RU1431391C - Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия - Google Patents
Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия Download PDFInfo
- Publication number
- RU1431391C RU1431391C SU4076629A RU1431391C RU 1431391 C RU1431391 C RU 1431391C SU 4076629 A SU4076629 A SU 4076629A RU 1431391 C RU1431391 C RU 1431391C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cadmium
- melt
- cooling
- temperature
- charge
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам получения полупроводникового материала, может быть использовано в электронной технике, обеспечивает уменьшение плотности дислокаций, исключение двойников и упрощение способа. Способ включает нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера. Загрузку расплавляют, выдерживают расплав, после чего охлаждают. При охлаждении секцию с расплавом поддерживают в безградиентном температурном поле, а температуру в секции с кадмием - равной 755 - 765 С. Охлаждение ведут со скоростью, меньшей или равной 3С/ч. Получены монокристаллы площадью 15-20 см2, ориентированные по плоскости (III) с плотностью дислокаций 1·102-1·103 см+2. 1 табл.
Description
Изобретение относится к способам получения полупроводникового материала, конкретнее к выращиванию монокристаллов теллурида кадмия, и может быть использовано в электронной технике.
Цель изобретения - уменьшение плотности дислокаций, исключение двойников в кристаллах и упрощение процесса.
П р и м е р. Кварцевую ампулу, графитизированную в потоке ацетона, полуцилиндрической формы диаметром 40 мм и длиной 150 мм загружают поликристаллическим теллуридом кадмия (≈320 г). Далее ампулу помещают в кварцевый контейнер, состоящий из широкой части (длина 400 мм) и узкой части (длина 370 мм). В широкой части расположена графитизированная ампула с теллуридом кадмия, в узкой части - избыточный кадмий ( ≈2,4 г). Контейнер после откачки до 10-5 мм рт. ст. герметично запаивают и помещают в установку направленной кристаллизации, состоящей из двух трехзонных печей. Далее поликристаллическую загрузку расплавляют, доводя температуру печи до ≈1100оС. Температуру другой печи, в которой помещается отросток контейнера с избыточным кадмием, устанавливают равной 760оС, причем эта температура выбирается такой, чтобы согласно диаграмме состояния состав жидкой и твердой фаз отличался минимально. В печи с контейнером создается безградиентное температурное поле, аксиальное и радиальное распределение температуры которого измерено с точностью ±0,05оС. Расплав выдерживают в печи при температуре плавления в течение 2 ч, после чего производят охлаждение контейнера с расплавом. Указанные температуры в обеих печах поддерживаются с точностью ±0,25оС и измеряются посредством Pt-Pt/Rh 13% термопары. В данном конкретном примере скорость охлаждения расплава составляет 0,5оС/ч и устанавливается задатчиком ЗТА-1.
Другие примеры осуществляли аналогично примеру 1, при этом они отличались лишь скоростью охлаждения. Зависимость качества структуры и ориентации выращенных кристаллов от изменения скорости охлаждения расплава приведена в таблице.
Как видно из данных, приведенных в таблице, отсутствие двойников и задания ориентации обеспечиваются при скоростях охлаждения, меньших или равных 10оС/ч. При скорости охлаждения, равной или меньшей 3оС/ч, уменьшается плотность дислокации до уровня 1 ˙102-1 ˙ 103 см-2.
Таким образом, при предлагаемом режиме достигается высокое структурное качество кристаллов. Кроме того, предложенный способ позволяет существенно сократить потери материала за один технологический цикл в связи с тем, что поверхность расплава при кристаллизации образует кристаллографическую плоскость (III).
Предложенный способ позволяет получить монокристаллы теллурида кадмия площадью 15-20 см2, ориентированные в направлении (III), толщина которых определяется высотой контейнера (в примере 15-20 мм). Процесс прост и не требует сложной аппаратуры и регулировки. (56) Авторское свидетельство СССР N 1150994, кл. С 30 В 11/02, 29/48, 1983.
Claims (1)
- СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, включающий нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера, плавление загрузки, выдержку расплава и его последующее охлаждение с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности дислокаций, исключения двойников в кристаллах и упрощения процесса, при охлаждении в секции с расплавом поддерживают безградиентное температурное поле, а температуру в секции с кадмием 755 - 765oС и охлаждение ведут со скоростью, равной или меньшей 3 град/ч.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4076629 RU1431391C (ru) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4076629 RU1431391C (ru) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1431391C true RU1431391C (ru) | 1994-03-15 |
Family
ID=30440446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4076629 RU1431391C (ru) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1431391C (ru) |
-
1986
- 1986-06-20 RU SU4076629 patent/RU1431391C/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7972439B2 (en) | Method of growing single crystals from melt | |
US3173765A (en) | Method of making crystalline silicon semiconductor material | |
JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 | |
JP2007106669A (ja) | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 | |
RU1431391C (ru) | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия | |
US3261722A (en) | Process for preparing semiconductor ingots within a depression | |
US4764350A (en) | Method and apparatus for synthesizing a single crystal of indium phosphide | |
JP2010059052A (ja) | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法および装置 | |
JP2001192289A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
US6045767A (en) | Charge for vertical boat growth process and use thereof | |
JP2004203721A (ja) | 単結晶成長装置および成長方法 | |
SU1059029A1 (ru) | Способ получени монокристаллов @ из раствора-расплава | |
JP2531875B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH04187585A (ja) | 結晶成長装置 | |
JP3806793B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JP2922038B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JP2726887B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
KR970007336B1 (ko) | 압전소자용 및 레이저 발진자용 소재물질의 단결정 제조법 | |
JP2000327496A (ja) | InP単結晶の製造方法 | |
JPS60215597A (ja) | 結晶製造用ルツボ | |
JP2000327475A (ja) | 化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法 | |
JP2000154096A (ja) | SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
JPH01208389A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
JPH04164889A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPS6221787A (ja) | 半導体結晶成長法 |