JPS60210599A - 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 - Google Patents
半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法Info
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- JPS60210599A JPS60210599A JP59066297A JP6629784A JPS60210599A JP S60210599 A JPS60210599 A JP S60210599A JP 59066297 A JP59066297 A JP 59066297A JP 6629784 A JP6629784 A JP 6629784A JP S60210599 A JPS60210599 A JP S60210599A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半絶縁性ＧａＡｓインゴット結晶の成長方法に
関するものでおる。
関するものでおる。
（従来技術）
半絶縁性ＧａＡｓインゴット結晶は、ＧａＡ３電界効宋
トランジスタ、 ＧａＡｓ ’ｔｌｋ積回路、さらには
光電子弔積回路などの結晶基板として使われる。これら
の半導体装置において、半絶縁性ＧａＡｓ結晶基板は能
動素子、受動素子、配線金属などを絶縁分離する役割全
果している。このために半絶縁性ＧａＡｓ結晶に要求さ
れている比抵抗はＩＱ’Ｑ−ｃｍ以上とされている。
トランジスタ、 ＧａＡｓ ’ｔｌｋ積回路、さらには
光電子弔積回路などの結晶基板として使われる。これら
の半導体装置において、半絶縁性ＧａＡｓ結晶基板は能
動素子、受動素子、配線金属などを絶縁分離する役割全
果している。このために半絶縁性ＧａＡｓ結晶に要求さ
れている比抵抗はＩＱ’Ｑ−ｃｍ以上とされている。
不純物を意図的に添加せずに成長したＧａＡｓインゴッ
ト結晶では、結晶を成長させる際に用いる石英るつぼや
、ＧａＡｓの原料であるＧａ ｆ Ａｓなどから混入す
るＳｉやＳなどの不純物による汚染は辿けられなく、こ
れらの不純物は少なくとも１０１５ｃｔｎ″′″３以上
、多い場合には１０”ｃｍ”程度含まれている。これら
ＳｉやＳｋｉ ＧａＡｓ結晶において浅いドナー不純物
準位會形成するために、但抵抗のＮ形ＧａＡｓ結晶しか
できない。
ト結晶では、結晶を成長させる際に用いる石英るつぼや
、ＧａＡｓの原料であるＧａ ｆ Ａｓなどから混入す
るＳｉやＳなどの不純物による汚染は辿けられなく、こ
れらの不純物は少なくとも１０１５ｃｔｎ″′″３以上
、多い場合には１０”ｃｍ”程度含まれている。これら
ＳｉやＳｋｉ ＧａＡｓ結晶において浅いドナー不純物
準位會形成するために、但抵抗のＮ形ＧａＡｓ結晶しか
できない。
そこで、従来は前記の８ｉやＳなどによる浅いドナー準
位を補償して高抵抗にすべく、Ｇ ａＡｓインゴット結
晶の成長に際して、深いアクセプタ準位を形成するＣｒ
ｆ意１％ｌ的に添加していた。このときのＣｒＱｉ加
量はＣｒによる補償中心の密度がＳｉやＳなどで生じた
浅いドナー準位密度以上になるようにする必要があった
。このＣｒ隊加叶は、Ｃｒの偏朽係収が６Ｘ１０’と忰
めて小きいので、シード側はどＣｒ７ｊｉＨＬかイハ、
くなることを考慮して決める必要があり、通富は過剰な
吐のＣｒｆｌ小加していた。
位を補償して高抵抗にすべく、Ｇ ａＡｓインゴット結
晶の成長に際して、深いアクセプタ準位を形成するＣｒ
ｆ意１％ｌ的に添加していた。このときのＣｒＱｉ加
量はＣｒによる補償中心の密度がＳｉやＳなどで生じた
浅いドナー準位密度以上になるようにする必要があった
。このＣｒ隊加叶は、Ｃｒの偏朽係収が６Ｘ１０’と忰
めて小きいので、シード側はどＣｒ７ｊｉＨＬかイハ、
くなることを考慮して決める必要があり、通富は過剰な
吐のＣｒｆｌ小加していた。
（従来紋術の間１７ｊｌ ）
しかしなから、このような極めて小さな１柚析係？’ｉ
ｋ有するＣｒ ’ｔｒ： ｈｅｒ加して浅いドナー卆位
ケ袖イｄする方法には、吹の問題があった。′ｊ−なわ
ち、インゴット結晶から切り川した（ＪａＡｓ結晶華仮
では、その切り出しイ）ｌ置によってＣｒ ａ４度が異
なることである。別な表ψ、をするとＣｒの禍根］な朴
良がＧａＡｓ結晶基板ごとに異なることは避けられなか
った。従って、このような結鯖基椋のすべてで同一の自
由電子７農度を得るためには、例えば、Ｓｉのイオン注
入ケ付なう際に、Ｃｒの過剰の程１更に応じて注入条件
全設定しなけれはならない煩わしさがあった。
ｋ有するＣｒ ’ｔｒ： ｈｅｒ加して浅いドナー卆位
ケ袖イｄする方法には、吹の問題があった。′ｊ−なわ
ち、インゴット結晶から切り川した（ＪａＡｓ結晶華仮
では、その切り出しイ）ｌ置によってＣｒ ａ４度が異
なることである。別な表ψ、をするとＣｒの禍根］な朴
良がＧａＡｓ結晶基板ごとに異なることは避けられなか
った。従って、このような結鯖基椋のすべてで同一の自
由電子７農度を得るためには、例えば、Ｓｉのイオン注
入ケ付なう際に、Ｃｒの過剰の程１更に応じて注入条件
全設定しなけれはならない煩わしさがあった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記の問題全解消することにより、イ
ンゴット結晶から切り出した結晶基板のすべてに、不純
物のイオン注入条件として同一の注入条件全設定しても
同一の目由電−ｆ−ａ度勿再現性良く得ることのできる
半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法全提供することにある
。
ンゴット結晶から切り出した結晶基板のすべてに、不純
物のイオン注入条件として同一の注入条件全設定しても
同一の目由電−ｆ−ａ度勿再現性良く得ることのできる
半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法全提供することにある
。
（発明の構成）
本発明の半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法は、ＧａＡｓ
インゴット結晶の成長に際して、Ｇａ ｔＡｓ及び微量
のＣからなる融成物に、制御された計の酸素をドープし
てＧａＡｓ インゴット結晶を成長させることから構成
される。
インゴット結晶の成長に際して、Ｇａ ｔＡｓ及び微量
のＣからなる融成物に、制御された計の酸素をドープし
てＧａＡｓ インゴット結晶を成長させることから構成
される。
（本発明の原理）
次に、本発明の目的たる自由電子濃度の制御の方法とそ
の原理について説明する。
の原理について説明する。
前記のＳｉ 、Ｓなどの浅いドナー不純物による準位ｋ
Ｎｏ ｅ意図的にドープしたＣによる浅いアクセプタ不
純物、酸素による深いドナー不純物による準位密度をそ
れぞれＮ Ａ ＊ Ｎ ＤＤとし、さらに動作へ≧ １會全形成すべくドープしたＳｎ などによるドナ塾位
密＃３ｔをＮＤ′すると、形成されたｉｌ１作層の電子
濃ｊ誌ｎはＮＩ）Ｄとは独立に、 ” ＝”Ｄ’−（ＮＡ −Ｎｏ） −−・＝ （１）で
表わさＩＬる。現在の帖品Ｊ次長技術ではＮＤ奮５Ｘ
Ｊ、０”ｃｍ ３以°ドに押えることかでさ、このＮＯ
の人すヒはＮＤ′の１〜３ Ｘ １０’Ｃ１ｎ−３に比
べるとＪ１！（視できるから（１）式は ｎ＝Ｊ＼Ｄ’ −１”ｌＡ −−−（２）と表現しても
さしつかえない。
Ｎｏ ｅ意図的にドープしたＣによる浅いアクセプタ不
純物、酸素による深いドナー不純物による準位密度をそ
れぞれＮ Ａ ＊ Ｎ ＤＤとし、さらに動作へ≧ １會全形成すべくドープしたＳｎ などによるドナ塾位
密＃３ｔをＮＤ′すると、形成されたｉｌ１作層の電子
濃ｊ誌ｎはＮＩ）Ｄとは独立に、 ” ＝”Ｄ’−（ＮＡ −Ｎｏ） −−・＝ （１）で
表わさＩＬる。現在の帖品Ｊ次長技術ではＮＤ奮５Ｘ
Ｊ、０”ｃｍ ３以°ドに押えることかでさ、このＮＯ
の人すヒはＮＤ′の１〜３ Ｘ １０’Ｃ１ｎ−３に比
べるとＪ１！（視できるから（１）式は ｎ＝Ｊ＼Ｄ’ −１”ｌＡ −−−（２）と表現しても
さしつかえない。
（２）式かられかることは”ｋｆｈ’Ｊ御するにはＮＡ
を制御する、す／よりち浅いアクセプタのＣの濃度を制
御すると良いことである。Ｃ以外にＭｇ 、 Ｂｅ 。
を制御する、す／よりち浅いアクセプタのＣの濃度を制
御すると良いことである。Ｃ以外にＭｇ 、 Ｂｅ 。
Ｍｎなども考えらＩＬるが、ＧａＡｓに対する偏析係敬
はＣが０．８で１に最も近い。従ってＣにはＣｒなどと
は理っ゛〔インゴット結晶の成長方間に幻しても均一に
取り込まｔ’Ｌる利点かめる。
はＣが０．８で１に最も近い。従ってＣにはＣｒなどと
は理っ゛〔インゴット結晶の成長方間に幻しても均一に
取り込まｔ’Ｌる利点かめる。
次に、Ｃ知度の制御性について述べる。Ｃの融点はん圧
で３０００℃以上で、ＵａＡｓの融成物中には釧、溶で
、かつ、融成物中に溶は込む址の制御が現実ＶＣは困難
であった。しかし、ＧａＡｓ結晶中に収り込まτＬるＣ
の＃反が酸素の量によって制御されるという発見に基づ
いて前記の問題であるＣ′ａ度の制仙１性の低さ全解決
できることがわかった。
で３０００℃以上で、ＵａＡｓの融成物中には釧、溶で
、かつ、融成物中に溶は込む址の制御が現実ＶＣは困難
であった。しかし、ＧａＡｓ結晶中に収り込まτＬるＣ
の＃反が酸素の量によって制御されるという発見に基づ
いて前記の問題であるＣ′ａ度の制仙１性の低さ全解決
できることがわかった。
このことを第１図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。第
１図（ａ）は融成物沖の酸素のモル比を横軸に、結晶中
に取り込まれた酸素の濃度を縦軸にボしたもので、第１
図（ｂ）はＧａＡｓ結晶に収り込まれた酸素のｔ度に対
応してＧａＡｓ結晶に取り込まれたＣの濃度を示す結果
である。第１図（ａ）、（ｂ） から、０ａＡｓ結晶中
のＣの濃度は、融成物中の酸素のモル比で制ａされるこ
とがわかった。
１図（ａ）は融成物沖の酸素のモル比を横軸に、結晶中
に取り込まれた酸素の濃度を縦軸にボしたもので、第１
図（ｂ）はＧａＡｓ結晶に収り込まれた酸素のｔ度に対
応してＧａＡｓ結晶に取り込まれたＣの濃度を示す結果
である。第１図（ａ）、（ｂ） から、０ａＡｓ結晶中
のＣの濃度は、融成物中の酸素のモル比で制ａされるこ
とがわかった。
（実施例）
久に、本発明の実施例ケ図向を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例に用いられる成長炉の要部を
示す断面図である。この成長炉は、石英製の反応管２１
の一方の側に、棟結晶２２とＡＳ ２０３全含むＧａ
ｔＡ Ｓの融成物２４と、微量の粉末Ｃ２５を入れた熱
合成性窒化ボロン製のボート２３を配置し、拡散バリア
２６をへだてて反応管２１の他方の側に粉末Ａｓ２７ｅ
置いたボート成長法の炉でｌ駒戎される。粉末Ｃ２５の
計は（Ｊａ 、Ａｓ の融成物に対し１５０ｗｔ、 ｐ
ｐｍ程反以上、粉末ＡＳ２７の敏は成ノーご中にＡｓ
の平衡蒸気圧が１呆持できる程度のｆｉｌであれば艮い
。なお、Ａｓ２（Ｊ３ としてＳｋ加した酸素の針は、
本実施例ではモル比で１．８５Ｘ１０−５ である。
示す断面図である。この成長炉は、石英製の反応管２１
の一方の側に、棟結晶２２とＡＳ ２０３全含むＧａ
ｔＡ Ｓの融成物２４と、微量の粉末Ｃ２５を入れた熱
合成性窒化ボロン製のボート２３を配置し、拡散バリア
２６をへだてて反応管２１の他方の側に粉末Ａｓ２７ｅ
置いたボート成長法の炉でｌ駒戎される。粉末Ｃ２５の
計は（Ｊａ 、Ａｓ の融成物に対し１５０ｗｔ、 ｐ
ｐｍ程反以上、粉末ＡＳ２７の敏は成ノーご中にＡｓ
の平衡蒸気圧が１呆持できる程度のｆｉｌであれば艮い
。なお、Ａｓ２（Ｊ３ としてＳｋ加した酸素の針は、
本実施例ではモル比で１．８５Ｘ１０−５ である。
まず、ボート２３に入れた（Ｊａ、Ａｓ の岬υ成物２
４と粉末Ｃ２５が溶融するように１２５０℃μ上に反応
物′２１金加熱し、さらに粉末Ａｓ２７を６１０℃に加
熱して、Ａｓｉ気２８を発生させる。次に、融成物の１
品度を紳結晶２２ （１１１１から１０５０〜１２００
℃に下げて（ＪａＡｓインゴット結晶を少しずつ成長さ
せる。
４と粉末Ｃ２５が溶融するように１２５０℃μ上に反応
物′２１金加熱し、さらに粉末Ａｓ２７を６１０℃に加
熱して、Ａｓｉ気２８を発生させる。次に、融成物の１
品度を紳結晶２２ （１１１１から１０５０〜１２００
℃に下げて（ＪａＡｓインゴット結晶を少しずつ成長さ
せる。
このようにして成長した（ｊ ａＡｓのインゴット結晶
は、比抵抗が４Ｘ１０’Ｑ−ｃｍ以上もあり、不純物Ｉ
Ｍ瓜としては８ｉがｌ×１０１５ 、Ｃが６Ｘ１０１５
ｃｍ’、酸素が３ Ｘ １０ ”ｃｍ−３であった。ま
た１に近いＣの偏析係ａを反映してＣＯａ度はインゴッ
ト結晶の成長方向に均一に分布していた。
は、比抵抗が４Ｘ１０’Ｑ−ｃｍ以上もあり、不純物Ｉ
Ｍ瓜としては８ｉがｌ×１０１５ 、Ｃが６Ｘ１０１５
ｃｍ’、酸素が３ Ｘ １０ ”ｃｍ−３であった。ま
た１に近いＣの偏析係ａを反映してＣＯａ度はインゴッ
ト結晶の成長方向に均一に分布していた。
その結果、本実施例になるＧａＡｓインゴット結晶から
切り出した結晶基板のすべてに対して、同一のイオン注
入条件ヲＪ両用してもすべて同じ自由電子濃度金もった
イオン注入層を再現性良く得ることができた。
切り出した結晶基板のすべてに対して、同一のイオン注
入条件ヲＪ両用してもすべて同じ自由電子濃度金もった
イオン注入層を再現性良く得ることができた。
なお、本発明における制御された針の酸素のドープ方法
としては、実施例で述べたＡｓ２Ｏ３を用いる方法の他
に、酸素を直接に反応管内に導入する方法、あるいはＧ
ａ２Ｏ３’ｚ用いる方法などがあるが、酸素のドープ方
法によって本発明が制約されることはない。また、実施
例で用いたボート成長法のみならず引き上げ法に対して
も本発明が適用できることはいうまでもない。
としては、実施例で述べたＡｓ２Ｏ３を用いる方法の他
に、酸素を直接に反応管内に導入する方法、あるいはＧ
ａ２Ｏ３’ｚ用いる方法などがあるが、酸素のドープ方
法によって本発明が制約されることはない。また、実施
例で用いたボート成長法のみならず引き上げ法に対して
も本発明が適用できることはいうまでもない。
（発明の効果）
μ上、耐細説明したとおり、本発明によれは、Ｇａ、Ａ
ｓ 及び機敏のＣからなる融成物中に、制御された針の
酸素をドープしてＧａＡｓ インゴット結晶を成長させ
ることにより、インゴット結晶全体にわたりＣ濃度が均
一であるＧａＡ ｓインゴット結晶が得られるので、イ
ンゴット結晶から切り出した結晶基板のすべてに、不純
物のイオン注入条件として同一のｔ］ユ人条件ｋ 廁ハ
」しても同一の自由電子１）＋４反を再現性良く得るこ
とのできる半絶縁性ＧａＡｓ納品の成長方法が得られる
。
ｓ 及び機敏のＣからなる融成物中に、制御された針の
酸素をドープしてＧａＡｓ インゴット結晶を成長させ
ることにより、インゴット結晶全体にわたりＣ濃度が均
一であるＧａＡ ｓインゴット結晶が得られるので、イ
ンゴット結晶から切り出した結晶基板のすべてに、不純
物のイオン注入条件として同一のｔ］ユ人条件ｋ 廁ハ
」しても同一の自由電子１）＋４反を再現性良く得るこ
とのできる半絶縁性ＧａＡｓ納品の成長方法が得られる
。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明における濃反制仰方法の
原理會ｉ兇明するだめの特性図、第２図は本発す１の一
実施例に用いられる成長炉の要部ケ示す面曲図である。 ２１・・・・・・反応管、２２・・・・・・押結晶、２
３・・・・・・ボート、２４−− Ａｓ ２０３ を含
むＧａ、Ａｓの融成物、２５・・・・・・粉末Ｃ１２６
・・・・・・拡散バリア、２７・・・・・・粉末Ａｓ、
２８・・・・・・Ａｓ蒸気。
原理會ｉ兇明するだめの特性図、第２図は本発す１の一
実施例に用いられる成長炉の要部ケ示す面曲図である。 ２１・・・・・・反応管、２２・・・・・・押結晶、２
３・・・・・・ボート、２４−− Ａｓ ２０３ を含
むＧａ、Ａｓの融成物、２５・・・・・・粉末Ｃ１２６
・・・・・・拡散バリア、２７・・・・・・粉末Ａｓ、
２８・・・・・・Ａｓ蒸気。
Claims (1)
- ＧａＡｓインゴット結晶の成長に際して、Ｇａ、Ａｓ及
び機敏のＣからなる融成物に制御された獣の酸素をドー
プしてＧａＡｓインゴット結晶を成長させることを特徴
とする半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066297A JPS60210599A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066297A JPS60210599A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60210599A true JPS60210599A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH0524117B2 JPH0524117B2 (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=13311736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066297A Granted JPS60210599A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60210599A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0525619A1 (en) | 1991-07-29 | 1993-02-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Compound semiconductor single crystal |
| EP0803593A1 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
| EP0947609A2 (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal and compound semiconductor crystal |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59066297A patent/JPS60210599A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0525619A1 (en) | 1991-07-29 | 1993-02-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Compound semiconductor single crystal |
| US5302839A (en) * | 1991-07-29 | 1994-04-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting diode having an improved GaP compound substrate for an epitaxial growth layer thereon |
| EP0803593A1 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
| US6007622A (en) * | 1996-04-26 | 1999-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
| USRE39778E1 (en) * | 1996-04-26 | 2007-08-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
| EP1288342A3 (en) * | 1996-04-26 | 2009-01-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
| USRE41551E1 (en) * | 1996-04-26 | 2010-08-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group III-V compound semiconductor crystal |
| EP0947609A2 (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal and compound semiconductor crystal |
| EP0947609A3 (en) * | 1998-03-25 | 2002-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal and compound semiconductor crystal |
| US6485563B2 (en) | 1998-03-25 | 2002-11-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
| USRE40662E1 (en) * | 1998-03-25 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
| USRE42279E1 (en) * | 1998-03-25 | 2011-04-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524117B2 (ja) | 1993-04-06 |
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