JP5978724B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
ここで言う「石英ルツボ底部」とは、石英ルツボ底中心およびその近傍(具体的には、ルツボの底面から側面にかけて曲率半径Rが最も小さくなる部位よりも底面側)を指す。
(a)シリコン原料または引き上げ途中のインゴットの溶解をメインヒーターのみでの加熱により行う。
(b)石英ルツボを最下限位置に配置する。
(c)引き上げ途中のシリコン単結晶の周囲に単結晶引き上げ軸と同軸に配設した熱遮蔽体を最上限位置に配置する。
前記の「剥離痕」とは、石英ルツボ内壁表面近傍の気泡を覆う薄いガラス部分や、ルツボ内壁の一部が変質して生じた結晶質部分がルツボ内壁から剥離した痕跡をいう。多くはガラス部分の剥離痕であることから、「ガラス剥離痕」ともいう。
(a)シリコン原料の溶解をメインヒーターのみでの加熱により行う。
(b)石英ルツボを最下限位置に配置する。
(c)引き上げ途中のシリコン単結晶の周囲に単結晶引き上げ軸と同軸に配設した熱遮蔽体を最上限位置に配置する。
1)石英ルツボ内壁表面近傍の気泡を覆う薄いガラス部分が剥離し、結晶に到達して(取り込まれ)有転位化を生ずる。
2)前記気泡内のガスがシリコン融液中に放たれ、浮遊して結晶に到達し有転位化を生ずる。
3)石英ルツボ内壁の一部は結晶質に変質するが、周囲のガラス質よりも溶解速度が遅いため結晶質部分が取り残され、ルツボ内壁から剥離し、結晶に到達して有転位化を生ずる。
石英ルツボ内表面の熱負荷を抑制するために、前記の(a)メインヒーターのみによる原料溶解、(b)石英ルツボを最下限位置に配置、および(c)熱遮蔽体を最上限位置に配置、の全ての改善を施して原料溶解した場合(実施例)、並びにそれらの改善をせずに原料溶解した場合(従来例)について総合伝熱解析を行い、石英ルツボ底部中心の温度を比較した。
実施例1に示した(a)〜(c)の全ての改善を施して原料溶解し、シリコン単結晶の引き上げを行った場合(実施例)、およびそれらの改善をせずに原料溶解し、引き上げを行った場合(従来例)について、引き上げ終了後の石英ルツボ内表面の高さ方向部位別に剥離密度を求めた。
石英ルツボ内表面の熱負荷に及ぼすメインヒーターの電力使用比率、石英ルツボの配置位置、および熱遮蔽体の配置位置の影響をそれぞれ個別に把握するために、メインヒーターの電力使用比率、石英ルツボの配置位置、または熱遮蔽体の配置位置をそれぞれ単独で変化させて原料溶解した場合について総合伝熱解析を行い、石英ルツボ底部中心の温度を比較した。
これらの検討の結果、メインヒーターの電力使用比率、石英ルツボの配置位置、および熱遮蔽体の配置位置は、石英ルツボ内表面の熱負荷に対してそれぞれ独立に作用することがわかる。
溶解工程において実施例1に示した(a)〜(c)の全ての改善を施して原料溶解し、再溶解工程では前記改善を実施せずにシリコン単結晶の引き上げを行った場合(製造条件B)、ならびに、溶解工程および再溶解工程において(a)〜(c)の全ての改善を施し、シリコン単結晶の引き上げを行った場合(製造条件C)について、引き上げ終了後の石英ルツボ内表面の剥離密度を求め、単結晶収率に及ぼす影響を調査した。
4:シリコン融液、 5:石英ルツボ、 6:メインヒーター、 7:断熱材、
8:サブヒーター、 9:熱遮蔽部体、 10:インゴット
Claims (5)
- シリコン原料を石英ルツボ内で溶解する溶解工程で得られたシリコン融液から、チョクラルスキー法による引き上げ工程を経てシリコン単結晶を製造する方法であって、
溶解工程において、石英ルツボ底部を低温に維持して原料の溶解を行い、
あらかじめ定めた石英ルツボ内表面評価の管理基準を満たす操業を行い、
前記石英ルツボ内表面評価の方法として、ルツボ内表面の任意の範囲における内壁の溶損に伴うガラス部分の剥離痕の個数を計測し、その個数を計測の対象範囲の面積で除した剥離密度を指標として用いる方法を採用することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記チョクラルスキー法による引き上げ工程が、引き上げ途中のインゴットを再溶解する再溶解工程を含む場合には、溶解工程に加え、当該再溶解工程においても、前記石英ルツボ底部を低温に維持して溶解を行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 石英ルツボ底部を低温に維持するために、溶解工程、または溶解および再溶解の両工程において、下記(a)、(b)および(c)のうちのいずれか一以上を実施することを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
(a)シリコン原料または引き上げ途中のインゴットの溶解をメインヒーターのみでの加熱により行う。
(b)石英ルツボを最下限位置に配置する。
(c)引き上げ途中のシリコン単結晶の周囲に単結晶引き上げ軸と同軸に配設した熱遮蔽体を最上限位置に配置する。 - 前記ルツボ表面の任意の範囲を、単結晶の引き上げが終了した後にルツボ内に残存するシリコン融液の最上端の任意の位置から上方5cmまでの長さ、および当該任意の位置から周方向に5cmの長さを隣接する2辺とする四角形で囲まれる範囲とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記石英ルツボ内表面評価の管理基準を、あらかじめ設定した剥離密度以下とする請求項1〜4のいずれかに記載のシリコン単結晶の製造方法。
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