JP3196182B2 - 単結晶の育成方法 - Google Patents
単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JP3196182B2 JP3196182B2 JP14650192A JP14650192A JP3196182B2 JP 3196182 B2 JP3196182 B2 JP 3196182B2 JP 14650192 A JP14650192 A JP 14650192A JP 14650192 A JP14650192 A JP 14650192A JP 3196182 B2 JP3196182 B2 JP 3196182B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mole number
- crystal
- group
- raw material
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣｄＴｅ等の単結晶を
育成する方法に関するものである。
育成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣｄＴｅ結晶を育成した例として
は、SOLID STATE TECHNOLOGY(June1990,83-86「文献
１」）、Jornal of Crystal Growth 70(1984,379-3
85「文献２」）、特開昭62-288193号公報「文献３」に
示すものがある。文献１には、ＶＢ（垂直ブリッジマン
法）によるＣｄＴｅ結晶育成が示されている。又、同２
には、ＣｄＴｅ原料とＢ２Ｏ３をルツボ中に入れ、加
熱，溶融されたＣｄＴｅ融液に種結晶を浸漬して結晶を
引き上げる、いわゆるＬＥＣ法（液体封止チョクラルス
キー法）によるＣｄＴｅ結晶の育成方法が示されてい
る。更に、同３には、同様の方法でルツボ内に成形体を
入れ、形状制御しながらＣｄＴｅ結晶を育成する方法が
示されている。
は、SOLID STATE TECHNOLOGY(June1990,83-86「文献
１」）、Jornal of Crystal Growth 70(1984,379-3
85「文献２」）、特開昭62-288193号公報「文献３」に
示すものがある。文献１には、ＶＢ（垂直ブリッジマン
法）によるＣｄＴｅ結晶育成が示されている。又、同２
には、ＣｄＴｅ原料とＢ２Ｏ３をルツボ中に入れ、加
熱，溶融されたＣｄＴｅ融液に種結晶を浸漬して結晶を
引き上げる、いわゆるＬＥＣ法（液体封止チョクラルス
キー法）によるＣｄＴｅ結晶の育成方法が示されてい
る。更に、同３には、同様の方法でルツボ内に成形体を
入れ、形状制御しながらＣｄＴｅ結晶を育成する方法が
示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の従来方
法では、種結晶を使用して育成しても、種付け直下で多
結晶化するため、ＣｄＴｅ結晶を単結晶化することが非
常に難しかった。本発明は、このような技術的背景のも
とになされたものであって、その目的は、種付け直下で
の多結晶化を防止し、単結晶を育成する方法を提供する
ことにある。
法では、種結晶を使用して育成しても、種付け直下で多
結晶化するため、ＣｄＴｅ結晶を単結晶化することが非
常に難しかった。本発明は、このような技術的背景のも
とになされたものであって、その目的は、種付け直下で
の多結晶化を防止し、単結晶を育成する方法を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明育成方法は、加熱，溶融されたＣｄＴｅ原
料融液に、ＣｄＴｅ種結晶を浸漬し、ＣｄＴｅ単結晶を
育成する方法において、ＣｄＴｅ単結晶を育成中の前記
ＣｄＴｅ原料融液の組成が、−０．０１＜（Ｃｄモル数
−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜０．０１を満たし、かつ
前記種結晶の方位が、＜１１１＞方向から１０度以内で
あることを特徴とする。
めに、本発明育成方法は、加熱，溶融されたＣｄＴｅ原
料融液に、ＣｄＴｅ種結晶を浸漬し、ＣｄＴｅ単結晶を
育成する方法において、ＣｄＴｅ単結晶を育成中の前記
ＣｄＴｅ原料融液の組成が、−０．０１＜（Ｃｄモル数
−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜０．０１を満たし、かつ
前記種結晶の方位が、＜１１１＞方向から１０度以内で
あることを特徴とする。
【０００５】又、このような育成方法において、の原料
融液及び／又は種結晶に、Ｉｎ，Ｍｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｃ
ｌ，Ａｌから選択された１種以上をドーピングしたこと
を特徴とする。
融液及び／又は種結晶に、Ｉｎ，Ｍｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｃ
ｌ，Ａｌから選択された１種以上をドーピングしたこと
を特徴とする。
【０００６】又、周期律表ＩＩ族（Ｃｄ，Ｚｎ，Ｈｇ）
及びＶＩ族（Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ）元素から選ばれた３種以
上を含むＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体材料を加熱，溶
融した原料融液に、この原料融液とほぼ同一組成の種結
晶を浸漬し、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体の単結晶を
育成する方法において、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体
の単結晶を育成中の前記原料融液の組成が、−０．０１
＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元
素モル数＜０．０１を満たし、かつ前記種結晶の方位
が、＜１１１＞方向から１０度以内であることを特徴と
する。
及びＶＩ族（Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ）元素から選ばれた３種以
上を含むＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体材料を加熱，溶
融した原料融液に、この原料融液とほぼ同一組成の種結
晶を浸漬し、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体の単結晶を
育成する方法において、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体
の単結晶を育成中の前記原料融液の組成が、−０．０１
＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元
素モル数＜０．０１を満たし、かつ前記種結晶の方位
が、＜１１１＞方向から１０度以内であることを特徴と
する。
【０００７】更に、このような育成方法において、原料
融液及び／又は種結晶に、Ｉｎ，Ｍｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｃ
ｌ，Ａｌから選択された１種以上をドーピングしたこと
を特徴とする。
融液及び／又は種結晶に、Ｉｎ，Ｍｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｃ
ｌ，Ａｌから選択された１種以上をドーピングしたこと
を特徴とする。
【０００８】
【作用】前記のように原料融液の組成と種結晶の方位を
限定することによって、種結晶と原料融液のなじみがよ
くなり、種付け直下での多結晶化を防止することができ
る。又、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体の単結晶を育成
する場合も、同様に原料融液の組成と種結晶の方位を限
定することによって、種結晶と原料融液のなじみがよく
なり、種付け直下での多結晶化を防止することができ
る。従って、種結晶から良質の単結晶を育成することが
できる。
限定することによって、種結晶と原料融液のなじみがよ
くなり、種付け直下での多結晶化を防止することができ
る。又、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体の単結晶を育成
する場合も、同様に原料融液の組成と種結晶の方位を限
定することによって、種結晶と原料融液のなじみがよく
なり、種付け直下での多結晶化を防止することができ
る。従って、種結晶から良質の単結晶を育成することが
できる。
【０００９】
【実施例】（実施例１） ＬＥＣ法により、＜１１１＞方向のＣｄＴｅ単結晶の育
成を行った。４インチ径の石英ルツボに、０＜（Ｃｄモ
ル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜０．０１で合成され
た１２００ｇのＣｄＴｅ原料と、２００ｇのＢ２Ｏ３を
投入し、種結晶には、＜１１１＞（方位精度±２ｄｅ
ｇ）を使用した。温度分布は、縦方向温度勾配１５０℃
／ｃｍ、径方向温度勾配５０℃／ｃｍであった。又、引
き上げ速度は、５ｍｍ／Ｈで育成した。
成を行った。４インチ径の石英ルツボに、０＜（Ｃｄモ
ル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜０．０１で合成され
た１２００ｇのＣｄＴｅ原料と、２００ｇのＢ２Ｏ３を
投入し、種結晶には、＜１１１＞（方位精度±２ｄｅ
ｇ）を使用した。温度分布は、縦方向温度勾配１５０℃
／ｃｍ、径方向温度勾配５０℃／ｃｍであった。又、引
き上げ速度は、５ｍｍ／Ｈで育成した。
【００１０】その結果、育成できた結晶は、直径３０ｍ
ｍ、長さ４０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は、３ｇで、育成中の原料融液の組成
は、−０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモ
ル数＜０．０１を満たしていた。
ｍ、長さ４０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は、３ｇで、育成中の原料融液の組成
は、−０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモ
ル数＜０．０１を満たしていた。
【００１１】一方、育成中の組成が、−０．０４＜（Ｃ
ｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜−０．０１又
は、０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル
数＜０．０４とずれたとき、或は種結晶の方位が、＜１
１１＞から１０ｄｅｇを超えてずれたときは種結晶の直
下で多結晶化し、単結晶化することが全くできなかっ
た。
ｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜−０．０１又
は、０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル
数＜０．０４とずれたとき、或は種結晶の方位が、＜１
１１＞から１０ｄｅｇを超えてずれたときは種結晶の直
下で多結晶化し、単結晶化することが全くできなかっ
た。
【００１２】（実施例２） ＶＢ法により、＜１１１＞方向のＣｄＺｎＴｅ単結晶の
育成を行った。内面をカーボンコートされた２インチ径
の石英管に、０＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル
数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０１の精度でＣｄ，Ｚ
ｎ，Ｔｅの各原料を、モル比０．９６：０．０４：１で
全量１０００ｇ封入し、種結晶には、ほぼ同組成の＜１
１１＞（方位精度±２ｄｅｇ）を使用した。温度分布
は、縦方向温度勾配５０℃／ｃｍ、又、成長速度は４ｍ
ｍ／Ｈで育成した。
育成を行った。内面をカーボンコートされた２インチ径
の石英管に、０＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル
数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０１の精度でＣｄ，Ｚ
ｎ，Ｔｅの各原料を、モル比０．９６：０．０４：１で
全量１０００ｇ封入し、種結晶には、ほぼ同組成の＜１
１１＞（方位精度±２ｄｅｇ）を使用した。温度分布
は、縦方向温度勾配５０℃／ｃｍ、又、成長速度は４ｍ
ｍ／Ｈで育成した。
【００１３】その結果、育成できた結晶は、直径５０ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は殆どなく、育成中の原料融液の組成
は、０＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／Ｖ
Ｉ族元素モル数＜０．０１を満たしていた。
ｍ、長さ５０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は殆どなく、育成中の原料融液の組成
は、０＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／Ｖ
Ｉ族元素モル数＜０．０１を満たしていた。
【００１４】一方、育成中の組成が、−０．０４＜（Ｉ
Ｉ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル
数＜−０．０１又は、０．０１＜（ＩＩ族元素モル数−
ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０４とず
れたとき、或は種結晶の方位が、＜１１１＞から１０ｄ
ｅｇを超えてずれたときは種結晶の直下で多結晶化し、
単結晶化することが全くできなかった。
Ｉ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル
数＜−０．０１又は、０．０１＜（ＩＩ族元素モル数−
ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０４とず
れたとき、或は種結晶の方位が、＜１１１＞から１０ｄ
ｅｇを超えてずれたときは種結晶の直下で多結晶化し、
単結晶化することが全くできなかった。
【００１５】（実施例３） ＬＥＣ法により、Ａｌドープされた＜１１１＞方向のＣ
ｄＴｅ単結晶の育成を行った。４インチ径の石英ルツボ
に、０＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜
０．０１で合成された１２００ｇのＣｄＴｅ原料と０．
１ｇのＡｌ、２００ｇのＢ２Ｏ３を投入し、種結晶に
は、＜１１１＞Ｂ（方位精度±２ｄｅｇ）を使用した。
温度分布は、縦方向温度勾配１５０℃／ｃｍ、径方向温
度勾配５０℃／ｃｍであった。又、引き上げ速度は、４
ｍｍ／Ｈで育成した。
ｄＴｅ単結晶の育成を行った。４インチ径の石英ルツボ
に、０＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜
０．０１で合成された１２００ｇのＣｄＴｅ原料と０．
１ｇのＡｌ、２００ｇのＢ２Ｏ３を投入し、種結晶に
は、＜１１１＞Ｂ（方位精度±２ｄｅｇ）を使用した。
温度分布は、縦方向温度勾配１５０℃／ｃｍ、径方向温
度勾配５０℃／ｃｍであった。又、引き上げ速度は、４
ｍｍ／Ｈで育成した。
【００１６】その結果、育成できた結晶は、直径３０ｍ
ｍ、長さ３０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は、２ｇで、育成中の原料融液の組成
は、−０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモ
ル数＜０．０１を満たしていた。
ｍ、長さ３０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は、２ｇで、育成中の原料融液の組成
は、−０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモ
ル数＜０．０１を満たしていた。
【００１７】一方、育成中の組成が、−０．０４＜（Ｃ
ｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜−０．０１又
は、０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル
数＜０．０４とずれたとき、或は種結晶の方位が、＜１
１１＞から１０ｄｅｇを超えてずれたときは種結晶の直
下で多結晶化し、単結晶化することが全くできなかっ
た。
ｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル数＜−０．０１又
は、０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル数）／Ｔｅモル
数＜０．０４とずれたとき、或は種結晶の方位が、＜１
１１＞から１０ｄｅｇを超えてずれたときは種結晶の直
下で多結晶化し、単結晶化することが全くできなかっ
た。
【００１８】（実施例４） ＶＢ法により、Ｉｎドープされた＜１１１＞方向のＣｄ
ＺｎＳｅＴｅ単結晶の育成を行った。内面をカーボンコ
ートされた２インチ径の石英管に、０＜（ＩＩ族元素モ
ル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０
１の精度でＣｄ，Ｚｎ，Ｓｅ，Ｔｅの各原料を、モル比
０．９０：０．１０：０．０３：０．９７で全量１００
０ｇ封入し、種結晶には、ほぼ同組成の＜１１１＞（方
位精度±２ｄｅｇ）を使用した。温度分布は、縦方向温
度勾配５０℃／ｃｍ、又、成長速度は２ｍｍ／Ｈで育成
した。
ＺｎＳｅＴｅ単結晶の育成を行った。内面をカーボンコ
ートされた２インチ径の石英管に、０＜（ＩＩ族元素モ
ル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０
１の精度でＣｄ，Ｚｎ，Ｓｅ，Ｔｅの各原料を、モル比
０．９０：０．１０：０．０３：０．９７で全量１００
０ｇ封入し、種結晶には、ほぼ同組成の＜１１１＞（方
位精度±２ｄｅｇ）を使用した。温度分布は、縦方向温
度勾配５０℃／ｃｍ、又、成長速度は２ｍｍ／Ｈで育成
した。
【００１９】その結果、育成できた結晶は、直径５０ｍ
ｍ、長さ４０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は殆どなく、育成中の原料融液の組成
は、０＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／Ｖ
Ｉ族元素モル数＜０．０１を満たしていた。
ｍ、長さ４０ｍｍの単結晶であった。尚、育成中の原料
からのＣｄ蒸発量は殆どなく、育成中の原料融液の組成
は、０＜（ＩＩ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／Ｖ
Ｉ族元素モル数＜０．０１を満たしていた。
【００２０】一方、育成中の組成が、−０．０４＜（Ｉ
Ｉ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル
数＜−０．０１又は、０．０１＜（ＩＩ族元素モル数−
ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０４とず
れたとき、或は種結晶の方位が、＜１１１＞から１０ｄ
ｅｇを超えてずれたときは種結晶の直下で多結晶化し、
単結晶化することが全くできなかった。
Ｉ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル
数＜−０．０１又は、０．０１＜（ＩＩ族元素モル数−
ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル数＜０．０４とず
れたとき、或は種結晶の方位が、＜１１１＞から１０ｄ
ｅｇを超えてずれたときは種結晶の直下で多結晶化し、
単結晶化することが全くできなかった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法によれ
ば、ＣｄＴｅ結晶又はＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体結
晶を育成する場合において、育成中の原料融液の組成と
単結晶方位を限定することによって、種結晶と原料融液
のなじみを向上させることができる。従って、種付け直
下の多結晶化を防止することができ、種結晶から大型の
単結晶を得ることができる。
ば、ＣｄＴｅ結晶又はＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体結
晶を育成する場合において、育成中の原料融液の組成と
単結晶方位を限定することによって、種結晶と原料融液
のなじみを向上させることができる。従って、種付け直
下の多結晶化を防止することができ、種結晶から大型の
単結晶を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (4)
- 【請求項１】 加熱，溶融されたＣｄＴｅ原料融液に、
ＣｄＴｅ種結晶を浸漬し、ＣｄＴｅ単結晶を育成する方
法において、ＣｄＴｅ単結晶を育成中の前記ＣｄＴｅ原
料融液の組成が、−０．０１＜（Ｃｄモル数−Ｔｅモル
数）／Ｔｅモル数＜０．０１を満たし、かつ前記種結晶
の方位が、＜１１１＞方向から１０度以内であることを
特徴とする単結晶の育成方法。 - 【請求項２】 原料融液及び／又は種結晶に、Ｉｎ，Ｍ
ｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｃｌ，Ａｌから選択された１種以上を
ドーピングしたことを特徴とする請求項１記載の単結晶
の育成方法。 - 【請求項３】 周期律表ＩＩ族（Ｃｄ，Ｚｎ，Ｈｇ）及
びＶＩ族（Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓ）元素から選ばれた３種以上
を含むＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体材料を加熱，溶融
した原料融液に、この原料融液とほぼ同一組成の種結晶
を浸漬し、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体の単結晶を育
成する方法において、ＩＩ−ＶＩ族混晶化合物半導体結
晶を育成中の前記原料融液の組成が、−０．０１＜（Ｉ
Ｉ族元素モル数−ＶＩ族元素モル数）／ＶＩ族元素モル
数＜０．０１を満たし、かつ前記種結晶の方位が、＜１
１１＞方向から１０度以内であることを特徴とする単結
晶の育成方法。 - 【請求項４】 原料融液及び／又は種結晶に、Ｉｎ，Ｍ
ｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｃｌ，Ａｌから選択された１種以上を
ドーピングしたことを特徴とする請求項３記載の単結晶
の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14650192A JP3196182B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14650192A JP3196182B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 単結晶の育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05310494A JPH05310494A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3196182B2 true JP3196182B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=15409060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14650192A Expired - Fee Related JP3196182B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196182B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5871580A (en) * | 1994-11-11 | 1999-02-16 | Japan Energy Corporation | Method of growing a bulk crystal |
| GB2308356A (en) * | 1995-12-19 | 1997-06-25 | Heatvision Technics Corp | Processing complex semiconductors |
| CN116536768B (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-29 | 浙江珏芯微电子有限公司 | 一种碲锌镉单晶的生长用坩埚及生长方法 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP14650192A patent/JP3196182B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05310494A (ja) | 1993-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102251281B (zh) | 采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法 | |
| US4999082A (en) | Process for producing monocrystalline group II-IV or group III-V compounds and products thereof | |
| US4528061A (en) | Process for manufacturing boron-doped gallium arsenide single crystal | |
| JP3196182B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| US3494730A (en) | Process for producing cadmium telluride crystal | |
| US4483735A (en) | Manufacturing process of semi-insulating gallium arsenide single crystal | |
| JPH0234597A (ja) | 水平ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法 | |
| US4853077A (en) | Process for the preparation of mono-crystalline 3-5 semi-insulating materials by doping and use of the semi-insulating materials thus obtained | |
| JPH11268998A (ja) | ＧａＡｓ単結晶インゴットおよびその製造方法ならびにそれを用いたＧａＡｓ単結晶ウエハ | |
| JP2736343B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| US4302280A (en) | Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions | |
| JPS61201700A (ja) | 高抵抗ＧａＡｓ結晶およびその製造方法 | |
| JP2733899B2 (ja) | レアア−ス・ガリウム・ペロブスカイト単結晶の育成方法 | |
| JPH01138199A (ja) | 鉛錫テルル系半導体単結晶 | |
| JPH0524117B2 (ja) | ||
| JP3945073B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP2922039B2 (ja) | 単結晶の成長方法 | |
| JP2527718B2 (ja) | 液体カプセル引き上げ法用封止剤及び単結晶の成長方法 | |
| JP2582318B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3451658B2 (ja) | 混晶半導体単結晶の成長方法 | |
| JPH04295097A (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法 | |
| JP3633212B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JPH0524115B2 (ja) | ||
| JP3021937B2 (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶の製造方法 | |
| JPH0788270B2 (ja) | 単結晶薄膜の育成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |