の順に構成される。Ｇａ融
液中のＭから揮発した気体状ＡｓはＧａ融液中を浮力に
よつて拡散・上昇してＧａ−ＧａＡｓ固液共存域に達し
、共存域内のＧａと結びついてその温度て平衡となる量
のＧａＡｓとなり、ＧａＡｓ単結晶板底部にエピタキシ
ャルに成長（付着層７）してゆく。従つて、ＧａＡｓ単
結晶板５とるつぼ４間のＢ２Ｏ３て覆われた間隙を通し
ての気体Ａｓの離散は抑えられる。更に温度が上昇して
原料Ａｓの溶融過程に入つても揮発するＡｓの拡散上昇
が支配的であるから、全く同様にＧａＡｓ単結晶板底部
にＧａＡｓがエピタキシャルに成長し続け（第６図Ｃ，
ｄ）、Ｂ２Ｏ３を通して離散してゆくことはない。第５
図の相平衡図上から判る通り、加熱温度に対応した天秤
則に従つたＧａＡｓが固液共存域から晶出してＧａＡｓ
単結晶板底部に成長してゆくことになる。このとき、Ｇ
ａＡｓが合成されるときには体積が膨脹するが、固液共
存域と連続的に接しているＧａＡｓ単結晶板はるつぼと
密着しておらす、固液共存域のみるつぼと接しているか
ら体積膨脹に伴つて逐次単結晶板が上昇してゆくにすぎ
す、Ｇａ融液内の気体Ａｓによる爆発の危険は全くない
。このようにして、ＧａＡｓ溶解過程の最終温度てある
１２３８℃に達するまてＧａ融液内のＡｓは揮発一拡散
一上昇を繰返してＧａＡｓを該ＧａＡｓ単結晶板底部に
結晶化し続け、最終的に全体がＧａＡｓ結晶固体となる
とともに１２３８℃を過ぎてＧａＡｓ融液８となる。こ
の全工程では気体Ｍの離散は全く抑制され、すべてＧａ
Ａｓ固体結晶の晶出に費やされることになる。以上の原
理に基き実施した一例を述べる。
封止剤３の間に置くことが本発明の第一の特徴である。
ここで本発明の原理について第５図，第６図を用いて説
明する。第５図は大気圧下でのＧａ−Ａｓ二元系相平衡
図である。第６図ａ−ｇは第４図に示した原料充填状態
の加熱過程での変化を示している。第２図に示した合成
過程に従つて全体を昇温していくと、約３００′ＣでＢ
２Ｏ３軟化しはじじめて高粘性のガラス状になつて、第
６図ｇに示すようにＧａＡｓ単結晶板５とるつぼ４の空
隙をうめる。約６００℃はＢ２Ｏ３の軟化が進み、完全
にスキ間をう・める。これと同時に原料のＭの揮発も進
行するとともに、ＧａＡｓ単結晶板底部と原料のＧａｌ
の接触面６では、例えば６００てＧａＡｓ−Ｇａの固溶
体、すなわち第５図の相平衡図上でみると固体ＧａＡｓ
と液伸Ｃａが共存する状態となる。このときＧａＡｓ単
結晶板上部は本来の融点（１２３８℃）以下であるので
溶融しないから、Ｇａ融液／Ｇａ−ＧａＡｓ固液共存域
（図中６）／ＧａＡｓ単結晶の順に構成される。Ｇａ融
液中のＭから揮発した気体状ＡｓはＧａ融液中を浮力に
よつて拡散・上昇してＧａ−ＧａＡｓ固液共存域に達し
、共存域内のＧａと結びついてその温度て平衡となる量
のＧａＡｓとなり、ＧａＡｓ単結晶板底部にエピタキシ
ャルに成長（付着層７）してゆく。従つて、ＧａＡｓ単
結晶板５とるつぼ４間のＢ２Ｏ３て覆われた間隙を通し
ての気体Ａｓの離散は抑えられる。更に温度が上昇して
原料Ａｓの溶融過程に入つても揮発するＡｓの拡散上昇
が支配的であるから、全く同様にＧａＡｓ単結晶板底部
にＧａＡｓがエピタキシャルに成長し続け（第６図Ｃ，
ｄ）、Ｂ２Ｏ３を通して離散してゆくことはない。第５
図の相平衡図上から判る通り、加熱温度に対応した天秤
則に従つたＧａＡｓが固液共存域から晶出してＧａＡｓ
単結晶板底部に成長してゆくことになる。このとき、Ｇ
ａＡｓが合成されるときには体積が膨脹するが、固液共
存域と連続的に接しているＧａＡｓ単結晶板はるつぼと
密着しておらす、固液共存域のみるつぼと接しているか
ら体積膨脹に伴つて逐次単結晶板が上昇してゆくにすぎ
す、Ｇａ融液内の気体Ａｓによる爆発の危険は全くない
。このようにして、ＧａＡｓ溶解過程の最終温度てある
１２３８℃に達するまてＧａ融液内のＡｓは揮発一拡散
一上昇を繰返してＧａＡｓを該ＧａＡｓ単結晶板底部に
結晶化し続け、最終的に全体がＧａＡｓ結晶固体となる
とともに１２３８℃を過ぎてＧａＡｓ融液８となる。こ
の全工程では気体Ｍの離散は全く抑制され、すべてＧａ
Ａｓ固体結晶の晶出に費やされることになる。以上の原
理に基き実施した一例を述べる。
第４図において、原料Ｇａ．ｌ５Ａｓとを化学量論的組
成比となるように各々約１００Ｖ，１００Ｖをるつぼに
入れ、るつぼ内径にほぼ合致した直径のＧａＡｓ単結晶
板（厚さ５Ｔｖｎ）をのせて、Ｂ２Ｏ３２６ｇｒをのせ
、全体を約３０ｋ９／Ｃｌｔ（７）Ａｒガス圧下で第２
図の合成過程に従つて加熱，溶融合成した。このとき、
昇温速度を５０゜Ｃ／時とした。そのときのＭの減少量
は約１２４０℃迄の間で０．１％以下であつた。ＧａＡ
ｓを溶融合成後、く１００〉軸種子９をＧａ．Ａｓ融液
８に浸け、通常のＬＥＣ法により単結晶１０を引上げた
。このようにして得た単結晶の上部から下部にわたつて
の比抵抗変化はほとんど変わらず１０７Ωα以上であり
、よく知られている結晶下端での低抵抗比はみられなか
つた。以上の実施例ては、本発明によるＧａＡｓ単結晶
板の厚さ、昇温速度の一例を示したにすぎないが、これ
に限定されるものでなく、厚さと昇温速度の組合せを適
当にすることができる。
成比となるように各々約１００Ｖ，１００Ｖをるつぼに
入れ、るつぼ内径にほぼ合致した直径のＧａＡｓ単結晶
板（厚さ５Ｔｖｎ）をのせて、Ｂ２Ｏ３２６ｇｒをのせ
、全体を約３０ｋ９／Ｃｌｔ（７）Ａｒガス圧下で第２
図の合成過程に従つて加熱，溶融合成した。このとき、
昇温速度を５０゜Ｃ／時とした。そのときのＭの減少量
は約１２４０℃迄の間で０．１％以下であつた。ＧａＡ
ｓを溶融合成後、く１００〉軸種子９をＧａ．Ａｓ融液
８に浸け、通常のＬＥＣ法により単結晶１０を引上げた
。このようにして得た単結晶の上部から下部にわたつて
の比抵抗変化はほとんど変わらず１０７Ωα以上であり
、よく知られている結晶下端での低抵抗比はみられなか
つた。以上の実施例ては、本発明によるＧａＡｓ単結晶
板の厚さ、昇温速度の一例を示したにすぎないが、これ
に限定されるものでなく、厚さと昇温速度の組合せを適
当にすることができる。
本発明の趣旨はＧａＡｓ結晶板を用いることであり、ま
た単結晶にこだわるものでなく多結晶板であつても何ら
違いを生ずるものではない。更には、不純物をドープし
たＧａＡｓ結晶板を用いることで種々の導電性（ｎ形，
ｐ形，半絶縁性）の単結晶をストイキオメトリのずれが
ない状態で引き上げ育成できる利点も有する。また、実
施例てはＧａＡｓの例をのべたが、揮発性成分を一成分
とする他の化合物においても全く同様に揮発性成分の離
散を抑止でき、例えばＩｎＰ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ，Ｇａ
Ｓｅといつた化合物にも適用できることは本発明の原理
で述べたことからも明らかである。
た単結晶にこだわるものでなく多結晶板であつても何ら
違いを生ずるものではない。更には、不純物をドープし
たＧａＡｓ結晶板を用いることで種々の導電性（ｎ形，
ｐ形，半絶縁性）の単結晶をストイキオメトリのずれが
ない状態で引き上げ育成できる利点も有する。また、実
施例てはＧａＡｓの例をのべたが、揮発性成分を一成分
とする他の化合物においても全く同様に揮発性成分の離
散を抑止でき、例えばＩｎＰ，ＧａＰ，ＩｎＡｓ，Ｇａ
Ｓｅといつた化合物にも適用できることは本発明の原理
で述べたことからも明らかである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば単にＢ２Ｏ３とＧ
ａ融液間にＧａＡｓ結晶板をおくことによつて、昇温と
同時に金相学的に形成されるＧａ一Ｇａ．Ａｓ固液共存
領域の存在が原料Ａｓの揮発気体の捕獲場所となつて優
先的にＧａＡｓの成長を生じせしめることから、従来の
直接合成にみられるＡｓの著るしい離散による組成のず
れが抑えられるという最大の利点がある。
ａ融液間にＧａＡｓ結晶板をおくことによつて、昇温と
同時に金相学的に形成されるＧａ一Ｇａ．Ａｓ固液共存
領域の存在が原料Ａｓの揮発気体の捕獲場所となつて優
先的にＧａＡｓの成長を生じせしめることから、従来の
直接合成にみられるＡｓの著るしい離散による組成のず
れが抑えられるという最大の利点がある。
更には、温度上昇がより高温になるに従い、より気体Ａ
ｓを捕獲してＧａＡｓが晶出し易いことになり、Ａｓの
溶解過程においても充分Ａｓの離散が抑止できることは
明らかである。従つて、最初にるつぼに挿入するＧａ＜
５Ａｓの化学量論比をずらしておいても合成された融液
はほとんど初期の配合比の融液であるから、Ｇａ−Ａｓ
二元素の化学量論を論する為の結晶育成が出来るなど、
学究的研究への応用も図られる利点がある。
ｓを捕獲してＧａＡｓが晶出し易いことになり、Ａｓの
溶解過程においても充分Ａｓの離散が抑止できることは
明らかである。従つて、最初にるつぼに挿入するＧａ＜
５Ａｓの化学量論比をずらしておいても合成された融液
はほとんど初期の配合比の融液であるから、Ｇａ−Ａｓ
二元素の化学量論を論する為の結晶育成が出来るなど、
学究的研究への応用も図られる利点がある。
第１図は従来のＧａＡｓ直接合成法における原料充填図
、第２図はＧａＡｓ直接合成時の温度プログラム例、第
３図は温度上昇時に求めたＭ減少量の時間的変化、第４
図は本発明によるＧａＡｓ結晶直接合成法の原料充填図
、第５図はＧａ−Ａｓ二元系相平衡図、第６図は本発明
によるＧａＡｓ結晶製造法の過程を説明する図である。
、第２図はＧａＡｓ直接合成時の温度プログラム例、第
３図は温度上昇時に求めたＭ減少量の時間的変化、第４
図は本発明によるＧａＡｓ結晶直接合成法の原料充填図
、第５図はＧａ−Ａｓ二元系相平衡図、第６図は本発明
によるＧａＡｓ結晶製造法の過程を説明する図である。
Claims (1)
- １ III−Ｖ族化合物半導体単結晶を液体封止引上げ法
で製造する結晶製造において、III−Ｖ族化合物の構成
元素を素原料として用いて化合物半導体融液を合成する
場合、該融液と同一元素からなる結晶板を、るつぼ内の
素原料混合物と液体封止剤との間に挿入して加熱合成す
ることを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20601482A JPS6046076B2 (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20601482A JPS6046076B2 (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997597A JPS5997597A (ja) | 1984-06-05 |
| JPS6046076B2 true JPS6046076B2 (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=16516474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20601482A Expired JPS6046076B2 (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046076B2 (ja) |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20601482A patent/JPS6046076B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5997597A (ja) | 1984-06-05 |
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