JPS5997597A - 化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造方法Info
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- JPS5997597A JPS5997597A JP20601482A JP20601482A JPS5997597A JP S5997597 A JPS5997597 A JP S5997597A JP 20601482 A JP20601482 A JP 20601482A JP 20601482 A JP20601482 A JP 20601482A JP S5997597 A JPS5997597 A JP S5997597A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（座業上の利用分野）
本％明は揮発性成分である■族７−成分とする■−■族
化会物半導体単粕晶の組成ずれを鰍小眠ＶＣ防いで、商
品質な■−ｖ族単紬晶ｒ製造する方法に関するものでる
る。
化会物半導体単粕晶の組成ずれを鰍小眠ＶＣ防いで、商
品質な■−ｖ族単紬晶ｒ製造する方法に関するものでる
る。
（従来技術）
ＧａＡｓ Ｖｃ代表８７１−ゐｍ−ｖ族化合物半導体単
結晶は、電子フ゛バイス応用として極めて皇女であり、
ｔＦ＋に半絶縁社（比抵抗ｌＯ″Ω副以上）半粕晶のＪ
Ｒ造に関して、いくつかの方法が提案きれている。この
中でも、Ｃｒイオンのような深い準位【形成する不純物
ケ故意に冷加しなくとも、例えはパイロリゾイックＢＮ
（ＰＢＮ）るつｎ ｋ用い、このるつりま内に原料であ
るＬ［Ｉ族（Ｇａ）とＶ族（Ａｓ）全化学量論比に秤量
したもの葡入扛、ゆっくりと昇温して約１２５０℃迄加
熱して溶融合成したＧａＡｓ融液は不純物成度か用Ｋａ
ｎ−３以下に抑えられ、この融液から液体封止引上り”
法（１，１ｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ （：
ｚｏｃＴｈｒａｌｓｋｉ ； Ｌ Ｅ Ｃ）で引上り生
成さｔしたＱａＡｓ単結晶は半絶縁性となる。こ７ｔは
一般に直接付成アンドーノ牛絶縁性ＧａＡｓ紬晶と称姑
れる。しかしながら、るつは内ＶＬ装入したＧａとＡ８
とを昇温してＧａＡｓ ｋ合成する除、＝＋体りＡｓは
６１０℃で約１気圧、８２０℃で約３５気圧の蒸気圧か
あるために昇温合成の除に多量のＡｓが揮発して、融液
のＧａとＡｓとの化学的組成比がすれてしなう。この弾
発を抑えるために、合成用の炉は不活性ガスによシ３０
〜１００気圧の尚圧力にするが、それでもＡｓの離散は
防けない。この為に、合成用ゐつはを石英封し形にＪる
ことが実施系れている（例えばＪ、Ｃ，Ｂｒ１ｃｅ、
Ｔｈｅ Ｇｒｏｎｔｈ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｆｒ
ｏｒｎｔｈｅ Ｍｅｌｔ、 Ｎｏｒｔｈ −）ｉｏｌｌ
ａｎｄ Ｐｕｂｌ、 １９６５． ｐ１４５〜１４Ｇ）
が、装置が抜雑になるのかならず、大形の単結晶を取得
することが難しいなとの欠点かある。丑だ、これらの文
献には、ＧａとＡｓとケ直接会成りることについで＋、
ｌニーＳ及さｉＬでいない。
結晶は、電子フ゛バイス応用として極めて皇女であり、
ｔＦ＋に半絶縁社（比抵抗ｌＯ″Ω副以上）半粕晶のＪ
Ｒ造に関して、いくつかの方法が提案きれている。この
中でも、Ｃｒイオンのような深い準位【形成する不純物
ケ故意に冷加しなくとも、例えはパイロリゾイックＢＮ
（ＰＢＮ）るつｎ ｋ用い、このるつりま内に原料であ
るＬ［Ｉ族（Ｇａ）とＶ族（Ａｓ）全化学量論比に秤量
したもの葡入扛、ゆっくりと昇温して約１２５０℃迄加
熱して溶融合成したＧａＡｓ融液は不純物成度か用Ｋａ
ｎ−３以下に抑えられ、この融液から液体封止引上り”
法（１，１ｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ （：
ｚｏｃＴｈｒａｌｓｋｉ ； Ｌ Ｅ Ｃ）で引上り生
成さｔしたＱａＡｓ単結晶は半絶縁性となる。こ７ｔは
一般に直接付成アンドーノ牛絶縁性ＧａＡｓ紬晶と称姑
れる。しかしながら、るつは内ＶＬ装入したＧａとＡ８
とを昇温してＧａＡｓ ｋ合成する除、＝＋体りＡｓは
６１０℃で約１気圧、８２０℃で約３５気圧の蒸気圧か
あるために昇温合成の除に多量のＡｓが揮発して、融液
のＧａとＡｓとの化学的組成比がすれてしなう。この弾
発を抑えるために、合成用の炉は不活性ガスによシ３０
〜１００気圧の尚圧力にするが、それでもＡｓの離散は
防けない。この為に、合成用ゐつはを石英封し形にＪる
ことが実施系れている（例えばＪ、Ｃ，Ｂｒ１ｃｅ、
Ｔｈｅ Ｇｒｏｎｔｈ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｆｒ
ｏｒｎｔｈｅ Ｍｅｌｔ、 Ｎｏｒｔｈ −）ｉｏｌｌ
ａｎｄ Ｐｕｂｌ、 １９６５． ｐ１４５〜１４Ｇ）
が、装置が抜雑になるのかならず、大形の単結晶を取得
することが難しいなとの欠点かある。丑だ、これらの文
献には、ＧａとＡｓとケ直接会成りることについで＋、
ｌニーＳ及さｉＬでいない。
（発明の目的）
本発明は、これらの欠点會Ｗ＋決するために、ＧａとＡ
ｓと勿浴融会成する除にＡ８の離散を極力抑えること葡
目的とするものである。
ｓと勿浴融会成する除にＡ８の離散を極力抑えること葡
目的とするものである。
（発明の構成）
Ｍｊｊ記の目的全達成するため、本黛明は■〜■族化＠
物半導体単結晶會液体制止引上は法で製造する結晶製造
において、ｎ−ｖ族化合物の構成冗累全素原料として用
いて化会物半導体融液葡台成する場合、該融液と同一元
素からなる結晶板ｔ、るつｔｇ内の素原料混合物と液体
封止剤との間に挿入し又加熱合成すること全特徴とする
化付物半導体結晶の製造方法を発明の要旨とスルもので
ある。俣１すれは本発明は、ＧａとＧ ａＡ ８とが接
している領域でのＡｓはＧａ−Ａｓの結合が優先的に生
してにａＡｓとなる効果？促進６せるために高純度のＧ
ａＡ３結晶板全るつはに押入することを特徴とするもの
である。
物半導体単結晶會液体制止引上は法で製造する結晶製造
において、ｎ−ｖ族化合物の構成冗累全素原料として用
いて化会物半導体融液葡台成する場合、該融液と同一元
素からなる結晶板ｔ、るつｔｇ内の素原料混合物と液体
封止剤との間に挿入し又加熱合成すること全特徴とする
化付物半導体結晶の製造方法を発明の要旨とスルもので
ある。俣１すれは本発明は、ＧａとＧ ａＡ ８とが接
している領域でのＡｓはＧａ−Ａｓの結合が優先的に生
してにａＡｓとなる効果？促進６せるために高純度のＧ
ａＡ３結晶板全るつはに押入することを特徴とするもの
である。
次に本発明の実施例ｋ 縫付図面について読切す心。な
お、実施例は一つの例示であって、本発明の梢神勿逸脱
しない範囲内で、釉々の変更あるいは改良勿行いうるこ
とは−１うまでもない。
お、実施例は一つの例示であって、本発明の梢神勿逸脱
しない範囲内で、釉々の変更あるいは改良勿行いうるこ
とは−１うまでもない。
先ず、本発明に生った直接合成時でのＡｓの離散につい
て読切する。第１図は原料充填の図で、図に２いてｌは
Ｇａ（Ｇａの融点は２９．７℃であるか、ここでは液体
状態で示しである）、２は固体Ａｓ、３は液体封止剤の
Ｂｚ０３．４はＰＢＮるっｅよである。これ會約３０
Ｆ’、ｙ／ ｅｒａ （ｉＪ Ａｒカス圧力下で浴融合
成する。なあ・第１図、第４図及び第６図にひいて、加
熱用ヒータ及び圧カテヤンバ容器は省略さｆしている。
て読切する。第１図は原料充填の図で、図に２いてｌは
Ｇａ（Ｇａの融点は２９．７℃であるか、ここでは液体
状態で示しである）、２は固体Ａｓ、３は液体封止剤の
Ｂｚ０３．４はＰＢＮるっｅよである。これ會約３０
Ｆ’、ｙ／ ｅｒａ （ｉＪ Ａｒカス圧力下で浴融合
成する。なあ・第１図、第４図及び第６図にひいて、加
熱用ヒータ及び圧カテヤンバ容器は省略さｆしている。
８２図は合成過程の温度ノロクラムの一例で、ＩはＢ、
０．３の軟化過程、■はＡｓ Ｏ）溶方・ｆ過程で約
８２０℃で液体となる、■は散体Ｇａと浴融Ａ８とが反
応し’−ＧａＡｓ結晶か形成さｔしるＧａＡｓ合成過程
、■がＧａＡｓ０浴融過根で固点１２３８°Ｃ以上に保
た７ｔ、る。第３図は、８４４２図の合成過程における
Ａ８の減少量を第２図の各過程で求めた結果を示す。こ
仁で注目することｔユ■のＡｓ浴か過程に２いてＡｓの
減少量か著るしいことで、約７時間の浴融合成過程に寂
いて２チのＡｌｌ減少ｈｉのうち約９０チが、この且の
段階′で支配されている。
０．３の軟化過程、■はＡｓ Ｏ）溶方・ｆ過程で約
８２０℃で液体となる、■は散体Ｇａと浴融Ａ８とが反
応し’−ＧａＡｓ結晶か形成さｔしるＧａＡｓ合成過程
、■がＧａＡｓ０浴融過根で固点１２３８°Ｃ以上に保
た７ｔ、る。第３図は、８４４２図の合成過程における
Ａ８の減少量を第２図の各過程で求めた結果を示す。こ
仁で注目することｔユ■のＡｓ浴か過程に２いてＡｓの
減少量か著るしいことで、約７時間の浴融合成過程に寂
いて２チのＡｌｌ減少ｈｉのうち約９０チが、この且の
段階′で支配されている。
不発ゆＪｌよ、こり浴融合成における■の段階でのＡ８
減少葡極力抑えるｌζめに提案さ７’したもので、以−
１・図１１１牙もって肛細に読明する。
減少葡極力抑えるｌζめに提案さ７’したもので、以−
１・図１１１牙もって肛細に読明する。
第４図は本丸す」による原料充填図でめり、ｌはＧａ
（第１図と同様）、２は固体Ａｓ、３は液体制止剤Ｂ２
０．ｑ、４ ｒＬ Ｐ Ｂ Ｎるつは、５は尚純度（、
’ａＡｓｊｐ結晶板である。ここで、５の筒純度ＧａＡ
ｓｊ＄細晶板〒Ｇａ１ｆｉｌと液体刺止角り３の間に置
くことが本発明の第一の特徴である。ここで本発明の原
理について第５図、第６図金柑いで読切する。第５図は
大気圧下でのＧａ −Ａ８二冗糸相半衡図で必る１、第
６図（ａ）〜（ｇ）は第４図に示した原料充填状態の加
熱虚根での変化ｒボしている。第２図に示した合成過程
Ｖこ従って全体ケ昇温していくと、約３００’Ｃで＆０
．は軟化しはじしめて尚粘性りカフス状ＶＣなって、第
６回動に示すよ９にＧａＡｓ単結晶板５とるっは４の空
隙をうめる。約６００℃はＢｔ Ｏａの軟化が進み、光
全にスキ間ケうめる。こｆＬと同時に原料のＡｓの揮発
も進行丁ゐとともに、ＧａＡｓ早紬晶板肚都と原料のＧ
ａ １ （Ｄ依触面６では、ｉ＞ｕ、ｔは６００Ｕ−ｃ
ＧａＡｓ−Ｑａの固浴体、すなわち第５図の相平衡図上
で与ると固体ＧａＡ Ｓと液体Ｇａが共存する状態とな
る。このと＠ ＧａＡｓ単結晶板上部は本来の融点（１
２３８℃）以下でめるので冷幽しないから、Ｇａ ＃ｄ
＋液／ Ｇａ −ＧａＡｓ Ｉ！！ＩＩ液共存域（図中
６９ＺＧａＡｓ単結晶の）胴に構成ｇ ｆＬる。Ｇａ融
液中のＡｓから揮発した気体状ＡｓはＱａ Ｍｉ液中ケ
浮力にょつて拡散・上昇してＧａ −ＧａＡ３固液共存
域に達し、共存域内のＧａと結びついてその温度で平衡
となる量のＧａＡ３になり、ＧａＡｓ単結晶板底部にエ
ピタキシャルに成長（イτ」着層７）してリノく。従っ
て、ＧａＡｓ単結晶板５とるつは４間のＢ２Ｏ３で後わ
れた間隙ケ辿しての気体Ａｓの離散は抑えられる。史に
温度か上昇して原料Ａｓの溶融過程に人っても揮発づ−
るＡｓの拡散上昇が支配的であるから、全く同様にＧａ
Ａｓ年粕晶板鳳８３にＱａＡｓがエピタキシャルに１戎
長し続け（第６図（ｃ７ 、 （ｄＪ ）、Ｂ２０ ？
＋＞３１ｉｌシてν１迂散じてゆくことはない。第５図
の相半衡図上からも判る通り、加熱ｆＩＦＩＬ題に対応
し１こ大秤則に使ソたＧａＡｓか固液共存域から晶出し
てＧａＡｓ単結晶板底部に成長し−ＣＬ９Ｊ＜ことにな
る。このとき、ＧａＡｓか合成されるときには棒積か膨
張するが、固液共存域と連続的に接し又いるＵａＡ８牢
＆ｊ晶板はるつはと苗崩しておらず、固液共存域の今る
つ線と接しているから体積膨張１１Ｃ伴って逐次単結晶
板が上昇してゆくにすさ゛ず、ＧａＰＩ！Ｉｌ液内の気
体Ａｓによる爆発の危険は全くない。このようにして、
ＧａＡＳ溶解過程の最終温度である１２３８℃に達する
丑で０８例液内のＡｓ は揮発−拡散−上昇ケ繰返して
ＧａＡｓ ｋ ＝ ＧａＡＳ単結晶板ｋ ｉｌｌ Ｖ（
−結晶化し続け、最終的ＶＣ全体がＧａＡｓ結晶固体と
なるとともに１２３８℃ｒ過さ−Ｌ ＧａＡ３融液８と
なる。この全工根では気体Ａｓ Ｇｆ）離散は全く抑制
さ扛、すべてＧａＡＳ固捧鮎晶の晶出に費やδれること
になる。
（第１図と同様）、２は固体Ａｓ、３は液体制止剤Ｂ２
０．ｑ、４ ｒＬ Ｐ Ｂ Ｎるつは、５は尚純度（、
’ａＡｓｊｐ結晶板である。ここで、５の筒純度ＧａＡ
ｓｊ＄細晶板〒Ｇａ１ｆｉｌと液体刺止角り３の間に置
くことが本発明の第一の特徴である。ここで本発明の原
理について第５図、第６図金柑いで読切する。第５図は
大気圧下でのＧａ −Ａ８二冗糸相半衡図で必る１、第
６図（ａ）〜（ｇ）は第４図に示した原料充填状態の加
熱虚根での変化ｒボしている。第２図に示した合成過程
Ｖこ従って全体ケ昇温していくと、約３００’Ｃで＆０
．は軟化しはじしめて尚粘性りカフス状ＶＣなって、第
６回動に示すよ９にＧａＡｓ単結晶板５とるっは４の空
隙をうめる。約６００℃はＢｔ Ｏａの軟化が進み、光
全にスキ間ケうめる。こｆＬと同時に原料のＡｓの揮発
も進行丁ゐとともに、ＧａＡｓ早紬晶板肚都と原料のＧ
ａ １ （Ｄ依触面６では、ｉ＞ｕ、ｔは６００Ｕ−ｃ
ＧａＡｓ−Ｑａの固浴体、すなわち第５図の相平衡図上
で与ると固体ＧａＡ Ｓと液体Ｇａが共存する状態とな
る。このと＠ ＧａＡｓ単結晶板上部は本来の融点（１
２３８℃）以下でめるので冷幽しないから、Ｇａ ＃ｄ
＋液／ Ｇａ −ＧａＡｓ Ｉ！！ＩＩ液共存域（図中
６９ＺＧａＡｓ単結晶の）胴に構成ｇ ｆＬる。Ｇａ融
液中のＡｓから揮発した気体状ＡｓはＱａ Ｍｉ液中ケ
浮力にょつて拡散・上昇してＧａ −ＧａＡ３固液共存
域に達し、共存域内のＧａと結びついてその温度で平衡
となる量のＧａＡ３になり、ＧａＡｓ単結晶板底部にエ
ピタキシャルに成長（イτ」着層７）してリノく。従っ
て、ＧａＡｓ単結晶板５とるつは４間のＢ２Ｏ３で後わ
れた間隙ケ辿しての気体Ａｓの離散は抑えられる。史に
温度か上昇して原料Ａｓの溶融過程に人っても揮発づ−
るＡｓの拡散上昇が支配的であるから、全く同様にＧａ
Ａｓ年粕晶板鳳８３にＱａＡｓがエピタキシャルに１戎
長し続け（第６図（ｃ７ 、 （ｄＪ ）、Ｂ２０ ？
＋＞３１ｉｌシてν１迂散じてゆくことはない。第５図
の相半衡図上からも判る通り、加熱ｆＩＦＩＬ題に対応
し１こ大秤則に使ソたＧａＡｓか固液共存域から晶出し
てＧａＡｓ単結晶板底部に成長し−ＣＬ９Ｊ＜ことにな
る。このとき、ＧａＡｓか合成されるときには棒積か膨
張するが、固液共存域と連続的に接し又いるＵａＡ８牢
＆ｊ晶板はるつはと苗崩しておらず、固液共存域の今る
つ線と接しているから体積膨張１１Ｃ伴って逐次単結晶
板が上昇してゆくにすさ゛ず、ＧａＰＩ！Ｉｌ液内の気
体Ａｓによる爆発の危険は全くない。このようにして、
ＧａＡＳ溶解過程の最終温度である１２３８℃に達する
丑で０８例液内のＡｓ は揮発−拡散−上昇ケ繰返して
ＧａＡｓ ｋ ＝ ＧａＡＳ単結晶板ｋ ｉｌｌ Ｖ（
−結晶化し続け、最終的ＶＣ全体がＧａＡｓ結晶固体と
なるとともに１２３８℃ｒ過さ−Ｌ ＧａＡ３融液８と
なる。この全工根では気体Ａｓ Ｇｆ）離散は全く抑制
さ扛、すべてＧａＡＳ固捧鮎晶の晶出に費やδれること
になる。
以上のＪＭ理に基き実施したー？ｌＪ ’にのべる。第
４図にあ・いて、ｍ、ｖ４ＧａとＡ８と荀化字量論的組
成比となめように咎々約１００ ｒ 、 １００ Ｓ’
忙るつはに入ＪＬ、るつは内径にはは合致し／ζ直杼の
ＧａＡＳ単結晶＆（厚さ５蓋）をのセー（、Ｂ２０３２
６ ｆ／ｒ ７のせ、全体を約３０ Ｋｙ／ ｃｒｔｌ
ｖ Ａｒカス圧−トで第２図の曾Ｊ戊過程に従って加熱
、浴融合成した。このとき、昇温速夏を５０ Ｃ／時と
した。
４図にあ・いて、ｍ、ｖ４ＧａとＡ８と荀化字量論的組
成比となめように咎々約１００ ｒ 、 １００ Ｓ’
忙るつはに入ＪＬ、るつは内径にはは合致し／ζ直杼の
ＧａＡＳ単結晶＆（厚さ５蓋）をのセー（、Ｂ２０３２
６ ｆ／ｒ ７のせ、全体を約３０ Ｋｙ／ ｃｒｔｌ
ｖ Ａｒカス圧−トで第２図の曾Ｊ戊過程に従って加熱
、浴融合成した。このとき、昇温速夏を５０ Ｃ／時と
した。
そのときのＡ８（７Ｊ減少墓は約１２４０℃迄の間で０
．１％以１でめった。ＧａＡｓ ｋ 溶Ｈ＠ 成Ｖｉ、
＜１００＞軸細子９ケＧａＡｓ融赦８に浸り、通常のＬ
Ｅ（、’法により単結晶１０’ｌｚ引上りた。このよう
にしで４％だ印粕晶の上部から十部にわたっての比（↓
（抗友化ははとんど変わらす１０７Ωｏｎ以上で必り、
よく知らしている結晶ト端での低抵抗比は・ザられ７ｔ
、かりた。
．１％以１でめった。ＧａＡｓ ｋ 溶Ｈ＠ 成Ｖｉ、
＜１００＞軸細子９ケＧａＡｓ融赦８に浸り、通常のＬ
Ｅ（、’法により単結晶１０’ｌｚ引上りた。このよう
にしで４％だ印粕晶の上部から十部にわたっての比（↓
（抗友化ははとんど変わらす１０７Ωｏｎ以上で必り、
よく知らしている結晶ト端での低抵抗比は・ザられ７ｔ
、かりた。
以上の実施例−〇は、本発明によるＧａＡｓ早粕晶板の
厚さ、昇温速度の一例勿７Ｊクシたにラ−さないか、こ
れに限笈されるものでなく、厚δと昇温運腿の組付−１
！【過当にすることかできる。本発明Ｖ趣旨ｔよＧａＡ
ｓ結晶板ケ用いることであり、１１こ、＄結晶にこノζ
わるもの１なく多δ后晶板でめってもイ【Ｉ」ら違いを
′生ずるものではない。史には、不純物ケドーグし、ン
こＧａＡ３結晶板を用いることで性々の尋′中；ｉ’ｉ
：（ｎ形、ｐ形、半絶縁性）の単結晶ケストイキオメト
リリず２’Ｌがない状態で引さ上り育成できるＡ・１」
点も有する。
厚さ、昇温速度の一例勿７Ｊクシたにラ−さないか、こ
れに限笈されるものでなく、厚δと昇温運腿の組付−１
！【過当にすることかできる。本発明Ｖ趣旨ｔよＧａＡ
ｓ結晶板ケ用いることであり、１１こ、＄結晶にこノζ
わるもの１なく多δ后晶板でめってもイ【Ｉ」ら違いを
′生ずるものではない。史には、不純物ケドーグし、ン
こＧａＡ３結晶板を用いることで性々の尋′中；ｉ’ｉ
：（ｎ形、ｐ形、半絶縁性）の単結晶ケストイキオメト
リリず２’Ｌがない状態で引さ上り育成できるＡ・１」
点も有する。
膿ｌＣＸ実施例ではＧａＡｓの例勿のへたが、揮泥性成
勺葡−成分とする他の化合物に２いても全（同様に揮発
／Ｖ＋、成分の離散ケ抑止でさ、例えは、［ｎＰ 、
ＧａＰ 、 １ｎＡ８ 、 ＧａＳｅといツタ化合物に
も適用できることは本発明の原理で述へたこと７１）ら
も明らかである。
勺葡−成分とする他の化合物に２いても全（同様に揮発
／Ｖ＋、成分の離散ケ抑止でさ、例えは、［ｎＰ 、
ＧａＰ 、 １ｎＡ８ 、 ＧａＳｅといツタ化合物に
も適用できることは本発明の原理で述へたこと７１）ら
も明らかである。
（発明の効果）
以上説ψ」したよ’ｒ Ｖ’ ％不覚り」によれは半に
ｌ３２ＵｓとＧａｔ触液向にＧａＡｓ給晶板ケおくこと
によって、昇温と同時に金相学的に形成されゐＧａ −
ＱａＡｓ１白液共仔白液共存領域原料Ａ８ （／Ｊ伸元
気体の捕獲場９１となって優先的にＧａＡｓの成長を生
じせしめることから、梃米の直接合成に与られるＡ８の
著なしい離散による組成のす扛が抑えられるといつ最大
のオリ点かある。史にＩＩＪｌ、温度上昇がより鍋温に
なるｌ／Ｃ従い、より気体Ａｓ ＋ｃ抽捜してＧａＡｓ
が晶出し易いことになり、Ａｓの溶所過程においても光
分ＡＳ（１）離散か抑止１きることは明らかである。
ｌ３２ＵｓとＧａｔ触液向にＧａＡｓ給晶板ケおくこと
によって、昇温と同時に金相学的に形成されゐＧａ −
ＱａＡｓ１白液共仔白液共存領域原料Ａ８ （／Ｊ伸元
気体の捕獲場９１となって優先的にＧａＡｓの成長を生
じせしめることから、梃米の直接合成に与られるＡ８の
著なしい離散による組成のす扛が抑えられるといつ最大
のオリ点かある。史にＩＩＪｌ、温度上昇がより鍋温に
なるｌ／Ｃ従い、より気体Ａｓ ＋ｃ抽捜してＧａＡｓ
が晶出し易いことになり、Ａｓの溶所過程においても光
分ＡＳ（１）離散か抑止１きることは明らかである。
便って、最初にるつすよに１−１１＋入゛３゛るＧａと
ＡＳの化学Ｍ＠比荀フ゛らしておいても曾成芒れた融液
ははとんと初期の配合比の融液であるから、Ｇａ −Ａ
ｓ二元糸の化学量−音調する為の結晶育成が出来るなと
、学兄的仙究への応用も図られるオリ点かめる。
ＡＳの化学Ｍ＠比荀フ゛らしておいても曾成芒れた融液
ははとんと初期の配合比の融液であるから、Ｇａ −Ａ
ｓ二元糸の化学量−音調する為の結晶育成が出来るなと
、学兄的仙究への応用も図られるオリ点かめる。
第１図は従来のＧａＡｓ直接合成法における原料充填図
、第２図はＱａＡｓ直接合成時の温度プログラム例、第
３図は温度上昇時に−ｒＣ’ ｕ）たＡｓ獣少量り時間
的変化、第４図は不知す」によるＧａＡ８ｋｉ晶直接合
成法の原料充填図、第５図はＧａ −ＡｓニノＬ糸相平
衡図、第６図は本発す」によるＧａＡｓ紬晶装造欣の過
程を説明する図でるる。 ｌ・・・・・・原ネ４． Ｇａ、 ２・・・・・・原料
Ａｓ 、、 ３・・・・・・液体封止ハ”＋Ｂ２Ｕｓ
、４・・・・・・るつは、５・・・・・・筒純度ＧａＡ
ｓ結晶板、６・・・・・・Ｇａ／ ＧａＡｓ共存惧域、
７・・・・・・自と気体Ａ８の反応で形成さ３たＧａＡ
Ｓ結晶層、８・・・・・・ＧａＡｓ副！液 ｔｒｆ訂出願出願人日本電信電話公社 第１図 第２図 ０嵜 １門 第３図 日野間（４＞） 第４図 第５図
、第２図はＱａＡｓ直接合成時の温度プログラム例、第
３図は温度上昇時に−ｒＣ’ ｕ）たＡｓ獣少量り時間
的変化、第４図は不知す」によるＧａＡ８ｋｉ晶直接合
成法の原料充填図、第５図はＧａ −ＡｓニノＬ糸相平
衡図、第６図は本発す」によるＧａＡｓ紬晶装造欣の過
程を説明する図でるる。 ｌ・・・・・・原ネ４． Ｇａ、 ２・・・・・・原料
Ａｓ 、、 ３・・・・・・液体封止ハ”＋Ｂ２Ｕｓ
、４・・・・・・るつは、５・・・・・・筒純度ＧａＡ
ｓ結晶板、６・・・・・・Ｇａ／ ＧａＡｓ共存惧域、
７・・・・・・自と気体Ａ８の反応で形成さ３たＧａＡ
Ｓ結晶層、８・・・・・・ＧａＡｓ副！液 ｔｒｆ訂出願出願人日本電信電話公社 第１図 第２図 ０嵜 １門 第３図 日野間（４＞） 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■−■族化合物半導体単紬晶を液体刺止引上りｌ去で製
コ宜する紬晶喪迫にシ・いｒ、ｆｆ１−Ｖ＃ｃ化合物の
構成元素【素原料として用いて化合物半尋体融液ケ合成
する場合、眩融赦と同−元素〃・らなる紬晶板を、るつ
は内の素原料混合物と液坏到止剤との間に押入して加熱
合成することを％徴と１′る化合物半尋体結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20601482A JPS6046076B2 (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20601482A JPS6046076B2 (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997597A true JPS5997597A (ja) | 1984-06-05 |
| JPS6046076B2 JPS6046076B2 (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=16516474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20601482A Expired JPS6046076B2 (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046076B2 (ja) |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20601482A patent/JPS6046076B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6046076B2 (ja) | 1985-10-14 |
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