CN113235162B - 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 - Google Patents
砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113235162B CN113235162B CN202110359932.5A CN202110359932A CN113235162B CN 113235162 B CN113235162 B CN 113235162B CN 202110359932 A CN202110359932 A CN 202110359932A CN 113235162 B CN113235162 B CN 113235162B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium arsenide
- less
- arsenide crystal
- gaas
- crystal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 297
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 297
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 276
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000005223 charged particle activation analysis Methods 0.000 description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 230000005266 beta plus decay Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRNCYVBFPDDJNE-UHFFFAOYSA-N pemoline Chemical compound O1C(N)=NC(=O)C1C1=CC=CC=C1 NRNCYVBFPDDJNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 potassium tetrafluoroborate Chemical compound 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/007—Mechanisms for moving either the charge or the heater
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/207—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds further characterised by the doping material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
Description
本申请是申请日为2017年7月4日、国际申请号为PCT/JP2017/024463、中国申请号为201780087442.6的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。
背景技术
化合物半导体基板如砷化镓晶体基板已经适合用作半导体器件的基板。需要开发一种在其上可以生长高品质的外延层的化合物半导体基板以形成具有高特性的半导体器件。
T.Bunger等人在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(InternationalConference on Compound Semiconductor Mfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(Active Carbon Control During VGF Growth ofSemiinsulating GaAs)”(非专利文献1))公开了：为了生长半绝缘GaAs(砷化镓)晶体，通过调节GaAs原料熔体中的氧浓度来调节GaAs晶体中的碳浓度。
现有技术文献
非专利文献
NPL 1：T.Bunger等，在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(International Conference on Compound Semiconductor Mfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(Active Carbon Control During VGFGrowth of Semiinsulating GaAs)”
发明内容
在根据本公开的砷化镓晶体中，砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。
在根据本公开的砷化镓晶体基板中，砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。
附图说明
图1是显示本公开中的砷化镓晶体的示例性制造方法和制造装置的示意截面图。
图2是显示本公开中的砷化镓晶体的制造方法和制造装置中使用的示例性遮蔽板的示意俯视图。
图3是显示砷化镓晶体的示例性典型制造方法和制造装置的示意截面图。
图4是显示砷化镓晶体基板中的EPD(蚀坑密度)与氧浓度之间的关系的图。
图5是显示砷化镓晶体基板中的氧浓度与硼浓度之间的关系的图。
具体实施方式
[本公开要解决的问题]
如在T.Bunger等在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(InternationalConference on Compound Semiconductor Mfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(Active Carbon Control During VGF Growth ofSemiinsulating GaAs)”(非专利文献1)公开的GaAs晶体的制造中，GaAs原料熔体中的氧浓度高，并且氧与添加的掺杂剂(例如，C(碳))反应，结果是掺杂剂的掺入量减少。这不利地导致GaAs晶体的绝缘性或导电性的低效调节。此外，当GaAs原料熔体中的氧浓度高时，生长的GaAs晶体硬化并且在加工时易于破裂，因此不利地导致加工成品率降低。
为了解决上述问题，本公开的目的在于提供一种砷化镓晶体和砷化镓晶体基板，所述砷化镓晶体和砷化镓晶体基板各自可以有效地调节绝缘性或导电性，并且各自在加工时抑制破裂，从而产生高加工成品率。
[本公开的有益效果]
根据本公开，可以提供一种砷化镓晶体和砷化镓晶体基板，所述砷化镓晶体和砷化镓晶体基板各自可以在其中有效地调节绝缘性或导电性，并且各自在加工时抑制破裂，从而产生高加工成品率。
[实施方式的描述]
首先，列出并描述了本发明的实施方式。
[1]在根据本发明的一个实施方式的砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。由于在根据本实施方式的砷化镓晶体中蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性或导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[2]在根据本实施方式的砷化镓晶体中，所述氧浓度可以为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下。由于在这样的砷化镓晶体中氧浓度低得多，因此可以有效地调节其绝缘性或导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[3]根据本实施方式的砷化镓晶体可以包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径可以为100mm以上且305mm以下。尽管这样的砷化镓晶体的直体部的直径大至100mm以上且305mm以下，但是由于在所述砷化镓晶体中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性或导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[4]在根据本实施方式的砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的n型导电性杂质浓度可以为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下。由于这样的砷化镓晶体具有n型导电性，并且在所述砷化镓晶体中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[5]在根据本实施方式的砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的比电阻可以为1.2×107Ω·cm以上且5.0×108Ω·cm以下。由于这样的砷化镓晶体具有半绝缘性，并且在所述砷化镓晶体中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[6]在根据本实施方式的砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的硼浓度可以为1.0×1019原子·cm-3以下。由于这样的砷化镓晶体因高掺杂剂活化率而在外延生长后具有优异的品质，并且在所述砷化镓晶体中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[7]在根据本发明的另一个实施方式的砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。由于在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性或导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[8]在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中，氧浓度可以为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下。由于在这样的砷化镓晶体基板中的氧浓度低得多，因此可以有效地调节其绝缘性或导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[9]在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的直径可以为100mm以上且305mm以下。尽管这样的砷化镓晶体基板的直径大至100mm以上且305mm以下，但是由于在所述砷化镓晶体基板中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性或导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[10]在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的n型导电性杂质浓度可以为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下。由于这样的砷化镓晶体基板具有n型导电性，并且在所述砷化镓晶体基板中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[11]在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的比电阻可以为1.2×107Ω·cm以上且5.0×108Ω·cm以下。由于这样的砷化镓晶体基板具有半绝缘性，并且在所述砷化镓晶体基板中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[12]在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的硼浓度可以为1.0×1019原子·cm-3以下。由于这样的砷化镓晶体基板因高掺杂剂活化率而在外延生长后具有优异的品质，并且在所述砷化镓晶体基板中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其导电性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[13]在根据本实施方式的砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度可以为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，所述砷化镓晶体基板的氧浓度可以为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下，所述砷化镓晶体基板的硼浓度可以为1.0×1019原子·cm-3以下，并且所述砷化镓晶体基板的直径可以为100mm以上且305mm以下。尽管这样的砷化镓晶体基板的直径大至100mm以上且305mm以下，但是由于在所述砷化镓晶体基板中的蚀坑密度和氧浓度非常低，因此可以有效地调节其绝缘性，并且抑制加工时的破裂，从而产生高加工成品率。
[实施方式的详情]
<第一实施方式：砷化镓晶体>
本实施方式的GaAs(砷化镓)晶体的EPD(蚀坑密度)为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述GaAs晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。本实施方式的GaAs晶体的EPD和氧浓度非常低。由于EPD低至10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，因此所述GaAs晶体在加工时不易于破裂，因此产生高加工成品率。此外，由于氧浓度低至小于7.0×1015原子·cm-3，因此可以有效地调节所述GaAs晶体的绝缘性或导电性。
(蚀坑密度)
术语“EPD(蚀坑密度)”是指用化学品处理表面时在每单位面积晶体表面中产生的腐蚀孔(蚀坑)的数量。具体地，本实施方式的GaAs晶体的EPD是指在350℃下用25质量％的KOH(氢氧化钾)水溶液处理30分钟时在单位面积的表面中产生的蚀坑的数量。本实施方式的GaAs晶体的EPD为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下。为了抑制GaAs晶体在加工时破裂，GaAs晶体的EPD为10000个·cm-2以下，优选为7000个·cm-2以下，且更优选为4000个·cm-2以下。鉴于GaAs晶体的当前制造技术水平，GaAs晶体的EPD为10个·cm-2以上。
(氧浓度)
通过CPAA(带电粒子活化分析)测量氧浓度。CPAA是一种活化分析，其中通过测量由高能带电粒子撞击产生的放射性核素发射的辐射来量化目标元素。在量化GaAs晶体的氧浓度时，使用3He等作为带电粒子。氧浓度也可以通过SIMS(二次离子质谱法)测量；然而，由于CPAA的检测限为约2.0×1014原子·cm-3，而SIMS的检测限为约1×1016原子·cm-3，因此CPAA适用于约2.0×1014原子·cm-3以上且约小于7.0×1015原子·cm-3的低氧浓度的精密测量。
在此，在用于氧浓度的CPAA中，使用通过3He与GaAs晶体中的氧16O之间的核反应产生并且经历半衰期为109.73分钟的β+衰变的18F。将用3He照射了的GaAs晶体用酸溶解，并通过KBF4(四氟硼酸钾)沉淀法化学分离产生的18F。使用NaI检测器测量在18F的β+衰变时通过正电子湮灭而产生的511keV的γ射线，以通过最小二乘法确定在照射结束后的规定时间内的计数数量。将使用标准样品SiO2以相同方式确定的在所述规定时间后的计数数量用于校正，从而将其转换为氧浓度。
本实施方式的GaAs晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。为了有效地调节GaAs晶体的绝缘性或导电性，氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3，优选为5.0×1015原子·cm-3以下，并且更优选为3.0×1015原子·cm-3以下。鉴于GaAs晶体的当前制造技术水平，氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上。
(直体部的直径)
由于本实施方式的GaAs晶体通常通过但不特别限于诸如如下所述的VB(垂直布里奇曼)法或VGF(垂直梯度凝固)法的晶舟法制造，因此GaAs晶体包含具有圆柱形状的直体部，并且所述直体部的直径优选为100mm以上且305mm以下。尽管GaAs晶体的直体部的直径大至100mm以上且305mm以下，但蚀坑密度和氧浓度非常低。为了在大尺寸GaAs晶体中实现低EPD和氧浓度，GaAs晶体的直体部的直径优选为100mm以上，且更优选为150mm以上。鉴于当前的制造技术水平，GaAs晶体的直体部的直径优选为305mm以下，且更优选为204mm以下。
(n型导电性杂质浓度)
为了使本实施方式的GaAs晶体具有n型导电性和非常低的EPD和氧浓度，本实施方式的GaAs晶体的n型导电性杂质浓度(使GaAs晶体具有n型导电性的杂质的浓度)优选为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下。为了有效地使GaAs晶体具有n型导电性，n型导电性杂质浓度优选为1.0×1015原子·cm-3以上，且更优选为1.0×1017原子·cm-3以上。为了避免掺杂剂的活化率降低，n型导电性杂质浓度优选为1.0×1020原子·cm-3以下，且更优选为5.0×1018原子·cm-3以下。n型导电性杂质没有特别限制，但优选为硅以有效地使GaAs晶体具有n型导电性。通过GDMS(辉光放电质谱法)测量硅浓度。
(比电阻)
为了使本实施方式的GaAs晶体具有半绝缘性和非常低的EPD和氧浓度，本实施方式的GaAs晶体的比电阻优选为1.2×107Ω·cm以上且5.0×108Ω·cm以下，并且更优选为5.0×107Ω·cm以上且5.0×108Ω·cm以下。根据van der Pauw方法通过霍尔测量来测量比电阻。
(半绝缘杂质浓度)
使本实施方式的GaAs晶体具有半绝缘性的半绝缘杂质没有特别限制，但优选为碳以有效地使GaAs晶体具有半绝缘性。为了使GaAs晶体具有比电阻为1.2×107Ω·cm以上且5.0×108Ω·cm以下的半绝缘性，碳浓度优选为5.0×1014原子·cm-3以上且1.5×1016原子·cm-3以下，并且更优选为8.0×1014原子·cm-3以上且1.3×1016原子·cm-3以下。随着GaAs晶体的氧浓度降低，可以更有效地添加碳。因此，为了增加碳浓度，更优选较低的氧浓度。通过CPAA(带电粒子活化分析)测量碳浓度。
(硼浓度)
本实施方式的GaAs晶体通过使用坩埚的晶舟法如如下所述的VB(垂直布里奇曼)法或VGF(垂直梯度凝固)法制造。坩埚通常包含硼(PBN(热解氮化硼)通常用于坩埚，并且硼氧化物膜用作坩埚的、与GaAs原料接触的内壁表面上的密封构件)。因此，本实施方式的GaAs晶体包含硼。为了防止GaAs晶体中的掺杂剂活化率降低，本实施方式的GaAs晶体的硼浓度优选为1.0×1019原子·cm-3以下，且更优选为8.0×1018原子·cm-3以下。此外，鉴于当前的制造技术水平，GaAs晶体的硼浓度优选为5.0×1016原子·cm-3以上。通过GDMS(辉光放电质谱法)测量硼浓度。
(砷化镓晶体的制造装置)
参考图1，尽管没有特别限制，但是为了有效地制造具有10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下的EPD和小于7.0×1015原子·cm-3的氧浓度的GaAs晶体，本实施方式中的GaAs(砷化镓)晶体的制造装置优选包含坩埚21、坩埚保持台22、密封构件23、加热器24a、24b、遮蔽板25和腔室26。
坩埚21包含晶种保持部和连接至所述晶种保持部的晶体生长部。所述晶种保持部是中空圆柱形部分，其在连接至晶体生长部的一侧开口并且在与其相对的一侧设置有底壁。在该部分，可以保持GaAs晶种11。晶体生长部包含：圆锥部，其具有圆锥形状并且在轴向的小直径侧连接至晶种保持部；和中空圆柱形直体部，其连接至圆锥部的轴向上的大直径侧。晶体生长部具有在其中保持GaAs原料13并通过使已加热至熔融状态的GaAs原料13凝固来生长GaAs晶体的功能。
在此，坩埚21的材料没有特别限制，只要所述材料具有高机械强度并且可以承受使原料熔化的温度即可。例如，可以为此适当地使用PBN(热解氮化硼)。此外，为了防止GaAs附着到坩埚21的内壁表面上，优选在内壁表面上形成氧化膜21c如硼氧化物膜作为密封构件。硼氧化物膜的实例包含B2O3膜等。例如，可以通过在1000℃以上的高温下在含有50体积％以上的氧气的气氛下处理由PBN构成的坩埚21而在坩埚21的内壁表面上形成B2O3膜。
密封构件23的材料不受特别限制，只要所述材料能够承受使原料熔化的温度即可。可以为此适当地使用硼氧化物如B2O3。
通常放置多个加热器24a、24b以适当地控制GaAs原料13的熔化和凝固；然而，为了降低要生长的GaAs晶体中的EPD和氧浓度，优选设置较少数量的加热器间间隙。优选设置一个加热器间间隙。也就是说，优选设置较少数量的加热器。优选设置两个加热器。
为了降低要生长的GaAs晶体中的氧浓度，优选在GaAs原料13与密封构件23之间设置遮蔽板25。遮蔽板25的材料没有特别限制，只要所述材料具有高机械强度并且可以承受使原料熔化的温度即可。例如，可以为此适当地使用PBN(热解氮化硼)。为了降低要生长的GaAs晶体中的EPD和氧浓度、并且防止坩埚破损，遮蔽板25的遮蔽比(遮蔽板的面积相对于坩埚21的直体部的垂直于轴向的横截面面积的百分比；同样适用于下面的描述)优选为75％以上且100％以下，且更优选为90％以上且98％以下。应该注意，参考图2，遮蔽板25可以设置有用于调节遮蔽比的开口25o。
(制造砷化镓晶体的方法)
参考图1，尽管没有特别限制，但是为了有效地生长具有低的EPD和氧浓度的GaAs(砷化镓)晶体，本实施方式中的制造GaAs晶体的方法优选基于使用上述制造装置20的晶舟法如VB(垂直布里奇曼)法或VGF(垂直梯度凝固)法。另外，为了制造具有大直径的直体部的GaAs晶体，更优选VB方法。具体地，本实施方式中的制造GaAs晶体的方法优选包含GaAs晶种装载步骤、GaAs原料装载步骤、遮蔽板放置步骤、密封构件放置步骤和晶体生长步骤。
首先，在GaAs晶种装载步骤中，使用制造装置20以将GaAs晶种11装载在坩埚21的晶种保持部中。接着，在GaAs原料装载步骤中，将GaAs原料13装载在坩埚21的晶体生长部(圆锥部和直体部)中。在此，GaAs原料13没有特别限制，只要其是具有高纯度(例如，99.9质量％以上)的GaAs即可。为此适当地使用GaAs多晶、GaAs单晶的物理性质差的部分等。接着，在遮蔽板放置步骤中，将遮蔽板25放置在坩埚21中的GaAs原料13上。接着，在密封构件放置步骤中，将密封构件23放置在坩埚21中的遮蔽板25上。
接着，在晶体生长步骤中，将从下到上依次设置了GaAs晶种11、GaAs原料13、遮蔽板25和密封构件23的坩埚21装载在晶体装置20中。坩埚21由坩埚保持台22保持，并且加热器24a、24b设置成包围坩埚21。接着，通过向加热器24a、24b供应电流来加热坩埚21。由此，GaAs原料13熔化成熔体，并且密封构件23也熔化成液体密封构件。此外，由于坩埚21的材料的氧化，在坩埚21的内壁中形成氧化膜。
在这种情况下，GaAs原料13的熔体被由于加热器24a和加热器24b之间存在加热器间间隙24abo而形成的局部低温部产生的对流而搅拌。可以推测通过使搅拌后的GaAs原料13与坩埚21的内壁的氧化膜21c和/或密封构件23接触，由此坩埚21的内壁的氧化膜21c和/或密封构件23中包含的氧掺入GaAs原料13中。在此，参考图3，在典型的制造装置30中，设置三个以上的加热器34a、34b、34c、34d。因此，存在两个以上的加热器间间隙34abo、34bco和34cdo。因此，由所得到的局部低温部产生许多对流，结果是坩埚31的内壁的氧化膜31c和/或密封构件33中包含的大量氧掺入GaAs原料13中。另一方面，参考图1，在本实施方式的制造装置20中仅设置两个加热器24a、24b。因此，只有一个加热器间间隙24abo。因此，由所得到的局部低温部产生较少对流，结果抑制了氧掺入GaAs原料13中。
另外，在本实施方式的制造装置20中，遮蔽板25设置在GaAs原料13和密封构件23之间。因此，抑制了GaAs原料13和密封构件23之间的接触，结果抑制了氧掺入GaAs原料13中。
接着，在VB方法的情况下通过将坩埚21沿轴向移动到下侧或者在VGF方法的情况下通过调节加热器24a、24b各自的温度形成温度梯度，其中在坩埚21的轴向上的GaAs晶种11侧的温度相对低并且GaAs原料13侧的温度相对高。因此，熔融的GaAs原料13从GaAs晶种11侧起依次凝固，从而生长GaAs晶体。晶体生长部的圆锥部和直体部中的熔融GaAs原料13按此顺序完全凝固，从而形成GaAs晶体。在VB方法中，坩埚21的移动速度(下拉速度)没有特别限制，并且可以例如为2.0mm/小时以上且5.0mm/小时以下。以这种方式，获得具有非常低的EPD和氧浓度的GaAs晶体。
需要说明的是，在本实施方式的制造GaAs晶体的方法中，随着生长的晶体的直体部的直径变大，在GaAs熔体中更易于出现温差从而更有利于通过对流进行搅拌，结果GaAs晶体中的氧浓度易于更高。根据本实施方式中的制造GaAs晶体的方法，因为通过放置遮蔽板减小原料和密封构件之间的接触面积并且通过适当的加热器结构和加热环境设计减少对流，所以可以抑制氧掺入GaAs原料中。
<第二实施方式：砷化镓晶体基板>
本实施方式的GaAs(砷化镓)晶体基板的EPD(蚀坑密度)为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且GaAs晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。本实施方式的GaAs晶体基板的EPD和氧浓度非常低。由于EPD低至10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，因此GaAs晶体基板在加工时不易于破裂，因此产生高加工成品率。此外，由于氧浓度低至小于7.0×1015原子·cm-3，因此可以有效地调节GaAs晶体的绝缘性或导电性。
与第一实施方式的GaAs晶体一样，在本实施方式的GaAs晶体基板中，氧浓度优选为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下，直径优选为100mm以上且305mm以下，n型导电性杂质浓度可以为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下，比电阻可以为1.2×107Ω·cm以上且5.0×108Ω·cm以下，并且硼浓度优选为1.0×1019原子·cm-3以下。如下所述，本实施方式的GaAs晶体基板可以通过加工并抛光第一实施方式的GaAs晶体获得，因此具有与第一实施方式的GaAs晶体相同的物理性质(EPD、氧浓度、直径、n型导电性杂质浓度、比电阻和硼浓度)。因此，不重复描述这些物理性质。
优选地，在本实施方式的GaAs晶体基板中，蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下，硼浓度为1.0×1019原子·cm-3以下，并且直径为100mm以上且305mm以下。尽管GaAs晶体基板具有100mm以上且305mm以下这样的大的直径，但是由于蚀坑密度低，所以GaAs晶体的加工成品率高，并且因为氧浓度非常低，所以可以有效地调节GaAs晶体的绝缘性或导电性。
虽然没有特别限制，但是本实施方式中的制造GaAs晶体基板的方法优选包含使用第一实施方式的GaAs晶体的加工步骤和抛光步骤，从而有效地形成具有低EPD和低氧浓度的GaAs晶体基板。在加工步骤中，研磨GaAs晶体的外周，并且在适当规定的方向上切割已经研磨的GaAs晶体，从而获得具有适当规定的面取向的主表面的GaAs晶体基板。接着，在抛光步骤中，对GaAs晶体基板的主表面进行机械抛光和/或化学机械抛光(CMP)，从而获得具有抛光成镜面的主表面的GaAs晶体基板。
[实施例]
(实施例I)
1.GaAs晶体的制造
使用如图1所示的制造装置根据VB法通过添加Si(硅)作为n型导电性杂质生长具有不同硅浓度的四种n型导电性GaAs晶体(实施例I-1至I-5)。作为GaAs原料，使用纯度为99.9质量％的GaAs多晶。将PBN板用作遮蔽板。将B2O3用作密封构件。遮蔽板的遮蔽率和加热器间间隙的数量如表1所示。通过调节坩埚中的温度分布以在晶体生长界面处在晶体生长方向上获得1℃/mm以下的温度梯度来生长各GaAs晶体。
2.GaAs晶体基板的制造
将获得的GaAs晶体的外周研磨，并且将得到的GaAs晶体沿垂直于晶体生长方向的平面切割。然后，对其主表面进行机械抛光和化学机械抛光(CMP)，从而制造各自具有表1中所示的直径且厚度为325μm以上且700μm以下的GaAs晶体基板(实施例I-1至I-5)。测量所得到的GaAs晶体基板各自的EPD、氧浓度、硅浓度、硼浓度和比电阻。经由图像分析通过测量将GaAs晶体基板在350℃下的25质量％的KOH水溶液中浸泡30分钟时在其表面中产生的单位面积上的蚀坑的数量来测量EPD。通过CPAA(带电粒子活化分析)测量氧浓度。通过GDMS(辉光放电质谱法)测量硅浓度和硼浓度。根据van der Pauw法通过霍尔测量来测量比电阻。其结果汇总示于表1、图4和图5中。在此，图4和图5包含除了实施例I-1至I-5之外的实施例。
(实施例II)
1.GaAs晶体的制造
使用如图1所示的制造装置根据VB法通过添加C(碳)作为半绝缘杂质生长具有不同碳浓度和比电阻的五种半绝缘GaAs晶体(实施例II-1至II-5)。作为GaAs原料，使用纯度为99.9质量％的GaAs多晶。将PBN板用作遮蔽板。将B2O3用作密封构件。遮蔽板的遮蔽率和加热器间间隙的数量如表2所示。通过调节坩埚中的温度分布以在晶体生长界面处在晶体生长方向上获得1℃/mm以下的温度梯度来生长各GaAs晶体。
2.GaAs晶体基板的制造
将获得的GaAs晶体的外周研磨，并且将得到的GaAs晶体沿垂直于晶体生长方向的平面切割。然后，对其主表面进行机械抛光和化学机械抛光(CMP)，从而制造各自具有表2中所示的直径且厚度为325μm以上且700μm以下的GaAs晶体基板(实施例II-1至II-5)。测量所得到的GaAs晶体基板各自的EPD、氧浓度、碳浓度、硼浓度和比电阻。经由图像分析通过测量将GaAs晶体基板在350℃下的25质量％的KOH水溶液中浸泡30分钟时在其表面中产生的单位面积上的蚀坑的数量来测量EPD。通过CPAA(带电粒子活化分析)测量氧浓度和碳浓度。通过GDMS(辉光放电质谱法)测量硼浓度。根据van der Pauw法通过霍尔测量来测量比电阻。结果汇总示于表2、图4和图5中。在此，图4和图5包含除实施例II-1至II-5之外的实施例。
(比较例)
为了与实施例I和II进行比较，除了表3中所示的制造方法和制造条件以外，以与实施例I(在n型导电性的情况下)和实施例II(在半绝缘性的情况下)相同的方式制造GaAs晶体和GaAs晶体基板(比较例RI-1至RI-3和RII-1至RII-3)。应注意，比较例RI-1和RII-1各自通过LEC(液体封装的切克劳斯基(Czochralski))法制造，并且与上述实施例I和II一样，使用纯度为99.9质量％的GaAs多晶作为原料，使用C(碳)作为半绝缘杂质，且使用Si(硅)作为n型导电性杂质。以与实施例I或II相同的方式测量所得到的GaAs晶体基板各自的EPD、氧浓度、硅浓度或碳浓度、硼浓度和比电阻。结果汇总示于表3、图4和图5中。在此，图4包含除比较例RI-1至RI-3和RII-1至RII-3之外的比较例。
/>
参考表1至3和图4，在实施例I-1至I-5和实施例II-1至II-5中的n型导电性和半绝缘性的两种情况下，EPD低至10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且氧浓度低至小于7.0×1015原子·cm-3。因此，将GaAs晶体加工成GaAs晶体基板的加工成品率高至90％以上。另一方面，如比较例RI-1和RII-1中所示，在n型导电性和半绝缘性的两种情况下，在通过LEC法制造的GaAs晶体和GaAs晶体基板中，EPD大于10000个·cm-2，结果是将GaAs晶体加工成GaAs晶体基板的加工成品率较低而小于90％。此外，如比较例RI-2至RI-3和RII-2至RII-3中所示，在n型导电性和半绝缘性的两种情况下，在通过常规VB法制造的GaAs晶体和GaAs晶体基板中，氧浓度高至7.0×1015原子·cm-3以上，结果是将GaAs晶体加工成GaAs晶体基板的加工成品率较低而小于90％。
此外，参考表1至3和图5，在实施例I-1至I-5和实施例II-1至II-5中，在n型导电性和半绝缘性的两种情况下，得到如下的GaAs晶体基板，其各自的氧浓度较低而小于7.0×1015原子·cm-3，且硼浓度较低而为1.0×1019原子·cm-3以下。
本文公开的实施方式和实施例在任何方面都是说明性的而非限制性的。本发明的范围由权利要求书限定，而不是由上述的实施方式和实施例限定，并且其旨在包含在与权利要求书等同的范围和含义内的任何修改。
标号说明
11：GaAs晶种；13：GaAs原料；21、31：坩埚；21c、31c：氧化膜；22、32：坩埚保持台；23、33：密封构件；24a、24b、34a、34b、34c、34d：加热器；24abo、34abo、34bco、34cdo：加热器间间隙；25：遮蔽板；25o：开口；26：腔室。
Claims (21)
1.一种砷化镓晶体，其中
所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，
所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3，并且
所述砷化镓晶体中的n型导电性杂质浓度为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下，
所述砷化镓晶体为n型导电性砷化镓晶体，
所述砷化镓晶体包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为100mm以上且305mm以下。
2.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下。
3.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且4.3×1015原子·cm-3以下。
4.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述n型导电性杂质浓度为1.0×1017原子·cm-3以上且5.0×1018原子·cm-3以下。
5.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为100mm以上且204mm以下。
6.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为150mm以上且204mm以下。
7.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为1.0×1019原子·cm-3以下。
8.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且8.0×1018原子·cm-3以下。
9.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且4.1×1017原子·cm-3以下。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的砷化镓晶体，其中所述n型导电性杂质为硅。
11.一种砷化镓晶体基板，其中
所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，
所述砷化镓晶体基板的氧浓度为7.0×1015原子·cm-3以下，并且
所述砷化镓晶体基板中的n型导电性杂质浓度为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下，
所述砷化镓晶体基板为n型导电性砷化镓晶体基板，
其中所述砷化镓晶体基板的直径为100mm以上且305mm以下。
12.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下。
13.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且4.3×1015原子·cm-3以下。
14.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述n型导电性杂质浓度为1.0×1017原子·cm-3以上且5.0×1018原子·cm-3以下。
15.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的直径为100mm以上且204mm以下。
16.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的直径为150mm以上且204mm以下。
17.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的硼浓度为1.0×1019原子·cm-3以下。
18.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且8.0×1018原子·cm-3以下。
19.根据权利要求11所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且4.1×1017原子·cm-3以下。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的砷化镓晶体基板，其中所述n型导电性杂质为硅。
21.一种砷化镓晶体基板，其中
所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，
所述砷化镓晶体基板的氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下，
所述砷化镓晶体基板中的n型导电性杂质浓度为1.0×1017原子·cm-3以上且5.0×1018原子·cm-3以下，
所述n型导电性杂质为硅，
所述砷化镓晶体基板的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且4.1×1017原子·cm-3以下，且
所述砷化镓晶体基板的直径为100mm以上且204mm以下，
所述砷化镓晶体基板为n型导电性砷化镓晶体基板，
其中所砷化镓晶体基板的直径为100mm以上且305mm以下。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110359932.5A CN113235162B (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110359932.5A CN113235162B (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
| PCT/JP2017/024463 WO2019008663A1 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板 |
| CN201780087442.6A CN110325672A (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780087442.6A Division CN110325672A (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113235162A CN113235162A (zh) | 2021-08-10 |
| CN113235162B true CN113235162B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=63668498
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780087442.6A Pending CN110325672A (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
| CN202110359932.5A Active CN113235162B (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
| CN202110362301.9A Pending CN113215662A (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780087442.6A Pending CN110325672A (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110362301.9A Pending CN113215662A (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10822722B2 (zh) |
| EP (2) | EP3508621A4 (zh) |
| JP (1) | JP6394838B1 (zh) |
| CN (3) | CN110325672A (zh) |
| TW (2) | TWI765742B (zh) |
| WO (1) | WO2019008663A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200190697A1 (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | Axt, Inc. | Low Etch Pit Density Gallium Arsenide Crystals With Boron Dopant |
| DE102019208389A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern |
| CN113423876B (zh) * | 2019-07-10 | 2023-12-22 | 住友电气工业株式会社 | 砷化镓单晶基板 |
| JP2024511114A (ja) * | 2021-03-22 | 2024-03-12 | エイエックスティー，インコーポレーテッド | 垂直勾配凍結２００ｍｍ（８インチ）ガリウムヒ素基板のための方法およびシステム |
| CN113213971A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-08-06 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种pbn坩埚氧化预处理装置、方法及其应用 |
| WO2024062991A1 (ja) * | 2022-09-21 | 2024-03-28 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ＧａＡｓインゴットの製造方法及びＧａＡｓインゴット |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4478675A (en) * | 1981-09-18 | 1984-10-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Method of producing GaAs single crystals doped with boron |
| JPS60137899A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 砒化ガリウム単結晶とその製造方法 |
| US4902376A (en) * | 1988-12-28 | 1990-02-20 | Industrial Technology Research Institute | Modified horizontal bridgman method for growing GaAs single crystal |
| JPH10167898A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Japan Energy Corp | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
| JP2004115339A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法及び縦型ボート法によるＧａＡｓ単結晶の製造装置 |
| CN1763980A (zh) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 日立电线株式会社 | 添加硅的砷化镓单结晶基板 |
| DE112006000771T5 (de) * | 2005-03-31 | 2008-02-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Si-dotierter GaAs-Einkristallingot und Verfahren zur Herstellung desselbigen, und Si-dotierter GaAs-Einkristallwafer, der aus Si-dotiertem GaAs-Einkristallingot hergestellt wird |
| CN103703172A (zh) * | 2011-05-25 | 2014-04-02 | 同和电子科技有限公司 | GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片 |
| CN105408528A (zh) * | 2013-03-27 | 2016-03-16 | 北京通美晶体技术有限公司 | 半导体衬底中的可控氧浓度 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3596148A (en) * | 1970-01-19 | 1971-07-27 | Monsanto Co | Double-doped gallium arsenide and method of preparation |
| JPS5912638B2 (ja) * | 1974-01-25 | 1984-03-24 | 同和鉱業 （株） | 揮発性成分を含む金属間化合物の直接合成方法 |
| US4158851A (en) * | 1976-03-29 | 1979-06-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semi-insulating gallium arsenide single crystal |
| JPS5912638A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インピ−ダンス合成形ライン回路 |
| JPH01239089A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-09-25 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JP2737186B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | ガリウム砒素化合物半導体単結晶 |
| JPH0616493A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Mitsubishi Materials Corp | ガリウム砒素単結晶の成長方法 |
| JPH06219900A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | Ｓｉドープｎ型ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
| JPH11116373A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-27 | Kobe Steel Ltd | 低転位密度の化合物半導体単結晶及びその製造方法並びに製造装置 |
| JP2967780B1 (ja) * | 1998-09-28 | 1999-10-25 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＡｓ単結晶基板およびそれを用いたエピタキシャルウェハ |
| CN1873060A (zh) * | 2005-05-17 | 2006-12-06 | 日立电线株式会社 | 化合物半导体单晶及其生长用容器和制造方法 |
| EP1739210B1 (de) * | 2005-07-01 | 2012-03-07 | Freiberger Compound Materials GmbH | Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, und III-V-Halbleiter-Einkristall |
| US8361225B2 (en) * | 2007-05-09 | 2013-01-29 | Axt, Inc. | Low etch pit density (EPD) semi-insulating III-V wafers |
| US7566641B2 (en) * | 2007-05-09 | 2009-07-28 | Axt, Inc. | Low etch pit density (EPD) semi-insulating GaAs wafers |
| JP2009126723A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板 |
| CN102272359B (zh) * | 2009-01-09 | 2014-05-21 | 住友电气工业株式会社 | 单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶 |
| JP5110026B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2012-12-26 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| CN101724886B (zh) * | 2009-12-24 | 2011-11-23 | 中科晶电信息材料（北京）有限公司 | 砷化镓或锗单晶生长方法 |
| US9797068B2 (en) * | 2010-03-29 | 2017-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing semiconductor single crystal |
| CN107039516B (zh) * | 2011-05-18 | 2020-07-10 | 住友电气工业株式会社 | 化合物半导体衬底 |
| WO2013143018A1 (zh) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | 北京通美晶体技术有限公司 | 一种iiiα-va族半导体单晶衬底及其制备方法 |
| CN103526279A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器 |
| CN106319630B (zh) * | 2015-07-02 | 2018-07-06 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 砷化镓单晶的生长方法 |
-
2017
- 2017-07-04 CN CN201780087442.6A patent/CN110325672A/zh active Pending
- 2017-07-04 WO PCT/JP2017/024463 patent/WO2019008663A1/ja unknown
- 2017-07-04 CN CN202110359932.5A patent/CN113235162B/zh active Active
- 2017-07-04 JP JP2018514487A patent/JP6394838B1/ja active Active
- 2017-07-04 EP EP17917163.2A patent/EP3508621A4/en active Pending
- 2017-07-04 US US16/344,045 patent/US10822722B2/en active Active
- 2017-07-04 EP EP22169221.3A patent/EP4063541A1/en active Pending
- 2017-07-04 CN CN202110362301.9A patent/CN113215662A/zh active Pending
-
2018
- 2018-03-23 TW TW110121321A patent/TWI765742B/zh active
- 2018-03-23 TW TW107109950A patent/TWI733008B/zh active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4478675A (en) * | 1981-09-18 | 1984-10-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Method of producing GaAs single crystals doped with boron |
| JPS60137899A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 砒化ガリウム単結晶とその製造方法 |
| US4902376A (en) * | 1988-12-28 | 1990-02-20 | Industrial Technology Research Institute | Modified horizontal bridgman method for growing GaAs single crystal |
| JPH10167898A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Japan Energy Corp | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
| JP2004115339A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法及び縦型ボート法によるＧａＡｓ単結晶の製造装置 |
| CN1763980A (zh) * | 2004-10-20 | 2006-04-26 | 日立电线株式会社 | 添加硅的砷化镓单结晶基板 |
| DE112006000771T5 (de) * | 2005-03-31 | 2008-02-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Si-dotierter GaAs-Einkristallingot und Verfahren zur Herstellung desselbigen, und Si-dotierter GaAs-Einkristallwafer, der aus Si-dotiertem GaAs-Einkristallingot hergestellt wird |
| CN103703172A (zh) * | 2011-05-25 | 2014-04-02 | 同和电子科技有限公司 | GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片 |
| CN105408528A (zh) * | 2013-03-27 | 2016-03-16 | 北京通美晶体技术有限公司 | 半导体衬底中的可控氧浓度 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 马存真等.《世界有色金属牌号手册（第1版）》.冶金工业出版社,2017,第505页. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019008663A1 (ja) | 2019-01-10 |
| EP4063541A1 (en) | 2022-09-28 |
| CN113215662A (zh) | 2021-08-06 |
| CN110325672A (zh) | 2019-10-11 |
| EP3508621A1 (en) | 2019-07-10 |
| JPWO2019008663A1 (ja) | 2019-07-11 |
| US20190264348A1 (en) | 2019-08-29 |
| TW202136599A (zh) | 2021-10-01 |
| TWI733008B (zh) | 2021-07-11 |
| JP6394838B1 (ja) | 2018-09-26 |
| TWI765742B (zh) | 2022-05-21 |
| US10822722B2 (en) | 2020-11-03 |
| EP3508621A4 (en) | 2020-04-22 |
| CN113235162A (zh) | 2021-08-10 |
| TW201907060A (zh) | 2019-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113235162B (zh) | 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 | |
| JP5031651B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP2008308383A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| KR102288693B1 (ko) | 화합물 반도체 및 화합물 반도체 단결정의 제조 방법 | |
| KR20160034397A (ko) | n 형 SiC 단결정 및 그 제조 방법 | |
| EP3978657A1 (en) | Germanium single-crystal wafer, method for preparing germanium single-crystal wafer, method for preparing crystal bar, and use of single-crystal wafer | |
| JP7020346B2 (ja) | ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板 | |
| JP7242757B2 (ja) | ＧａＡｓインゴットおよびＧａＡｓインゴットの製造方法、ならびにＧａＡｓウエハ | |
| US20220213618A1 (en) | Indium phosphide single-crystal body and indium phosphide single-crystal substrate | |
| EP3998377A1 (en) | Monocrystalline gallium arsenide substrate | |
| Pino et al. | Adhesion-free growth of AlSb bulk crystals in silica crucibles | |
| Zappettini | 8.1 Applications and requirements | |
| JPH08316249A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体基板およびその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |