JPH04295097A - カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法 - Google Patents
カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法Info
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- JPH04295097A JPH04295097A JP8328891A JP8328891A JPH04295097A JP H04295097 A JPH04295097 A JP H04295097A JP 8328891 A JP8328891 A JP 8328891A JP 8328891 A JP8328891 A JP 8328891A JP H04295097 A JPH04295097 A JP H04295097A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカドミウムマンガンテル
ル単結晶体の製造方法に関する。
ル単結晶体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ をー般式とするカ
ドミウムマンガンテルルの単結晶体（以下Ｃｄ１−ｘＭ
ｎｘＴｅ 系単結晶体ということがある）は、光通信、
光情報記録等に用いる半導体レザーの戻り光防止用の光
アイソレータ素子や、光ファイバー用電流センサ素子等
に用いるファラデー材料であり、組成の相違により異な
る波長の分野で使用されるものである。また、当該単結
晶体はー般にはＣｄ、Ｍｎ、Ｔｅ等を原料としてこれら
の混合物をカーボンにて内面をコートしてなる石英アン
プル内に密閉した状態にてブリッジマン法によって製造
される。
ドミウムマンガンテルルの単結晶体（以下Ｃｄ１−ｘＭ
ｎｘＴｅ 系単結晶体ということがある）は、光通信、
光情報記録等に用いる半導体レザーの戻り光防止用の光
アイソレータ素子や、光ファイバー用電流センサ素子等
に用いるファラデー材料であり、組成の相違により異な
る波長の分野で使用されるものである。また、当該単結
晶体はー般にはＣｄ、Ｍｎ、Ｔｅ等を原料としてこれら
の混合物をカーボンにて内面をコートしてなる石英アン
プル内に密閉した状態にてブリッジマン法によって製造
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したブ
リッジマン法によるＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系単結晶体の
製造方法においては、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ の原料中
のＭｎの組成が増加すると石英アンプル中のＣｄ１−ｘ
ＭｎｘＴｅ 融液が単結晶の育成中にアンプルと反応し
易くなって良好な単結晶体の育成が望み得なくなり、さ
らにはアンプルとともに単結晶体中に亀裂が発生して製
品とはなり得ない。本発明者等はかかる問題に着目した
結果、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系の良好な単結晶体を育成
するにはＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅのＭｎ組成とＣｄ１−ｘ
ＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間との間に密接な関係が
あることを知得した。従って、本発明の目的は、かかる
知得に基づいて上記問題を解決することにある。
リッジマン法によるＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系単結晶体の
製造方法においては、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ の原料中
のＭｎの組成が増加すると石英アンプル中のＣｄ１−ｘ
ＭｎｘＴｅ 融液が単結晶の育成中にアンプルと反応し
易くなって良好な単結晶体の育成が望み得なくなり、さ
らにはアンプルとともに単結晶体中に亀裂が発生して製
品とはなり得ない。本発明者等はかかる問題に着目した
結果、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系の良好な単結晶体を育成
するにはＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅのＭｎ組成とＣｄ１−ｘ
ＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間との間に密接な関係が
あることを知得した。従って、本発明の目的は、かかる
知得に基づいて上記問題を解決することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｃｄ１−ｘＭ
ｎｘＴｅの原料をカーボンにて内面をコートしてなる石
英アンプル内に密閉した状態にてブリッジマン法によっ
て前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅの単結晶体を育成するカド
ミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法であり、前記
Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ中のＭｎの組成が多くなるに対応
して前記石英アンプル内での前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ
の融液状態の保持時間を短くすることを特徴とするもの
である。
ｎｘＴｅの原料をカーボンにて内面をコートしてなる石
英アンプル内に密閉した状態にてブリッジマン法によっ
て前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅの単結晶体を育成するカド
ミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法であり、前記
Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ中のＭｎの組成が多くなるに対応
して前記石英アンプル内での前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ
の融液状態の保持時間を短くすることを特徴とするもの
である。
【０００５】
【発明の作用・効果】Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ単結晶体に
おいて、表１に示すごとき特性の異なる各種のＣｄ１−
ｘＭｎｘＴｅ系単結晶体を製造する場合には表２に示す
ごとくＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ中のＭｎの組成を変更する
必要があるが、これらの単結晶体を製造する場合アンプ
ル内にあるＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間
は得られるＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの単結晶体の育成状態
に大きく影響し、表２に示すごとくＭｎの組成の増大に
対応してＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間を
短くすることが必要である。従って、本発明の製造方法
を採れば、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系の特性の異なる各種
の良好な単結晶体を製造することができる。なお、融液
状態の保持時間に関しては、Ｍｎ組成量に応じてアンプ
ルの形状、育成方法等を工夫して調整するようにするこ
ともできる。
おいて、表１に示すごとき特性の異なる各種のＣｄ１−
ｘＭｎｘＴｅ系単結晶体を製造する場合には表２に示す
ごとくＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ中のＭｎの組成を変更する
必要があるが、これらの単結晶体を製造する場合アンプ
ル内にあるＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間
は得られるＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの単結晶体の育成状態
に大きく影響し、表２に示すごとくＭｎの組成の増大に
対応してＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間を
短くすることが必要である。従って、本発明の製造方法
を採れば、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系の特性の異なる各種
の良好な単結晶体を製造することができる。なお、融液
状態の保持時間に関しては、Ｍｎ組成量に応じてアンプ
ルの形状、育成方法等を工夫して調整するようにするこ
ともできる。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例を示す。
（１）実験例
Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系においてｘの値を表２に示す７
種類の単結晶体を製造する実験を行った。各実験には垂
直ブリッジマン炉を用いるとともに、カーボンにて内面
をコートしてなる石英アンプルを用いた。上記ブリッジ
マン炉においては、高温部（炉の上部）および低温部（
炉の下部）を表３に示す温度に保持して、Ｃｄ、Ｍｎ、
Ｔｅを各ｘの値となるよう混合した原料を密封してなる
アンプルをー定速度で炉内を下降させ、同アンプルの下
方からＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ融液を単結晶化させた。な
お、用いたアンプルは外径１８ ｍｍ、内径１６ｍｍで
長さ１５０ｍｍの大きさのもであり、直径１６ｍｍで長
さ８０ｍｍの棒状のＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ単結晶体を育
成した。各実験においては、アンプル中のＣｄ１−ｘＭ
ｎｘＴｅ の融液状態（９００℃以上）の保持時間を変
化させて単結晶体の育成を行った。各保持時間に対する
単結晶体の育成状態を表２に示す。
種類の単結晶体を製造する実験を行った。各実験には垂
直ブリッジマン炉を用いるとともに、カーボンにて内面
をコートしてなる石英アンプルを用いた。上記ブリッジ
マン炉においては、高温部（炉の上部）および低温部（
炉の下部）を表３に示す温度に保持して、Ｃｄ、Ｍｎ、
Ｔｅを各ｘの値となるよう混合した原料を密封してなる
アンプルをー定速度で炉内を下降させ、同アンプルの下
方からＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ融液を単結晶化させた。な
お、用いたアンプルは外径１８ ｍｍ、内径１６ｍｍで
長さ１５０ｍｍの大きさのもであり、直径１６ｍｍで長
さ８０ｍｍの棒状のＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅ単結晶体を育
成した。各実験においては、アンプル中のＣｄ１−ｘＭ
ｎｘＴｅ の融液状態（９００℃以上）の保持時間を変
化させて単結晶体の育成を行った。各保持時間に対する
単結晶体の育成状態を表２に示す。
【０００７】
【表１】
【表２】
【表３】
【０００８】表２における○印、×印、××印、×××
印は下記の状態を意味する。 ○印：全体が良好な単結晶体であるもの。 ×印：単結晶体中に多結晶体が局部的に発生しているも
の。 ××印：アンプルにクラックが入ったのに起因して結晶
体にもクラックが入って おり、単結晶体中に多くの多結晶体が分散状態にあるも
の。 ×××印：アンプルが融液と反応して破壊され、不純物
としてＳｉを含む多結晶体であるもの。
印は下記の状態を意味する。 ○印：全体が良好な単結晶体であるもの。 ×印：単結晶体中に多結晶体が局部的に発生しているも
の。 ××印：アンプルにクラックが入ったのに起因して結晶
体にもクラックが入って おり、単結晶体中に多くの多結晶体が分散状態にあるも
の。 ×××印：アンプルが融液と反応して破壊され、不純物
としてＳｉを含む多結晶体であるもの。
【０００９】（考察）表２の結果を参照すると、実験１
および２のごとくｘが極めて小さい値のＣｄ１−ｘＭｎ
ｘＴｅ系においては、融液状態を２０時間〜３００ 時
間保持しても良好な単結晶体が得られるのに対して、実
験３および４のごとくｘが中程度の値のＣｄ１−ｘＭｎ
ｘＴｅ系においては融液状態を２０時間〜１５０ 時間
保持した場合には良好な単結晶体が得られるが、１５０
時間を越えると多結晶体が局部的に発生することが認め
られる。また、ｘがこれ以上漸次大きな値となるに伴い
、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系において良好な単結晶が得ら
れるための融液状態の保持時間は漸次短くなり、実験６
および７のごとくｘが大きい場合には、融液状態を２０
時間〜５０時間保持したときには良好な単結晶体が得ら
れるが、８０時間を越えるとすでに多結晶体が局部的に
発生することが認められる。
および２のごとくｘが極めて小さい値のＣｄ１−ｘＭｎ
ｘＴｅ系においては、融液状態を２０時間〜３００ 時
間保持しても良好な単結晶体が得られるのに対して、実
験３および４のごとくｘが中程度の値のＣｄ１−ｘＭｎ
ｘＴｅ系においては融液状態を２０時間〜１５０ 時間
保持した場合には良好な単結晶体が得られるが、１５０
時間を越えると多結晶体が局部的に発生することが認め
られる。また、ｘがこれ以上漸次大きな値となるに伴い
、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系において良好な単結晶が得ら
れるための融液状態の保持時間は漸次短くなり、実験６
および７のごとくｘが大きい場合には、融液状態を２０
時間〜５０時間保持したときには良好な単結晶体が得ら
れるが、８０時間を越えるとすでに多結晶体が局部的に
発生することが認められる。
【００１０】従って、Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ系において
ブリッジマン法により良好な単結晶体を得る場合には、
ｘの値の増大に対応してＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状
態の保持時間を短くすること、すなわちＭｎの組成の増
大に対応してＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時
間を短くすることが必要であるが判明した。
ブリッジマン法により良好な単結晶体を得る場合には、
ｘの値の増大に対応してＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状
態の保持時間を短くすること、すなわちＭｎの組成の増
大に対応してＣｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時
間を短くすることが必要であるが判明した。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅの原料をカーボンに
て内面をコートしてなる石英アンプル内に密閉した状態
にてブリッジマン法によって前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ
の単結晶体を育成するカドミウムマンガンテルル単結晶
体の製造方法であり、前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅ中のＭ
ｎの組成が多くなるに対応して前記石英アンプル内での
前記Ｃｄ１−ｘＭｎｘＴｅの融液状態の保持時間を短く
することを特徴とするカドミウムマンガンテルル単結晶
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328891A JPH04295097A (ja) | 1991-03-23 | 1991-03-23 | カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328891A JPH04295097A (ja) | 1991-03-23 | 1991-03-23 | カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295097A true JPH04295097A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=13798203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8328891A Pending JPH04295097A (ja) | 1991-03-23 | 1991-03-23 | カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04295097A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113428842A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-09-24 | 长安大学 | 一种碲锰镉纳米粉体及其制备方法 |
-
1991
- 1991-03-23 JP JP8328891A patent/JPH04295097A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113428842A (zh) * | 2021-06-08 | 2021-09-24 | 长安大学 | 一种碲锰镉纳米粉体及其制备方法 |
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