JPH0524117B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0524117B2 JPH0524117B2 JP59066297A JP6629784A JPH0524117B2 JP H0524117 B2 JPH0524117 B2 JP H0524117B2 JP 59066297 A JP59066297 A JP 59066297A JP 6629784 A JP6629784 A JP 6629784A JP H0524117 B2 JPH0524117 B2 JP H0524117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- crystal
- concentration
- ingot
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 43
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 5
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半絶縁性GaAsインゴツト結晶の成長
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（従来技術）
半絶縁性GaAsインゴツト結晶は、GaAs電界
効果トランジスタ、GaAs集積回路、さらには光
電子集積回路などの結晶基板として使われる。こ
れらの半導体装置において、半絶縁性GaAs結晶
基板は能動素子、受動素子、配線金属などを絶縁
分離する役割を果している。このために半絶縁性
GaAs結晶に要求されている比抵抗は107Ω−cm以
上とされている。
効果トランジスタ、GaAs集積回路、さらには光
電子集積回路などの結晶基板として使われる。こ
れらの半導体装置において、半絶縁性GaAs結晶
基板は能動素子、受動素子、配線金属などを絶縁
分離する役割を果している。このために半絶縁性
GaAs結晶に要求されている比抵抗は107Ω−cm以
上とされている。
不純物を意図的に添加せずに成長したGaAsイ
ンゴツト結晶では、結晶を成長させる際に用いる
石英るつぼや、GaAsの原料であるGaやAsなど
から混入するSiやＳなどの不純物による汚染は避
けられなく、これらの不純物は少なくとも1015cm
−３以上、多い場合には1017cm-3程度含まれてい
る。これらSiやＳはGaAs結晶において浅いドナ
ー不純物準位を形成するために、低抵抗のＮ形
GaAs結晶しかできない。
ンゴツト結晶では、結晶を成長させる際に用いる
石英るつぼや、GaAsの原料であるGaやAsなど
から混入するSiやＳなどの不純物による汚染は避
けられなく、これらの不純物は少なくとも1015cm
−３以上、多い場合には1017cm-3程度含まれてい
る。これらSiやＳはGaAs結晶において浅いドナ
ー不純物準位を形成するために、低抵抗のＮ形
GaAs結晶しかできない。
そこで、従来は前記のSiやＳなどによる浅いド
ナー準位を補償して高抵抗にすべく、GaAsイン
ゴツト結晶の成長に際して、深いアクセプタ準位
を形成するCrを意図的に添加していた。このと
きのCr添加量はCrによる補償中心の密度がSiや
Ｓなどで生じた浅いドナー準位密度以上になるよ
うにする必要があつた。このCr添加量は、Crの
偏析係数が６×10-4と極めて小さいので、シード
側ほどCr濃度が低くなることを考慮して決める
必要があり、通常は過剰な量のCrを添加してい
た。
ナー準位を補償して高抵抗にすべく、GaAsイン
ゴツト結晶の成長に際して、深いアクセプタ準位
を形成するCrを意図的に添加していた。このと
きのCr添加量はCrによる補償中心の密度がSiや
Ｓなどで生じた浅いドナー準位密度以上になるよ
うにする必要があつた。このCr添加量は、Crの
偏析係数が６×10-4と極めて小さいので、シード
側ほどCr濃度が低くなることを考慮して決める
必要があり、通常は過剰な量のCrを添加してい
た。
（従来技術の問題）
しかしながら、このような極めて小さな偏析係
数を有するCrを添加して浅いドナー準位を補償
する方法には、次の問題があつた。すなわち、イ
ンゴツト結晶から切り出したGaAs結晶基板で
は、その切り出し位置によつてCr濃度が異なる
ことである。別な表現をするとCrの過剰な程度
がGaAs結晶基板ごとに異なることは避けられな
かつた。従つて、このような結晶基板のすべてで
同一の自由電子濃度を得るためには、例えば、Si
のイオン注入を行なう際に、Crの過剰の程度に
応じて注入条件を設定しなければならない煩わし
さがあつた。
数を有するCrを添加して浅いドナー準位を補償
する方法には、次の問題があつた。すなわち、イ
ンゴツト結晶から切り出したGaAs結晶基板で
は、その切り出し位置によつてCr濃度が異なる
ことである。別な表現をするとCrの過剰な程度
がGaAs結晶基板ごとに異なることは避けられな
かつた。従つて、このような結晶基板のすべてで
同一の自由電子濃度を得るためには、例えば、Si
のイオン注入を行なう際に、Crの過剰の程度に
応じて注入条件を設定しなければならない煩わし
さがあつた。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記の問題を解消することに
より、インゴツト結晶から切り出した結晶基板の
すべてに、不純物のイオン注入条件として同一の
注入条件を適用しても同一の自由電子濃度を再現
性良く得ることのできる半絶縁性GaAs結晶の成
長方法を提供することにある。
より、インゴツト結晶から切り出した結晶基板の
すべてに、不純物のイオン注入条件として同一の
注入条件を適用しても同一の自由電子濃度を再現
性良く得ることのできる半絶縁性GaAs結晶の成
長方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の半絶縁性GaAs結晶の成長方法は、
GaAsインゴツト結晶の成長に際して、Ga，As
及び微量のＣからなる融成物に、制御された量の
酸素をドープしてGaAsインゴツト結晶を成長さ
せることから構成される。
GaAsインゴツト結晶の成長に際して、Ga，As
及び微量のＣからなる融成物に、制御された量の
酸素をドープしてGaAsインゴツト結晶を成長さ
せることから構成される。
（本発明の原理）
次に、本発明の目的たる自由電子濃度の制御の
方法とその原理について説明する。
方法とその原理について説明する。
前記のSi，Ｓなどの浅いドナー不純物による準
位をND、意図的にドープしたＣによる浅いアク
セプタ不純物、酸素による深いドナー不純物によ
る準位密度をそれぞれNA，NDDとし、さらに動作
層を形成すべくドープしたSoなどによるドナー準
位密度をND′すると、形成された動作層の電子濃
度ｎはNDDとは独立に、 ｎ＝ND′−（NA−ND） ……(1) で表わされる。現在の結晶成長技術ではNDを５
×1014cm-3以下に押さえることができ、このNDの
大きさはND′の１〜３×1017cm-3に比べると無視
できるから(1)式は ｎ＝ND′−NA ……(2) と表現してもさしつかえない。
位をND、意図的にドープしたＣによる浅いアク
セプタ不純物、酸素による深いドナー不純物によ
る準位密度をそれぞれNA，NDDとし、さらに動作
層を形成すべくドープしたSoなどによるドナー準
位密度をND′すると、形成された動作層の電子濃
度ｎはNDDとは独立に、 ｎ＝ND′−（NA−ND） ……(1) で表わされる。現在の結晶成長技術ではNDを５
×1014cm-3以下に押さえることができ、このNDの
大きさはND′の１〜３×1017cm-3に比べると無視
できるから(1)式は ｎ＝ND′−NA ……(2) と表現してもさしつかえない。
(2)式からわかることはｎを制御するにはNAを
制御する、すなわち浅いアクセプタのＣの濃度を
制御すると良いことである。Ｃ以外にMg，Be，
Mnなども考えられるが、GaAsに対する偏析係
数はＣが0.8で１に最も近い。従つてＣにはCrな
どとは違ってインゴツト結晶の成長方向に対して
も均一に取り込まれる利点がある。
制御する、すなわち浅いアクセプタのＣの濃度を
制御すると良いことである。Ｃ以外にMg，Be，
Mnなども考えられるが、GaAsに対する偏析係
数はＣが0.8で１に最も近い。従つてＣにはCrな
どとは違ってインゴツト結晶の成長方向に対して
も均一に取り込まれる利点がある。
次に、Ｃ濃度の制御性について述べる。Ｃの融
点は常圧で3000℃以上で、GaAsの融成物中には
難溶で、かつ、融成物中に溶け込む量の制御が現
実には困難であつた。しかし、GaAs結晶中に取
り込まれるＣの濃度が酸素の量によつて制御され
るという発見に基づいて前記の問題であるＣ濃度
の制御性の低さを解決できることがわかつた。こ
のことを第１図ａ，ｂを用いて説明する。第１図
ａは融成物中の酸素のモル比を横軸に、結晶中に
取り込まれた酸素の濃度を縦軸に示したもので、
第１図ｂはGaAs結晶に取り込まれた酸素の濃度
に対応してGaAs結晶に取り込まれたＣの濃度を
示す結果である。第１図ａ，ｂから、GaAs結晶
中のＣの濃度は、融成物中の酸素のモル比で制御
されることがわかつた。
点は常圧で3000℃以上で、GaAsの融成物中には
難溶で、かつ、融成物中に溶け込む量の制御が現
実には困難であつた。しかし、GaAs結晶中に取
り込まれるＣの濃度が酸素の量によつて制御され
るという発見に基づいて前記の問題であるＣ濃度
の制御性の低さを解決できることがわかつた。こ
のことを第１図ａ，ｂを用いて説明する。第１図
ａは融成物中の酸素のモル比を横軸に、結晶中に
取り込まれた酸素の濃度を縦軸に示したもので、
第１図ｂはGaAs結晶に取り込まれた酸素の濃度
に対応してGaAs結晶に取り込まれたＣの濃度を
示す結果である。第１図ａ，ｂから、GaAs結晶
中のＣの濃度は、融成物中の酸素のモル比で制御
されることがわかつた。
（実施例）
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例に用いられる成長炉
の要部を示す断面図である。この成長炉は、石英
製の反応管２１の一方の側に、種結晶２２とAs2
O3を含むGa，Asの融成物２４と、微量の粉末Ｃ
２５を入れた熱合成法窒化ボロン製のボート２３
を配置し、拡散バリア２６をへだてて反応管２１
の他方の側に粉末As２７を置いたボート成長法
の炉で構成される。粉末Ｃ２５の量はGa，Asの
融成物に対し150wt.ppm程度以上、粉末As２７
の量は成長中にAsの平衡蒸気圧が保持できる程
度の量であれば良い。なお、As2O3として添加し
た酸素の量は、本実施例ではモル比で1.85×10-5
である。
の要部を示す断面図である。この成長炉は、石英
製の反応管２１の一方の側に、種結晶２２とAs2
O3を含むGa，Asの融成物２４と、微量の粉末Ｃ
２５を入れた熱合成法窒化ボロン製のボート２３
を配置し、拡散バリア２６をへだてて反応管２１
の他方の側に粉末As２７を置いたボート成長法
の炉で構成される。粉末Ｃ２５の量はGa，Asの
融成物に対し150wt.ppm程度以上、粉末As２７
の量は成長中にAsの平衡蒸気圧が保持できる程
度の量であれば良い。なお、As2O3として添加し
た酸素の量は、本実施例ではモル比で1.85×10-5
である。
まず、ボート２３に入れたGa，Asの融成物２
４と粉末Ｃ２５が溶融するように1250℃以上に反
応管２１を加熱し、さらに粉末As２７を610℃に
加熱して、As蒸気２８を発生させる。次に、融
成物の温度を種結晶２２側から1050〜1200℃に下
げてGaAsインゴツト結晶を少しずつ成長させ
る。
４と粉末Ｃ２５が溶融するように1250℃以上に反
応管２１を加熱し、さらに粉末As２７を610℃に
加熱して、As蒸気２８を発生させる。次に、融
成物の温度を種結晶２２側から1050〜1200℃に下
げてGaAsインゴツト結晶を少しずつ成長させ
る。
このようにして成長したGaAsのインゴツト結
晶は、比抵抗が４×107Ω−cm以上もあり、不純
物濃度としてはSiが１×1015，Ｃが６×1015cm-3、
酸素が３×1016cm-3であつた。また１に近いＣの
偏析係数を反映してＣの濃度はインゴツト結晶の
成長方向に均一に分布していた。
晶は、比抵抗が４×107Ω−cm以上もあり、不純
物濃度としてはSiが１×1015，Ｃが６×1015cm-3、
酸素が３×1016cm-3であつた。また１に近いＣの
偏析係数を反映してＣの濃度はインゴツト結晶の
成長方向に均一に分布していた。
その結果、本実施例になるGaAsインゴツト結
晶から切り出した結晶基板のすべてに対して、同
一のイオン注入条件を適用してもすべて同じ自由
電子濃度をもつたイオン注入層を再現性良く得る
ことができた。
晶から切り出した結晶基板のすべてに対して、同
一のイオン注入条件を適用してもすべて同じ自由
電子濃度をもつたイオン注入層を再現性良く得る
ことができた。
なお、本発明における制御された量の酸素のド
ープ方法としては、実施例で述べたAs2O3を用い
る方法の他に、酸素を直接に反応管内に導入する
方法、あるはGa2O3を用いる方法などがあるが、
酸素のドープ方法によつて本発明が制約されるこ
とはない。また、実施例で用いたボート成長法の
みならず引き上げ法に対しても本発明が適用でき
ることはいうまでもない。
ープ方法としては、実施例で述べたAs2O3を用い
る方法の他に、酸素を直接に反応管内に導入する
方法、あるはGa2O3を用いる方法などがあるが、
酸素のドープ方法によつて本発明が制約されるこ
とはない。また、実施例で用いたボート成長法の
みならず引き上げ法に対しても本発明が適用でき
ることはいうまでもない。
（発明の効果）
以上、詳細説明したとおり、本発明によれば、
Ga，As及び微量のＣからなる融成物中に、制御
された量の酸素をドープしてGaAsインゴツト結
晶を成長させることにより、インゴツト結晶全体
にわたりＣ濃度が均一であるGaAsインゴツト結
晶が得られるので、インゴツト結晶から切り出し
た結晶基板のすべてに、不純物のイオン注入条件
として同一の注入条件を適用しても同一の自由電
子濃度を再現性良く得ることのできる半絶縁性
GaAs結晶の成長方法が得られる。
Ga，As及び微量のＣからなる融成物中に、制御
された量の酸素をドープしてGaAsインゴツト結
晶を成長させることにより、インゴツト結晶全体
にわたりＣ濃度が均一であるGaAsインゴツト結
晶が得られるので、インゴツト結晶から切り出し
た結晶基板のすべてに、不純物のイオン注入条件
として同一の注入条件を適用しても同一の自由電
子濃度を再現性良く得ることのできる半絶縁性
GaAs結晶の成長方法が得られる。
第１図ａ，ｂは本発明における濃度制御方法の
原理を説明するための特性図、第２図は本発明の
一実施例に用いられる成長炉の要部を示す断面図
である。 ２１……反応管、２２……種結晶、２３……ボ
ート、２４……As2O3を含むGa，Asの融成物、
２５……粉末Ｃ、２６……拡散バリア、２７……
粉末As、２８……As蒸気。
原理を説明するための特性図、第２図は本発明の
一実施例に用いられる成長炉の要部を示す断面図
である。 ２１……反応管、２２……種結晶、２３……ボ
ート、２４……As2O3を含むGa，Asの融成物、
２５……粉末Ｃ、２６……拡散バリア、２７……
粉末As、２８……As蒸気。
Claims (1)
- １ GaAsインゴツト結晶の成長に際して、Ga，
As及び微量のＣからなる融成物に制御された量
の酸素をドープしてGaAsインゴツト結晶を成長
させることを特徴とする半絶縁性GaAs結晶の成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066297A JPS60210599A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066297A JPS60210599A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60210599A JPS60210599A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH0524117B2 true JPH0524117B2 (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=13311736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066297A Granted JPS60210599A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60210599A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2800954B2 (ja) | 1991-07-29 | 1998-09-21 | 信越半導体 株式会社 | 化合物半導体単結晶 |
| JP3201305B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2001-08-20 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| JP3596337B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2004-12-02 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59066297A patent/JPS60210599A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60210599A (ja) | 1985-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE41551E1 (en) | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal | |
| US4999082A (en) | Process for producing monocrystalline group II-IV or group III-V compounds and products thereof | |
| US5553566A (en) | Method of eliminating dislocations and lowering lattice strain for highly doped N+ substrates | |
| US4594173A (en) | Indium doped gallium arsenide crystals and method of preparation | |
| JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH0524117B2 (ja) | ||
| JP2003206200A (ja) | ｐ型ＧａＡｓ単結晶及びその製造方法 | |
| JPH0543679B2 (ja) | ||
| JP2529934B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0557240B2 (ja) | ||
| US4853077A (en) | Process for the preparation of mono-crystalline 3-5 semi-insulating materials by doping and use of the semi-insulating materials thus obtained | |
| JP2736343B2 (ja) | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JP3196182B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPH0529639B2 (ja) | ||
| JPH0569798B2 (ja) | ||
| JPS60231500A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法 | |
| JP2645418B2 (ja) | ＧａＡｓ化合物半導体単結晶 | |
| JPS6270298A (ja) | リン化インジウム単結晶の製造方法 | |
| JPH0476355B2 (ja) | ||
| JP2593148B2 (ja) | 化合物半導体の単結晶の育成方法 | |
| JPS60235798A (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶 | |
| JP3451658B2 (ja) | 混晶半導体単結晶の成長方法 | |
| JP2750307B2 (ja) | ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JPH0788277B2 (ja) | 半絶縁性ガリウム砒素単結晶 | |
| JPH0317799B2 (ja) |