JP5077280B2 - シリコン単結晶の引き上げ方法 - Google Patents
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Description
引き上げ装置の外観は図示しないチャンバーで構成され、その中心部に坩堝が配設されている。この坩堝は二重構造であり、有底円筒状をなす石英製の内層保持容器(以下、単に「石英坩堝1a」という)と、その石英坩堝1aの外側を保持すべく適合された同じく有底円筒状の黒鉛製の外層保持容器(以下、単に「黒鉛坩堝1b」という)とから構成されている。
前述のように、石英坩堝にNa、K及びLiのうち1種又は2種以上のアルカリ金属を含有させて、前記石英坩堝の外壁側が正極、種結晶側が負極となるよう直流電圧を印加し、石英坩堝の内壁表面を失透させることによって、坩堝内表面の結晶化に伴う育成結晶の有転位化を防ぐ方法が開示されたが、有転位化を防止するにはこの方法だけでは不十分であった。そこで、本発明者らは、まずその原因を探ることにした。
しかし、石英坩堝の内壁表面を失透させるにはある一定以上の電流を流す必要がある。
したがって、石英坩堝の内壁表面に失透を生じさせるには、ある一定以上の直流電圧を印加する必要がある。
図1は、本発明を実施するのに適したシリコン単結晶の引き上げ装置の断面構成例を模式的に示す図である。
本発明のシリコン単結晶の引き上げ方法に用いる引き上げ装置は以下に示すとおりである。
チョクラルスキー法によってチャンバー内で同一の石英坩堝中の原料融液から複数本のシリコン単結晶を引き上げるマルチプリング法であって、原料融液から単結晶を引き上げた後、ヒーター電源を落とさずに残りの原料融液に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の引き上げ方法において、坩堝内の最初の原料の溶融終了後、最初のシリコン単結晶の引き上げを行い、その後最初の原料溶融開始から所定時間が経過してから、前記石英坩堝の外壁とシリコン単結晶を引き上げる引上軸に直流電圧を印加して、シリコン単結晶を引き上げる。
このような本発明の方法は、例えば上記のような装置を用いて実施することができる。
一方、その後の単結晶の育成では、すでにLiは最初の単結晶に取り込まれた分があるので、融液内の濃度が減少しており、直流電圧を印加しても、異常に育成結晶に取り込まれることはない。また、直流電圧を印加することで、後半の単結晶育成において、石英坩堝内に失透を生じさせ、有転位化の発生を抑制できる。
このように、最初の単結晶引き上げを行った後最初の原料溶融開始から60時間以内に直流電圧を印加することにより、引き上げ工程後半において石英坩堝の内壁表面の失透を十分形成させることができ、より効果的に、単結晶引き上げ時の有転位化を防止し、単結晶歩留りと生産性を向上させることができるとともに、最初の単結晶引き上げを行った後最初の原料溶融開始から40時間以上経過してから直流電圧を印加することにより、直流電圧印加直後であっても、シリコン単結晶中のLi濃度を抑制できる。
この天然石英及び合成石英中のアルカリ金属イオンとはNa、K及びLiのうち1種または2種以上のことであり、特に外壁の含有Li濃度が0.1〜0.7ppmであり、内壁の含有Li濃度が0.1ppm未満であるものが、前記石英坩堝として好適である。
このような濃度とすれば、融液中のLi濃度が高すぎるようなこともなく、単結晶中に多く取り込まれて酸化膜に悪影響を及ぼすこともないし、低すぎて坩堝内壁の失透が不足することもない。
(実施例1)
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.7ppmとし、1および2本目の単結晶引き上げ時(操業時間(原料溶融開始からの時間)60時間以内に引き上げが終了)は直流電圧を印加せず、3および4本目の単結晶引き上げ時(操業時間40時間を超えてから引き上げを開始)は、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1aの外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って4V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.1ppmとし、1および2本目の単結晶引き上げ時(操業時間60時間以内に引き上げが終了)は直流電圧を印加せず、3および4本目の単結晶引き上げ時(操業時間40時間を超えてから引き上げを開始)は、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1a外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って12V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.7ppmとし、1から4本目までの全単結晶引き上げ時において、直流電圧を印加せずにシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.7ppmとし、1から4本目までの全単結晶引き上げ時において、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1a外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って12V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.7ppmとし、1から4本目までの全単結晶引き上げ時において、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1a外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って4V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.1ppmとし、1から4本目までの全単結晶引き上げ時において、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1a外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って12V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.1ppmとし、1から4本目までの全単結晶引き上げ時において、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1a外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って4V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.1ppmとし、1本目の単結晶引き上げ時は直流電圧を印加せず、2本目(操業時間30時間未満に引き上げを開始)から4本目までの単結晶引き上げ時は、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1aの外壁間の電圧値が単結晶引き上げの全プロセスに亘って4V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
図1に示す引き上げ装置を用いて、内径450mmの石英坩堝1aに最初のシリコン原料70kgを充填し、溶融液3を形成した後に、マルチプリング法により直径150mmの単結晶を1バッチ当たり4本引き上げた。使用した石英坩堝1aの外壁のLi含有量は0.1ppmとし、1本目の単結晶引き上げ時は直流電圧を印加せず、3本目の単結晶引き上げの直胴引き上げ途中(操業時間70時間経過後)から4本目の単結晶引き上げの全プロセスに亘って、石英坩堝1aの外壁側が正極となるようにし、種結晶7と石英坩堝1aの外壁間の電圧値が4V一定となるように直流電圧を印加しながらシリコン単結晶4の引き上げを行った。このようなマルチプリング法を5バッチ実施した。
Claims (3)
- チョクラルスキー法によってチャンバー内で同一の石英坩堝中の原料融液から複数本のシリコン単結晶を引き上げるマルチプリング法であって、原料融液から単結晶を引き上げた後、ヒーター電源を落とさずに残りの原料融液に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の引き上げ方法において、最初のシリコン単結晶の引き上げを行い、その後該最初のシリコン単結晶の引き上げを行うための原料溶融開始から40〜60時間が経過してから、前記石英坩堝の外壁とシリコン単結晶を引き上げる引上ワイヤー又は引上シャフトに直流電圧を印加し、前記石英坩堝として、石英坩堝の外壁側はアルカリ金属イオンを含む天然石英とし、内壁側はアルカリ金属イオンが前記天然石英より少ない合成石英とした坩堝を使用することを特徴とするシリコン単結晶の引き上げ方法。
- 前記直流電圧は、前記石英坩堝の外壁側が正極、前記引上ワイヤー又は引上シャフト側が負極となるように印加することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の引き上げ方法。
- 前記直流電圧を印加して引き上げたシリコン単結晶中のLi濃度が、直流電圧を印加せずに引き上げた最初の結晶のLi濃度以下となるように、印加する直流電圧を4〜12Vの範囲から選択し設定することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶の引き上げ方法。
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