JPH08316249A - Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体基板およびその製造法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体基板およびその製造法Info
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- JPH08316249A JPH08316249A JP14679895A JP14679895A JPH08316249A JP H08316249 A JPH08316249 A JP H08316249A JP 14679895 A JP14679895 A JP 14679895A JP 14679895 A JP14679895 A JP 14679895A JP H08316249 A JPH08316249 A JP H08316249A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来法における溶融亜鉛処理用容器の密封に
代わり、亜鉛の蒸発を防止しながら低抵抗な特性を有す
るII-VI 族化合半導体基板およびその製造法の提供。 【構成】 単結晶から切り出したＺｎＳｅ単結晶基板２
を、スライドボード１に組み込まれたスライダー８に設
けられたメルト槽４底部のキャビティ３にセットし、こ
の基板上に高純度亜鉛５を、さらにその上に液体封止剤
６としてＢ2 Ｏ3を入れ蓋７をした後、このスライドボ
ードを横型管状炉で８００℃に昇温後、この温度で６０
時間保持して溶融亜鉛処理する。その後徐冷してＺｎＳ
ｅ基板を取り出す。
代わり、亜鉛の蒸発を防止しながら低抵抗な特性を有す
るII-VI 族化合半導体基板およびその製造法の提供。 【構成】 単結晶から切り出したＺｎＳｅ単結晶基板２
を、スライドボード１に組み込まれたスライダー８に設
けられたメルト槽４底部のキャビティ３にセットし、こ
の基板上に高純度亜鉛５を、さらにその上に液体封止剤
６としてＢ2 Ｏ3を入れ蓋７をした後、このスライドボ
ードを横型管状炉で８００℃に昇温後、この温度で６０
時間保持して溶融亜鉛処理する。その後徐冷してＺｎＳ
ｅ基板を取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色発光素子基板とし
て使用されるＺｎＳｅ等のII-VI 族化合物半導体結晶体
基板およびその製造法に関する。
て使用されるＺｎＳｅ等のII-VI 族化合物半導体結晶体
基板およびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＺｎＳｅ等のII-VI 族化合物半導体単結
晶の製造法としては高圧溶融法や気相成長法が知られて
いるが、このうち特に高圧溶融法は気相成長法に比べ大
口径で長尺な結晶を得ることが可能とされている。
晶の製造法としては高圧溶融法や気相成長法が知られて
いるが、このうち特に高圧溶融法は気相成長法に比べ大
口径で長尺な結晶を得ることが可能とされている。
【０００３】高圧溶融法では結晶の原料の融点以上に加
熱し、凝固させて結晶を得る方法であり、例えばＺｎＳ
ｅの単結晶体を製造するには、１５５０℃以上にまで加
熱した後、徐冷しながら凝固させるが、このようにして
得た単結晶体は多量の不純物を含み、非常に高抵抗であ
ることから、ＺｎＳｅホモエピタキシアル成長用基板と
しては不適当であった。
熱し、凝固させて結晶を得る方法であり、例えばＺｎＳ
ｅの単結晶体を製造するには、１５５０℃以上にまで加
熱した後、徐冷しながら凝固させるが、このようにして
得た単結晶体は多量の不純物を含み、非常に高抵抗であ
ることから、ＺｎＳｅホモエピタキシアル成長用基板と
しては不適当であった。
【０００４】このため結晶中の不純物を溶出、純化させ
る改良法として、石英ガラス製封管を用いて溶融亜鉛中
で熱処理を施し、結晶体中の不純物を溶出して純化さ
せ、低抵抗化させる方法が用いられるようになった。
る改良法として、石英ガラス製封管を用いて溶融亜鉛中
で熱処理を施し、結晶体中の不純物を溶出して純化さ
せ、低抵抗化させる方法が用いられるようになった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記改
良法では溶融亜鉛の熱処理中亜鉛の蒸発を防ぐため、石
英ガラス容器を密封しなければならず、このため容器封
止の際、石英ガラス製のキャップを溶着する必要があ
り、装置を大型化する場合には構造上の制約があり、工
業化には無理があった。また、材質的には容器に用いる
石英ガラスの軟化を防ぐために、熱処理温度を１０００
℃以上に上げることができないため、熱処理時間を長く
する必要があった。
良法では溶融亜鉛の熱処理中亜鉛の蒸発を防ぐため、石
英ガラス容器を密封しなければならず、このため容器封
止の際、石英ガラス製のキャップを溶着する必要があ
り、装置を大型化する場合には構造上の制約があり、工
業化には無理があった。また、材質的には容器に用いる
石英ガラスの軟化を防ぐために、熱処理温度を１０００
℃以上に上げることができないため、熱処理時間を長く
する必要があった。
【０００６】したがって本発明の目的は、従来法におけ
る溶融亜鉛処理用容器の密封手段に代わり、亜鉛の蒸発
を防止しながら低抵抗な特性を有するII-VI 族化合物半
導体基板およびその製造法を提供することにある。
る溶融亜鉛処理用容器の密封手段に代わり、亜鉛の蒸発
を防止しながら低抵抗な特性を有するII-VI 族化合物半
導体基板およびその製造法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するべく研究の結果、溶融亜鉛処理を行う際、亜鉛
融液の上に液体封止剤を浮かべて封止し、好ましくはさ
らに封止剤上から亜鉛の蒸気圧以上の圧力を加えるよう
にすれば、亜鉛の蒸発が防げると共に、このような処理
によって得られる結晶は高純度でかつ低抵抗な特性を有
することを見いだし本発明に到達した。
達成するべく研究の結果、溶融亜鉛処理を行う際、亜鉛
融液の上に液体封止剤を浮かべて封止し、好ましくはさ
らに封止剤上から亜鉛の蒸気圧以上の圧力を加えるよう
にすれば、亜鉛の蒸発が防げると共に、このような処理
によって得られる結晶は高純度でかつ低抵抗な特性を有
することを見いだし本発明に到達した。
【０００８】すなわち本発明は第１に抵抗率２Ωcm以
下、キャリア密度２×１０16cm-3以下の特性を有するこ
とを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板；第２に所定
形状のII-VI 族化合物半導体結晶体に、液体封止剤にて
封止した溶融亜鉛浴中で熱処理を施すことにより、抵抗
率２Ωcm以下の低抵抗基板を得ることを特徴とするII-V
I 族化合物半導体基板の製造法；第３に所定形状のII-V
I 族化合物半導体結晶体に、液体封止剤にて封止した溶
融亜鉛浴中で熱処理を施し、その際該封止剤上から亜鉛
の蒸気圧以上の圧力を加えて亜鉛の蒸発を防止して、抵
抗率２Ωcm以下の低抵抗基板を得ることを特徴とするII
-VI 族化合物半導体基板の製造法を提供するものであ
る。
下、キャリア密度２×１０16cm-3以下の特性を有するこ
とを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板；第２に所定
形状のII-VI 族化合物半導体結晶体に、液体封止剤にて
封止した溶融亜鉛浴中で熱処理を施すことにより、抵抗
率２Ωcm以下の低抵抗基板を得ることを特徴とするII-V
I 族化合物半導体基板の製造法；第３に所定形状のII-V
I 族化合物半導体結晶体に、液体封止剤にて封止した溶
融亜鉛浴中で熱処理を施し、その際該封止剤上から亜鉛
の蒸気圧以上の圧力を加えて亜鉛の蒸発を防止して、抵
抗率２Ωcm以下の低抵抗基板を得ることを特徴とするII
-VI 族化合物半導体基板の製造法を提供するものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明において原料として用いるＺｎＳｅ単結
晶基板は、垂直ブリッジマン炉（ＶＢ炉）または垂直徐
冷炉（ＶＧＦ炉）を用いて、高圧溶融法により融液から
ＺｎＳｅバルク結晶を製造する際に、ＺｎＳｅ多結晶を
種結晶として使用し、該種結晶の上に単結晶を育成する
ことによって得られたＺｎＳｅバルク単結晶を、スライ
サーで［１００］方位に切り出したものを、ラッピング
研磨して作製した基板を所定形状に切り出したものであ
る。
晶基板は、垂直ブリッジマン炉（ＶＢ炉）または垂直徐
冷炉（ＶＧＦ炉）を用いて、高圧溶融法により融液から
ＺｎＳｅバルク結晶を製造する際に、ＺｎＳｅ多結晶を
種結晶として使用し、該種結晶の上に単結晶を育成する
ことによって得られたＺｎＳｅバルク単結晶を、スライ
サーで［１００］方位に切り出したものを、ラッピング
研磨して作製した基板を所定形状に切り出したものであ
る。
【００１０】本発明において溶融亜鉛処理を行う際に使
用する液体封止剤はＢ2 Ｏ3 であり、この物質は沸点で
ある１８６０℃まで安定であり、さらに亜鉛の融点（約
４２０℃）に近い４６０℃の融点と亜鉛の比重（７．１
４ｇ／cm3 ）よりも低い２．８６ｇ／cm3 の比重を持つ
ものである。
用する液体封止剤はＢ2 Ｏ3 であり、この物質は沸点で
ある１８６０℃まで安定であり、さらに亜鉛の融点（約
４２０℃）に近い４６０℃の融点と亜鉛の比重（７．１
４ｇ／cm3 ）よりも低い２．８６ｇ／cm3 の比重を持つ
ものである。
【００１１】これらの特性を有するＢ2 Ｏ3 を溶融亜鉛
処理の際、液体封止剤として用いると、亜鉛の蒸発が抑
えられるため従来のように石英ガラス容器等で密封する
必要ががなくなる。
処理の際、液体封止剤として用いると、亜鉛の蒸発が抑
えられるため従来のように石英ガラス容器等で密封する
必要ががなくなる。
【００１２】また、溶融亜鉛処理温度の上限も従来は石
英の軟化温度以下に限られていたが、上記封止剤により
この制限を受けないためより高温での処理が可能となり
短時間の処理で低抵抗なＺｎＳｅの結晶基板を得ること
ができる。
英の軟化温度以下に限られていたが、上記封止剤により
この制限を受けないためより高温での処理が可能となり
短時間の処理で低抵抗なＺｎＳｅの結晶基板を得ること
ができる。
【００１３】以下実施例により本発明を詳細に説明する
が本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
が本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００１４】
【実施例１】図１は本実施例に用いられた溶融亜鉛処理
装置（スライドボード）の模式断面図であって、この図
を参照して以下説明する。 （１）まず、あらかじめＺｎＳｅの単結晶から５mm角×
１mm厚の単結晶基板２を切り出したものを準備し、該基
板の表面を研磨処理した後、エッチング処理を施してか
ら、スライドボード１内に組み込まれたスライダー８に
設けられた複数のメルト槽４底部のキャビティ（座ぐ
り）３にそれぞれセットした。 （２）次いで上記基板上に純度５Ｎの高純度亜鉛５の２
０ｇを、さらにその上部に液体封止剤６としてＢ2 Ｏ3
の１０ｇずつ入れて蓋７をした。 （３）次いで上記スライドボード１を横型管状炉に入
れ、炉内を窒素雰囲気とした後、３時間かけて８００℃
まで昇温させ、この８００℃の状態で６０時間保持して
溶融亜鉛処理を施した。 （４）この後、スライドボードを横型管状炉から移動し
て、室温下で８時間かけて徐冷し、ＺｎＳｅ基板２を溶
融亜鉛より分離した。この場合、冷却後のメルト槽４内
の亜鉛の重量を測定し、亜鉛の初期重量から溶融亜鉛処
理後の重量を差し引いた重量を溶融亜鉛処理時間で除し
て亜鉛蒸発速度を求めたところ、０．２ｇ／時間であっ
た。
装置（スライドボード）の模式断面図であって、この図
を参照して以下説明する。 （１）まず、あらかじめＺｎＳｅの単結晶から５mm角×
１mm厚の単結晶基板２を切り出したものを準備し、該基
板の表面を研磨処理した後、エッチング処理を施してか
ら、スライドボード１内に組み込まれたスライダー８に
設けられた複数のメルト槽４底部のキャビティ（座ぐ
り）３にそれぞれセットした。 （２）次いで上記基板上に純度５Ｎの高純度亜鉛５の２
０ｇを、さらにその上部に液体封止剤６としてＢ2 Ｏ3
の１０ｇずつ入れて蓋７をした。 （３）次いで上記スライドボード１を横型管状炉に入
れ、炉内を窒素雰囲気とした後、３時間かけて８００℃
まで昇温させ、この８００℃の状態で６０時間保持して
溶融亜鉛処理を施した。 （４）この後、スライドボードを横型管状炉から移動し
て、室温下で８時間かけて徐冷し、ＺｎＳｅ基板２を溶
融亜鉛より分離した。この場合、冷却後のメルト槽４内
の亜鉛の重量を測定し、亜鉛の初期重量から溶融亜鉛処
理後の重量を差し引いた重量を溶融亜鉛処理時間で除し
て亜鉛蒸発速度を求めたところ、０．２ｇ／時間であっ
た。
【００１５】後述する比較例に示すように、液体封止剤
６を用いない場合の亜鉛蒸発速度は８ｇ／時間であり、
溶融亜鉛処理の際、液体封止剤の使用は亜鉛の蒸発を抑
えるために極めて有効である事が確認された。 （５）また、溶融亜鉛処理後の残った亜鉛について、液
体封止剤であるＢ2 Ｏ3からボロン（Ｂ）の混入があっ
たか否かをＩＣＰ（Injected Coupled Plasma)法で分析
したところ、ボロンの混入は認められなかった。 （６）上記溶融亜鉛処理後のＺｎＳｅ単結晶基板は表面
に付着した亜鉛を研磨により除去した後、０．１％臭化
メタノール液にてエッチング処理を行い、Ｉｎのオーミ
ック電極を形成した。 （７）このオーミック電極を用いて、ファンデルポウ
（Van der Pauw）法によりホール測定を行い、伝導型、
抵抗率、キャリア密度、移動度について評価を行ったと
ころ表１にサンプルＡとして示されている結果を得た。
６を用いない場合の亜鉛蒸発速度は８ｇ／時間であり、
溶融亜鉛処理の際、液体封止剤の使用は亜鉛の蒸発を抑
えるために極めて有効である事が確認された。 （５）また、溶融亜鉛処理後の残った亜鉛について、液
体封止剤であるＢ2 Ｏ3からボロン（Ｂ）の混入があっ
たか否かをＩＣＰ（Injected Coupled Plasma)法で分析
したところ、ボロンの混入は認められなかった。 （６）上記溶融亜鉛処理後のＺｎＳｅ単結晶基板は表面
に付着した亜鉛を研磨により除去した後、０．１％臭化
メタノール液にてエッチング処理を行い、Ｉｎのオーミ
ック電極を形成した。 （７）このオーミック電極を用いて、ファンデルポウ
（Van der Pauw）法によりホール測定を行い、伝導型、
抵抗率、キャリア密度、移動度について評価を行ったと
ころ表１にサンプルＡとして示されている結果を得た。
【００１６】なお、比較のため処理前の抵抗率の測定結
果を表１にまとめたが、これらの結果から、溶融亜鉛処
理を６０時間施して得た本発明の方法による基板は著し
く抵抗率が低く、優れたｎ型特性を示していた。
果を表１にまとめたが、これらの結果から、溶融亜鉛処
理を６０時間施して得た本発明の方法による基板は著し
く抵抗率が低く、優れたｎ型特性を示していた。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【実施例２】実施例１に示すようにＺｎＳｅ単結晶基板
をあらかじめスライドボードにセットして横型管状炉に
入れた後、炉内条件として窒素ガスを５kg/cm 2 の圧力
で加え、炉温度を１１００℃一定で２４時間溶融亜鉛処
理を行った。
をあらかじめスライドボードにセットして横型管状炉に
入れた後、炉内条件として窒素ガスを５kg/cm 2 の圧力
で加え、炉温度を１１００℃一定で２４時間溶融亜鉛処
理を行った。
【００１９】冷却後、メルト槽４の亜鉛重量を測定して
亜鉛の蒸発速度を求めたところ、０．１ｇ／時間であっ
た。このことから液体封止剤の上から圧力を加えると、
より高温下において亜鉛の蒸発を抑えながら処理が可能
であることが判明した。
亜鉛の蒸発速度を求めたところ、０．１ｇ／時間であっ
た。このことから液体封止剤の上から圧力を加えると、
より高温下において亜鉛の蒸発を抑えながら処理が可能
であることが判明した。
【００２０】得られたＺｎＳｅ基板について、実施例１
と同様にホール測定を行い、その結果を表１中のＢサン
プルとして示したが、この基板も低抵抗率を有し、ｎ型
特性を示すものである。
と同様にホール測定を行い、その結果を表１中のＢサン
プルとして示したが、この基板も低抵抗率を有し、ｎ型
特性を示すものである。
【００２１】
【実施例３】図２（ａ）は溶融亜鉛処理中のバッチ式る
つぼを示す模式断面図、同図（ｂ）は溶融亜鉛処理後、
バッチ式るつぼを逆さにして溶融亜鉛とＺｎＳｅ基板と
を分離した状態を示す模式断面図であって、これらを参
照して以下説明する。 （１）図２（ａ）に示すカーボンるつぼ９を用い、あら
かじめ準備した直径２５mm×厚さ１mmのＺｎＳｅ単結晶
基板２を、該るつぼ９内の下室にセットし、その基板上
に５Ｎ高純度亜鉛を１５０ｇ入れた。 （２）さらに上記亜鉛上に液体封止剤６としてＢ2 Ｏ3
を２０ｇ入れた後、るつぼ上部をカーボン製ねじ込みキ
ャップ１０で蓋をして縦型管状炉に入れた。 （３）炉内を窒素雰囲気として、３時間で８００℃まで
昇温し、この温度で６０時間保持し、溶融亜鉛処理を行
った。 （４）次いで図２（ｂ）に示すように、処理後のカーボ
ンるつぼ２自体を逆さにして、溶融亜鉛とＺｎＳｅ基板
とを分離し、室温下に徐冷した。 （５）冷却後、るつぼ９内に残った亜鉛の重量を測定
し、亜鉛の蒸発速度を調べたところ０．１ｇ／時間以下
であった。
つぼを示す模式断面図、同図（ｂ）は溶融亜鉛処理後、
バッチ式るつぼを逆さにして溶融亜鉛とＺｎＳｅ基板と
を分離した状態を示す模式断面図であって、これらを参
照して以下説明する。 （１）図２（ａ）に示すカーボンるつぼ９を用い、あら
かじめ準備した直径２５mm×厚さ１mmのＺｎＳｅ単結晶
基板２を、該るつぼ９内の下室にセットし、その基板上
に５Ｎ高純度亜鉛を１５０ｇ入れた。 （２）さらに上記亜鉛上に液体封止剤６としてＢ2 Ｏ3
を２０ｇ入れた後、るつぼ上部をカーボン製ねじ込みキ
ャップ１０で蓋をして縦型管状炉に入れた。 （３）炉内を窒素雰囲気として、３時間で８００℃まで
昇温し、この温度で６０時間保持し、溶融亜鉛処理を行
った。 （４）次いで図２（ｂ）に示すように、処理後のカーボ
ンるつぼ２自体を逆さにして、溶融亜鉛とＺｎＳｅ基板
とを分離し、室温下に徐冷した。 （５）冷却後、るつぼ９内に残った亜鉛の重量を測定
し、亜鉛の蒸発速度を調べたところ０．１ｇ／時間以下
であった。
【００２２】上記の手段で得たＺｎＳｅ基板について実
施例１と同様にホール測定を行ったところ、どの部分も
均一であり、ｎ型の低抵抗率を示していた。
施例１と同様にホール測定を行ったところ、どの部分も
均一であり、ｎ型の低抵抗率を示していた。
【００２３】
【比較例】実施例１に示したスライドボードを用い、溶
融亜鉛処理条件として、液体封止剤としてＢ2 Ｏ3 を用
いないほかはすべて実施例１と同様な方法で行ったとこ
ろ、冷却後メルト槽内の亜鉛はすべて蒸発して消失して
いた。
融亜鉛処理条件として、液体封止剤としてＢ2 Ｏ3 を用
いないほかはすべて実施例１と同様な方法で行ったとこ
ろ、冷却後メルト槽内の亜鉛はすべて蒸発して消失して
いた。
【００２４】得られたＺｎＳｅ基板に実施例１と同様処
理を施してホール測定を行ったところ、高抵抗率（１０
10Ωcm以上）であったため、移動度、キャリア密度等の
特性値を求めることができなかった。
理を施してホール測定を行ったところ、高抵抗率（１０
10Ωcm以上）であったため、移動度、キャリア密度等の
特性値を求めることができなかった。
【００２５】別途８００℃における亜鉛の蒸発速度を調
べたところ、８ｇ／時間であることが判明したが、この
ことからメルト槽内の２０ｇの亜鉛は約３時間で蒸発し
て消失してしまい、溶融亜鉛処理が不十分となって低抵
抗化しなかったことがわかった。
べたところ、８ｇ／時間であることが判明したが、この
ことからメルト槽内の２０ｇの亜鉛は約３時間で蒸発し
て消失してしまい、溶融亜鉛処理が不十分となって低抵
抗化しなかったことがわかった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、II-VI 族化合物半導体であるＺｎＳｅ結晶体を溶
融亜鉛浴中で熱処理する際、該亜鉛浴上を液体封止剤で
封止し、好ましくはさらにこの封止剤上から亜鉛の蒸気
圧以上の圧力を加えて行うので、従来の石英ガラスの密
封容器中での処理では製造できなかった低抵抗率でしか
もキャリア密度も低いＺｎＳｅ基板を簡易な手段で製造
できるようになった。
れば、II-VI 族化合物半導体であるＺｎＳｅ結晶体を溶
融亜鉛浴中で熱処理する際、該亜鉛浴上を液体封止剤で
封止し、好ましくはさらにこの封止剤上から亜鉛の蒸気
圧以上の圧力を加えて行うので、従来の石英ガラスの密
封容器中での処理では製造できなかった低抵抗率でしか
もキャリア密度も低いＺｎＳｅ基板を簡易な手段で製造
できるようになった。
【図１】本発明の実施例で用いられたスライドボード型
溶融亜鉛処理るつぼの模式断面図である。
溶融亜鉛処理るつぼの模式断面図である。
【図２】同図（ａ）は別の実施例において、溶融亜鉛処
理中のバッチ式るつぼを示す模式断面図、同図（ｂ）は
溶融亜鉛処理後、バッチ式るつぼを逆さにして溶融亜鉛
とＺｎＳｅ基板とを分離した状態を示す模式断面図であ
る。
理中のバッチ式るつぼを示す模式断面図、同図（ｂ）は
溶融亜鉛処理後、バッチ式るつぼを逆さにして溶融亜鉛
とＺｎＳｅ基板とを分離した状態を示す模式断面図であ
る。
１ スライドボード ２ ＺｎＳｅ単結晶基板 ３ キャビティ ４ メルト槽 ５ 高純度亜鉛 ６ 封止剤 ７ 蓋 ８ スライダー ９ カーボンるつぼ １０ ネジ込み蓋
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 茂 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 (72)発明者 永田 長寿 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 抵抗率２Ωcm以下、キャリア密度２×１
０16cm-3以下の特性を有することを特徴とするII-VI 族
化合物半導体基板。 - 【請求項２】 所定形状のII-VI 族化合物半導体結晶体
に、液体封止剤にて封止した溶融亜鉛浴中で熱処理を施
すことにより、抵抗率２Ωcm以下の低抵抗基板を得るこ
とを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板の製造法。 - 【請求項３】 所定形状のII-VI 族化合物半導体結晶体
に、液体封止剤にて封止した溶融亜鉛浴中で熱処理を施
し、その際該封止剤上から亜鉛の蒸気圧以上の圧力を加
えて亜鉛の蒸発を防止して、抵抗率２Ωcm以下の低抵抗
基板を得ることを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14679895A JPH08316249A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14679895A JPH08316249A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体基板およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316249A true JPH08316249A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15415778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14679895A Pending JPH08316249A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体基板およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053080A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Japan Energy Corp | 半導体単結晶の熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-05-22 JP JP14679895A patent/JPH08316249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053080A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-23 | Japan Energy Corp | 半導体単結晶の熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040206 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040318 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040707 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |