KR20210004468A - 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고품질의 실리콘 카바이드 단결정을 제조할 수 있는 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법에 관한 것으로서, 상면이 개방된 수용 공간을 형성하는 도가니, 상기 도가니 내에 원료를 장입하여 생성되는 용융액 및 상기 용융액 내부에 위치하고, 종결정이 부착된 종결정 홀더를 포함하고, 상기 용융액의 높이(Lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(Lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하로 형성된다.

Description

단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법{SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD OF USING THE SAME}

본 발명은 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 고품질의 실리콘 카바이드 단결정을 제조할 수 있는 단결정 성장 장치에 관한 것이다.

실리콘 카바이드(SiC) 단결정은 내마모성 등의 기계적 강도와 내열성 및 내부식성이 우수하여 반도체, 전자, 자동차, 기계 분야 등의 부품소재로 많이 사용되고 있다.

실리콘 카바이드 단결정 성장 방법으로는, 탄소와 실리카를 섭씨 2000도 이상의 고온 전기로에서 반응시키는 애치슨 방법, 화학적 기상 증착법, 실리콘 카바이드를 원료로 하여 섭씨 2000도 이상의 고온에서 승화시켜 단결정을 성장시키는 승화법, 결정 인상법(crystal pulling method)을 응용한 용액법 등이 있다.

그러나 애치슨 방법은 고순도의 실리콘 카바이드 단결정을 얻기가 매우 어렵고, 화학적 기상 증착법은 박막 수준으로 두께가 제한되는 문제가 있다. 승화법 역시 일반적으로 섭씨 2400도 이상의 고온에서 이루어지고, 마이크로 파이프 및 적층 결함과 같은 여러 결함이 발생할 가능성이 많아 생산 단가적 측면에서 한계가 있는바, 상기와 같은 한계가 없는 용액법으로, 실리콘 카바이드 용액법에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.

실리콘 카바이드 용액법은 도가니에 담겨진 실리콘, 탄소가 포함된 액상의 원료에서 고상의 단결정을 성장시키는 방법이다. 이러한 실리콘 카바이드 용액법을 통해 단결정을 성장시킬 시, 단결정 성장 진행 중 다결정 실리콘 카바이드와 금속 용매 인클루전이 혼입되는 현상이 빈번하게 발생하는 문제점이 있다. 따라서 다결정 실리콘 카바이드와 금속 용매 인클루전의 발생을 억제하여 고품질의 실리콘 카바이드 단결정 잉곳을 제조하는 방법에 대한 개발이 필요하다.

본 발명의 해결하고자 하는 과제는, 단결정 성장 중, 다결정 실리콘 카바이드와 금속 용매 인클루전이 혼입되는 현상을 방지하고 단결정의 품질을 향상시킬 수 있는 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 상면이 개방된 수용 공간을 형성하는 도가니, 상기 도가니 내에 원료를 장입하여 생성되는 용융액 및 상기 용융액 내부에 위치하고, 종결정이 부착된 종결정 홀더를 포함하고, 상기 용융액의 높이(lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하로 형성된다.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법은, 도가니와, 상기 도가니 내에 SiC 종결정이 부착된 종결정 홀더를 준비하는 단계, 상기 도가니 내에 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계 및 상기 용융액에 상기 SiC 종결정을 접촉시켜 SiC 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 상기 용융액의 높이(lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 상기 원료를 장입한다.

상기 도가니의 바닥면을 기준으로한 상기 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비는 0.2 이상 0.8 이하로 형성될 수 있다.

상기 종결정 홀더는 상하이동을 통해 상기 종결정의 위치를 조절할 수 있다.

상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 상기 도가니의 바닥면을 기준으로한 상기 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비는 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 상기 원료를 장입할 수 있다.

상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 상기 도가니의 바닥면을 기준으로 한 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비가 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 상기 종결정의 높이를 조절할 수 있다.

상기 도가니 내에 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계 후, 상기 SiC 종결정이 부착된 종결정 홀더를 상기 용융액 내부로 침지하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 Sic 종결정이 부착된 종결정 홀더를 상기 용융액 내부로 침지하는 단계 후, 일정 시간이 경과되면 상기 종결정 홀더를 통해 상기 종결정을 상기 용융액으로부터 인상하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 종결정을 상기 용융액으로부터 인상하는 단계 후, 상기 종결정에 형성된 단결정을 상온으로 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 용융액의 높이(lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 상기 도가니의 내벽 높이(lc)를 조절할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장방법은, 장입되는 용융액과 도가니의 높이의 비와, 용융액의 높이와 도가니 바닥과 시드 사이의 거리의 비를 제어하여, 다결정 실리콘 카바이드 및 금속 용매 인클루전의 혼입 없이 고품질의 단결정 잉곳을 제조할 수 있는 효과를 제공한다.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에서의 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)를 나타낸 도면이다.
도 3은 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)의 비에 따른 단결정의 결정품질을 나타낸 표이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에서의 도가니의 바닥면을 기준으로한 종결정의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)를 나타낸 도면이다.
도 5는 도가니의 바닥면을 기준으로한 시드의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)의 비에 따른 단결정의 결정품질을 나타낸 표이다.

이하에서 설명되는 실시 예는 발명의 이해를 돕기 위하여 예시적으로 나타낸 것이며, 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예와 다르게 다양하게 변형되어 실시될 수 있음이 이해되어야 할 것이다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성요소에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명 및 구체적인 도시를 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 발명의 이해를 돕기 위하여 실제 축척대로 도시된 것이 아니라 일부 구성요소의 치수가 과장되게 도시될 수 있다.

본 출원에서 사용되는 제1, 제2 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.

또한, 본 출원에서 사용되는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 권리범위를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다", "이루어진다" 또는 "구성되다" 등의 용어는 명세서상 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 대해 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에서의 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)를 나타낸 도면이다.

도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 용액법을 이용한 단결정 성장 장치로서, 상면이 개방된 수용 공간을 형성하는 도가니(100), 도가니(100) 내에 원료를 장입하여 생성되는 용융액(300) 및 용융액(300) 내부에 위치하고, 종결정(210)이 부착된 종결정 홀더(200)를 포함한다.

도가니(100)는 챔버(미도시) 내부에 배치되며, 상측이 개방된 용기 형태일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 실리콘 카바이드 단결정을 형성하기 위한 어떠한 형태로든 가능하다. 도가니(100)에는 실리콘 카바이드 성장에 주입되는 용융 원료가 장입되어 수용될 수 있다.

도가니(100)를 가열시키면, 도가니(100) 내부에 담긴 용융액(300)은 탄소(C), 실리콘(Si)을 포함하는 용융액(300)으로 변하게 되며, 계속하여 도가니(100)를 가열시켜 용융액(300)이 과포화도 상태가 되면, 용융액(300)과 접촉하는 종결정(210) 상에서 실리콘 카바이드 단결정이 성장할 수 있다.

종결정 홀더(200)는 종결정 홀더(200)의 끝단에 부착된 종결정(210)이 도가니(100) 내부에 담긴 용융액(300)에 침지될 수 있도록 도가니(100)의 내부에 위치할 수 있다. 이때 종결정 홀더(200)는 상하이동을 통해 종결정(210)을 도가니(100)의 내부 공간으로 삽입하여 용융액(300)과 접촉 및 침지시킬 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 단결졍 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법에 대해 설명한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 방법은, 도가니(100)와, 도가니(100) 내에 SiC 종결정이 부착된 종결정 홀더(200)를 준비하는 단계, 도가니(100) 내에 원료를 장입하여 용융액(300)을 생성하는 단계 및 용융액(300)에 SiC 종결정을 접촉시켜 SiC 단결정을 성장시키는 단계를 포함한다.

이때, 원료를 장입하여 용융액(300)을 생성하는 단계에서, 용융액(300)의 높이(lm)와 도가니(100) 내벽의 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 원료를 장입하여 용융액을 생성한다. 또한 생성된 용융액의 높이(lm)에 맞게 도가니(100)의 내벽 높이(lc)를 조절하여 용융액(300)의 높이(lm)와 도가니(100) 내벽의 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 할 수 있다. 용융액(300)의 높이(lm)와 도가니(100) 내벽의 높이(lc)의 비에 대한 자세한 내용은 실험 결과와 함께 후술한다.

원료를 장입하여 용융액(300)을 생성하는 단계에서, 도가니(100)의 바닥면을 기준으로 한 종결정(210)의 높이(ls)와 용융액(300)의 높이(lm)의 비가 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 종결정(210)의 높이를 조절할 수 있다. 또한 생성된 용융액의 높이(lm)에 맞게 종결정(210)의 높이를 조절하여 도가니의 바닥면을 기준으로 한 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비가 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 할 수 있다. 도가니(100)의 바닥면을 기준으로 한 종결정(210)의 높이(ls)와 용융액(300)의 높이(lm)의 비에 대한 자세한 내용은 실험결과와 함께 후술한다.

도가니(100) 내에 원료를 장입하여 용융액(300)을 생성하는 단계 후, 종결정(210)이 부착된 종결정 홀더(200)를 용융액(300) 내부로 침지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이를 통해 용융액(300)의 조성물이 종결정(210)과 접촉하여 종결정(210) 상에서 단결정으로 성장할 수 있다.

종결정(210)이 부착된 종결정 홀더(200)를 용융액(300) 내부로 침지하는 단계 후, 일정 시간이 경과되면 종결정 홀더(200)를 통해 종결정(210)을 용융액(300)으로부터 인상하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한 종결정(210)을 용융액(300)으로부터 인상하는 단계 후, 종결정(210)에 형성된 단결정을 상온으로 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다.

종결정(210)을 통해 종결정(210) 상에 단결정이 성장하면, 종결정 홀더(200)를 통해 종결정(210)을 용융액(300)으로부터 인상시키고, 상온으로 냉각시켜 성장된 단결정을 석출할 수 있다.

이하, 도 2 및 도 3을 참조하며, 본 발명의 일 실시예에 따라 고품질의 단결정을 성장시키는 용융액의 높이(lm)와 내벽 높이(lc)의 비를 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에서의 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)를 나타낸 도면이다. 도 3은 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)의 비에 따른 단결정의 결정품질을 나타낸 표이다.

조건에 따른 단결정의 결정 품질을 알아보기 위하여 도 3에 개시된 바와 같이, 도가니의 바닥면을 기준으로한 종결정의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)의 비(이하 ls/lm)를 0.5로 일정하게 유지하며, 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)의 비(이하 lm/lc)를 변화시켜 그에 따른 결정의 품질을 비교하는 실험을 진행하였다.

실험에서, 용융액은 Si-Cr에 소량의 Al이 첨가된 조성으로 진행하였고, 공정의 온도는 1900도를 유지하였으며, 원료를 흑연 도가니에 넣고 진공 배기 후 1기압의 헬륨 기체를 주입하였다. 그 후 온도를 유지시키면서, 용융액 내부의 탄소 농도가 포화 상태에 도달할 때까지 대기하였다. 대기한 후에는 종결정을 용융액을 향해 서서히 하강한 후 접촉 및 침지하여 24시간동안 성장 공정을 진행하였다. 24시간이 경과한 후에는 종결정을 용융액으로부터 인상하고 상온으로 냉각하여 결정의 품질을 관찰하였다.

실험결과, 비교예1에 따르면, lm/lc가 0.6인 경우, 용액 표면에 미용융 카바이드로 인해 결정의 성장이 불가하였다. 또한 비교예2에 따르면, lm/lc가 0.1인 경우, 결정의 성장 속도가 현저히 느리고, 다결정 및 용매 인클루전이 혼입되어 결정의 품질이 현저히 저하된 결과를 볼 수 있다.

실시예1에 따르면, lm/lc가 0.35인 경우, 결정성장속도가 양호하고 결정 품질이 우수함을 알 수 있다. 또한 실시예2에 따르면, lm/lc가 0.5인 경우, 결정성장속도 및 결정품질이 양호함을 알 수 있으며, 실시예3에 따르면, lm/lc가 0.2인 경우, 결정성장속도 및 결정품질이 보통임을 알 수 있다.

용액법을 사용한 단결정 제조 공정을 위해 장입되는 원료는 고체상태로 장입되어 융해되면서 부피가 줄어들 수 있다. 이때, 도가니 높이에 비해 용융액의 높이가 상대적으로 높은 경우(lm/lc>0.5), 2000도 이하의 공정 온도에서 용융액의 표면에 미용융 고상이 잔류하게 되어 종결정의 접촉을 방해할 수 있다. 또한 공정 온도를 2000도 이상으로 크게 높여 미용융 고상을 용해하여도 용융액 내부의 온도 구배가 큰 상태이므로 상대적으로 낮은 온도를 형성하는 부분에서 상당량의 다결정 실리콘 카바이드가 발생하여 종결정에 달라붙게 될 수 있다.

도가니 높이에 비해 용융액의 높이가 낮은 경우(lm/lc<0.2)에는, 용융액의 온도 구배는 줄어들지만, 성장 공정중 원료 소모와 증발을 통해 용융액의 수위가 지속적으로 줄어들기 때문에 공정을 일정시간 이상 진행할 수 없는 단점이 있다.

결론적으로, 본 발명의 일 실시예와 같이, lm/lc의 값이 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 원료를 장입하여 용융액을 생성할 경우, 보통 품질 이상의 실리콘 카바이드 단결정을 얻을 수 있다.

이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따라 고품질의 단결정을 성장시키는 도가니의 바닥면을 기준으로한 종결정의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)의 비를 설명한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에서의 도가니의 바닥면을 기준으로한 종결정의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)를 나타낸 도면이다. 도 5는 도가니의 바닥면을 기준으로한 시드의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)의 비에 따른 단결정의 결정품질을 나타낸 표이다.

조건에 따른 단결정의 결정 품질을 알아보기 위하여, 도 5에 개시된 바와 같이, 용융액의 높이(lm)와 도가니의 내벽 높이(lc)의 비(이하 lm/lc)를 0.35로 일정하게 유지하며, 도가니의 바닥면을 기준으로한 종결정의 높이(ls)와 용융액의 높이(lm)의 비(이하 ls/lm)를 변화시켜 그에 따른 결정의 품질을 비교하는 실험을 진행하였다.

실험에서, 용융액은 Si-Cr에 소량의 Al이 첨가된 조성으로 진행하였고, 공정의 온도는 1900도를 유지하였으며, 원료를 흑연 도가니에 넣고 진공 배기 후 1기압의 헬륨 기체를 주입하였다. 그 후 온도를 유지시키면서, 용융액 내부의 탄소 농도가 포화 상태에 도달할 때까지 대기하였다. 대기한 후에는 종결정을 용융액을 향해 서서히 하강한 후 접촉 및 침지하여 24시간동안 성장 공정을 진행하였다. 24시간이 경과한 후에는 종결정을 용융액으로부터 인상하고 상온으로 냉각하여 결정의 품질을 관찰하였다.

실험결과, 비교예1에 따르면, ls/lm이 1인 경우, 결정성장속도는 빠르나, 분위기 가스와 종결정, 용액이 동시에 만나는 삼중점이 존재하고 삼중점을 중심으로 온도 구배가 매우 커서 다결정 실리콘 카바이드와 금속 용매 인클루전의 혼입이 생길 수 있다.

비교예2에 따르면, ls/lm이 0인 경우, 종결정이 도가니 바닥에 부착되어 성장하는 타입이나, 이 경우 상온에서 고상이 된 금속 용매를 제거하는 중 스트레스를 받은 샘플이 파손되어, 성장한 샘플을 회수하기 어려울 수 있다.

비교예3에 따르면, ls/lm이 0.95인 경우, 결정성장속도가 빠르고 용매 인클루전이 혼입되는 양은 비교예1보다 적으나, 성장계면이 가스와 직접 접촉이 없긴 하나 여전히 큰 온도구배로 인해 다결정 실리콘 카바이드와 금속 용매 인클루전의 혼입을 제거하기 어려운 문제가 발생할 수 있다.

비교예4에 따르면, ls/lm이 0.05인 경우, 온도구배가 작아 단결정의 성장 속도가 느리고, 도가니의 바닥에서 생성되는 실리콘 카바이드 다결정이 혼입될 수 있으며, 장시간 성장하게 되면 도가니 바닥에서부터 성장하는 다결정 실리콘 카바이드와 결합되어 샘플 회수가 불가한 문제가 발생할 수 있다.

그러나 실시예1에 따르면, ls/lm이 0.8인 경우, 결정성장속도가 우수하고 결정품질이 양호함을 알 수 있다. 또한 실시예2에 따르면, ls/lm이 0.2인 경우, 결정성장속도는 느리지만 결정품질이 양호함을 알 수 있다.

결론적으로, 본 발명의 일 실시예와 같이, ls/lm의 값이 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 원료를 장입하여 용융액을 생성할 경우, 고품질의 실시콘 카바이드 결정을 얻을 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

100: 도가니
200: 종결정 홀더
210: 종결정
300: 용융액

Claims (10)

1. 상면이 개방된 수용 공간을 형성하는 도가니;
   상기 도가니 내에 원료를 장입하여 생성되는 용융액; 및
   상기 용융액 내부에 위치하고, 종결정이 부착된 종결정 홀더를 포함하고,
   상기 용융액의 높이(lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하로 형성되는 단결정 성장 장치.
2. 제1항에서,
   상기 도가니의 바닥면을 기준으로한 상기 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비는 0.2 이상 0.8 이하로 형성되는 단결정 성장 장치.
3. 제1항에서,
   상기 종결정 홀더는 상하이동을 통해 상기 종결정의 위치를 조절하는 단결정 성장 장치.
4. 도가니와, 상기 도가니 내에 SiC 종결정이 부착된 종결정 홀더를 준비하는 단계;
   상기 도가니 내에 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계; 및
   상기 용융액에 상기 SiC 종결정을 접촉시켜 SiC 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고,
   상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 상기 용융액의 높이(lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단결정의 성장 방법.
5. 제4항에서,
   상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 상기 도가니의 바닥면을 기준으로한 상기 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비는 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 상기 원료를 장입하는 단결정의 성장 방법.
6. 제5항에서,
   상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 상기 도가니의 바닥면을 기준으로 한 종결정의 높이(ls)와 상기 용융액의 높이(lm)의 비가 0.2 이상 0.8 이하가 되도록 상기 종결정의 높이를 조절하는 단결정의 성장 방법.
7. 제4항에서,
   상기 도가니 내에 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계 후, 상기 SiC 종결정이 부착된 종결정 홀더를 상기 용융액 내부로 침지하는 단계를 더 포함하는 단결정의 성장 방법.
8. 제7항에서,
   상기 SiC 종결정이 부착된 상기 종결정 홀더를 상기 용융액 내부로 침지하는 단계 후, 일정 시간이 경과되면 상기 종결정 홀더를 통해 상기 종결정을 상기 용융액으로부터 인상하는 단계를 더 포함하는 단결정의 성장 방법.
9. 제8항에서,
   상기 종결정을 상기 용융액으로부터 인상하는 단계 후, 상기 종결정에 형성된 단결정을 상온으로 냉각하는 단계를 더 포함하는 단결정의 성장 방법.
10. 제4항에서,
    상기 원료를 장입하여 용융액을 생성하는 단계에서, 용융액의 높이(lm)와 상기 도가니의 내벽 높이(lc)의 비는 0.2 이상 0.5 이하가 되도록 상기 도가니의 내벽 높이(lc)를 조절하는 단결정의 성장 방법.

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